摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法，所述用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法包括步驟：提供一晶體硅襯底，采用化學(xué)氣相沉積工藝于所述晶體硅襯底表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體流量中氧和鍺濃度可以得到帶隙連續(xù)可調(diào)的致密摻氧非晶硅鍺薄膜材料，該材料利用氧、鍺元素可以抑制界面外延和調(diào)節(jié)材料帶隙的作用，實現(xiàn)空穴載流子的有效收集，從而有效提高異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的效率。
【專利說明】摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽能電池及制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]能源是一個國家賴以生存和發(fā)展的動力。在化石能源日益枯竭和環(huán)境問題凸顯的時代，新型可替代能源的研究將為國民經(jīng)濟持續(xù)發(fā)展提供有力的保障。本發(fā)明涉及一種新型非晶薄膜鈍化層，在晶體硅表面形成突變界面且有效降低晶體硅表面的載流子復(fù)合速率，從而提升非晶硅/晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的性能。該層是實現(xiàn)高效異質(zhì)結(jié)太陽電池的必要條件，屬于新能源中薄膜在太陽電池中應(yīng)用的【技術(shù)領(lǐng)域】。
[0003]目前，晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池用鈍化層多為非晶硅薄膜，且利用非晶硅薄膜鈍化晶體硅表面后的載流子復(fù)合速率低于lOcm/s.如果晶體硅表面不做任何工藝處理，非晶硅薄膜極易在晶體硅表面外延形成多晶硅薄層，導(dǎo)致表面鈍化性能被弱化，最終制成器件的性能開路電壓不高，性能沒有進一步提升的空間。
[0004]針對這個問題，現(xiàn)有技術(shù)中，一般是通過在界面處融入氧以有效抑制晶體硅表面外延層的生長，提高鈍化性能。然而，融入氧后非晶鈍化層的帶隙增寬，導(dǎo)致帶隙不連續(xù)性增大，特別是在p-a-S1:H/c-Si界面價帶帶階AEv的增大會影響空穴載流子的收集，如圖1所示，其中，圖1中由左至右為:發(fā)射極P_a-S1:H103、普通鈍化層1-a-Si(Ox):H102、晶體硅c-SilOl、普通鈍化層1-a-Si(0x):H102和背場層n-a_S1:H104 ;下方對應(yīng)各層能帶為:導(dǎo)帶Ε。、價帶Ev、費米能級Ef、以及發(fā)射極P側(cè)的價帶帶階ΔΕν。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中晶體硅表面融入氧后非晶鈍化層的帶隙增寬，導(dǎo)致帶隙不連續(xù)性增大，特別是在p-a-S1:H/c-Si界面價帶帶階AEv的增大會影響空穴載流子收集的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，所述制備方法包括步驟:
[0007]提供一晶體硅襯底，于所述晶體硅襯底表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜。
[0008]作為本發(fā)明的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法的一種優(yōu)選方案，采用化學(xué)氣相沉積工藝于所述晶體硅襯底表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜。
[0009]進一步地，所述化學(xué)氣相沉積工藝包括等離子體化學(xué)氣相沉積工藝及熱絲化學(xué)氣相沉積工藝。
[0010]作為本發(fā)明的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法的一種優(yōu)選方案，所述化學(xué)氣相沉積工藝采用的反應(yīng)氣體包括鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體。
[0011]進一步地，所述鍺源氣體包括GeH4、GeF4及GeH3CH3的一種或組合，所述硅源氣體包括SiH4、Si2H6, SiHC13及SiH3CH3的一種或組合，所述氧源氣體包括CO2及N2O的一種或組合、所述稀釋氣體包括H2、N2、Ar及He的一種或組合。
[0012]作為本發(fā)明的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法的一種優(yōu)選方案，包括步驟:
[0013]I)提供一晶體硅襯底，將所述晶體硅襯底置于反應(yīng)室中，并使所述反應(yīng)室具有預(yù)設(shè)的本底真空度；
