一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端，所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]靜電放電(electro-static discharge, ESD)保護(hù)電路是薄膜晶體管液晶顯示面板以及新興的有機(jī)發(fā)光顯示面板上的重要組成部分，ESD保護(hù)電路使得顯示器件在生產(chǎn)、運(yùn)輸、工作過(guò)程中免遭靜電傷害。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，所述薄膜晶體管包括柵極101、有源層102、源極103和漏極104。所述有源層102設(shè)置在所述柵極101的上方，所述源極103和所述漏極104設(shè)置在所述有源層102之上，所述柵極101和所述有源層102之間設(shè)置有第一絕緣層105，所述柵極101處于浮接(floating)狀態(tài)。圖2為圖1所示薄膜晶體管的原理圖。如圖2所示，所述柵極101與所述源極103有較大的重疊面積以形成電容Cl，所述柵極101與所述漏極104有較大的重疊面積以形成電容C2，從而實(shí)現(xiàn)ESD保護(hù)。然而，當(dāng)靜電很大時(shí)會(huì)造成電容Cl或電容C2的電容擊穿，出現(xiàn)不良。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備，用于靜電保護(hù)，解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)大靜電時(shí)造成柵極與源極之間或柵極與漏極之間的電容擊穿，從而出現(xiàn)不良的問(wèn)題。
[0005]為此，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，包括柵極、有源層、源極和漏極，所述柵極包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端；所述第一放電部與所述第二放電部之間具有第一預(yù)定距離，所述第一預(yù)定距離用于使得所述第一放電部與所述第二放電部之間形成邊緣電場(chǎng)耦合；所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間具有第二預(yù)定距離，所述第二預(yù)定距離用于使得所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間形成尖端放電；所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有第三預(yù)定距離，所述第三預(yù)定距離用于使得所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間形成尖端放電。
[0006]可選的，多個(gè)所述第一放電部呈梳齒狀排布，多個(gè)所述第二放電部呈梳齒狀排布，所述第一放電部與所述第二放電部相互交替排列。
[0007]可選的，所述第一子?xùn)艠O還包括第一放電主體，所述第二子?xùn)艠O還包括第二放電主體，所述第一放電主體與所述第二放電主體相對(duì)設(shè)置；所述第一放電主體與所述第二放電主體之間具有第四預(yù)定距離，所述第四預(yù)定距離用于使得所述第一放電主體與所述第二放電主體之間形成邊緣電場(chǎng)耦合。
[0008]可選的，還包括金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述柵極的下方。
[0009]可選的，所述第二子?xùn)艠O還包括第三放電尖端，所述第三放電尖端與所述第一放電尖端相對(duì)設(shè)置，所述第二預(yù)定距離為所述第一放電尖端與所述第三放電尖端之間的距離；所述第一子?xùn)艠O還包括第四放電尖端，所述第四放電尖端與所述第二放電尖端相對(duì)設(shè)置，所述第三預(yù)定距離為所述第二放電尖端與所述第四放電尖端之間的距離。
[0010]可選的，所述第一預(yù)定距離小于或等于6 μ m。
[0011]可選的，所述第二預(yù)定距離和所述第三預(yù)定距離小于或等于6 μ m。
[0012]可選的，所述第四預(yù)定距離小于或等于6 μ m。
[0013]本發(fā)明還提供一種電路結(jié)構(gòu)，包括權(quán)利要求上述任一薄膜晶體管。
[0014]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括:形成柵極，所述柵極包括第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部與所述第二放電部相互交替排列，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端，所述第一放電部與所述第二放電部之間具有第一預(yù)定距離，所述第一預(yù)定距離用于使得所述第一放電部與所述第二放電部之間形成邊緣電場(chǎng)耦合，所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間具有第二預(yù)定距離，所述第二預(yù)定距離用于使得所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間形成尖端放電，所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有第三預(yù)定距離，所述第三預(yù)定距離用于使得所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間形成尖端放電；形成有源層；形成源極和漏極。
[0015]可選的，所述形成柵極之前包括:形成金屬層。
[0016]本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備，包括上述的電路結(jié)構(gòu)。
[0017]本發(fā)明具有下述有益效果:
[0018]本發(fā)明提供的薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備中，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端。所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為圖1所示薄膜晶體管的原理圖；
[0021]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為圖3所示薄膜晶體管的原理圖；
[0023]圖5為圖3所示第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7為圖6所示薄膜晶體管的原理圖；
