一種氮化硅抗氧化導電銀漿及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種氮化硅抗氧化導電銀漿,其特征在于,由下列重量份的原料制成:銀粉40-50、磷酸錳鋰1.2-3.5、甲殼素0.4-0.7、殼寡糖1.3-2.6、硅酸鋰3-5、碳化硅1.3-2.4、氮化硅0.5-0.8、硫代二丙酸雙十八醇酯3-5、助劑30-40;本發(fā)明添加氮化硅具有抗氧化功能,制得的導電銀漿具有導電性佳、電阻小,并且具有很低的操作溫度且其熱導率很高。
【專利說明】 一種氮化硅抗氧化導電銀漿及其制作方法
[0001]
【技術領域】
[0002]本發(fā)明涉及導電銀漿領域,具體涉及一種氮化硅抗氧化導電銀漿及其制作方法。
【背景技術】
[0003]導電銀漿是指印刷于導電承印物上,使之具有傳導電流和排除積累靜電荷能力的銀漿,一般是印在塑料、玻璃、陶瓷或紙板等非導電承印物上,它是由導電性填料、黏合劑、溶劑及添加劑組成。導電銀漿需要具備的特性有:導電性(抗靜電性)佳、附著力強、印刷適應性好和耐溶劑性優(yōu)等特性,而目前市場上現(xiàn)有的導電銀漿有很多缺點,不僅含有鉛、鎘等且有毒,污染環(huán)境,而且使用在導電承印物上時附著力低、耐焊接性不佳,燒結性能差。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的就是提供一種氮化硅抗氧化導電銀漿及其制作方法,以克服現(xiàn)有技術的不足。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:
一種氮化硅抗氧化導電銀漿,其特征在于,由下列重量份的原料制成:銀粉40-50、磷酸錳鋰1.2-3.5、甲殼素0.4-0.7、殼寡糖1.3-2.6、硅酸鋰3-5、碳化硅1.3-2.4、氮化硅0.5-0.8、硫代二丙酸雙十八醇酯3-5、助劑30-40。
[0006]所述的助劑由下列重量份原料制成:二氧化鋯0.3-0.5、氧化鎳1-3、白炭黑1_3、聚甲基丙烯酸酯0.3-0.6、聚乙烯蠟0.4-0.8、二甘醇乙醚醋酸酯5-8、聚硅氧烷0.2-0.3、聚乙二醇9-13,其制備方法是將二氧化鋯、氧化鎳放入煅燒爐中于540-650°C下煅燒1_2小時,取出冷卻至室溫,加入白炭黑研磨20-40分鐘;將二甘醇乙醚醋酸酯、聚乙二醇攪拌混勻,在150-185°C下反應2-3小時,冷卻至75_85°C,加入聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯蠟、聚硅氧烷,保持溫度攪拌3-4小時;將以上各反應產(chǎn)物混合,研磨2-4小時制得300-400目漿料即得。
[0007]所述的一種氮化硅抗氧化導電銀漿的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)取碳化硅3-4、氮化硅放入煅燒爐中在680-740°C下燒結2_3小時,取出冷卻,加入硅酸鋰一起研磨1-2小時;
(2)取硫代二丙酸雙十八醇酯加熱到55-65°C,加入甲殼素、殼寡糖攪拌30-40分鐘至混勻,放入磷酸錳鋰研磨2-3小時成漿;
(3)將步驟(I)、(2)反應物料及其他剩余物料混合,升溫至100-12(TC,攪拌反應1-2小時,冷卻,研磨成粒徑為10-20 μ m衆(zhòng)粒,即得。
[0008]本發(fā)明有以下有益效果:本發(fā)明添加氮化硅具有抗氧化功能,制得的導電銀漿具有導電性佳、電阻小,并且具有很低的操作溫度且其熱導率很高。
【具體實施方式】
[0009]所述的一種氮化硅抗氧化導電銀漿,其特征在于,由下列重量份的原料制成:銀粉43、磷酸錳鋰1.5、甲殼素0.47、殼寡糖1.6、硅酸鋰3、碳化硅1.3、氮化硅0.5、硫代二丙酸雙十八醇酯3、助劑32。
