發(fā)光二極管芯片制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底上生長(zhǎng)外延層得到外延片，外延層包括依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層；對(duì)外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽內(nèi)，第二凹槽的底面為襯底，第二凹槽的底面的寬度小于第一凹槽的底面的寬度；在刻蝕后的外延片表面沉積一層保護(hù)層；采用激光劃片工藝在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，第二凹槽的底面的寬度大于V形劃槽的開口的寬度；將劃片完成后的外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片產(chǎn)生的燒蝕物；去除外延片表面的保護(hù)層；分別在P型層和N型層上形成P電極和N電極。
【專利說明】發(fā)光二極管芯片制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管(英文:Light Emitting D1de,簡(jiǎn)稱:LED)領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光二極管芯片制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在LED芯片制作過程中，需要將晶圓整片(外延片)按照芯片設(shè)計(jì)尺寸分裂開，目前常用的分裂晶圓整片的方式有:背劃正裂、正劃背裂、隱形切割等。
[0003]其中采用正劃背裂方式制備LED芯片的完整流程如下:在襯底上生長(zhǎng)外延層；然后對(duì)外延層進(jìn)行刻蝕；采用激光正面劃片；用高溫腐蝕掉劃片產(chǎn)生的燒蝕面；制備電極?’最后通過減薄、裂片、測(cè)試、分選等工序生產(chǎn)出合格的LED芯片。在對(duì)燒蝕面進(jìn)行腐蝕時(shí)，常使用1:3左右的磷酸與硫酸的混合液作為腐蝕液，在一定溫度(大于200度)下進(jìn)行對(duì)燒蝕面的燒蝕物進(jìn)行腐蝕。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]在腐蝕過程中，腐蝕液溫度越高，腐蝕時(shí)間越長(zhǎng)，燒蝕物腐蝕的越完全，但由于腐蝕液通常對(duì)外延結(jié)構(gòu)也有一定的腐蝕作用，因此溫度越高，時(shí)間越長(zhǎng)，對(duì)外延結(jié)構(gòu)的腐蝕作用也越大，所以采用這種劃片方式容易對(duì)LED芯片的性能產(chǎn)生影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)在腐蝕燒蝕物時(shí)，對(duì)外延結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的腐蝕作用的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，所述方法還包括:
[0008]在襯底上生長(zhǎng)外延層得到外延片，所述外延層包括依次層疊在所述襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層；
[0009]對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二凹槽的底面為所述襯底，所述第二凹槽的底面的寬度小于所述第一凹槽的底面的寬度；
[0010]在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層保護(hù)層；
[0011]采用激光劃片工藝在所述第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，所述第二凹槽的底面的寬度大于所述V形劃槽的開口的寬度；
[0012]將劃片完成后的所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物；
[0013]去除所述外延片表面的所述保護(hù)層；
[0014]分別在所述P型層和所述N型層上形成P電極和N電極。
[0015]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，包括:
[0016]在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述N型層，并在所述N型層上形成所述第一凹槽；
[0017]在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕所述第一凹槽的底面至裸露出所述襯底，并在所述第一凹槽內(nèi)形成所述第二凹槽。
[0018]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，包括:
[0019]在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述襯底；
[0020]在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述N型層，并在所述外延層上形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
[0021]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二凹槽的底面的寬度為5-20微米。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述保護(hù)層為二氧化硅層或氮化硅層。
[0023]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層保護(hù)層，包括:
[0024]采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層所述保護(hù)層。
[0025]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述將劃片完成后的所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，包括:
[0026]將所述外延片放入240?270度的腐蝕液中腐蝕20min?60min。
