一種具有電極出光的發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種具有電極出光的發(fā)光二極管，在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第一電極及第二電極，其中，第一電極或第二電極作為焊臺電極，在作為焊臺電極的第一電極或第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則的微細(xì)透明柱體，且透明柱體與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)形成連接。本發(fā)明可以減少電極擋光面積，提高發(fā)光二極管的外量子效率。
【專利說明】一種具有電極出光的發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是指一種具有電極出光的發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等優(yōu)點，作為主要的光源得到較快發(fā)展，近年來發(fā)光二極管的利用領(lǐng)域迅速擴(kuò)展，而提高發(fā)光二極管的亮度成為其關(guān)鍵因素。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，采用多重量子講(multiple quantum well, MQW)結(jié)構(gòu)作為有源層的發(fā)光二極管，能獲得較高內(nèi)量子效率；而發(fā)光二極管外量子效率的提高主要集中在表面粗化、金屬反射鏡技術(shù)、圖形襯底等。
[0004]然而，發(fā)光二極管基本上頂部都設(shè)置有焊臺電極，且存在較大的擋光面積。傳統(tǒng)技術(shù)為了減少焊臺電極遮光的影響，最常見的方法是采用在電極底下區(qū)域設(shè)置一個電流阻擋區(qū)域，阻擋焊臺電極正下方電流的傳輸能力，藉此提高非焊臺電極區(qū)域的電流密度而增加有源層的發(fā)光能力，降低焊臺電極擋光的問題。但此方法還是無法避免焊臺電極擋光，并且隨著發(fā)光二極管的亮度不斷地提高，焊臺電極的擋光問題越明顯。因此，減少焊臺電極的擋光面積即可提高發(fā)光二極管外量子效率，本案由此產(chǎn)生。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種具有電極出光的發(fā)光二極管，以減少電極擋光面積，提聞發(fā)光二極管的外量子效率。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案為:
一種具有電極出光的發(fā)光二極管，在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第一電極及第二電極，其中，第一電極或第二電極作為焊臺電極，在作為焊臺電極的第一電極或第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則的微細(xì)透明柱體，且透明柱體與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)形成連接。
[0007]進(jìn)一步，外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置作為焊臺電極的第二電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置外延襯底，在外延襯底上設(shè)置第一電極；第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，透明柱體由第二型導(dǎo)電層直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
[0008]進(jìn)一步，外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置作為焊臺電極的第一電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介電層，介電層內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電通孔，在介電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通孔與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置導(dǎo)電基板，導(dǎo)電基板背部設(shè)置第二電極；第一電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，透明柱體由第一型導(dǎo)電層直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
[0009]進(jìn)一步，外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置電流擴(kuò)展導(dǎo)電層及作為焊臺電極的第二電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置外延襯底；第二電極同側(cè)的第一電極制作區(qū)域設(shè)置第一電極與第一型導(dǎo)電層連接；第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，微細(xì)透明柱體由外延發(fā)光結(jié)構(gòu)直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
