有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法、陣列基板、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)出的光存在色偏的問題。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括：陽極、陰極和設(shè)于陽極和陰極之間的發(fā)光層，在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面?zhèn)仍O(shè)置有具有布拉格光柵的濾光層，所述濾光層用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
【專利說明】 有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、陣列基板、顯示裝置

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED, Organic Light Emitting D1de)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。因此，利用有機(jī)發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
[0003]發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有的OLED器件的發(fā)光波長除了與其發(fā)光材料有關(guān)之外，還受發(fā)光腔(F-B干涉儀)的限制，但由于手工藝水平的限制，發(fā)光腔的參數(shù)不易控制，因此發(fā)光出現(xiàn)色偏的現(xiàn)象。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括，針對(duì)現(xiàn)有的有機(jī)電致發(fā)光器件存在的上述的問題，提供一種光譜有所改善的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
[0005]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括:陽極、陰極和設(shè)于陽極和陰極之間的發(fā)光層，在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面?zhèn)仍O(shè)置有具有布拉格光柵的濾光層，所述濾光層用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
[0006]優(yōu)選的是，所述濾光層的材料為摻雜有鍺或硼元素的二氧化硅。
[0007]優(yōu)選的是，所述濾光層設(shè)于所述陽極層的背離所述發(fā)光層的一側(cè)上。
[0008]優(yōu)選的是，所述濾光層設(shè)于所述陰極層的背離所述發(fā)光層的一側(cè)上。
[0009]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括在基底上形成陽極、發(fā)光層、陰極的步驟，以及在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面上形成具有布拉格光柵的濾光層的步驟，其中所述濾光層用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
[0010]優(yōu)選的是，所述形成濾光層的步驟具體包括:
[0011]在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面上形成光敏薄膜；
[0012]通過化學(xué)氣相沉積方式對(duì)形成的光敏薄膜進(jìn)行鍺或硼元素的摻雜；
[0013]通過相干光源對(duì)摻雜有鍺或硼元素的光敏薄膜進(jìn)行照射，形成具有布拉格光柵的濾光層。
[0014]優(yōu)選的是,所述摻雜的鍺或硼元素的含量范圍為3至20mol%。
[0015]優(yōu)選的是，所述光敏薄膜的材料為二氧化硅，其膜厚為2至3um。
[0016]優(yōu)選的是，所述相干光源的波長在190至260nm之間，光強(qiáng)在100至400mj/cm2。
[0017]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括上述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0018]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
[0019]本發(fā)明的有益效果如下:
[0020]由于本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面設(shè)有具有布拉格光柵的濾光層，根據(jù)布拉格光柵原理可知，當(dāng)有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光經(jīng)過該濾光層后可以濾除與該有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射光的標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光，從而改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜，當(dāng)顯示裝置中應(yīng)用該有機(jī)電致發(fā)光器件時(shí)，其顯示效果明顯改善。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明的實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中形成陽極、發(fā)光層、陰極后的不意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中形成光敏薄膜的示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明的實(shí)施例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中對(duì)形成光敏薄膜進(jìn)行相干光源照射的示意圖；
[0024]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例1、2的有機(jī)電致發(fā)光器件的示意圖。
[0025]其中附圖標(biāo)記為:1、基底；2、陽極；3、發(fā)光層；4、陰極；5、像素限定層；60、光敏薄膜；6、濾光層。

【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0027]實(shí)施例1:
[0028]如圖4所示，本實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括:陽極2、陰極4和設(shè)于陽極2和陰極4之間的發(fā)光層3，且在該有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面設(shè)置有具有布拉格光柵的濾光層6,該濾光層6用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。由于本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面設(shè)有具有布拉格光柵的濾光層6，根據(jù)布拉格光柵原理可知，當(dāng)有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光經(jīng)過該濾光層6后可以濾除與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光，從而改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜，實(shí)現(xiàn)顯示效果的提升。具體的，如圖4所示，本實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)出的光經(jīng)濾光層6后,根據(jù)布拉格光柵原理,與有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度相等的可以射出，而不等的則折射回去。