[0027]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0028]在將所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕前，在所述保護(hù)層外涂一層保護(hù)膠。
[0029]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述去除所述外延片表面的所述保護(hù)層，包括:
[0030]采用去膠劑去除所述保護(hù)膠；
[0031]采用含氟化氫的溶液去除所述保護(hù)層。
[0032]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0033]在形成所述N電極和所述P電極前，在所述外延層上生長(zhǎng)電流阻擋層和電流擴(kuò)展層。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0035]通過在外延層上進(jìn)行兩次刻蝕，形成第一凹槽和第二凹槽，激光劃片在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行，由于第二凹槽的底面為襯底，所以在激光劃片時(shí)不會(huì)劃過外延層，也就不會(huì)在外延層上產(chǎn)生燒蝕面，另外由于劃片前在外延片表面沉積了保護(hù)層，避免了劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物濺射到外延片上，劃片后采用腐蝕液進(jìn)行腐蝕時(shí)，由于外延層受到保護(hù)層的保護(hù)，腐蝕液不會(huì)對(duì)外延層產(chǎn)生任何腐蝕，因而可以對(duì)燒蝕面進(jìn)行充分腐蝕，使得燒蝕面可以被完全去除，因此，采用本發(fā)明提供的方法制成的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率可以大大提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的發(fā)光二極管芯片制備方法的流程圖；
[0038]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的發(fā)光二極管芯片制備方法的流程圖；
[0039]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖5是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖6是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖7是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖8是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖9是本發(fā)明實(shí)施例二中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖10是本發(fā)明實(shí)施例三中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖11是本發(fā)明實(shí)施例三中發(fā)光二極管芯片在制備過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0049]實(shí)施例一
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，參見圖1，該方法還包括:
[0051]步驟101:在襯底上生長(zhǎng)外延層得到外延片，外延層包括依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層。
[0052]步驟102:對(duì)外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽內(nèi)，第二凹槽的底面為襯底，第二凹槽的底面的寬度小于第一凹槽的底面的寬度。
[0053]其中，刻蝕出第一凹槽的目的在于:產(chǎn)生N型區(qū)域，用于后續(xù)形成N電極；
[0054]刻蝕出第二凹槽的目的在:劃片時(shí)不經(jīng)過外延層，避免在外延層產(chǎn)生燒蝕面。
[0055]步驟103:在刻蝕后的外延片表面沉積一層保護(hù)層，該保護(hù)層用于在后續(xù)對(duì)劃片產(chǎn)生的燒蝕面進(jìn)行腐蝕時(shí),保護(hù)外延層。
[0056]步驟104:采用激光劃片工藝在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，第二凹槽的底面的寬度大于V形劃槽的開口的寬度。
[0057]步驟105:將劃片完成后的外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物。
[0058]步驟106:去除外延片表面的保護(hù)層。
[0059]步驟107:分別在P型層和N型層上形成P電極和N電極。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例通過在外延層上進(jìn)行兩次刻蝕，形成第一凹槽和第二凹槽，激光劃片在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行，由于第二凹槽的底面為襯底，所以在激光劃片時(shí)不會(huì)劃過外延層，也就不會(huì)在外延層上產(chǎn)生燒蝕面，另外由于劃片前在外延片表面沉積了保護(hù)層，避免了劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物濺射到外延片上，劃片后采用腐蝕液進(jìn)行腐蝕時(shí)，由于外延層受到保護(hù)層的保護(hù)，腐蝕液不會(huì)對(duì)外延層產(chǎn)生任何腐蝕，因而可以對(duì)燒蝕面進(jìn)行充分腐蝕，使得燒蝕面可以被完全去除，因此，采用本發(fā)明提供的方法制成的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率可以大大提聞。
[0061]實(shí)施例二
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，參見圖2，該方法還包括:
[0063]步驟201:在襯底上生長(zhǎng)外延層得到外延片，外延層包括依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層。