[0010]進(jìn)一步，電流擴(kuò)展導(dǎo)電層的材料包括氧化銦錫、氧化鋅、石墨烯。
[0011]進(jìn)一步，透明柱體的材料包括氧化銦錫、氧化鋅、石墨烯。
[0012]進(jìn)一步，透明柱體為導(dǎo)電透明柱體。
[0013]一種具有電極出光的發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
步驟一，在外延襯底上形成外延發(fā)光結(jié)構(gòu)，在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成透光通道制作層；步驟二，采用掩膜、ICP蝕刻工藝在透光通道制作層的電極制作區(qū)域，形成若干規(guī)則排列的透光通道，且ICP蝕刻深度至露出外延發(fā)光結(jié)構(gòu)表面；
步驟三，在裸露的外延發(fā)光結(jié)構(gòu)表面蒸鍍透光材料直至填滿透光通道，形成透光柱體；
步驟四，腐蝕去除透光通道制作層，留下透光柱體，且露出外延發(fā)光結(jié)構(gòu)；
步驟五，在裸露的外延發(fā)光結(jié)構(gòu)表面形成作為焊臺電極的第一電極或第二電極，且厚度超過透光柱體高度；
步驟六，采用ICP蝕刻作為焊臺電極的第一電極或第二電極表面直至露出透光柱體的上表面；
步驟七，在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成背電極，裂片形成發(fā)光二極管的芯片。
[0014]進(jìn)一步，步驟一中，在外延襯底上依次分別形成緩沖層、第一型導(dǎo)電層、有源層、第二型導(dǎo)電層、透光通道制作層；
步驟二中，采用掩膜、ICP蝕刻工藝透光通道制作層的電極制作區(qū)域，形成若干規(guī)則排列的透光通道，且ICP蝕刻深度直至露出第二型導(dǎo)電層表面；
步驟三中，在裸露的第二型導(dǎo)電層表面蒸鍍透光材料直至填滿透光通道，形成透光柱體；
步驟四中，腐蝕去除透光通道制作層，留下透光柱體且露出第二型導(dǎo)電層；
步驟五中，在第二型導(dǎo)電層表面形成焊臺電極的第二電極，且厚度超過透光柱體高度；
步驟六中，采用ICP蝕刻作為焊臺電極的第二電極表面直至露出透光柱體的上表面； 步驟七中，在外延襯底上形成第一電極，裂片形成發(fā)光二極管的芯片。
[0015]進(jìn)一步，步驟一中，在外延襯底上依次分別形成緩沖層、剝離層、透光通道制作層、第一型導(dǎo)電層、有源層、第二型導(dǎo)電層；
在第二型導(dǎo)電層上表面形成介電層，在介電層上表面形成金屬反射層；將金屬反射層和導(dǎo)電基板鍵合在一起；
腐蝕去除外延襯底或激光剝離外延襯底，露出透光通道制作層的表面；
步驟二中，采用掩膜、ICP蝕刻工藝透光通道制作層的電極制作區(qū)域，形成若干規(guī)則排列的透光通道，且ICP蝕刻深度直至露出第一型導(dǎo)電層表面；
步驟三中，在裸露的第一型導(dǎo)電層表面蒸鍍透光材料直至填滿透光通道，形成透光柱體；
步驟四中，腐蝕去除透光通道制作層，留下透光柱體且露出第一型導(dǎo)電層；
步驟五中，在裸露的第一型導(dǎo)電層表面形成為焊臺電極的第一電極，且厚度超過透光柱體高度；
步驟六中，采用ICP蝕刻作為焊臺電極的第一電極表面直至露出透光柱體的上表面； 步驟七中，在導(dǎo)電基板的背面形成第二電極，裂片形成發(fā)光二極管的芯片。
[0016]進(jìn)一步，步驟一中，在外延襯底上分別形成緩沖層、第一型導(dǎo)電層、有源層、第二型導(dǎo)電層；在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置透光通道制作層；
步驟二中，采用掩膜、ICP蝕刻工藝，在透光通道制作層表面的第二電極制作區(qū)域形成若干規(guī)則的透光通道，且ICP蝕刻深度直至露出第二型導(dǎo)電層表面；
步驟三中，在裸露的第二型導(dǎo)電層區(qū)域蒸鍍透光材料直至填滿透光通道，形成透光柱體；
步驟四中，腐蝕去除透光通道制作層，留下透光柱體，且露出第二型導(dǎo)電層；
步驟五中，在除了第二電極制作區(qū)域外的第二型導(dǎo)電層表面設(shè)置電流擴(kuò)展導(dǎo)電層；在裸露的第二型導(dǎo)電層表面形成作為焊臺電極的第二電極，且厚度超過透光柱體高度；焊臺電極的四周與電流擴(kuò)展導(dǎo)電層形成連接；
步驟六中，采用ICP蝕刻作為焊臺電極的第二電極表面直至露出透光柱體的上表面；步驟七中，去除局部區(qū)域電流擴(kuò)展導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層、有源層，直至露出部分區(qū)域的第一型導(dǎo)電層，在裸露的第一導(dǎo)電層上制作第一電極，且第一電極與側(cè)面的外延層之間有導(dǎo)電隔離層；裂片形成發(fā)光二極管的芯片。
[0017]進(jìn)一步，透光通道的表面形狀包括長方形、正方形、圓形、橢圓形、梯形、三角型；透光柱體的形狀包括長方形柱體、正方形柱體、圓形柱體、橢圓形柱體、梯形柱體、三角型柱體。
[0018]進(jìn)一步，透光柱體在焊臺電極制作區(qū)域的密度小于等于400個/mm2。
