一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出了一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法，包括涂膠機(jī)、活動(dòng)擋板、擋板支架、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)、去膠滴管；所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)頂部固定基片，所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)底部與涂膠機(jī)相連，所述擋板支架與旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸相連接；所述活動(dòng)擋板位于基片上方并固定在擋板支架上，活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸?。凰鋈ツz滴管位于活動(dòng)擋板上方。本發(fā)明很好的解決了方形基片邊緣堆膠難去除問(wèn)題，通過(guò)增加活動(dòng)擋板增加了基片的利用率，節(jié)省了大量的生產(chǎn)成本；此工藝方法具有操作簡(jiǎn)單可行，經(jīng)濟(jì)效益明顯，具有很好的推廣使用價(jià)值。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路工藝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，還涉及一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]光刻工藝在整個(gè)薄膜電路制作工藝過(guò)程中的工序繁雜性，使得光刻技術(shù)的穩(wěn)定性、可靠性和工藝成品率對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量、成品率和成本有著重要影響。所以，對(duì)光刻工藝的穩(wěn)定性進(jìn)行研究對(duì)保證產(chǎn)品質(zhì)量有著重要的意義。而光刻膠的涂覆作為光刻工藝的第一步，直接影響著后續(xù)工藝和最終圖形的質(zhì)量。涂膠的目的是在基片表面建立薄的、均勻的、并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。常用的光刻膠涂覆方法有噴淋涂覆和旋涂涂覆。噴淋涂覆在涂膠勻性、平整度及效率等方面都要遜于旋涂涂覆。因此目前行業(yè)中薄膜電路制作主要采用旋涂涂覆的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)光刻膠的涂覆。
[0003]旋轉(zhuǎn)涂膠一般先用吸盤(pán)吸附基片，然后把幾立方厘米的光刻膠滴在基片的中心先低速攤膠，直到光刻膠覆蓋了基片的大部分。然后使吸盤(pán)會(huì)很快的加速到一個(gè)事先定好的速度。在加速過(guò)程中，離心力會(huì)使光刻膠向基片邊緣部擴(kuò)散并且甩走多余的光刻膠，只把平整均勻的光刻膠薄膜留在基片表面。在光刻膠被分散開(kāi)之后，高速旋轉(zhuǎn)還會(huì)維持一段時(shí)間以便使光刻膠干燥。同樣旋涂涂覆也存在一重大缺陷，就是基片邊緣堆膠問(wèn)題。涂膠后基片邊緣會(huì)堆積較厚的光刻膠，涂膠轉(zhuǎn)速越低，光刻膠粘度越高，基片邊緣光刻膠堆積就越嚴(yán)重。邊緣堆膠在后續(xù)的光刻加工過(guò)程中，會(huì)帶來(lái)光刻掩膜膠版的污染及造成曝光時(shí)光衍射等問(wèn)題，嚴(yán)重影響電路加工品質(zhì)甚至造成制品報(bào)廢。
[0004]對(duì)于圓形基片邊緣堆膠，目前常用的解決方法是在涂膠后，再增加一步去膠液旋轉(zhuǎn)噴淋的步驟，以去除基片邊緣的堆膠。具體過(guò)程如圖1所示，采用旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9上的真空吸盤(pán)吸附基片8，通過(guò)設(shè)置在基片邊緣上方位置的去膠滴管I噴淋去膠液2，同時(shí)旋轉(zhuǎn)真空吸盤(pán)，這樣去膠液就會(huì)帶走基片邊緣的光刻膠11，實(shí)現(xiàn)基片邊緣堆膠的去除。
[0005]現(xiàn)有方法存在的主要問(wèn)題是:采用邊緣噴灑去膠液，旋轉(zhuǎn)去膠的方法對(duì)于圓形基片邊緣的去膠效果非常好。但是如果用于方形基片的去膠，就會(huì)帶來(lái)基片浪費(fèi)不經(jīng)濟(jì)的問(wèn)題。由于去膠時(shí)基片是做旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，而去膠滴管固定不變，這樣去膠后就會(huì)使方形基片只有中間圓形部分可以利用，造成基片利用率偏的問(wèn)題。例如直徑為50_的圓基片和邊長(zhǎng)為50mm的方形基片，去膠部分為距離邊緣為1mm，通過(guò)計(jì)算圓形基片利用率為92.16 %，方形基片利用率為72.4%?？梢钥闯觯捎么巳ツz方法，方形基片利用率非常低。這就相應(yīng)的增加生產(chǎn)成本，降低了經(jīng)濟(jì)效益。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法，解決方形基片邊緣堆積光刻膠難以去除的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0008]一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，包括涂膠機(jī)、活動(dòng)擋板、擋板支架、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)、去膠滴管；
