一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施例提供一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，可提高電極的載流子傳輸速率，從而降低電極的方阻。所述復合電極包括至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層；其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。用于顯示裝置的制造。
【專利說明】一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置。

【背景技術】
[0002]柔性顯示裝置具有輕薄、低功耗、可彎曲等特性而成為顯示領域的一代新秀。傳統(tǒng)的顯示裝置通常采用ITO(Indium Tin Oxide,氧化銦錫)或者IZ0(Indium Zinc Oxide,氧化銦鋅)等透明金屬氧化物導電材料作為電極材料，但這些材料自身的機械性能決定了其無法具有良好的柔性特性。
[0003]針對柔性顯示裝置，現(xiàn)有技術已經(jīng)提出采用石墨烯薄膜替代上述的透明金屬氧化物電極作為柔性顯示裝置中的像素電極，雖然石墨烯薄膜能夠滿足柔性顯示裝置對于柔性特性的需求，但因其方阻相對較高，可達120 Ω / □以上，因此無法滿足像素電極對于低電阻值的要求。


【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，可提高電極的載流子傳輸速率，從而降低電極的方阻。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0006]一方面，提供一種復合電極，包括至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層；其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0007]優(yōu)選的，所述石墨烯層的數(shù)量為2-5層。
[0008]可選的，所述復合電極一側的表面包括一層或一層以上連續(xù)設置的所述石墨烯層。
[0009]進一步可選的，所述復合電極另一側的表面為所述摻雜層。
[0010]可選的，所述石墨烯層通過導電膠貼附在所述摻雜層的表面。
[0011]再提供一種陣列基板，包括基板、位于所述基板上的薄膜晶體管、以及與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極；所述像素電極采用上述的復合電極。
[0012]可選的，所述陣列基板還包括公共電極；其中，所述公共電極采用上述的復合電極。
[0013]還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0014]另一方面，提供一種復合電極的制備方法，所述方法包括:形成至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層；其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0015]優(yōu)選的，所述石墨烯層的數(shù)量為2-5層。
[0016]可選的，所述形成至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層具體包括:在基板上形成一層所述摻雜層，并在形成有所述摻雜層的基板上形成一層所述石墨烯層；或者，在基板上形成一層所述石墨烯層，并在形成有所述石墨烯層的基板上至少形成一層所述摻雜層；在形成有所述摻雜層和所述石墨烯層的基板上方形成一層或一層以上連續(xù)的所述石墨烯層；通過一次構圖工藝使所述基板上的所有石墨烯層和所有摻雜層形成電極圖案。
[0017]進一步可選的，所述通過一次構圖工藝使所述基板上的所有石墨烯層和所有摻雜層形成電極圖案具體包括:在最上方的所述石墨烯層的表面涂覆光刻膠；采用掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光和顯影，以形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分；其中，所述光刻膠保留部分對應形成所述電極圖案的區(qū)域，所述光刻膠去除部分對應其它區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除部分對應的所述石墨烯層和所述摻雜層；采用剝離工藝去除所述光刻膠保留部分的光刻膠。