[0019]進(jìn)一步，透光柱體的表面形狀圖形的尺寸小于4微米。
[0020]進(jìn)一步，透光通道制作層的外延材料體系與第一型導(dǎo)電層及第二型導(dǎo)電層的接觸面的外延材料體系不同。
[0021]進(jìn)一步，透光通道制作層的厚度為1-10 μ m。
[0022]采用上述方案后，本發(fā)明通過在焊臺電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的透光柱體，通過透光柱體采用透光材料。有效地減少焊臺電極的遮光面積，增加焊臺電極下方區(qū)域外延發(fā)光結(jié)構(gòu)光的萃取率，本發(fā)明能減少電極擋光面積，有效提高發(fā)光二極管的外量子效率。
[0023]同時，透光柱體采用導(dǎo)電材料，降低了焊臺電極由于內(nèi)部設(shè)置透光柱體而導(dǎo)致的發(fā)光二極管串聯(lián)內(nèi)阻的數(shù)值，達(dá)到了和原來焊臺電極內(nèi)部未設(shè)置透光柱體的串聯(lián)內(nèi)阻值，減少此設(shè)計對發(fā)光二極管的工作電壓的影響。
[0024]透光柱體所采用的材料需要對有源層所發(fā)出的光具有透光性質(zhì)。由于透光柱體是包裹在焊臺電極里面，透光柱體采用具有導(dǎo)電性能的材料便不會影響焊臺電極在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)中的串聯(lián)電阻。另一方面，焊臺電極用于封裝時打線所用，要求透光柱體所采用的材料具有一定的柔韌性。透光柱體的材料采用氧化銦錫、氧化鋅、石墨烯符合以上要求。
[0025]透光柱體在焊臺電極制作區(qū)域的密度小于等于400個/mm2，透光柱體的表面形狀圖形的尺寸小于4微米。透光柱體的個數(shù)密度、尺寸大小采用以上的數(shù)值范圍，能起到增加透光柱體透光性能的同時又不會提高焊臺電極的內(nèi)阻，且不會降低封裝時焊臺電極的抗壓焊能力，提高了發(fā)光二極管的光電性能且不會降低器件可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實施例一的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2至圖5為本發(fā)明實施例一的制作過程示意圖；
圖6為本發(fā)明實施例一的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本發(fā)明實施例二的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8至圖11為本發(fā)明實施例二的制作過程示意圖；
圖12為本發(fā)明實施例二的芯片結(jié)構(gòu)示意圖；
圖13為本發(fā)明實施例三的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
圖14至圖16為本發(fā)明實施例三的制作過程示意圖；
圖17為本發(fā)明實施例三的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]標(biāo)號說明
外延襯底11剝離層12
通道制作層13 第一型導(dǎo)電層14 有源層15第二型導(dǎo)電層16
介電層17金屬反射層18
硅基板19透光通道110
透光柱體111焊臺電極112
背電極113
外延襯底21緩沖層22
第一型導(dǎo)電層23 有源層24 第二型導(dǎo)電層25 通道制作層26 透光通道27透光柱體28
電流擴(kuò)展導(dǎo)電層29 焊臺電極210 第一電極211隔離層212
外延襯底31緩沖層32
第一型導(dǎo)電層33 有源層34 第二型導(dǎo)電層35 通道制作層36 透光通道37透光柱體38
焊臺電極39第一電極310。

【具體實施方式】
[0028]以下結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明做詳細(xì)描述。
[0029]實施例一
本發(fā)明揭示的一種具有電極出光的發(fā)光二極管制作方法，具體步驟如下:
一，外延襯底11上分別依次外延形成剝離層12、透光通道制作層13、第一型導(dǎo)電層14、有源層15、第二型導(dǎo)電層16，如圖1所示。
[0030]其中，外延襯底11采用GaAs襯底，厚度為300 μ m。剝離層12由(Alci 7Gaci 3)a5Inci 5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為200nm。透光通道制作層13的構(gòu)成材料采用Ala4Gaa6As三五族化合物，采用厚度為3μπι。第一型導(dǎo)電層14由第一型粗化層、第一型電流擴(kuò)展層、第一型限制層組成。其中第一型粗化層由(Ala7Gaa3)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為I U mo第一型電流擴(kuò)展層由(Ala35Gaa65)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為4 μ m。第一型限制層由(Ala8Gaa2)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。有源層15由20組(Ala8Gaa2)a5Ina5PziGaa5Ina5P三五族化合物交替構(gòu)成。第二型導(dǎo)電層16由第二型限制層、第二型電流擴(kuò)展層組成。第二型限制層由(Ala8Gaa2)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為800nm。第二型電流擴(kuò)展層由GaP三五族化合物構(gòu)成,且厚度為4 μ m。
