本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)，特別涉及一種LTPS陣列基板及其制造方法。

背景技術(shù)：
低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)TPS)薄膜晶體管液晶顯示器有別于傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器，其電子遷移率可以達(dá)到200cm2/V-sec以上，可有效減小薄膜晶體管器件的面積，從而達(dá)到提高開口率，并且在增進(jìn)顯示器亮度的同時(shí)還可以降低整體的功耗。另外，較高的電子遷移率可以將部分驅(qū)動(dòng)電路集成在玻璃基板上，減少了驅(qū)動(dòng)IC，還可以大幅提升液晶顯示面板的可靠度，從而使得面板的制造成本大幅降低。因此，LTPS薄膜晶體管液晶顯示器逐步成為研究的熱點(diǎn)。LTPS薄膜晶體管液晶顯示器主要包括陣列基板和與其相對(duì)設(shè)置的彩膜基板?，F(xiàn)有技術(shù)可以通過增加存儲(chǔ)電容的金屬層面積或像素電極大小以提高像素電容，然而這一做法會(huì)降低像素開口率，而且在現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中由溝道層、柵絕緣層及第一金屬層構(gòu)成的像素電容一般只能占到總像素電容的10％，增加金屬層的面積對(duì)總像素電容大小的貢獻(xiàn)不大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明提供了一種LTPS陣列基板和制造方法。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提出如下技術(shù)方案：提出一種LTPS陣列基板，包括：第一基板；在所述第一基板上相互絕緣并層疊放置的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上層疊設(shè)置的多晶硅層和層間絕緣層；位于所述層間絕緣層上的源漏金屬層，包括源極和漏極，所述源極或所述漏極分別通過層間過孔與所述多晶硅層電連接，且所述源極或所述漏極還通過第一通孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。本發(fā)明的實(shí)施例還提出一種LTPS陣列基板的制造方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板上形成相互絕緣并層疊放置的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層上形成多晶硅層；在所述多晶硅層上形成層間絕緣層，刻蝕形成層間過孔和第一通孔，所述層間過孔暴露部分所述多晶硅層，所述第一通孔暴露部分所述第一導(dǎo)電層；在所述層間絕緣層上形成源漏金屬層，圖案化所述源漏金屬層，形成源極和漏極，所述源極和所述漏極通過所述層間過孔與所述多晶硅層電連接，且所述源極或所述漏極通過所述第一通孔與所述第一導(dǎo)電層電連接。相較于傳統(tǒng)LTPS陣列基板，本發(fā)明提出的LTPS陣列基板在不影響開口率的前提下，增加了存儲(chǔ)電容的大小，并且由于本LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)的特殊性，可以屏蔽外來電位的影響，進(jìn)而防止背溝道開啟所造成的漏流減小。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2是與圖1相對(duì)應(yīng)的LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)剖視圖；圖4是與圖3相對(duì)應(yīng)的LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)剖視圖；圖6是與圖5相對(duì)應(yīng)的LTPS陣列基板結(jié)構(gòu)俯視圖；圖7A至圖7N是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板的制造方法流程圖；圖8A至圖8N是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板的制造方法流程圖；圖9A至圖9N是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板的制造方法流程圖。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板100結(jié)構(gòu)剖視圖，圖2所示為與圖1相對(duì)應(yīng)的LTPS陣列基板100俯視圖。在第一基板101上設(shè)置有相互絕緣并層疊放置的第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102，第二導(dǎo)電層102位于第一導(dǎo)電層104下方，第二導(dǎo)電層102與第一導(dǎo)電層104之間設(shè)置有第一絕緣層103，第一絕緣層103覆蓋第二導(dǎo)電層102和第一基板101，因此，在第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102以及夾在此二者之間的第一絕緣層103共同構(gòu)成存儲(chǔ)電容Cs。其中，第二導(dǎo)電層102為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，與Vcom電極(圖中未給出)的電位相等，第一導(dǎo)電層104為島狀結(jié)構(gòu)，具體形狀可參見圖2。第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102至少有一層為遮光材料，例如鉬鋁合金、鉻金屬、鉬金屬或者其它既具有遮光功能又具有導(dǎo)電性能的材料，其作用是為了防止背光單元發(fā)射出的光照射到溝道層上，因此而產(chǎn)生額外的電流。