[0010]所述的助劑由下列重量份原料制成:二氧化鋯0.4、氧化鎳1、白炭黑2、聚甲基丙烯酸酯0.5、聚乙烯蠟0.7、二甘醇乙醚醋酸酯8、聚硅氧烷0.2、聚乙二醇13,其制備方法是將二氧化鋯、氧化鎳放入煅燒爐中于540-650°C下煅燒1-2小時,取出冷卻至室溫,加入白炭黑研磨20-40分鐘;將二甘醇乙醚醋酸酯、聚乙二醇攪拌混勻,在150-185°C下反應2_3小時,冷卻至75-85°C,加入聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯蠟、聚硅氧烷,保持溫度攪拌3-4小時;將以上各反應產(chǎn)物混合,研磨2-4小時制得300-400目漿料即得。
[0011]制作方法包括以下步驟:
(1)取碳化硅3-4、氮化硅放入煅燒爐中在680-740°C下燒結2_3小時,取出冷卻,加入硅酸鋰一起研磨1-2小時;
(2)取硫代二丙酸雙十八醇酯加熱到55-65°C,加入甲殼素、殼寡糖攪拌30-40分鐘至混勻,放入磷酸錳鋰研磨2-3小時成漿;
(3)將步驟(I)、(2)反應物料及其他剩余物料混合,升溫至100-12(TC,攪拌反應1-2小時,冷卻,研磨成粒徑為10-20 μ m衆(zhòng)粒,即得。
[0012]通過上述實施例加工得到的導電銀漿的技術指標如下:
(1)黏度:50-100PaS(Brookfield, 1RPM);
(2)附著力:>10N/mm2 ;
(3)方阻:<5ηιΩ /c ;
(4)鉛鎘含量:<10ppm0
【權利要求】
1.一種氮化硅抗氧化導電銀漿,其特征在于,由下列重量份的原料制成:銀粉40-50、磷酸錳鋰1.2-3.5、甲殼素0.4-0.7、殼寡糖1.3-2.6、硅酸鋰3_5、碳化硅1.3-2.4、氮化硅0.5-0.8、硫代二丙酸雙十八醇酯3-5、助劑30-40 ;所述的助劑由下列重量份原料制成■?二氧化鋯0.3-0.5、氧化鎳1-3、白炭黑1-3、聚甲基丙烯酸酯0.3-0.6、聚乙烯蠟0.4-0.8、二甘醇乙醚醋酸酯5-8、聚硅氧烷0.2-0.3、聚乙二醇9-13,其制備方法是將二氧化鋯、氧化鎳放入煅燒爐中于540-650°C下煅燒1-2小時,取出冷卻至室溫,加入白炭黑研磨20-40分鐘;將二甘醇乙醚醋酸酯、聚乙二醇攪拌混勻,在150-185°C下反應2-3小時,冷卻至75_85°C,加入聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯蠟、聚硅氧烷,保持溫度攪拌3-4小時;將以上各反應產(chǎn)物混合,研磨2-4小時制得300-400目漿料即得。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種氮化硅抗氧化導電銀漿的制作方法,其特征在于包括以下步驟: (1)取碳化硅3-4、氮化硅放入煅燒爐中在680-740°C下燒結2_3小時,取出冷卻,加入硅酸鋰一起研磨1-2小時; (2)取硫代二丙酸雙十八醇酯加熱到55-65°C,加入甲殼素、殼寡糖攪拌30-40分鐘至混勻,放入磷酸錳鋰研磨2-3小時成漿; (3)將步驟(I)、(2)反應物料及其他剩余物料混合,升溫至100-12(TC,攪拌反應1-2小時,冷卻,研磨成粒徑為10-20 μ m衆(zhòng)粒,即得。
【文檔編號】H01B1/22GK104392765SQ201410551818
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月17日 優(yōu)先權日:2014年10月17日
【發(fā)明者】羅來付 申請人:阜陽市節(jié)源照明電器有限責任公司