[0031]二，在第二型導(dǎo)電層16上表面形成介電層17,在介電層17上表面形成金屬反射層18。
[0032]三，把金屬反射層18和導(dǎo)電娃基板19鍵合在一起,如圖2所不。
[0033]四，分別腐蝕去除外延襯底11、剝離層12，露出透光通道制作層13的表面。
[0034]五，采用掩膜、ICP蝕刻等工藝，在透光通道制作層13表面的電極制作區(qū)域形成350個/mm2規(guī)則的透光通道110，且ICP蝕刻深度直至露出第一型導(dǎo)電層14表面，如圖3所
/Jn ο
[0035]六，在第一型導(dǎo)電層14表面蒸鍍氧化銦錫透光材料直至填滿透光通道110，形成圓柱形的透光柱體111，且圓柱形的直徑為3 μ m。
[0036]七，腐蝕去除透光通道制作層13，留下透光柱體111且露出第一型導(dǎo)電層14，如圖4所示。
[0037]八，在第一型導(dǎo)電層14表面形成焊臺電極112，且厚度超過透光柱體111高度，如圖5所示。
[0038]九，采用ICP蝕刻焊臺電極112表面直至露出透光柱體111的上表面。
[0039]十，在硅基板19的背面形成背電極113，裂片形成發(fā)光二極管的芯片，如圖6所示。
[0040]實施例二
本發(fā)明揭示的一種具有電極出光的發(fā)光二極管制作方法，具體步驟如下:
一，外延襯底21上分別依次外延形成緩沖層22、第一型導(dǎo)電層23、有源層24、第二型導(dǎo)電層25，如圖7所示。
[0041]其中，外延襯底21采用藍(lán)寶石襯底，厚度為300 μ m。緩沖層22采用無摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2 μ m。第一型導(dǎo)電層23采用Si摻雜的GaN三五族化合物，厚度為2.5μ m。有源層24米用5對量子講和量子魚交叉生長的結(jié)構(gòu)。具體為量子魚由AlGaN三五族化合物構(gòu)成，厚度為12nm。量子阱由GaInN三五族化合物構(gòu)成，厚度為4nm。第二型導(dǎo)電層25采用Mg摻雜的GaN三五族化合物，厚度為200nm。
[0042]二，在第二型導(dǎo)電層25上蒸鍍透光通道制作層26，透光通道制作層26采用S12材料，且厚度為2 μ m。
[0043]三，采用掩膜、ICP蝕刻等工藝，在透光通道制作層26表面的電極制作區(qū)域形成300個/mm2規(guī)則的透光通道27，且ICP蝕刻深度直至露出第二型導(dǎo)電層25表面，如圖8所
/Jn ο
[0044]四，在裸露的第二型導(dǎo)電層25表面蒸鍍氧化鋅透光材料直至填滿透光通道27，形成正方形的透光柱體28，且正方形的邊長為2 μ m。
[0045]五，腐蝕去除透光通道制作層26，留下透光柱體28且露出第二型導(dǎo)電層25，如圖9所示。
[0046]六，在第二型導(dǎo)電層25表面制作電流擴(kuò)展導(dǎo)電層29，電流擴(kuò)展導(dǎo)電層29采用ITO材料；且去除焊臺電極區(qū)域的電流擴(kuò)展導(dǎo)電層29，如圖10所示。
[0047]七，在裸露的第二型導(dǎo)電層25表面形成焊臺電極210，且厚度超過透光柱體28高度，如圖11所示。
[0048]八，采用ICP蝕刻焊臺電極210表面直至露出透光柱體28的上表面。
[0049]九，去除局部區(qū)域電流擴(kuò)展導(dǎo)電層29、第二型導(dǎo)電層25、有源層24，直至露出部分第一型導(dǎo)電層23區(qū)域,在裸露的第一導(dǎo)電層上制作第一電極211,且第一電極211與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)(外延層)的側(cè)面之間有S12隔離層212。
[0050]十，裂片形成發(fā)光二極管的芯片，如圖12所示。
[0051]實施例三
本發(fā)明揭示的一種具有電極出光的發(fā)光二極管制作方法，具體步驟如下:
一，外延襯底31上分別依次外延形成緩沖層32、第一型導(dǎo)電層33、有源層34、第二型導(dǎo)電層35、透光通道制作層36，如圖13所示。
[0052]其中，外延襯底31采用GaAs襯底，厚度為300 μ m。第一型導(dǎo)電層33由布拉格反射層、第一型限制層組成。其中布拉格反射層由30組Ala5Gaa5AsAlAs三五族化合物交替構(gòu)成。第一型限制層由(Ala7Gaa3)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為750nm。有源層34由26組(Ala7Gaa Una5PAiaa5Ina5P三五族化合物交替構(gòu)成。第二型導(dǎo)電層35由第二型限制層、第二型電流擴(kuò)展層組成。第二型限制層由(Ala7Gaa3)a5Ina5P三五族化合物構(gòu)成，且厚度為750nm。第二型電流擴(kuò)展層由GaP三五族化合物構(gòu)成，且厚度為7 μ m。透光通道制作層36的構(gòu)成材料采用Ala4Gaa6As三五族化合物，采用厚度為5 μ m。