[0014]2)向所述反應(yīng)室中通入鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體，采用化學(xué)氣相沉積法于所述晶體硅襯底表面形成摻氧非晶硅鍺薄膜，其中:
[0015]所述化學(xué)氣相沉積法米用的晶體娃襯底的表面溫度為100?400°C ;反應(yīng)氣體壓強為20?100Pa ;采用的等離子體輝光功率密度為0.01?0.5ff/cm2,或采用的熱絲溫度為300?2000°C ;反應(yīng)氣體流量中氧濃度為1%?20% ;反應(yīng)氣體流量中鍺濃度為1%?20% ;反應(yīng)氣體流量中鍺氧濃度為;反應(yīng)氣體流量中硅鍺氧濃度為1%?50%。
[0016]本發(fā)明還提供一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的制備方法，包括步驟:
[0017]I)采用如上所述的任意一項方案所述的用于鈍化晶體硅的表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法于晶體硅襯底的上表面及下表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜；
[0018]2)于所述晶體硅襯底的上表面的摻氧非晶硅鍺薄膜表面制備P型硅基發(fā)射層、結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層表面的透明導(dǎo)電薄膜及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的前金屬柵極；于所述晶體娃襯底的下表面的摻氧非晶娃鍺薄膜表面制備N型娃基背場層、結(jié)合于所述N型硅基背場層的透明導(dǎo)電薄膜及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的后金屬柵極。
[0019]本發(fā)明還提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜，包括晶體硅襯底以及結(jié)合于所述晶體硅襯底至少一個表面的摻氧非晶硅鍺薄膜。
[0020]作為本發(fā)明的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的一種優(yōu)選方案，所述摻氧非晶硅鍺薄膜結(jié)合于所述晶體硅襯底的上表面及下表面。
[0021]本發(fā)明還提供一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池，包括所述晶體硅襯底、分別結(jié)合于所述晶體硅襯底上表面及下表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、分別結(jié)合于所述摻氧非晶硅鍺薄膜表面的P型硅基發(fā)射層及N型硅基背場層、分別結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層及N型硅基背場層表面的透明導(dǎo)電薄膜、以及分別結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的前金屬柵極及后金屬柵極。
[0022]如上所述，本發(fā)明提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法，所述用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法包括步驟:提供一晶體硅襯底，于所述晶體硅襯底表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜。
[0023]本發(fā)明公開了低溫沉積高質(zhì)量本征非晶硅鍺氧(1-a-SiGey0x:H)薄膜鈍化層的技術(shù)方案，改善p-a_S1:H/c-Si界面能帶連續(xù)的問題，以降低價帶帶階，提高空穴載流子收集。本薄膜材料綜合了兩個特性:一、氧融入可以有效抑制晶體硅表面外延層的生長；二、鍺融入可以減小因氧而導(dǎo)致的帶隙展寬，抑制帶階的增加。與常規(guī)的i_a-S1:H鈍化層相比，1-a-SiGey0x: H有致密的非晶網(wǎng)絡(luò)、帶隙匹配且有較小的價帶帶階。
[0024]本發(fā)明通過調(diào)節(jié)氣體流量中氧和鍺濃度可以得到帶隙連續(xù)可調(diào)的致密摻氧非晶硅鍺薄膜材料，該材料可以分別利用氧和鍺的抑制外延、調(diào)窄帶隙作用，實現(xiàn)空穴載流子的有效收集，從而有效提聞異質(zhì)結(jié)晶體娃太陽電池的效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中晶體硅襯底上形成融入氧后非晶鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖及價帶帶階示意圖。
[0026]圖2顯示為本發(fā)明的晶體硅襯底上形成用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖以及價帶帶階示意圖。