[0009]所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)頂部固定基片，所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)底部與涂膠機(jī)相連，所述擋板支架與旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸相連接；
[0010]所述活動(dòng)擋板位于基片上方并固定在擋板支架上，活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸少；
[0011 ] 所述去膠滴管位于活動(dòng)擋板上方。
[0012]可選地，所述活動(dòng)擋板位于基片上方，通過(guò)擋板支架上加墊墊片調(diào)節(jié)與基片的距離，使活動(dòng)擋板與基片距離在0.2mm-0.4mm范圍內(nèi)。
[0013]可選地，所述活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸少2-4_，并居中放置在基片上方。
[0014]基于上述夾具，本發(fā)明還提供了一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，包括以下步驟:
[0015]步驟(101)，提供一方形涂膠基片；
[0016]步驟(102)，把基片吸附在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上方；
[0017]步驟(103)，在基片上方覆蓋活動(dòng)擋板；
[0018]步驟(104)，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；
[0019]步驟(105)，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次蓋上擋板；
[0020]步驟(106)，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；
[0021]步驟(107)，移除活動(dòng)擋板取下基片。
[0022]可選地，所述基片材料為純度99.6%以上的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或石英等薄膜電路常用基片，基片的厚度范圍為:0.1mm?0.65mm。
[0023]可選地，所述步驟(102)中，采用真空吸附把基片固定在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上。
[0024]可選地，所述步驟(103)中，在方形基片上方覆蓋一矩形活動(dòng)擋板，擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm，居中放置，并用螺母固定在活動(dòng)擋板支架上，并通過(guò)墊片調(diào)整與基片的距離，使擋板與基片的距離在0.2-0.4mm范圍內(nèi)。
[0025]可選地，所述步驟(104)具體為，在擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片AC兩邊邊緣堆膠。
[0026]可選地，所述步驟(105)具體為，移去活動(dòng)擋板，去除真空吸附，取下鍍膜基片，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次吸附基片，加上活動(dòng)擋板。
[0027]可選地，所述步驟(106)具體為，在擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片BD兩邊邊緣堆膠。
[0028]本發(fā)明的有益效果是:
[0029]通過(guò)采用真空吸盤(pán)吸附基片，旋轉(zhuǎn)噴淋去膠液的方法，實(shí)現(xiàn)基片邊緣堆膠的去除，同時(shí)采用在基片上方增加擋板機(jī)構(gòu)，提高了方形基片的利用率，解決了涂膠時(shí)基片邊緣堆膠對(duì)后續(xù)光刻工序的影響，提高了薄膜電路的加工品質(zhì)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0031]圖1為現(xiàn)有的旋轉(zhuǎn)去膠方法的原理圖；
[0032]圖2為本發(fā)明的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法的流程圖；
[0035]圖5為本發(fā)明的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法的基片邊緣去膠效果圖；
[0036]其中:1-去膠滴管；2_去膠液；3_螺母；4_活動(dòng)擋板；5_擋板支架；6_旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸；7-墊片；8-基片；9_旋轉(zhuǎn)平臺(tái)；10-涂膠機(jī)；11-光刻膠；12_螺母；13-真空管道。

【具體實(shí)施方式】
[0037]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0038]本發(fā)明提供的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法，是通過(guò)采用真空吸盤(pán)吸附基片，旋轉(zhuǎn)噴淋去膠液的方法，實(shí)現(xiàn)基片邊緣堆膠的去除，同時(shí)采用在基片上方增加擋板機(jī)構(gòu)，提高了方形基片的利用率，解決了涂膠時(shí)基片邊緣堆膠對(duì)后續(xù)光刻工序的影響，提聞了薄I旲電路的加工品質(zhì)。