[0053]二，采用掩膜、ICP蝕刻等工藝，在透光通道制作層36表面的電極制作區(qū)域形成200個/mm2規(guī)則的透光通道37，且ICP蝕刻深度直至露出第二型導(dǎo)電層35表面，如圖14所
/Jn ο
[0054]三，在裸露的第二型導(dǎo)電層35表面蒸鍍氧化銦錫透光材料直至填滿透光通道37，形成正三角形的透光柱體38，且正三角形的邊長為3 μ m。
[0055]四，腐蝕去除透光通道制作層36，留下透光柱體38且露出第二型導(dǎo)電層35，如圖15所示。
[0056]五，在裸露的第二型導(dǎo)電層35表面形成焊臺電極39，且厚度超過透光柱體38高度，如圖16所示。
[0057]六，采用ICP蝕刻焊臺電極39表面直至露出透光柱體38的上表面。
[0058]七，在襯底背部制作第一電極310，裂片形成發(fā)光二極管的芯片，如圖17所示。
[0059]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并非對本案設(shè)計的限制，凡依本案的設(shè)計關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種具有電極出光的發(fā)光二極管，其特征在于:在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第一電極及第二電極，其中，第一電極或第二電極作為焊臺電極，在作為焊臺電極的第一電極或第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，且透明柱體與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)形成連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管，其特征在于:外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置作為焊臺電極的第二電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置外延襯底，在外延襯底上設(shè)置第一電極；第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，透明柱體由第二型導(dǎo)電層直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管，其特征在于:外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置作為焊臺電極的第一電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置介電層，介電層內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電通孔，在介電層上設(shè)置金屬反射層，金屬反射層通過導(dǎo)電通孔與第二型導(dǎo)電層形成歐姆接觸，金屬反射層上設(shè)置導(dǎo)電基板，導(dǎo)電基板背部設(shè)置第二電極；第一電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，透明柱體由第一型導(dǎo)電層直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管，其特征在于:外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由有源層、第一型導(dǎo)電層、第二型導(dǎo)電層構(gòu)成；在有源層的一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，在第二型導(dǎo)電層上設(shè)置電流擴(kuò)展導(dǎo)電層及作為焊臺電極的第二電極，有源層的另一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，在第一型導(dǎo)電層上設(shè)置外延襯底；第二電極同側(cè)的第一電極制作區(qū)域設(shè)置第一電極與第一型導(dǎo)電層連接；第二電極內(nèi)部設(shè)置若干規(guī)則排列的微細(xì)透明柱體，微細(xì)透明柱體由外延發(fā)光結(jié)構(gòu)直通第二電極表面，且在第二電極表面裸露出透明柱體的上表面。
5.如權(quán)利要求4所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管,其特征在于:電流擴(kuò)展導(dǎo)電層的材料包括氧化銦錫、氧化鋅、石墨烯。
6.如權(quán)利要求1至5任一項所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管,其特征在于:透明柱體的材料包括氧化銦錫、氧化鋅、石墨烯。
7.如權(quán)利要求1至5任一項所述的一種具有電極出光的發(fā)光二極管,其特征在于:透明柱體為導(dǎo)電透明柱體。
【文檔編號】H01L33/00GK104393138SQ201410551477
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月17日
【發(fā)明者】林志偉, 陳凱軒, 張永, 卓祥景, 姜偉, 楊凱, 蔡建九, 白繼鋒, 劉碧霞 申請人:廈門乾照光電股份有限公司