[0026]圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的薄膜晶體管及其制備方法、電路結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]實(shí)施例一
[0029]本實(shí)施例對(duì)薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)進(jìn)行如下詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所述的薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，但是頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，所述薄膜晶體管包括柵極101、有源層102、源極103和漏極104。所述柵極101包括第一子?xùn)艠O106和第二子?xùn)艠O107，所述有源層102設(shè)置在所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107的上方，所述源極103和所述漏極104設(shè)置在所述有源層102之上，所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107與所述有源層102之間設(shè)置有第一絕緣層105，所述柵極101處于浮接(floating)狀態(tài)。
[0030]圖4為圖3所示薄膜晶體管的原理圖。如圖4所示，所述第一子?xùn)艠O106與所述源極103形成電容Cl，所述第二子?xùn)艠O107與所述漏極104形成電容C2，所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107依賴(lài)邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)形成電容C3，以保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的信號(hào)線發(fā)生不良，從而實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0031]圖5為圖3所示第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，所述柵極101包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O106和第二子?xùn)艠O107，所述第一子?xùn)艠O106包括多個(gè)第一放電部108，所述第二子?xùn)艠O107包括多個(gè)第二放電部109，所述第一放電部108具有第一放電尖端201，所述第二放電部109具有第二放電尖端202。優(yōu)選的，多個(gè)所述第一放電部108呈梳齒狀排布，多個(gè)所述第二放電部109呈梳齒狀排布，所述第一放電部108與所述第二放電部109相互交替排列。
[0032]本實(shí)施例中，所述第一放電部108與所述第二放電部109之間具有第一預(yù)定距離D1，所述第一預(yù)定距離Dl用于使得所述第一放電部108與所述第二放電部109之間形成邊緣電場(chǎng)耦合。所述第一預(yù)定距離Dl應(yīng)盡可能小，以保證所述第一放電部108與所述第二放電部109之間形成足夠大的邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)，使得靜電發(fā)生時(shí)所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107中的一個(gè)可以通過(guò)邊緣電場(chǎng)的耦合電容效應(yīng)迅速提高另一個(gè)的電壓，從而實(shí)現(xiàn)快速放電。可選的，所述第一預(yù)定距離Dl小于或等于6 μ m。
[0033]本實(shí)施例中，所述第一放電尖端201與所述第二子?xùn)艠O107之間具有第二預(yù)定距離D2，所述第二預(yù)定距離D2用于使得所述第一放電尖端201與所述第二子?xùn)艠O107之間形成尖端放電。優(yōu)選的，所述第二子?xùn)艠O107還包括第三放電尖端203，所述第三放電尖端203與所述第一放電尖端201相對(duì)設(shè)置，所述第二預(yù)定距離D2為所述第一放電尖端201與所述第三放電尖端203之間的距離。所述第二預(yù)定距離D2應(yīng)盡可能小，以保證所述第一放電尖端201與所述第三放電尖端203之間形成尖端放電效應(yīng)，使得靜電發(fā)生時(shí)所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107中的一個(gè)可以通過(guò)尖端放電效應(yīng)迅速提高另一個(gè)的電壓，從而實(shí)現(xiàn)快速放電?？蛇x的，所述第二預(yù)定距離D2小于或等于6 μ m。
[0034]本實(shí)施例中，所述第二放電尖端202與所述第一子?xùn)艠O106之間具有第三預(yù)定距離D3，所述第三預(yù)定距離D3用于使得所述第二放電尖端202與所述第一子?xùn)艠O106之間形成尖端放電。優(yōu)選的，所述第一子?xùn)艠O106還包括第四放電尖端204，所述第四放電尖端204與所述第二放電尖端202相對(duì)設(shè)置，所述第三預(yù)定距離D3為所述第二放電尖端202與所述第四放電尖端204之間的距離。所述第三預(yù)定距離D3應(yīng)盡可能小，以保證所述第二放電尖端202與所述第四放電尖端204之間形成尖端放電效應(yīng)，使得靜電發(fā)生時(shí)所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107中的一個(gè)可以通過(guò)尖端放電效應(yīng)迅速提高另一個(gè)的電壓，從而實(shí)現(xiàn)快速放電?？蛇x的，所述第三預(yù)定距離D3小于或等于6 μ m。
[0035]本實(shí)施例中，所述第一子?xùn)艠O106還包括第一放電主體205，所述第二子?xùn)艠O107還包括第二放電主體206,所述第一放電主體205與所述第二放電主體206相對(duì)設(shè)置。所述第一放電主體205與所述第二放電主體206之間具有第四預(yù)定距離D4，所述第四預(yù)定距離D4用于使得所述第一放電主體205與所述第二放電主體206之間形成邊緣電場(chǎng)耦合。所述第四預(yù)定距離D4應(yīng)盡可能小，以保證所述第一放電主體205與所述第二放電主體206之間形成足夠大的邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)，使得靜電發(fā)生時(shí)所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107中的一個(gè)可以通過(guò)邊緣電場(chǎng)的耦合電容效應(yīng)迅速提高另一個(gè)的電壓，從而實(shí)現(xiàn)快速放電?？蛇x的，所述第四預(yù)定距離D4小于或等于6μπι。