[0064]如圖3所示，襯底21上生長(zhǎng)有外延層22，外延層22包括N型層221、多量子阱222和P型層223。
[0065]步驟202:在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕外延層至裸露出N型層，并在N型層上形成第一凹槽。
[0066]如圖4所不,在外延層22上刻蝕有第一凹槽23。
[0067]步驟203:在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕第一凹槽的底面至裸露出襯底，并在第一凹槽內(nèi)形成第二凹槽，第二凹槽的底面的寬度小于第一凹槽的底面的寬度。
[0068]其中，刻蝕出第二凹槽的目的在于:劃片時(shí)不經(jīng)過外延層，避免在外延層產(chǎn)生燒蝕面。
[0069]在步驟202和203中，第一掩膜和第二掩膜可以為光刻膠、二氧化硅掩膜、鉻掩膜或鎳掩膜。
[0070]其中，第二凹槽的側(cè)邊與襯底的夾角為50-60度，選優(yōu)該夾角可以時(shí)的發(fā)光二極管在發(fā)光時(shí)可以將更多的全反射光轉(zhuǎn)化為透射光，從而提高光提取效率。
[0071]如圖5所示，在第一凹槽23內(nèi)刻蝕出第二凹槽24，第二凹槽的底面24a為襯底，底面24a的寬度為a。
[0072]步驟204:在刻蝕后的外延片表面沉積一層保護(hù)層，該保護(hù)層用于在后續(xù)對(duì)劃片產(chǎn)生的燒蝕面進(jìn)行腐蝕時(shí),保護(hù)外延層。
[0073]在本實(shí)施例中，保護(hù)層可以為二氧化硅層或氮化硅層。
[0074]如圖6所示，在外延片外生長(zhǎng)一層保護(hù)層25，保護(hù)層25覆蓋在外延層22以及被刻蝕裸露出的襯底21上。
[0075]具體地，步驟204可以采用下述方式實(shí)現(xiàn):
[0076]采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在刻蝕后的外延片表面沉積一層保護(hù)層。
[0077]步驟205:采用激光劃片工藝在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，第二凹槽的底面的寬度大于V形劃槽的開口的寬度。
[0078]具體地，可以利用激光劃片機(jī)在第二凹槽的底面進(jìn)行劃片，深度可以為整個(gè)芯片厚度的1/3?1/5。
[0079]在本實(shí)施例中，第二凹槽的底面的寬度可以為5-20微米。
[0080]如圖7所示，在第二凹槽24底面進(jìn)行劃片，劃片產(chǎn)生的V形劃槽26依次經(jīng)過保護(hù)層25和襯底21。
[0081]步驟206:將劃片完成后的外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物。
[0082]具體地，步驟206可以采用下述方式實(shí)現(xiàn):
[0083]將外延片放入240?270度的腐蝕液中腐蝕20min?60min。
[0084]其中，腐蝕液可以為磷酸與硫酸的混合液。
[0085]進(jìn)一步地，在步驟206之前，該方法還可以包括:
[0086]在保護(hù)層外涂一層保護(hù)膠，保護(hù)膠的作用在于將劃片時(shí)濺射到保護(hù)層上的燒蝕物包裹起來，保護(hù)膠可以是正型光刻膠。
[0087]步驟207:去除外延片表面的保護(hù)層。
[0088]對(duì)于涂有保護(hù)層和保護(hù)膠的外延片而言，去除外延片表面的保護(hù)層可以包括:
[0089]采用去膠劑去除保護(hù)膠；采用含氟化氫的溶液去除保護(hù)層。其中，去膠劑可以采用丙酮。
[0090]除去保護(hù)膠時(shí)，由于保護(hù)膠包裹著燒蝕物，因此可以將該燒蝕物一起除去，避免了燒蝕物附著在保護(hù)層外影響保護(hù)層的去除。
[0091]如圖8所示，前述保護(hù)層25在這一步驟中被除去。
[0092]步驟208:分別在P型層和N型層上形成P電極和N電極。
[0093]進(jìn)一步地，在步驟208之前，該方法還可以包括:
[0094]在形成N電極和P電極前，在外延層上生長(zhǎng)電流阻擋層和電流擴(kuò)展層；
[0095]在形成N電極和P電極后，在N電極和P電極間生長(zhǎng)鈍化層。
[0096]如圖9所示，在外延層22上生長(zhǎng)的電流阻擋層27、電流擴(kuò)展層28、電極29和鈍化層30。
[0097]在經(jīng)過上述步驟后，將襯底減薄至所需厚度，再采用背面裂片方式制得芯片。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例通過在外延層上進(jìn)行兩次刻蝕，形成第一凹槽和第二凹槽，激光劃片在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行，由于第二凹槽的底面為襯底，所以在激光劃片時(shí)不會(huì)劃過外延層，也就不會(huì)在外延層上產(chǎn)生燒蝕面，另外由于劃片前在外延片表面沉積了保護(hù)層，避免了劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物濺射到外延片上，劃片后采用腐蝕液進(jìn)行腐蝕時(shí)，由于外延層受到保護(hù)層的保護(hù)，腐蝕液不會(huì)對(duì)外延層產(chǎn)生任何腐蝕，因而可以對(duì)燒蝕面進(jìn)行充分腐蝕，使得燒蝕面可以被完全去除，因此，采用本發(fā)明提供的方法制成的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率可以大大提聞。
[0099]實(shí)施例三
[0100]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，該方法與實(shí)施例二提供的方法的區(qū)別僅在于如何對(duì)外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，具體地，本實(shí)施例采用如下方式實(shí)現(xiàn):
[0101]在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕外延層至裸露出襯底。
[0102]如圖10所示，在襯底31上設(shè)有N型層321、多量子阱層322和P型層323組成的外延層32，刻蝕時(shí)直接刻蝕至裸露出襯底31。
[0103]在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕外延層至裸露出N型層，并在外延層上形成第一凹槽和第二凹槽.