[0039]如圖2和圖3所示，本發(fā)明的一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，包括涂膠機(jī)10、活動(dòng)擋板4、擋板支架5、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9、去膠滴管I。
[0040]旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9頂部固定基片8，旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9底部與涂膠機(jī)10相連，擋板支架5與旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸6相連接，通過(guò)螺母3固定活動(dòng)擋板4，去膠滴管I位于活動(dòng)擋板上方，用于噴淋去膠液。
[0041]上述涂膠機(jī)10為旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，轉(zhuǎn)速可調(diào)，其旋轉(zhuǎn)軸帶真空吸附通孔。旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9帶真空吸孔，用于吸附固定基片8，旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9真空吸孔與涂膠機(jī)10旋轉(zhuǎn)軸真空吸附通孔相連接，并與涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)軸相連接，通過(guò)螺母固定。
[0042]活動(dòng)擋板4位于基片8上方并通過(guò)螺母固定在擋板支架5上，通過(guò)擋板支架5上加墊墊片?調(diào)節(jié)與基片8的距離，使活動(dòng)擋板與基片距離在0.2mm-0.4mm范圍內(nèi)。
[0043]活動(dòng)擋板4寬度尺寸較基片尺寸少，優(yōu)選少2-4_，并居中放置在基片8上方。
[0044]使用時(shí)，首先，在方形基片8上方覆蓋矩形活動(dòng)擋板4，活動(dòng)擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm，居中放置，并用螺母3固定在擋板支架5上，并通過(guò)墊片7調(diào)整與基片8的距離，使活動(dòng)擋板4與基片8的距離在0.2-0.4mm范圍內(nèi)。
[0045]下一步，在活動(dòng)擋板4和基片8上方噴淋去膠液2，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9，使落在基片8上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠11，達(dá)到去除基片AC兩邊邊緣堆膠的目的。
[0046]下一步，移去活動(dòng)擋板4，去除真空吸附，取下鍍膜基片8，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次吸附基片，加上活動(dòng)擋板4。
[0047]下一步，在活動(dòng)擋板4和基片8上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，達(dá)到去除基片BD兩邊邊緣堆膠的目的。
[0048]最后，移去活動(dòng)擋板4，去除真空吸附，取下鍍膜基片8，檢驗(yàn)基片邊緣去膠是否完全。
[0049]基于上述夾具，本發(fā)明還提供了一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，如圖4和圖5所示，該方法包括以下步驟:
[0050]步驟101，提供一方形涂膠基片；
[0051]步驟102，把基片吸附在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上；
[0052]步驟103，在基片上方覆蓋活動(dòng)擋板；
[0053]步驟104，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；
[0054]步驟105，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次蓋上擋板；
[0055]步驟106，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠；
[0056]步驟107，移除活動(dòng)擋板取下基片。
[0057]上述方法中，薄膜電路基片材料為純度99.6%以上的氧化鋁基片或純度98%的氣化招基片或石英等薄I旲電路常用基片，基片的厚度范圍為:0.1mm?0.65mm。
[0058]上述步驟101中方形基片的涂膠工藝具體為，采用真空濺射鍍膜的方法在上述基片8上，涂覆一層金屬?gòu)?fù)合膜；然后，使用涂膠機(jī)在基片8上旋轉(zhuǎn)涂覆一層光刻膠。
[0059]上述步驟102中，把基片8固定在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，采用真空吸附固定。
[0060]上述步驟103中，在方形基片8上方覆蓋一矩形活動(dòng)擋板4，活動(dòng)擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm，居中放置，并用螺母3固定在擋板支架5上，并通過(guò)墊片7調(diào)整與基片8的距離，使活動(dòng)擋板4與基片8的距離在0.2-0.4mm范圍內(nèi)。
[0061]上述步驟104中，在活動(dòng)擋板4和基片8上方噴淋去膠液2，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9，使落在基片8上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠11，達(dá)到去除基片AC兩邊邊緣堆膠的目的。