[0018]可選的，所述石墨烯層通過導電膠進行貼附；所述摻雜層通過蒸鍍工藝形成；其中，所述蒸鍍工藝的具體條件為:蒸鍍腔內真空度10_5Torr，蒸鍍溫度180°C。
[0019]本發(fā)明的實施例提供一種復合電極及其制備方法、陣列基板和顯示裝置，所述復合電極包括至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層；其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0020]基于此，通過將所述復合電極設置為多層石墨烯摻雜結構，并以所述氯化鋁或者所述碘化鋅作為摻雜材料，這樣可在所述石墨烯層與所述摻雜層之間形成新的鍵結構，以使摻雜后的所述復合電極能夠獲得相對較高的載流子傳輸速率，從而降低所述復合電極的方阻。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為本發(fā)明的實施例提供的一種復合電極的結構示意圖一；
[0023]圖2為本發(fā)明的實施例提供的一種復合電極的結構示意圖二 ；
[0024]圖3為本發(fā)明的實施例提供的一種復合電極的結構示意圖三；
[0025]圖4為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖一；
[0026]圖5為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖二 ；
[0027]圖6為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖三；
[0028]圖7為本發(fā)明的實施例提供的一種復合電極的制備方法流程圖；
[0029]圖8為本發(fā)明的實施例提供的一種陣列基板的制備方法流程圖；
[0030]圖9為本發(fā)明的實施例提供的一種像素電極的制備方法流程圖。
[0031]附圖標記:
[0032]10-復合電極；101-石墨烯層；102_摻雜層；20_基板；30_薄膜晶體管；40_像素電極；50_公共電極；60_鈍化層。

【具體實施方式】
[0033]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]本發(fā)明的實施例提供一種復合電極10，如圖1至圖3所示，包括至少一層石墨烯層101和至少一層摻雜層102，且相鄰兩層不同為所述摻雜層102 ;其中，所述摻雜層102為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0035]需要說明的是，第一，石墨烯是一種由單層碳原子構成的片狀結構材料，其中的碳原子以sp2雜化軌道組成六角形的蜂巢狀晶格結構。在本發(fā)明的實施例中，所述石墨烯層101是指由多層石墨烯所構成的石墨烯薄膜。
[0036]第二，所述石墨烯層101和所述摻雜層102的排列方式可以包括多種情況，只要能夠保證相鄰兩層不同為所述摻雜層102，也就是所述摻雜層102不會連續(xù)設置即可，其它不做具體限定。
[0037]示例的，所述石墨烯層101和所述摻雜層102可以交替設置；或者，所述摻雜層102可以設置在相鄰兩層石墨烯層101之間，且非任意兩層相鄰石墨烯層101之間都設置有所述摻雜層102 ;或者，所述摻雜層102可以設置在所述石墨烯層101的最外側。
[0038]在此基礎上，在所述復合電極10包括三層以上的多層石墨烯層101的情況下，所述多層石墨烯層101之間可以同時摻雜所述氯化鋁層和所述碘化鋅層；也就是說，所述氯化鋁層可以摻雜在第一層石墨烯層和第二層石墨烯層之間，而所述碘化鋅層可以摻雜在第二層石墨烯層和第三層石墨烯層之間，以此類推。
[0039]但考慮到制備工藝的復雜性，本發(fā)明的實施例優(yōu)選在所述復合電極10中僅摻雜一種材料，即所述氯化鋁或者所述碘化鋅。
[0040]第三，本發(fā)明的實施例對于所述石墨烯層101的實際數(shù)量不做具體限定，但由于所述復合電極10是一種透明電極，其主要應用于顯示領域，因此所述復合電極10中的石墨烯層101的數(shù)量應以電極的透過率以及厚度為準進行設計。