[0036]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端。所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0037]實(shí)施例二
[0038]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，所述薄膜晶體管包括柵極101、有源層102、源極103和漏極104。所述柵極101包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O106和第二子?xùn)艠O107，所述有源層102設(shè)置在所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107的上方，所述源極103和所述漏極104設(shè)置在所述有源層102之上，所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107與所述有源層102之間設(shè)置有第一絕緣層105。所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107的下方設(shè)置有金屬層207，所述金屬層207與所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107之間設(shè)置有第二絕緣層208。所述柵極101處于浮接(floating)狀態(tài)。
[0039]圖7為圖6所示薄膜晶體管的原理圖。如圖7所示，所述第一子?xùn)艠O106與所述源極103形成電容Cl，所述第二子?xùn)艠O107與所述漏極104形成電容C2，所述第一子?xùn)艠O106、所述第二子?xùn)艠O107以及所述金屬層207之間依賴(lài)耦合電容效應(yīng)形成電容C3，這樣通過(guò)兩層?xùn)沤饘僦g的耦合電容效應(yīng)以保證靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)源極和漏極同時(shí)擊穿而引起的短路，從而實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0040]所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107的具體結(jié)構(gòu)，以及所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107通過(guò)邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)快速放電在實(shí)施例一中已經(jīng)詳細(xì)描述，具體內(nèi)容可參照上述實(shí)施例一中的描述，此處不再贅述。
[0041]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端。所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0042]實(shí)施例三
[0043]本實(shí)施例提供了一種電路結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)，包括上述實(shí)施例一或?qū)嵤├峁┑谋∧ぞw管，具體內(nèi)容可參照上述實(shí)施例一或?qū)嵤├械拿枋?，此處不再贅述?br> [0044]本實(shí)施例提供的電路結(jié)構(gòu)中，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端。所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0045]本實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，包括上述具有靜電保護(hù)功能的電路結(jié)構(gòu)，可以提高設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。
[0046]實(shí)施例四
[0047]本實(shí)施例對(duì)薄膜晶體管的制備過(guò)程進(jìn)行如下詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所述的薄膜晶體管為底柵結(jié)構(gòu)，但是頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的制備方法也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。圖8為本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種薄膜晶體管的制備方法的流程圖。如圖8所示，所述制備方法包括:
[0048]步驟8001、形成柵極，所述柵極包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端，所述第一放電部與所述第二放電部之間具有第一預(yù)定距離，所述第一預(yù)定距離用于使得所述第一放電部與所述第二放電部之間形成邊緣電場(chǎng)耦合，所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間具有第二預(yù)定距離，所述第二預(yù)定距離用于使得所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間形成尖端放電，所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有第三預(yù)定距離，所述第三預(yù)定距離用于使得所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間形成尖端放電。
[0049]參見(jiàn)圖6，在襯底基板上形成金屬層207，在所述金屬層207上形成第二絕緣層208，在所述第二絕緣層208上形成柵極101。參見(jiàn)圖5，所述柵極101包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O106和第二子?xùn)艠O107，所述第一子?xùn)艠O106包括多個(gè)第一放電部108，所述第二子?xùn)艠O107包括多個(gè)第二放電部109，所述第一放電部108具有第一放電尖端201，所述第二放電部109具有第二放電尖端202。優(yōu)選的，多個(gè)所述第一放電部108呈梳齒狀排布，多個(gè)所述第二放電部109呈梳齒狀排布，所述第一放電部108與所述第二放電部109相互交替排列。
[0050]步驟8002、形成有源層。
[0051]本實(shí)施例中，在所述第一子?xùn)艠O106和所述第二子?xùn)艠O107上形成第一絕緣層105，在所述第一絕緣層105上形成有源層102。