[0062]上述步驟105中，移去活動(dòng)擋板4，去除真空吸附，取下鍍膜基片8，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次吸附基片，加上活動(dòng)擋板4。
[0063]上述步驟106中，在活動(dòng)擋板4和基片8上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，達(dá)到去除基片BD兩邊邊緣堆膠的目的。
[0064]上述步驟g中，移去活動(dòng)擋板4，去除真空吸附，取下鍍膜基片8，檢驗(yàn)基片邊緣去膠是否完全。
[0065]下面結(jié)合一個(gè)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0066]步驟101，選用的薄膜電路介質(zhì)基片8材料為純度99.6%氧化鋁陶瓷，尺寸為50mmX 50mm方片，厚度為0.254臟。涂覆光刻膠11，涂膠時(shí)所使用的光刻膠為RZJ-390型正性光刻膠，其主要成分是12?25%酚醛樹(shù)脂，溶劑成分是75%以上的丙二醇單甲醚醋酸酯；采用涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)涂覆，勻膠轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分鐘。
[0067]步驟102，把基片8吸附在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，具體步驟包括:首先把旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9的旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸6與涂膠機(jī)10轉(zhuǎn)軸相連接，并通過(guò)螺母12禁錮，防止旋轉(zhuǎn)時(shí)候松動(dòng)；然后把基片8放置在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9上，光刻膠膜朝上，打開(kāi)涂膠機(jī)真空13吸附基片，使基片牢固的吸附在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上。
[0068]步驟103，在基片8上方覆蓋活動(dòng)擋板4步驟，具體為:通過(guò)在擋板支架5上加墊墊片7，調(diào)節(jié)活動(dòng)擋板4與基片光刻膠11間距離,使其距離為0.2-0.4mm ;活動(dòng)擋板4寬度尺寸為48mm，使活動(dòng)擋板4位于基片8正上方中間位置；然后用螺母3把擋板固定在擋板支架5上。
[0069]步驟103，在基片8上方覆蓋活動(dòng)擋板4步驟，具體為:嚴(yán)格控制活動(dòng)擋板4與基片8的距離，如果距離過(guò)大會(huì)造成去膠液腐蝕基片中間部分的光刻膠，如果距離太近容易造成活動(dòng)擋板與光刻膠粘連，破壞光刻膠膜層，活動(dòng)擋板位置要居中主要是防止邊緣去膠不徹
。
[0070]步驟104，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠步驟，具體為:開(kāi)動(dòng)涂膠機(jī)器10，轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘，涂膠轉(zhuǎn)速不能太低，太低容易造成去膠液滲入腐蝕中心部位的光刻膠；這時(shí)通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸6，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9旋轉(zhuǎn)，同時(shí)帶動(dòng)基片8旋轉(zhuǎn)。
[0071]上述步驟104中，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠步驟，基片旋轉(zhuǎn)后，在距離基片中心位置20-22_處，通過(guò)去膠滴管I噴灑去膠液2。這時(shí)候去膠液就落在基片邊緣去除光刻膠，在旋轉(zhuǎn)離心力的作用下，把基片上的光刻膠帶走。由于有擋板的阻擋，去膠液不會(huì)腐蝕擋板與基片重合部分的光刻膠。只去除邊緣光刻膠，保證了去膠的準(zhǔn)確性。本實(shí)施例采用的去膠液為丙酮，丙酮能夠很好溶解RZJ-390型正性光刻膠，去膠效果十分好。
[0072]上述步驟104中，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠步驟，通過(guò)旋轉(zhuǎn)噴淋去膠后，很好的去除了基片AC兩邊有光刻堆膠，效果圖5a為去膠前基片俯視圖，圖5b為去膠后俯視圖。
[0073]步驟105，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次蓋上擋板步驟，具體為:卸下螺母3取下活動(dòng)擋板4 ;去掉涂膠機(jī)真空，把基片8從旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9取下，然后旋轉(zhuǎn)基片90度，打開(kāi)涂膠機(jī)真空吸附13，盡量保證旋轉(zhuǎn)位置準(zhǔn)確，使基片重新固定在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9上；同時(shí)蓋上活動(dòng)擋板4，使基片BD邊緣暴露在擋板外，擰緊螺母3固定活動(dòng)擋板。
[0074]步驟106，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠步驟，具體為:再次開(kāi)動(dòng)涂膠機(jī)器10，轉(zhuǎn)速為3000轉(zhuǎn)/分鐘；這時(shí)通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸6，帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)9旋轉(zhuǎn)，同時(shí)帶動(dòng)基片8旋轉(zhuǎn)；在距離基片中心位置20-22mm處，通過(guò)去膠滴管I噴灑去膠液丙酮，去除基片BD邊緣部分的光刻膠如圖5c所示。
