陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，能夠提高產(chǎn)品的透過率，同時(shí)對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：基板，形成于所述基板上的數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層，所述柵絕緣層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器發(fā)展迅猛，目前已經(jīng)占據(jù)顯示領(lǐng)域的主流，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等產(chǎn)品中。
[0003]高級超維場開關(guān)技術(shù)(Advanced-SuperDimens1nal Switching,簡稱:ADS)是液晶顯示領(lǐng)域的新興技術(shù)，其通過同一平面內(nèi)像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技術(shù)具有寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點(diǎn)，但目前ADS產(chǎn)品同時(shí)也普遍存在透過率不高以及Crosstalk、Flicker (亮點(diǎn)串?dāng)_不良、閃爍不良)等不良，影響產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，能夠提高產(chǎn)品的透過率，同時(shí)對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。
[0005]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0006]一方面，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:基板，形成于所述基板上的數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層，所述柵絕緣層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
[0007]進(jìn)一步地，所述陣列基板還包括:鈍化層，所述鈍化層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分也被去除。
[0008]優(yōu)選地，所述柵絕緣層制作時(shí)采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。
[0009]具體地，所述柵絕緣層、所述鈍化層的分布區(qū)域包括所述數(shù)據(jù)線、所述柵線、所述薄膜晶體管的分布區(qū)域。
[0010]優(yōu)選地，所述柵絕緣層和所述鈍化層的邊緣距離所述柵線均不小于2um，距離所述數(shù)據(jù)線也均不小于2um。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述像素電極直接搭接在所述薄膜晶體管的漏極。
[0012]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括:任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0013]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，包括:形成柵絕緣層的工序，所述形成柵絕緣層的工序中形成的柵絕緣層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
[0014]進(jìn)一步地，所述陣列基板的制造方法還包括:形成鈍化層的工序，所述形成鈍化層的工序中形成的鈍化層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
[0015]優(yōu)選地，所述形成柵絕緣層的工序中采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，將柵絕緣層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分去除，使像素中透光區(qū)域的透過率增加，從而提高產(chǎn)品的透過率；透過率增加，還可以彌補(bǔ)充電水平不足。另一方面，Crosstalk、Flicker等不良主要是控制顯示信號加載的薄膜晶體管的有源層受光照影響使得載流子增多所導(dǎo)致，本發(fā)明方案透過率增加可以使所需要的充電水平降低(充電水平受溝道的寬長比W/L影響)，這樣在設(shè)計(jì)時(shí)可以有意減小有源層，從而避免有源層受光照影響載流子增多，因而本發(fā)明方案對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的TN型陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TN型陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中柵絕緣層的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為現(xiàn)有技術(shù)中TN型陣列基板在形成像素電極之前(左圖)和之后(右圖)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為現(xiàn)有技術(shù)中TN型陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為現(xiàn)有技術(shù)中ADS型陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的ADS型陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]附圖標(biāo)記:
[0026]10-基板，11-數(shù)據(jù)線，12-柵線，13-薄膜晶體管，14-像素電極，130-柵極，
[0027]131-柵絕緣層，132-有源層，133-漏極，15-鈍化層，16-公共電極。

【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。
[0029]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1?圖3所示，該陣列基板包括:基板10，形成于基板10上的數(shù)據(jù)線11、柵線12、薄膜晶體管13和像素電極14，薄膜晶體管13包括柵絕緣層131，柵絕緣層131上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