[0041]本發(fā)明的實施例提供一種復合電極10，包括至少一層石墨烯層101和至少一層摻雜層102，且相鄰兩層不同為所述摻雜層102 ;其中，所述摻雜層102為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0042]基于此，通過將所述復合電極10設置為多層石墨烯摻雜結構，并以所述氯化鋁或者所述碘化鋅作為摻雜材料，這樣可在所述石墨烯層101與所述摻雜層102之間形成新的鍵結構，以使摻雜后的所述復合電極10能夠獲得相對較高的載流子傳輸速率，從而降低所述復合電極10的方阻。
[0043]基于上述描述，所述石墨烯層101的數(shù)量優(yōu)選為2-5層。
[0044]其中，任意相鄰兩層石墨烯層101之間可以摻雜所述氯化鋁層或者所述碘化鋅層。
[0045]這樣，通過將所述石墨烯層101的數(shù)量控制在上述范圍內，不僅可以有效的提高所述復合電極10的載流子傳輸速率，從而降低其方阻，同時還能保證相對較高的透光率，使得所述復合電極10能夠很好的應用于顯示領域。
[0046]可選的，參考圖3所示，所述復合電極10—側的表面可以包括一層或一層以上連續(xù)設置的所述石墨烯層10。
[0047]這里，通過在復合電極10 —側的表面設置一層或一層以上的所述石墨烯層101，可以進一步改善所述像素電極40的電學性能。
[0048]在此基礎上，所述復合電極10另一側的表面可以設置為所述摻雜層102。
[0049]當然，這里也可以將所述復合電極10的兩側均設置為所述石墨烯層101或者均設置為所述摻雜層102，只要不存在連續(xù)設置的所述摻雜層102即可。
[0050]基于上述，可選的，所述石墨烯層10可以通過導電膠貼附在所述摻雜層102的表面。
[0051]這里需要說明的是，本發(fā)明的實施例僅限定了所述石墨烯層10與所述摻雜層102的結合方式，但對于所述摻雜層102與所述石墨烯層101的結合方式并未限定；也就是說，所述石墨烯層101可以通過導電膠貼附在所述摻雜層102的表面，而所述摻雜層102可以通過其它方式例如蒸鍍形成在所述石墨烯層101的表面。
[0052]本發(fā)明的實施例還提供一種陣列基板，如圖4和圖5所示，包括基板20、位于所述基板20上的薄膜晶體管30、以及與所述薄膜晶體管30的漏極電連接的像素電極40 ;其中，所述像素電極40可以采用上述的復合電極10。
[0053]這里，所述薄膜晶體管30可以包括柵極、柵絕緣層、半導體有源層、源極和漏極。其中，所述半導體有源層可以為非晶硅半導體有源層或者金屬氧化物半導體有源層。
[0054]在此基礎上，所述薄膜晶體管30可以為底柵型或者頂柵型；根據(jù)所述薄膜晶體管30的類型的不同，所述像素電極40與所述漏極電連接的方式也會有所不同。這里需要說明的是，附圖中僅以底柵型薄膜晶體管為例對所述陣列基板的結構進行了說明，但本發(fā)明的保護范圍并不限于此。
[0055]示例的，在所述薄膜晶體管30為底柵型薄膜晶體管的情況下，參考圖4所示，所述像素電極40可以通過搭橋連接的方式與所述薄膜晶體管30的漏極實現(xiàn)電連接；或者，參考圖5所示，所述薄膜晶體管30與所述像素電極40之間還可以設置鈍化層60 ;其中，所述像素電極40可以通過位于所述鈍化層60中的過孔與所述薄膜晶體管30的漏極實現(xiàn)電連接。
[0056]基于上述描述可知，所述復合電極10具有較高的載流子傳輸速率和較低的方阻，以及良好的柔性特性，通過將所述復合電極10作為所述像素電極40，不僅可以獲得良好的電學性能，同時還能很好的滿足柔性顯示的需求。
[0057]在此基礎上，所述像素電極40在背離所述基板20 —側的表面可以包括一層或一層以上連續(xù)設置的所述石墨烯層101 ;所述像素電極40在靠近所述基板20 —側的表面可以設置為所述摻雜層102。
[0058]其中，由于所述石墨烯層101和所述摻雜層102用于形成所述像素電極40，而所述像素電極40具有一定的形狀，因此需要對所述石墨烯層101和所述摻雜層102進行構圖。
[0059]具體的，所述石墨烯層101可以直接貼附于所述摻雜層102的表面，然后通過構圖工藝使所述石墨烯層101和所述摻雜層102形成所需的圖案；或者也可以先通過構圖工藝使所述石墨烯層101和所述摻雜層102形成所需的圖案，再將圖案化的所述石墨烯層101貼附在所述摻雜層102表面的相應位置處。
[0060]本發(fā)明的實施例對于所述復合電極10的成膜和構圖順序不做具體限定，但考慮到制備工藝的簡化性，這里優(yōu)選在形成所有膜層之后僅通過一次構圖工藝形成所需的電極圖形。
[0061]可選的，如圖6所示，所述陣列基板還可以包括公共電極50 ;其中，所述公共電極50可以采用上述的復合電極10。
[0062]這樣，所述陣列基板便可以同時包括所述像素電極40和所述公共電極50。