[0052]步驟8003、形成源極和漏極。
[0053]本實(shí)施例中，在所述有源層102上形成源極103和漏極104。參見(jiàn)圖7，所述第一子?xùn)艠O106與所述源極103形成電容Cl，所述第二子?xùn)艠O107與所述漏極104形成電容C2，所述第一子?xùn)艠O106、所述第二子?xùn)艠O107以及所述金屬層207之間依賴(lài)耦合電容效應(yīng)形成電容C3，這樣通過(guò)兩層?xùn)沤饘僦g的耦合電容效應(yīng)以保證靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)源極和漏極同時(shí)擊穿而引起的短路，從而實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0054]本實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制備方法中，所述薄膜晶體管包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端。所述第一放電部與所述第二放電部之間、所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間以及所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有預(yù)定距離以形成邊緣電場(chǎng)耦合效應(yīng)和尖端放電效應(yīng)，從而保證低漏電流和靜電發(fā)生時(shí)能夠快速放電，同時(shí)避免由于靜電過(guò)強(qiáng)擊穿薄膜晶體管而引起的不良，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)。
[0055]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、有源層、源極、和漏極，所述柵極包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖立而; 所述第一放電部與所述第二放電部之間具有第一預(yù)定距離，所述第一預(yù)定距離用于使得所述第一放電部與所述第二放電部之間形成邊緣電場(chǎng)耦合； 所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間具有第二預(yù)定距離，所述第二預(yù)定距離用于使得所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間形成尖端放電； 所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有第三預(yù)定距離，所述第三預(yù)定距離用于使得所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間形成尖端放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，多個(gè)所述第一放電部呈梳齒狀排布，多個(gè)所述第二放電部呈梳齒狀排布，所述第一放電部與所述第二放電部相互交替排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一子?xùn)艠O還包括第一放電主體，所述第二子?xùn)艠O還包括第二放電主體，所述第一放電主體與所述第二放電主體相對(duì)設(shè)置； 所述第一放電主體與所述第二放電主體之間具有第四預(yù)定距離，所述第四預(yù)定距離用于使得所述第一放電主體與所述第二放電主體之間形成邊緣電場(chǎng)耦合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括金屬層，所述金屬層設(shè)置在所述柵極的下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二子?xùn)艠O還包括第三放電尖端，所述第三放電尖端與所述第一放電尖端相對(duì)設(shè)置，所述第二預(yù)定距離為所述第一放電尖端與所述第三放電尖端之間的距離； 所述第一子?xùn)艠O還包括第四放電尖端，所述第四放電尖端與所述第二放電尖端相對(duì)設(shè)置，所述第三預(yù)定距離為所述第二放電尖端與所述第四放電尖端之間的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一預(yù)定距離小于或等于6 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二預(yù)定距離和所述第三預(yù)定距離小于或等于6 μ m。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第四預(yù)定距離小于或等于6 μ m0
9.一種電路結(jié)構(gòu),其特征在于,包括權(quán)利要求1-8任一所述的薄膜晶體管。
10.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括: 形成柵極，所述柵極包括相對(duì)設(shè)置的第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O，所述第一子?xùn)艠O包括多個(gè)第一放電部，所述第二子?xùn)艠O包括多個(gè)第二放電部，所述第一放電部具有第一放電尖端，所述第二放電部具有第二放電尖端，所述第一放電部與所述第二放電部之間具有第一預(yù)定距離，所述第一預(yù)定距離用于使得所述第一放電部與所述第二放電部之間形成邊緣電場(chǎng)耦合，所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間具有第二預(yù)定距離，所述第二預(yù)定距離用于使得所述第一放電尖端與所述第二子?xùn)艠O之間形成尖端放電，所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間具有第三預(yù)定距離，所述第三預(yù)定距離用于使得所述第二放電尖端與所述第一子?xùn)艠O之間形成尖端放電； 形成有源層； 形成源極和漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述形成柵極之前包括: 形成金屬層。
12.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的電路結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L29/423GK104300009SQ201410602471
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】李永謙 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司