[0030]薄膜晶體管13的結(jié)構(gòu)包括柵極130、柵絕緣層131、有源層132和源極、漏極133。如圖4和圖5所示，現(xiàn)有技術(shù)在形成薄膜晶體管的柵絕緣層131時(shí)，往往形成的是覆蓋整個(gè)基板的絕緣膜層，在薄膜晶體管13以外區(qū)域，柵絕緣層131主要用于隔開柵絕緣層131上方和下方膜層，使二者絕緣，例如在數(shù)據(jù)線11和柵線12交疊區(qū)域，上方膜層為柵金屬層、下方膜層為源漏金屬層，但實(shí)際上像素中的透光區(qū)域并不需要柵絕緣層131的絕緣功能，像素電極14可以直接形成于基板10上，因此本實(shí)施例將像素中透光區(qū)域的柵絕緣層131去除以提高透過率。
[0031]如圖3所示，為本實(shí)施例中柵絕緣層131的俯視示意圖。柵絕緣層131上各像素的透光區(qū)域被去除(或鏤空)。像素中的透光區(qū)域指像素電極14的覆蓋區(qū)域。當(dāng)然本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，具體設(shè)計(jì)時(shí)柵絕緣層131的剩余膜層應(yīng)能保證像素電極14不與數(shù)據(jù)線11、柵線12、薄膜晶體管13的柵極131等不發(fā)生非設(shè)計(jì)要求上的電連接。本實(shí)施例還可以選擇將全部或部分像素的透光區(qū)域進(jìn)行柵絕緣層鏤空的設(shè)計(jì)，以調(diào)整透過率在整個(gè)顯示面板上的分布。
[0032]本實(shí)施例提供的陣列基板，將柵絕緣層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分去除，使像素中透光區(qū)域的透過率增加，從而提高產(chǎn)品的透過率；透過率增加，還可以彌補(bǔ)充電水平不足。另一方面，透過率增加可以使所需要的充電水平降低(充電水平受溝道的寬長比W/L影響)，這樣在設(shè)計(jì)時(shí)可以有意減小有源層，從而避免有源層受光照影響載流子增多，因而本發(fā)明方案對Crosstalk、Flicker等不良也有一定的改善效果。
[0033]進(jìn)一步地，上述陣列基板還包括:鈍化層15，當(dāng)像素中的透光區(qū)域不需要鈍化層15的絕緣功能時(shí)，鈍化層15上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分也被去除(或鏤空)，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的透過率。鈍化層15的去除部分與柵絕緣層類似，可參照圖3所示。
[0034]優(yōu)選地，上述柵絕緣層131制作時(shí)采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。增加膜層致密度的方法有很多種，比如改變沉積時(shí)的氣體流量，沉積壓力或沉積功率等等，本實(shí)施例對此不做限定，膜層致密度增加可以減小柵絕緣層131的透光率，假如有源層(Active) 132發(fā)生微小移動(dòng)(微Shift)，致密的柵絕緣層131可防止有源層132尾端受光照影響過大結(jié)果出現(xiàn)串?dāng)_現(xiàn)象(此處的光照主要指背光)，從而改善Crosstalk、Flicker等不良，提聞廣品的顯不品質(zhì)。
[0035]為了本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)，下面通過具體的實(shí)施例對本發(fā)明提供的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0036]本實(shí)施例的第一種實(shí)施方式,提供一種適合TN(Twisted Nematic,扭曲向列型)產(chǎn)品的陣列基板，包括:基板10，形成于基板10上的數(shù)據(jù)線11、柵線12、薄膜晶體管13和像素電極14，薄膜晶體管13的結(jié)構(gòu)包括柵極130、柵絕緣層131、有源層132和源極、漏極133。為便于理解，下面通過與圖4和圖5所示現(xiàn)有TN型陣列基板進(jìn)行對比敘述?，F(xiàn)有TN型陣列基板，柵絕緣層131與鈍化層15覆蓋整個(gè)基板，像素電極14通過貫穿柵絕緣層131與鈍化層15的過孔進(jìn)行像素電極14(IT0層)與薄膜晶體管13的漏極133 (源漏金屬層S/D)搭接。而本實(shí)施方式中將柵絕緣層131上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分去除，柵絕緣層131、鈍化層15至少覆蓋柵線、數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管的分布區(qū)域，且柵絕緣層131、鈍化層15的邊緣距離數(shù)據(jù)線/柵線的邊緣不小于2um。
[0037]例如，可以通過濕法或干法刻蝕方法將像素區(qū)(Pixel區(qū))底層的柵絕緣層131與鈍化層15(GI&PVX)刻蝕掉，刻蝕邊緣距離數(shù)據(jù)線11或柵線12(Data線&Gate線)不小于2um，此限制可以保證數(shù)據(jù)線11或柵線12被完全保護(hù)住，避免短接導(dǎo)致的漏電，同時(shí)實(shí)現(xiàn)透過率的提高。薄膜晶體管13的漏極133可直接搭接像素電極，與現(xiàn)有技術(shù)中做過孔搭接的方法相比，連接更加可靠，避免了過孔搭接不良出現(xiàn)的異常顯示現(xiàn)象(AD現(xiàn)象)。
[0038]上述柵絕緣層131、鈍化層15圖形一致，其中與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分均被去除，具體分布區(qū)域均包括數(shù)據(jù)線11、柵線12、薄膜晶體管13的分布區(qū)域。柵絕緣層131、鈍化層15可以分別單獨(dú)獨(dú)立刻蝕制作，也可以在鈍化層15成膜工序之后，通過刻蝕工藝將柵絕緣層131、鈍化層15的圖形一起制作出來。
[0039]另外，上述柵絕緣層131、鈍化層15圖形也可以不一致，制作時(shí)先形成包括柵極130和柵線12的柵金屬層；柵金屬層之上形成柵絕緣層131并圖形化，圖形化后的柵絕緣層131的分布區(qū)域至少要包括柵線12、薄膜晶體管13的有源層的分布區(qū)域；然后繼續(xù)形成有源層132、包括源極和漏極133的源漏金屬層；源漏金屬層之上形成鈍化層15并圖形化，圖形化后的鈍化層15的分布區(qū)域至少要包括數(shù)據(jù)線11、薄膜晶體管13的源極和漏極133的分布區(qū)域。
[0040]本實(shí)施例的第二種實(shí)施方式提供一種適合ADS (高級超維場開關(guān),Advanced-SuperDimens1nal Switching)產(chǎn)品的陣列基板。圖6為現(xiàn)有技術(shù)中ADS型陣列基板剖面圖，圖7為本發(fā)明實(shí)施方式提及的ADS型陣列基板剖面圖，同樣，將柵絕緣層131上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分刻蝕掉，刻蝕邊緣距離數(shù)據(jù)線11 (或柵線12)不小于2um，此距離可以保證數(shù)據(jù)線11 (或柵線12)被完全保護(hù)住且能提高透過率。對于ADS型陣列基板，需要鈍化層15隔開像素電極14和公共電極16，保證二者絕緣，因此，鈍化層15不做刻蝕，保留原有的整層分布方式。