[0063]基于此，所述像素電極40和所述公共電極50可以同層設置，從而形成應用于IPS (In-Plane Switching,共平面切換)型顯示裝置的陣列基板。
[0064]或者，所述像素電極40和所述公共電極50可以不同層設置，且位于上方的電極為條狀電極，位于下方的電極為條狀或板狀電極，從而形成應用于ADS (Advanced-SuperDimens1nal Switching,高級超維場轉換)型顯示裝置的陣列基板。
[0065]其中，所述ADS型顯示裝置可以通過同一平面內狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高顯示面板的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0066]本發(fā)明的實施例還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0067]所述顯示裝置可以是LCD(Liquid Crystal Display,液晶顯示裝置)或者OLED (Organic Light Emitting D1de,有機電致發(fā)光器件)。
[0068]本發(fā)明的實施例提供一種復合電極10的制備方法，所述方法包括:形成至少一層石墨烯層101和至少一層摻雜層102，且相鄰兩層不同為所述摻雜層102 ;其中，所述摻雜層102為氯化鋁層或者碘化鋅層。
[0069]這里需要說明的是，所述石墨烯層101和所述摻雜層102的形成順序具體可以包括多種情況，例如所述石墨烯層101和所述摻雜層102可以依次交替形成，或者所述摻雜層102可以形成在多層石墨烯層101中的某相鄰兩層石墨烯層101之間，或者所述摻雜層102可以形成在所述石墨烯層101的最外側，只要不連續(xù)形成兩層所述摻雜層102即可。
[0070]在此基礎上，所述多層石墨烯層101之間可以同時摻雜所述氯化鋁層和所述碘化鋅層；也就是說，所述氯化鋁層可以摻雜在第一層石墨烯層和第二層石墨烯層之間，而所述碘化鋅層可以摻雜在第二層石墨烯層和第三層石墨烯層之間，以此類推?？紤]到制備工藝的復雜性，本發(fā)明的實施例優(yōu)選在所述復合電極10中僅形成一種摻雜材料，即所述氯化鋁或者所述碘化鋅。
[0071]基于此，通過形成上述的多層石墨烯摻雜結構，可在所述石墨烯層101與所述摻雜層102之間形成新的鍵結構，以使摻雜后的所述復合電極10能夠獲得相對較高的載流子傳輸速率，從而降低所述復合電極10的方阻。
[0072]優(yōu)選的，所述石墨烯層的數(shù)量為2-5層；通過將所述石墨烯層101的數(shù)量控制在此范圍內，不僅可以有效的提高所述復合電極10的載流子傳輸速率，從而降低其方阻，同時還能保證相對較高的透光率，使得所述復合電極10能夠很好的應用于顯示領域。
[0073]可選的，如圖7所示，所述形成至少一層石墨烯層101和至少一層摻雜層102具體包括:
[0074]S1、在基板上形成一層所述摻雜層102，并在形成有所述摻雜層102的基板上形成一層所述石墨烯層101;或者，在基板上形成一層所述石墨烯層101，并在至少形成有所述石墨烯層101的基板上形成一層所述摻雜層102。
[0075]其中，所述石墨烯層101可以通過導電膠進行貼附；所述摻雜層102可以通過蒸鍍工藝形成；其中，所述蒸鍍工藝的具體條件為:蒸鍍腔內真空度10_5Torr，蒸鍍溫度180°C。
[0076]這里，所述基板上首先形成的膜層可以是所述石墨烯層101或者所述摻雜層102。其中，在首先形成所述摻雜層102的情況下，需要在所述摻雜層102上直接形成所述石墨烯層101 ;在首先形成所述石墨烯層101的情況下，可以在所述石墨烯層101上形成述石墨烯層101或者所述摻雜層102。
[0077]S2、在形成有所述摻雜層102和所述石墨烯層101的基板上方形成一層或一層以上連續(xù)的所述石墨烯層101。
[0078]需要說明的是，在步驟S1與步驟S2之間，還可能形成其它所述石墨烯層101和/或所述摻雜層102 ;在此情況下，所述步驟S2便是在形成有其它所述石墨烯層101和/或所述摻雜層102的基板上進一步形成至少一層所述石墨烯層101。
[0079]S3、通過一次構圖工藝使所述基板上的所有石墨烯層101和所有摻雜層102形成電極圖案。
[0080]其中，所述步驟S3具體可以包括:
[0081]S301、在最上方的所述石墨烯層101的表面涂覆光刻膠。
[0082]S302、采用掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光和顯影，以形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分；其中，所述光刻膠保留部分對應形成所述電極圖案的區(qū)域，所述光刻膠去除部分對應其它區(qū)域。