[0027]圖3顯示為本發(fā)明的帶有摻氧非晶硅鍺薄膜鈍化層的異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖。
[0028]元件標號說明
[0029]101 晶體硅襯底
[0030]202 摻氧非晶硅鍺薄膜
[0031]103 P型硅基發(fā)射層
[0032]104 N型硅基背場層
[0033]105 透明導(dǎo)電薄膜
[0034]106 前金屬柵極
[0035]107 后金屬柵極

【具體實施方式】
[0036]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。
[0037]請參閱圖2?圖3。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。
[0038]實施例1
[0039]如圖2所示，本實施例提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202的制備方法，所述制備方法包括步驟:提供一晶體硅襯底101，于所述晶體硅襯底101表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜202。
[0040]作為不例，米用化學(xué)氣相沉積工藝于所述晶體娃襯底101表面沉積摻氧非晶娃鍺薄膜202。其中，所述化學(xué)氣相沉積工藝包括等離子體化學(xué)氣相沉積工藝及熱絲化學(xué)氣相沉積工藝。
[0041]作為示例，所述化學(xué)氣相沉積工藝采用的反應(yīng)氣體包括鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體。進一步地，所述鍺源氣體包括GeH4、GeF4及GeH3CH3的一種或組合，所述硅源氣體包括SiH4、Si2H6, SiHC13及SiH3CH3的一種或組合，所述氧源氣體包括CO2及N2O的一種或組合、所述稀釋氣體包括H2、N2、Ar及He的一種或組合。
[0042]具體地，在本實施例中，所述用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202的制備方法，包括步驟:
[0043]I)提供一晶體娃襯底101,將所述晶體娃襯底101置于反應(yīng)室中，并使所述反應(yīng)室具有預(yù)設(shè)的本底真空度。在本實施例中，可以將光滑或帶有絨度的晶體硅襯底101置于反應(yīng)室內(nèi)，并使所述反應(yīng)室的本底真空不大于0.1Pa0
[0044]2)向所述反應(yīng)室中通入鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法于所述晶體硅襯底101表面形成摻氧非晶硅鍺薄膜202，在本實施例中，反應(yīng)氣體為硅烷SiH4、鍺烷GeH4、及二氧化碳，稀釋氣體為采用為氫氣，其中:
[0045]所述化學(xué)氣相沉積法米用的晶體娃襯底101的表面溫度為100?400°C ;反應(yīng)氣體壓強為20?100Pa ；
[0046]采用的等離子體輝光功率密度為0.01?0.5W/cm2。當然，也可以采用熱絲化學(xué)氣相沉積法制備，采用熱絲溫度為300?2000°C。
[0047]反應(yīng)氣體流量中氧濃度為1%?20%;反應(yīng)氣體流量中鍺濃度為1%?20%;反應(yīng)氣體流量中鍺氧濃度為;反應(yīng)氣體流量中硅鍺氧濃度為1%?50%。
[0048]如圖2所示，本實施例提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202，包括晶體硅襯底101以及結(jié)合于所述晶體硅襯底101至少一個表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202。在本實施例中，所述摻氧非晶硅鍺薄膜202結(jié)合于所述晶體硅襯底101的上表面及下表面，另外，在本實施例中，所述摻氧非晶硅鍺薄膜202的厚度為10nm，其鈍化的效果與20nm非晶硅鈍化層效果相當。
[0049]如圖2所示，圖2中由左至右為:發(fā)射極p-a_S1:H103、本征摻氧非晶硅鍺(1-a-SiGeyOx:H)薄膜202鈍化層、晶體硅襯底101、本征摻氧非晶硅鍺(1-a-SiGeyOx:H)薄膜202鈍化層和背場層n-a-S1:H104 ;下方對應(yīng)各層能帶為:導(dǎo)帶E。、價帶Ev、費米能級EF、以及發(fā)射極P側(cè)的價帶帶階△ Ev,本實施例采用界面處融入鍺調(diào)節(jié)娃氧層的帶隙,實現(xiàn)連續(xù)變化的p-a-S1:H/c-Si界面，起到降低界面帶階的作用，促進空穴載流子收集。本實施例的制備方法可以低溫沉積致密的摻氧非晶硅鍺薄膜202、帶隙從1.5eV?2.1eV連續(xù)可調(diào)。
[0050]實施例2
[0051]如圖3所示，本實施例提供一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的制備方法，包括步驟:
[0052]I)提供一 N型的晶體娃襯底101,將所述晶體娃襯底101置于反應(yīng)室中，并使所述反應(yīng)室具有預(yù)設(shè)的本底真空度。在本實施例中，可以將光滑或帶有絨度的晶體硅襯底1lc-Si置于反應(yīng)室內(nèi)，并使所述反應(yīng)室的本底真空不大于0.1Pa0
[0053]向所述反應(yīng)室中通入鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法于分別所述晶體硅襯底101的上表面及下表面形成摻氧非晶硅鍺薄膜202，在本實施例中，反應(yīng)氣體為硅烷SiH4、鍺烷GeH4、及二氧化碳，稀釋氣體為采用為氫氣，其中:
[0054]所述化學(xué)氣相沉積法米用的晶體娃襯底101的表面溫度為100?400°C ;反應(yīng)氣體壓強為20?100Pa ；
[0055]采用的等離子體輝光功率密度為0.01?0.5W/cm2。當然，也可以采用熱絲化學(xué)氣相沉積法制備，采用熱絲溫度為300?2000°C。
[0056]反應(yīng)氣體流量中氧濃度為1%?20%;反應(yīng)氣體流量中鍺濃度為1%?20%;反應(yīng)氣體流量中鍺氧濃度為;反應(yīng)氣體流量中硅鍺氧濃度為1%?50%。
[0057]在本實施例中，所述摻氧非晶硅鍺薄膜202的厚度為5nm。
[0058]2)于所述晶體硅襯底101的上表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202表面制備P型硅基發(fā)射層103、結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層103表面的透明導(dǎo)電薄膜105及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜105的前金屬柵極106 ;于所述晶體娃襯底101的下表面的摻氧非晶娃鍺薄膜202表面制備N型娃基背場層104、結(jié)合于所述N型娃基背場層104的透明導(dǎo)電薄膜105及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜105的后金屬柵極107。
[0059]如圖3所示，本實施例提供一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池，包括所述晶體硅襯底101、分別結(jié)合于所述晶體硅襯底101上表面及下表面的摻氧非晶硅鍺薄膜202、分別結(jié)合于所述摻氧非晶硅鍺薄膜202表面的P型硅基發(fā)射層103及N型硅基背場層104、分別結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層103及N型硅基背場層104表面的透明導(dǎo)電薄膜105、以及分別結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜105的前金屬柵極106及后金屬柵極107。
[0060]本發(fā)明中涉及到的異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池，是以C-Si為基底、新型摻氧非晶硅鍺薄膜202SG0F作為鈍化層，分別由P側(cè)和η+側(cè)的透明導(dǎo)電薄膜105-金屬柵極(TC0/M)實現(xiàn)光生載流子的收集。摻氧非晶硅鍺薄膜202可以降低載流子在晶體硅表面的復(fù)合，提高有效載流子壽命，使兩側(cè)實現(xiàn)最大限度的收集光生載流子。本發(fā)明的摻氧非晶硅鍺薄膜202鈍化層比常規(guī)非晶硅鈍化層厚度薄I?5nm。并且，本發(fā)明的異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的開路電壓可達730mV。
[0061]本發(fā)明采用新型摻氧非晶硅鍺薄膜202來改善晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的鈍化并解決界面載流子輸運的問題。一是利用氧融入前驅(qū)物融入抑制界面外延改善鈍化，是保證鈍化性能的必要條件；二是利用鍺前驅(qū)物融入抑制外延層的同時縮小因氧融入帶來的帶隙展寬問題，實現(xiàn)帶隙連續(xù)且?guī)щA降低，是保證界面特別是P側(cè)載流子輸運的充分條件，二者缺一不可。