[0029]優(yōu)選地，所述濾光層6的材料為摻雜有鍺或硼元素的二氧化硅層。
[0030]優(yōu)選地，所述濾光層6設(shè)于所述陽極2層的背離所述發(fā)光層3的一側(cè)上，也就是說該有機(jī)電致發(fā)光器件為底發(fā)射型的或者為反置頂發(fā)射型的。當(dāng)然該有機(jī)電致發(fā)光器件也可以優(yōu)選為頂發(fā)射型的或者為反置底發(fā)射型的，此時(shí)優(yōu)選地，濾光層6設(shè)于所述陰極4層的背離所述發(fā)光層3的一側(cè)上。
[0031]實(shí)施例2:
[0032]如圖1至4所示，本實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括在基底I上形成陽極2、發(fā)光層3、陰極4的步驟，以及在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面上形成具有布拉格光柵的濾光層6的步驟，其中濾光層6用于將有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
[0033]以頂發(fā)射型的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法為例進(jìn)行詳細(xì)說明，具體的包括如下步驟:
[0034]步驟一、采用濺射方式、熱蒸發(fā)方式或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方式、低壓化學(xué)氣相沉積方式、大氣壓化學(xué)氣相沉積方式或電子回旋諧振化學(xué)氣相沉積方式沉積透明導(dǎo)電薄膜。其中，透明導(dǎo)電薄膜優(yōu)選為:ΙΤ0(氧化銦錫)/Ag(銀)/ITO(氧化銦錫)或者Ag(銀)/ITO(氧化銦錫)結(jié)構(gòu)；或者，把上述結(jié)構(gòu)中的ITO換成IZO(氧化銦鋅)、IGZO(氧化銦鎵鋅)或InGaSnO(氧化銦鎵錫)。然后通過構(gòu)圖工藝形成包括有機(jī)電致發(fā)光器件陽極2的圖形。
[0035]步驟二、在完成上述步驟的基底I上，進(jìn)一步制備像素限定層5(Pixel DefineLayer,簡稱F1DL),接著蒸鍍或者涂覆發(fā)光層3 (Emitting Layer:簡稱EL)。
[0036]步驟三、在完成上述步驟的基底I上，通過一次蒸鍍工藝形成包括有機(jī)電致發(fā)光器件陰極4的圖形。其中，有機(jī)電致發(fā)光器件陰極4是采用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦中的至少一種材料形成的。
[0037]步驟四、在完成上述步驟的基底I上，通過改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積方式形成光敏薄膜60，其中該光敏薄膜60的材料優(yōu)選為二氧化硅，膜厚在2至3um之間；采用離子注入法，將形成的光敏薄膜60進(jìn)行摻雜，其中，摻雜的元素優(yōu)選為鍺或硼元素，優(yōu)選的，摻雜的鍺或硼元素的含量范圍可以是3至20mOl%;通過相干光源傾斜照射該摻雜后的光敏薄膜60，以形成具有布拉格光柵的光敏薄膜60,其中，該相干光源的波長優(yōu)選在190至260nm之間,光強(qiáng)優(yōu)選在100至400mj/cm2 ;最后通過構(gòu)圖工藝形成包括濾光層6的圖形，至此，完成有機(jī)電致發(fā)光器件的制備。
[0038]需要說明的是，本實(shí)施例的方法同樣可以制備底發(fā)射型的有機(jī)電致發(fā)光器件、反置頂發(fā)射型的有機(jī)電致發(fā)光器件、反置底發(fā)射型的有機(jī)電致發(fā)光器件，只要根據(jù)基底、陽極、陰極和發(fā)光層之間的相對(duì)位置關(guān)系確定制備步驟順序即可，具體各個(gè)步驟與上述內(nèi)容相同，在此不詳細(xì)描述。
[0039]實(shí)施例3:
[0040]本實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括實(shí)施例1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，當(dāng)然還包括薄膜晶體管(TFT)，存儲(chǔ)電容(Cst)等其他已知元件。
[0041]由于本實(shí)施例的陣列基板包括實(shí)施例1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，故將該陣列基板應(yīng)用于顯示裝置中，顯示裝置的顯示效果明顯提升。
[0042]實(shí)施例4:
[0043]本實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括實(shí)施例3所述的陣列基板。
[0044]其中，顯示裝置可以為液晶顯示裝置或者電致發(fā)光顯示裝置，例如液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0045]本實(shí)施例中的顯示裝置具有較好的顯示質(zhì)量。
[0046]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括:陽極、陰極和設(shè)于陽極和陰極之間的發(fā)光層，其特征在于，在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面?zhèn)仍O(shè)置有具有布拉格光柵的濾光層，所述濾光層用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濾光層為摻雜有鍺或硼元素的二氧化硅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濾光層設(shè)于所述陽極層的背離所述發(fā)光層的一側(cè)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述濾光層設(shè)于所述陰極層的背離所述發(fā)光層的一側(cè)上。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括在基底上形成陽極、發(fā)光層、陰極的步驟，其特征在于，所述方法還包括: 在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面上形成具有布拉格光柵的濾光層的步驟，其中所述濾光層用于將所述有機(jī)電致發(fā)光器件所發(fā)射的光中波長與該有機(jī)電致發(fā)光器件標(biāo)準(zhǔn)波長長度不等的光濾除。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述形成濾光層的步驟具體包括: 在有機(jī)電致發(fā)光器件的出光面上形成光敏薄膜； 通過化學(xué)氣相沉積方式對(duì)形成的光敏薄膜進(jìn)行鍺或硼元素的摻雜； 通過相干光源對(duì)摻雜有鍺或硼元素的光敏薄膜進(jìn)行照射，形成具有布拉格光柵的濾光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜的鍺或硼元素的含量范圍為3至20mol%。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述光敏薄膜的材料為二氧化硅，其膜厚為2至3um。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述相干光源的波長在190至260nm之間，光強(qiáng)在100至400mj/cm2。
10.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104282731SQ201410602204
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】石磊, 許曉偉, 龍春平, 王祖強(qiáng) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司