[0083]S303、采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除部分對應的所述石墨烯層101和所述摻雜層102。
[0084]S304、采用剝離工藝去除所述光刻膠保留部分的光刻膠。
[0085]基于上述步驟S1-S3，僅通過一次構圖工藝即可完成所述復合電極10的制備。
[0086]需要說明的是，所述石墨烯層101和所述摻雜層102可以僅通過一次構圖形成所需的圖案，但也可以針對每一層分別進行構圖形成所需的圖案，這里不做具體限定。
[0087]此外，所述石墨烯層101可以先貼附在所述摻雜層102的表面然后進行構圖形成所需的圖案，也可以將圖案化之后的所述石墨烯層貼附在所述摻雜層102的表面。
[0088]下面將以所述復合電極10作為所述像素電極40為例，對所述陣列基板的制備過程進行詳細的說明；其中，參考圖3所示，所述像素電極40(即所述復合電極10)包括四層石墨烯層101和三層摻雜層102，且所述摻雜層102為氯化鋁A1C13層。
[0089]具體的，如圖8所示，所述方法可以包括:
[0090]S10、在襯底基板上通過一次構圖工藝形成柵極、柵線、以及公共電極50。
[0091]其中，所述襯底基板可以為形成在玻璃基板上的柔性襯底基板；在所述陣列基板的制備完成之后，方可將所述柔性襯底基板與所述玻璃基板進行剝離。
[0092]S20、在形成有柵極、柵線和公共電極50的基板上沉積柵絕緣層和半導體有源層薄膜，并對所述半導體有源層薄膜進行一次構圖工藝使其形成半導體有源層。
[0093]其中，所述柵絕緣層的材料通?？梢圆捎玫?、氧化硅、氮氧化硅、以及氧化鋁等絕緣材料中的任一種；所述半導體有源層可以為金屬氧化物半導體有源層，其具體可以米用 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide、銦嫁鋒氧化物)或ITZO(Indium Tin Zinc Oxide、銦錫鋅氧化物)等透明金屬氧化物半導體材料中的任一種。
[0094]S30、在形成有半導體有源層的基板上通過一次構圖工藝形成源極和漏極。
[0095]當然，在形成所述源極和所述漏極的同時，還可以形成數(shù)據(jù)線。
[0096]S40、在形成有源極和漏極的基板上沉積鈍化層60，并通過一次構圖工藝在所述鈍化層60中形成過孔。
[0097]S50、在形成有鈍化層60的基板上形成像素電極40，且所述像素電極40通過所述鈍化層60中的過孔與所述漏極電連接。
[0098]其中，如圖9所示，所述像素電極40的具體形成過程如下:
[0099]S501、在所述鈍化層60的表面通過蒸鍍工藝形成第一層A1C13層，并在所述第一層aici3層的表面通過導電膠貼附第一層石墨烯層。
[0100]其中，所述A1C13層的蒸鍍工藝具體為:蒸鍍腔內真空度10_5Torr，蒸鍍溫度180。。。
[0101]S502、在所述第一層石墨烯層的表面通過蒸鍍工藝形成第二層A1C13層，并在所述第二層A1C13層的表面通過導電膠貼附第二層石墨烯層。
[0102]S503、在所述第二層石墨烯層的表面通過蒸鍍工藝形成第三層A1C13層，并在所述第三層A1C13層的表面通過導電膠貼附第三層石墨烯層。
[0103]S504、在所述第三層石墨烯層的表面通過導電膠貼附第四層石墨烯層。
[0104]S505、通過一次構圖工藝使上述所有A1C13層和石墨烯層形成所需的圖案。
[0105]具體的，在所述第四層石墨烯層的表面涂覆光刻膠，并通過掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光和顯影，以形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分；其中，所述光刻膠保留部分對應形成所述電極圖案的區(qū)域，所述光刻膠去除部分對應其它區(qū)域；然后通過刻蝕工藝去除所述光刻膠去除部分對應的所述A1C13層和所述石墨烯層，并最終剝離所述光刻膠保留部分的光刻膠，從而使得所述A1C13層和所述石墨烯層形成所需的電極圖案。
[0106]這樣便可完成所述像素電極40的制備；其中，所述像素電極40共包括四層石墨烯層和二層A1C13層。
