有機電致發(fā)光器件以及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件以及顯示裝置，其中，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括基板、薄膜晶體管、陽極、陰極以及位于陽極、陰極之間的用于發(fā)光的有機發(fā)光層，有機發(fā)光層的出光側設置有用于遮擋紫外光的遮擋層。本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術方案，通過在有機電致發(fā)光器件內設置一層紫外線遮擋層，防止外界紫外線對有機發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質產生影響，進而保護整個有機電致發(fā)光器件的性能。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件以及顯示裝置
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及電致發(fā)光領域，特別是涉及一種有機電致發(fā)光器件以及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光顯示(OLED)裝置具備能耗低、亮度高、反應時間快、寬視角、重量輕等優(yōu)點，近來已普遍應用于移動通信終端、個人數字助理(PDA)、掌上電腦等。與IXD相比，制造OLED裝置的工藝相對簡單，可以降低生產成本。有機電致發(fā)光顯示裝置的核心部件是有機電致發(fā)光器件。
[0003]OLED器件中的有機發(fā)光材料層或TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)在受到外界紫外線的照射后，會發(fā)生性質改變或性能下降。OLED器件中的氧化物薄膜晶體管在經過紫外光照射后，半導體層中的價帶電子和禁帶缺陷能使集中捕獲的電子輕易吸收能量躍遷至導帶，從而產生光生電子-空穴對，最終使Vth (閾值電壓)發(fā)生漂移，SS (亞閾值擺幅)增大，開關比變小，進而對整個OLED器件造成影響，嚴重影響畫面的顯示。
【發(fā)明內容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種有效防止紫外線侵襲、顯示效果穩(wěn)定的有機電致發(fā)光器件以及顯示裝置。
[0005]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，包括基板、薄膜晶體管、陽極、陰極以及位于陽極、陰極之間的用于發(fā)光的有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層的出光側設置有用于遮擋紫外光的遮擋層。
[0006]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述薄膜層的外側。
[0007]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述鈍化層與所述陰極之間。
[0008]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述薄膜層與所述鈍化層之間。
[0009]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述陰極的內側，所述遮擋層設置于所述陰極與所述有機發(fā)光層之間。
[0010]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述有機發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，所述遮擋層包括多個遮擋單元，所述遮擋單元與所述有機發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域對應。
[0011]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，，所述遮擋單元的長度與所述有機發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長度相等。
[0012]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述有機發(fā)光層由多個像素分隔墻分隔形成多個像素，多個所述薄膜晶體管設置于所述基板與所述陽極之間，多個所述薄膜晶體管與多個像素分隔墻分別一一對應，多個遮擋單元與多個像素分隔墻分別一一對應。
[0013]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述遮擋層的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
[0014]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件，其中，所述有機電致發(fā)光器件的薄膜晶體管是頂柵結構或底柵結構。
[0015]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件。
[0016]本發(fā)明的技術方案，通過在有機電致發(fā)光器件內設置一層紫外線遮擋層，防止外界紫外線對有機發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質產生影響，進而保護整個有機電致發(fā)光器件的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第一種實施例的結構示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第二種實施例的結構示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第三種實施例的結構示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第四種實施例的結構示意圖；
[0021]圖5為本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的第五種實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領域的技術人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0023]本發(fā)明公開了一種OLED器件，防止外界紫外線對有機發(fā)光層或薄膜晶體管的性質產生影響，進而保護整個OLED器件的性能。
[0024]實施例一
[0025]如圖1所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，包括基板1、薄膜晶體管2、陽極3、陰極4以及位于陽極3、陰極4之間的用于發(fā)光的有機發(fā)光層5,有機發(fā)光層5的出光側設置有用于遮擋紫外光的遮擋層6。
[0026]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，薄膜晶體管2包括源極21、有源層22、柵極23、漏極24。
[0027]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，陽極3設置于有機發(fā)光層5與基板I之間，陽極3與基板I之間設置有第一鈍化層11，陰極4的外側設置有第二鈍化層12，第二鈍化層12的外側設置有薄膜層7。
[0028]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，遮擋層6設置于薄膜層7的外側。
[0029]實施例二