[0104]如圖11所示，經(jīng)過第二次刻蝕形成第一凹槽33和第二凹槽34，第二凹槽34的底面34a為襯底，底面34a的寬度為b。
[0105]本發(fā)明實(shí)施例通過在外延層上進(jìn)行兩次刻蝕，形成第一凹槽和第二凹槽，激光劃片在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行，由于第二凹槽的底面為襯底，所以在激光劃片時(shí)不會(huì)劃過外延層，也就不會(huì)在外延層上產(chǎn)生燒蝕面，另外由于劃片前在外延片表面沉積了保護(hù)層，避免了劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物濺射到外延片上，劃片后采用腐蝕液進(jìn)行腐蝕時(shí)，由于外延層受到保護(hù)層的保護(hù)，腐蝕液不會(huì)對(duì)外延層產(chǎn)生任何腐蝕，因而可以對(duì)燒蝕面進(jìn)行充分腐蝕，使得燒蝕面可以被完全去除，因此，采用本發(fā)明提供的方法制成的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光效率可以大大提聞。
[0106]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管芯片制備方法，其特征在于，所述方法還包括: 在襯底上生長(zhǎng)外延層得到外延片，所述外延層包括依次層疊在所述襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層； 對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽內(nèi)，所述第二凹槽的底面為所述襯底，所述第二凹槽的底面的寬度小于所述第一凹槽的底面的寬度； 在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層保護(hù)層； 采用激光劃片工藝在所述第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，所述第二凹槽的底面的寬度大于所述V形劃槽的開口的寬度； 將劃片完成后的所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片時(shí)產(chǎn)生的燒蝕物； 去除所述外延片表面的所述保護(hù)層； 分別在所述P型層和所述N型層上形成P電極和N電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，包括: 在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述N型層，并在所述N型層上形成所述第一凹槽； 在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕所述第一凹槽的底面至裸露出所述襯底，并在所述第一凹槽內(nèi)形成所述第二凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在所述外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，包括: 在第一掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述襯底； 在第二掩膜的掩蓋下，刻蝕所述外延層至裸露出所述N型層，并在所述外延層上形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二凹槽的底面的寬度為5-20微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層為二氧化硅層或氮化硅層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層保護(hù)層，包括: 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在刻蝕后的所述外延片表面沉積一層所述保護(hù)層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將劃片完成后的所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，包括: 將所述外延片放入240?270度的腐蝕液中腐蝕20min?60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在將所述外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕前，在所述保護(hù)層外涂一層保護(hù)膠。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述去除所述外延片表面的所述保護(hù)層，包括: 采用去膠劑去除所述保護(hù)膠； 采用含氟化氫的溶液去除所述保護(hù)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成所述N電極和所述P電極前，在所述外延層上生長(zhǎng)電流阻擋層和電流擴(kuò)展層。
【文檔編號(hào)】H01L33/06GK104319323SQ201410603022
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月29日
【發(fā)明者】張威, 王江波 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司