[0107]基于上述步驟S1-S5，即可完成圖6所示的陣列基板的制備，所述陣列基板可應用于ADS (Advanced-Super Dimens1nal Switching,高級超維場轉換)型顯不顯不裝置?；诖?，由于所述復合電極10具有較高的載流子傳輸速率和較低的方阻，因此采用所述復合電極10作為所述像素電極40可以獲得良好的電學性能，同時還能滿足柔性顯示的需求。
[0108]這里需要說明的是，本發(fā)明的實施例提供的所述像素電極40也可以應用于TN(Twisted Nematic,扭曲向列)型顯示裝置或者IPS型顯示裝置。
[0109]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種復合電極，其特征在于，包括至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層； 其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。
2.根據(jù)權利要求1所述的復合電極，其特征在于，所述石墨烯層的數(shù)量為2-5層。
3.根據(jù)權利要求1所述的復合電極，其特征在于，所述復合電極一側的表面包括一層或一層以上連續(xù)設置的所述石墨烯層。
4.根據(jù)權利要求3所述的復合電極，其特征在于，所述復合電極另一側的表面為所述摻雜層。
5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的復合電極，其特征在于，所述石墨烯層通過導電膠貼附在所述摻雜層的表面。
6.一種陣列基板，包括基板、位于所述基板上的薄膜晶體管、以及與所述薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極；其特征在于，所述像素電極采用權利要求1-5任一項所述的復合電極。
7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括公共電極； 其中，所述公共電極采用權利要求1-5任一項所述的復合電極。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求6或7所述的陣列基板。
9.一種復合電極的制備方法，其特征在于，所述方法包括: 形成至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層，且相鄰兩層不同為所述摻雜層； 其中，所述摻雜層為氯化鋁層或者碘化鋅層。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述石墨烯層的數(shù)量為2-5層。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述形成至少一層石墨烯層和至少一層摻雜層具體包括: 在基板上形成一層所述摻雜層，并在形成有所述摻雜層的基板上形成一層所述石墨烯層；或者，在基板上形成一層所述石墨烯層，并在形成有所述石墨烯層的基板上至少形成一層所述摻雜層； 在形成有所述摻雜層和所述石墨烯層的基板上方形成一層或一層以上連續(xù)的所述石墨烯層； 通過一次構圖工藝使所述基板上的所有石墨烯層和所有摻雜層形成電極圖案。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其特征在于，所述通過一次構圖工藝使所述基板上的所有石墨烯層和所有摻雜層形成電極圖案具體包括: 在最上方的所述石墨烯層的表面涂覆光刻膠； 采用掩膜板對形成有所述光刻膠的基板進行曝光和顯影，以形成光刻膠保留部分和光刻膠去除部分；其中，所述光刻膠保留部分對應形成所述電極圖案的區(qū)域，所述光刻膠去除部分對應其它區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除部分對應的所述石墨烯層和所述摻雜層； 采用剝離工藝去除所述光刻膠保留部分的光刻膠。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其特征在于，所述石墨烯層通過導電膠進行貼附； 所述摻雜層通過蒸鍍工藝形成； 其中，所述蒸鍍工藝的具體條件為:蒸鍍腔內真空度1-5Torr，蒸鍍溫度180°C。
【文檔編號】H01L21/28GK104282736SQ201410601174
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年10月30日 優(yōu)先權日:2014年10月30日
【發(fā)明者】楊久霞, 白峰, 劉建濤 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司