[0062]如上所述，本發(fā)明提供一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽能電池及制備方法，所述用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法包括步驟:提供一晶體硅襯底101，于所述晶體硅襯底101表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜202。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)氣體流量中氧和鍺濃度可以得到帶隙連續(xù)可調(diào)的致密摻氧非晶硅鍺薄膜202材料，該材料可以分別利用氧和鍺的抑制界面外延作用、調(diào)窄帶隙作用，實現(xiàn)空穴載流子的有效收集，從而有效提高異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的效率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0063]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟: 提供一晶體娃襯底，于所述晶體娃襯底表面沉積慘氧非晶娃錯薄月吳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:采用化學(xué)氣相沉積工藝于所述晶體硅襯底表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:所述化學(xué)氣相沉積工藝包括等離子體化學(xué)氣相沉積工藝及熱絲化學(xué)氣相沉積工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:所述化學(xué)氣相沉積工藝采用的反應(yīng)氣體包括鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:所述鍺源氣體包括GeH4、GeF4及GeH3CH3的一種或組合，所述硅源氣體包括SiH4、Si2H6, SiHC13及SiH3CH3的一種或組合，所述氧源氣體包括CO2及N2O的一種或組合、所述稀釋氣體包括H2、N2、Ar及He的一種或組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:包括步驟: 1)提供一晶體硅襯底，將所述晶體硅襯底置于反應(yīng)室中，并使所述反應(yīng)室具有預(yù)設(shè)的本底真空度； 2)向所述反應(yīng)室中通入鍺源氣體、硅源氣體、氧源氣體及稀釋氣體，采用化學(xué)氣相沉積法于所述晶體硅襯底表面形成摻氧非晶硅鍺薄膜，其中: 所述化學(xué)氣相沉積法采用的晶體硅襯底的表面溫度為100?400°C ;反應(yīng)氣體壓強為20?100Pa ;采用的等離子體輝光功率密度為0.01?0.5W/cm2，或采用的熱絲溫度為300?2000°C;反應(yīng)氣體流量中氧濃度為1%?20%;反應(yīng)氣體流量中鍺濃度為反應(yīng)氣體流量中鍺氧濃度為;反應(yīng)氣體流量中硅鍺氧濃度為1%?50%。
7.一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池的制備方法，其特征在于:包括步驟: 1)采用如權(quán)利要求1?6任意一項所述的用于鈍化晶體硅的表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法于晶體硅襯底的上表面及下表面沉積摻氧非晶硅鍺薄膜； 2)于所述晶體娃襯底的上表面的摻氧非晶娃鍺薄膜表面制備P型娃基發(fā)射層、結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層表面的透明導(dǎo)電薄膜及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的前金屬柵極；于所述晶體娃襯底的下表面的摻氧非晶娃鍺薄膜表面制備N型娃基背場層、結(jié)合于所述N型娃基背場層的透明導(dǎo)電薄膜及結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的后金屬柵極。
8.一種用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜，其特征在于:包括晶體硅襯底以及結(jié)合于所述晶體娃襯底至少一個表面的摻氧非晶娃鍺薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于鈍化晶體硅表面的摻氧非晶硅鍺薄膜的制備方法，其特征在于:所述摻氧非晶硅鍺薄膜結(jié)合于所述晶體硅襯底的上表面及下表面。
10.一種異質(zhì)結(jié)晶體硅太陽電池，其特征在于，包括所述晶體硅襯底、分別結(jié)合于所述晶體硅襯底上表面及下表面的摻氧非晶硅鍺薄膜、分別結(jié)合于所述摻氧非晶硅鍺薄膜表面的P型硅基發(fā)射層及N型硅基背場層、分別結(jié)合于所述P型硅基發(fā)射層及N型硅基背場層表面的透明導(dǎo)電薄膜、以及分別結(jié)合于所述透明導(dǎo)電薄膜的前金屬柵極及后金屬柵極。
【文檔編號】H01L31/028GK104393121SQ201410581435
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年10月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月27日
【發(fā)明者】張麗平, 孟凡英, 劉正新 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所