[0075]步驟107，移除活動(dòng)擋板取下基片步驟，具體為:卸下螺母3，取下活動(dòng)擋板4，去除真空13把基片從旋轉(zhuǎn)平臺(tái)取下。
[0076]本發(fā)明的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具及方法，很好的解決了方形基片邊緣堆膠難去除問(wèn)題，通過(guò)增加活動(dòng)擋板增加了基片的利用率，如上述涂膠基片，經(jīng)過(guò)去膠后基片利用率為92.2%，而在不增加擋板的去膠后基片利用率為72.4%，提高基片利用率19.8%，節(jié)省了大量的生產(chǎn)成本；此工藝方法具有操作簡(jiǎn)單可行，經(jīng)濟(jì)效益明顯，具有很好的推廣使用價(jià)值。
[0077]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，包括涂膠機(jī)、活動(dòng)擋板、擋板支架、旋轉(zhuǎn)平臺(tái)、去膠滴管； 所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)頂部固定基片，所述旋轉(zhuǎn)平臺(tái)底部與涂膠機(jī)相連，所述擋板支架與旋轉(zhuǎn)平臺(tái)軸相連接； 所述活動(dòng)擋板位于基片上方并固定在擋板支架上，活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸?。? 所述去膠滴管位于活動(dòng)擋板上方。
2.權(quán)利要求1所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，所述活動(dòng)擋板位于基片上方，通過(guò)擋板支架上加墊墊片調(diào)節(jié)與基片的距離，使活動(dòng)擋板與基片距離在0.2mm-0.4mm范圍內(nèi)。
3.權(quán)利要求1所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的夾具，其特征在于，所述活動(dòng)擋板寬度尺寸較基片尺寸少2-4_，并居中放置在基片上方。
4.一種用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟(101)，提供一方形涂膠基片； 步驟(102)，把基片吸附在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上方； 步驟(103)，在基片上方覆蓋活動(dòng)擋板； 步驟(104)，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠； 步驟(105)，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次蓋上擋板； 步驟(106)，滴去膠液同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)去膠； 步驟(107)，移除活動(dòng)擋板取下基片。
5.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述基片材料為純度99.6%以上的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或石英等薄膜電路常用基片，基片的厚度范圍為:0.1mm?0.65mm。
6.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟(102)中，采用真空吸附把基片固定在旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上。
7.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟(103)中，在方形基片上方覆蓋一矩形活動(dòng)擋板，擋板的寬度尺寸比基片小2-4mm，居中放置，并用螺母固定在活動(dòng)擋板支架上，并通過(guò)墊片調(diào)整與基片的距離，使擋板與基片的距離在0.2-0.4mm范圍內(nèi)。
8.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟(104)具體為，在擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片AC兩邊邊緣堆膠。
9.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的方法，其特征在于，所述步驟(105)具體為，移去活動(dòng)擋板，去除真空吸附，取下鍍膜基片，旋轉(zhuǎn)基片90度，再次吸附基片，加上活動(dòng)擋板。
10.權(quán)利要求4所述的用于去除方形基片光刻蝕過(guò)程中邊緣堆膠的工藝，其特征在于:所述步驟(106)具體為，在擋板和基片上方噴淋去膠液，同時(shí)通過(guò)馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，使落在基片上的去膠液在離心力的作用下帶走基片邊緣的光刻膠，去除基片BD兩邊邊緣堆膠。
【文檔編號(hào)】H01L21/687GK104362123SQ201410554393
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】王進(jìn), 馬子騰, 許延峰 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所