[0030]結合圖2所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例與實施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設置于第二鈍化層12與陰極4之間。
[0031]實施例三
[0032]結合圖3所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例與實施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設置于薄膜層7與第二鈍化層12之間。
[0033]實施例四
[0034]結合圖4所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例與實施例一的區(qū)別在于，遮擋層6設置于所述陰極4的內側，遮擋層6設置于陰極4與有機發(fā)光層5之間。
[0035]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，有機發(fā)光層5包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，遮擋層6包括多個遮擋單元61，遮擋單元61與有機發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域對應。
[0036]有機發(fā)光層5由多個像素分隔墻51分隔形成多個像素，多個薄膜晶體管2設置于基板I與陽極3之間，多個薄膜晶體管2與多個像素分隔墻51分別一一對應，多個遮擋單兀61與多個像素分隔墻51分別對應。
[0037]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，遮擋單61兀的長度與有機發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域的長度相等，即遮擋層6經圖案化后只遮住像素分隔墻51。
[0038]實施例五
[0039]結合圖5所示，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，遮擋層6設置于薄膜層7與第二鈍化層12之間。
[0040]有機發(fā)光層5由多個像素分隔墻51分隔形成多個像素，多個薄膜晶體管設置于基板與陽極3之間，多個薄膜晶體管2與多個像素分隔墻51分別一一對應，遮擋層6包括多個遮擋單元61，多個遮擋單元61與多個像素分隔墻51分別一一對應。
[0041]通常，有機發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中的實施例一、二、三、五中，均可以設置所述遮擋層的多個遮擋單元與有機發(fā)光層5的非發(fā)光區(qū)域對應。進一步的，均可以如實施例四一樣，多個遮擋單元與多個像素分隔墻分別一一對應且遮擋單元的長度與有機發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長度相等，即遮擋層經圖案化后只遮住像素分隔墻。
[0042]上述五個實施例展示了遮擋層6的不同位置以及形態(tài)，本領域技術人員可以根據生產條件、工藝水平進行靈活選擇。
[0043]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，遮擋層6的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
[0044]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，薄膜晶體管2可以是頂柵結構也可以是底柵結構。
[0045]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件。
[0046]本發(fā)明公開了一種OLED器件，通過設置一層金屬氧化物紫外線遮擋層(遮擋層6)，防止外界紫外線對有機發(fā)光層材料或薄膜晶體管的性質產生影響，進而保護整個OLED器件的性能。
[0047]遮擋層6材料可以為ZnO或IGZO。ZnO或IGZO等氧化物半導體材料作為透明導電薄膜，在可見光區(qū)具有很高的透射率，同時又具有能改變紫外線光譜，吸收紫外線輻射的性質。遮擋層6材料選取ZnO或IGZ0，既不影響頂發(fā)射OLED器件的出光，又能有效吸收外界環(huán)境光中的紫外線。
[0048]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件的實施例，其中，本發(fā)明的金屬氧化物紫外線遮擋層也可以選用其他金屬氧化物半導體材料，例如打02、51102、幾20、4120、21^110、!^1112110421'0、AlZnSnO、ZnON 等。
[0049]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括基板、薄膜晶體管、陽極、陰極以及位于陽極、陰極之間的用于發(fā)光的有機發(fā)光層，其特征在于，所述有機發(fā)光層的出光側設置有用于遮擋紫外光的遮擋層。
2.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述薄膜層的外側。
3.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述鈍化層與所述陰極之間。
4.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述薄膜層與所述鈍化層之間。
5.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的外側設置有鈍化層，所述鈍化層的外側設置有薄膜層，所述遮擋層設置于所述陰極的內側，所述遮擋層設置于所述陰極與所述有機發(fā)光層之間。
6.根據權利要求2-5任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機發(fā)光層包括發(fā)光區(qū)域以及非發(fā)光區(qū)域，所述遮擋層包括多個遮擋單元，所述遮擋單元與所述有機發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域對應。
7.根據權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮擋單元的長度與所述有機發(fā)光層的非發(fā)光區(qū)域的長度相等。
8.根據權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機發(fā)光層由多個像素分隔墻分隔形成多個像素，多個所述薄膜晶體管設置于所述基板與所述陽極之間，多個所述薄膜晶體管與多個像素分隔墻分別一一對應，多個遮擋單元與多個像素分隔墻分別--對應。
9.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述遮擋層的材料為氧化鋅、銦鎵鋅氧化物、T12, SnO2, ITZO、AIZO、ZnSnO, HfInZnO, AZTO、AlZnSnO, ZnON 中的一種。
10.根據權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件的薄膜晶體管是頂柵結構或底柵結構。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的有機電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L27/32GK104300085SQ201410602660
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權日:2014年10月31日
【發(fā)明者】程鴻飛, 張玉欣 申請人:京東方科技集團股份有限公司