[0041]上述【具體實(shí)施方式】中提及的陣列基板其柵絕緣層131在成膜時(shí)還采用了一種或多種增加膜層致密度的方法，比如優(yōu)化沉積時(shí)的氣體流量、沉積壓力或沉積功率等等，以減小柵絕緣層131的透光率，在有源層132發(fā)生微Shift時(shí)可防止Active尾端受光照影響過大而出現(xiàn)的串?dāng)_現(xiàn)象，從而改善Crosstalk、Flicker等不良，提高產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0042]上述為提高透過率而對柵絕緣層131 (或者柵絕緣層131和鈍化層15)進(jìn)行的刻蝕，與提高柵絕緣層131致密度的方法二者相輔相成，共同解決顯示產(chǎn)品普遍存在的透過率不高以及Crosstalk、Flicker等不良，提高產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板。所述顯示裝置透過率高，能改善Crosstalk、Flicker等不良，可獲得更高的顯示品質(zhì)，并且所需充電水平低，易滿足，節(jié)能省電。所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、0LED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0044]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制造方法，其中包括:形成柵絕緣層的工序，該工序中形成的柵絕緣層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除，提高產(chǎn)品的透過率，改善Crosstalk、Flicker等不良,從而提高產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0045]進(jìn)一步地，陣列基板的制造方法還包括:形成鈍化層的工序，形成鈍化層的工序中形成的鈍化層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除，進(jìn)一步提高產(chǎn)品的透過率。
[0046]上述形成柵絕緣層或者形成鈍化層的工序中可先成膜，再根據(jù)柵絕緣層或鈍化層的膜材料選擇通過濕法或干法刻蝕方法將像素中的透光區(qū)域的柵絕緣層或鈍化層刻蝕掉(可以通過同一工序一次性刻蝕掉柵絕緣層和鈍化層)，也可以通過印刷、遮擋成膜等方式直接形成符合要求的像素中的透光區(qū)域鏤空的柵絕緣層或鈍化層，本實(shí)施例對此不做限定，可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任何方式。
[0047]優(yōu)選地，形成柵絕緣層的工序中采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。致密的柵絕緣層131改善因有源層132受光照影響載流子增多導(dǎo)致的CrosstalKFlicker等不良，提聞廣品的顯不品質(zhì)。
[0048]本實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，將柵絕緣層、鈍化層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分去除，以提高產(chǎn)品的透過率；另一方面，通過柵絕緣層131成膜工序中采用增加膜層致密度的方法，改善Crosstalk、Flicker等不良,從而提高產(chǎn)品的顯示品質(zhì)。
[0049]需要說明的是，在上面敘述中雖然以液晶顯示為背景進(jìn)行敘述，但本發(fā)明的應(yīng)用并不應(yīng)局限于此。
[0050]本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對于方法實(shí)施例而言，由于其基本相似于設(shè)備實(shí)施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
[0051]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:基板，形成于所述基板上的數(shù)據(jù)線、柵線、薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管包括柵絕緣層，其特征在于， 所述柵絕緣層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:鈍化層， 所述鈍化層上與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分也被去除。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層制作時(shí)采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵絕緣層、所述鈍化層的分布區(qū)域包括所述數(shù)據(jù)線、所述柵線、所述薄膜晶體管的分布區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵絕緣層和所述鈍化層的邊緣距離所述柵線均不小于2um，距離所述數(shù)據(jù)線也均不小于2um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于， 所述像素電極直接搭接在所述薄膜晶體管的漏極。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括:權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制造方法，包括:形成柵絕緣層的工序，其特征在于，所述形成柵絕緣層的工序中形成的柵絕緣層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，還包括:形成鈍化層的工序，所述形成鈍化層的工序中形成的鈍化層與像素中的透光區(qū)域相對應(yīng)的部分被去除。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述形成柵絕緣層的工序中采用了一種或多種增加膜層致密度的方法。
【文檔編號】H01L29/423GK104409483SQ201410549863
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年10月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月16日
【發(fā)明者】薛靜, 于洪俊, 朱紅, 吳昊, 崔子巍 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司