一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明給出一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器，所述濾波器包括三個(gè)SIW矩形諧振腔，其中第一諧振腔和第三諧振腔設(shè)置在第一陶瓷基板上；第二諧振腔設(shè)置在第二陶瓷基板上；所述陶瓷基板由三層LTCC低溫共燒陶瓷構(gòu)成；所述第一陶瓷基板和第二陶瓷基板由金屬地隔開；所述金屬地中線上對(duì)稱開設(shè)有兩個(gè)矩形內(nèi)部耦合孔，其中第一內(nèi)部耦合孔距其臨近側(cè)金屬壁距離為波長(zhǎng)的四分之一第二內(nèi)部耦合孔距其臨近側(cè)金屬壁距離為兩側(cè)金屬壁上還分別開設(shè)有感性窗作為交叉耦合孔；所述第一陶瓷基板的共面波導(dǎo)短路端分別開設(shè)有長(zhǎng)度為的細(xì)長(zhǎng)槽作為外部耦合孔。本發(fā)明的濾波器通過采用介質(zhì)集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，能夠有效地減少內(nèi)插損耗，同時(shí)具有體積小，加工方便等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及濾波器領(lǐng)域，特別涉及一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器。

【背景技術(shù)】
[0002] 基于表面微帶線或者內(nèi)部帶狀線結(jié)構(gòu)的濾波器的共同特點(diǎn)是諧振器的輻射損耗 和介質(zhì)損耗都較大，無載Q值過低，一般只有幾十到兩百左右，因而造成了濾波器的帶內(nèi)插 損較大，尤其是毫米波波段后插損將惡化到無法接受的地步。這極大地限制了這種表面微 帶線或者內(nèi)部帶狀線結(jié)構(gòu)的濾波器的使用應(yīng)用范圍。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器，通過采用介質(zhì)集成波導(dǎo)（SIW) 結(jié)構(gòu)，能夠有效地減少內(nèi)插損耗，同時(shí)具有體積小，加工方便等優(yōu)點(diǎn)。
[0004] 本發(fā)明提供的一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器，所述濾波器包括三個(gè)SIW矩形諧振腔， 其中第一諧振腔和第三諧振腔設(shè)置在第一陶瓷基板上；第二諧振腔設(shè)置在第二陶瓷基板 上；所述陶瓷基板由三層LTCC低溫共燒陶瓷構(gòu)成；所述第一陶瓷基板和第二陶瓷基板由 金屬地隔開；所述金屬地中線上對(duì)稱開設(shè)有兩個(gè)矩形內(nèi)部耦合孔，其中第一內(nèi)部耦合孔距 其臨近側(cè)金屬壁距離為波長(zhǎng)的四分之一 C-i ：);第二內(nèi)部耦合孔距其臨近側(cè)金屬壁距離為 4 ^ ;兩側(cè)金屬壁上還分別開設(shè)有感性窗作為交叉耦合孔；所述第一陶瓷基板的共面波導(dǎo) 4 短路端分別開設(shè)有長(zhǎng)度為4的細(xì)長(zhǎng)槽作為外部耦合孔；所述諧振腔的孔間距和厚度均為 4 0· 288mm,長(zhǎng)為3. 15mm,寬為I. 875mm ;所述細(xì)長(zhǎng)槽的寬為0· Imm,距金屬壁的距離為0· 2mm ; 所述內(nèi)部稱合孔的長(zhǎng)為1mm，寬為〇. 28mm ;所述感性窗的深度為0. 288mm，長(zhǎng)為1mm。

【具體實(shí)施方式】
[0005] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中 的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是 全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前 提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0006] 本發(fā)明一實(shí)施例提供了一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器，所述濾波器包括三個(gè)SIW矩形 諧振腔，其中第一諧振腔和第三諧振腔設(shè)置在第一陶瓷基板上；第二諧振腔設(shè)置在第二陶 瓷基板上；所述陶瓷基板由三層LTCC低溫共燒陶瓷構(gòu)成；所述第一陶瓷基板和第二陶瓷 基板由金屬地隔開；所述金屬地中線上對(duì)稱開設(shè)有兩個(gè)矩形內(nèi)部耦合孔，其中第一內(nèi)部耦 乂 合孔距其臨近側(cè)金屬壁距離為波長(zhǎng)的四分之一 第二內(nèi)部耦合孔距其臨近側(cè)金屬壁 4 距離為;兩側(cè)金屬壁上還分別開設(shè)有感性窗作為交叉耦合孔；所述第一陶瓷基板的共面 4 波導(dǎo)短路端分別開設(shè)有長(zhǎng)度為i的細(xì)長(zhǎng)槽作為外部耦合孔；所述諧振腔的孔間距和厚度 4 均為0· 288mm,長(zhǎng)為3. 15mm,寬為I. 875mm ;所述細(xì)長(zhǎng)槽的寬為0· Imm,距金屬壁的距離為 0. 2mm ;所述內(nèi)部f禹合孔的長(zhǎng)為Imm,寬為0. 28mm ;所述感性窗的深度為0. 288mm，長(zhǎng)為1mm。
[0007] 本發(fā)明的濾波器的通頻帶為34GHz到36. 3GHz，帶內(nèi)插損小于0. 5dB，回波損耗小 于-20dB，在帶外37. 4GHz處出現(xiàn)了一個(gè)傳輸零點(diǎn)，從而使該處的衰減大于30dB。帶寬比 2GHz帶寬有所增大，阻帶衰減有所增大，這主要是因?yàn)镾IW結(jié)構(gòu)所具有的高Q值、低損耗等 優(yōu)點(diǎn)，因此其特別適用于毫米波等高頻段應(yīng)用領(lǐng)域。
[0008] 最后應(yīng)說明的是：以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然 可以對(duì)前述實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換， 而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和 范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種交叉耦合結(jié)構(gòu)濾波器，所述濾波器包括三個(gè)SIW矩形諧振腔，其中第一諧振腔 和第三諧振腔設(shè)置在第一陶瓷基板上；第二諧振腔設(shè)置在第二陶瓷基板上；所述陶瓷基板 由三層LTCC低溫共燒陶瓷構(gòu)成；所述第一陶瓷基板和第二陶瓷基板由金屬地隔開；其特征 在于，所述金屬地中線上對(duì)稱開設(shè)有兩個(gè)矩形內(nèi)部耦合孔，其中第一內(nèi)部耦合孔距其臨近 偵檢屬壁距離為波長(zhǎng)的四分之一Cl);第二內(nèi)部耦合孔距其臨近側(cè)金屬壁距離為2;兩 44 側(cè)金屬壁上還分別開設(shè)有感性窗作為交叉耦合孔；所述第一陶瓷基板的共面波導(dǎo)短路端分 別開設(shè)有長(zhǎng)度為一^的細(xì)長(zhǎng)槽作為外部耦合孔；所述諧振腔的孔間距和厚度均為〇. 288mm，4 長(zhǎng)為3. 15mm，寬為I. 875mm;所述細(xì)長(zhǎng)槽的寬為0·lmm，距金屬壁的距離為0· 2mm;所述內(nèi)部 奉禹合孔的長(zhǎng)為1mm，寬為0. 28mm;所述感性窗的深度為0. 288mm，長(zhǎng)為1mm。
【文檔編號(hào)】H01P1/207GK104319442SQ201410539082
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月27日
【發(fā)明者】史偉立 申請(qǐng)人:史偉立