在第一導(dǎo)電層104上設(shè)置有緩沖層105，緩沖層105覆蓋第一導(dǎo)電層104和第一絕緣層103，為了防止第一導(dǎo)電層104和第一絕緣層103中有害物質(zhì)，如堿金屬離子對(duì)多晶硅層106性能的影響。在緩沖層105上設(shè)置有多晶硅層106，在多晶硅層106上通過曝光的方法形成不同的離子注入?yún)^(qū)域，并對(duì)所述多晶硅層106進(jìn)行離子注入，分別形成溝道區(qū)和源漏極區(qū)域，多晶硅層106與第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102垂直方向上的投影有重疊，優(yōu)選的，第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102在垂直方向上的投影完全覆蓋多晶硅層106，這樣可以更好的阻擋來自背光單元照射的光，避免產(chǎn)生額外的電流。在多晶硅層106上設(shè)置有柵極絕緣層107，柵極絕緣層的107的材料例如氮硅化物、氧硅化物等介電材料。在柵極絕緣107上設(shè)置有柵極108，所述柵極108的材料例如鉬鋁合金、鉻金屬、鉬金屬或者其它低電阻的導(dǎo)電材料，柵極108與多晶硅層106、第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102在垂直方向上的投影有重疊。在柵極108上設(shè)置有介質(zhì)層109，介質(zhì)層109覆蓋柵極108和柵極絕緣層107，介質(zhì)層109的材料例如氮硅化物、氧硅化物等介電材料。在介質(zhì)層109和柵極絕緣層107上設(shè)置有層間過孔1a，層間過孔1a貫穿整個(gè)介質(zhì)層109和柵極絕緣層107，并暴露部分多晶硅層106；同時(shí)在介質(zhì)層109、柵極絕緣層107和緩沖層105上設(shè)置有第一通孔1b，第一通孔1b貫穿整個(gè)介質(zhì)層109、柵極絕緣層107和緩沖層105，并暴露部分第一導(dǎo)電層104。在介質(zhì)層109上設(shè)置有源漏金屬層110，源漏金屬層110包括源極110a和漏極110b。值得注意的是，源極110a和漏極110b可以互換，并不僅僅局限于本實(shí)施例中所示意的這種情況，在此處僅采用110a作為源極、110b作為漏極這一種情況進(jìn)行說明。源極110a和漏極110b通過層間過孔1a與多晶硅層106電連接，同時(shí)，漏極110b還通過第一通孔1b與第一導(dǎo)電層104電連接。在源漏金屬層110上設(shè)置有平坦化層111，平坦化層111覆蓋源極110a、漏極110b和介質(zhì)層109，平坦化層111的材料例如為有機(jī)膜。在平坦化層111上設(shè)置有第二透明電極112，其材料可以為透明導(dǎo)電材料ITO等。在第二透明電極112上設(shè)置有第二絕緣層113，在第二絕緣層113上設(shè)置有第一透明電極114。在平坦化層111和第二絕緣層113上設(shè)置有第二通孔1e，第二通孔1e貫穿整個(gè)平坦化層111和第二絕緣層113，并暴露部分漏極110b，第一透明電極114通過第二通孔1e與漏極110b電連接。值得注意的是，在本實(shí)施例中，第一透明電極114為像素電極，第二透明電極112為公共電極，在二者的共同作用下驅(qū)動(dòng)液晶(圖中未給出)的翻轉(zhuǎn)進(jìn)而顯示不同的亮度，根據(jù)圖1所示的實(shí)施例，第二透明電極112(公共電極)位于第一透明電極114(像素電極)下方，且第二透明電極112(公共電極)在整個(gè)液晶顯示面板中為整面結(jié)構(gòu)，即邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Fringe-Field-Switching)顯示模式，但本實(shí)施例并不僅僅局限于邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Fringe-Field-Switching)顯示模式，還可以為平面轉(zhuǎn)換(In-Plane-Switching)顯示模式，此種顯示模式下，第二透明電極112(公共電極)將與第一透明電極114(像素電極)同層間隔設(shè)置；同樣的，還可以為扭轉(zhuǎn)向列(Twisted-Nematic)顯示模式，在此種顯示模式下，第二透明電極112(公共電極)將位于與LTPS陣列基板100相對(duì)的彩膜基板(圖中未給出)上，并與位于LTPS陣列基板100上的第一透明電極114(像素電極)共同驅(qū)動(dòng)液晶的翻轉(zhuǎn)。因此，本實(shí)施例僅以邊緣場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Fringe-Field-Switching)顯示模式為例，說明第二透明電極112(公共電極)的位置，而實(shí)際上第二透明電極112(公共電極)并不僅僅局限于圖1所示的實(shí)施例中的那樣。在圖1所示的實(shí)施例中，在第一基板101上設(shè)置了相互絕緣并層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電層104和第二導(dǎo)電層102，此二者與位于其中間的第一絕緣層103共同形成了存儲(chǔ)電容Cs，并且該存儲(chǔ)電容Cs位于黑矩陣BM下方，其有效面積足夠大，該存儲(chǔ)電容Cs有可能達(dá)到總像素電容的50％，即在不改變開口率的前提下，盡最大可能的增加了存儲(chǔ)電容Cs的大小。此外，在本實(shí)施例中，在導(dǎo)電溝道下設(shè)計(jì)了Vcom電極(第二導(dǎo)電層102)，可以屏蔽外來電位影響，有可能防止背溝道開啟從而減小了漏流。圖3所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LTPS陣列基板200結(jié)構(gòu)剖視圖，圖4所示為與圖3相對(duì)應(yīng)的LTPS陣列基板200的俯視圖，其結(jié)構(gòu)與圖1所示的LTPS陣列基板100結(jié)構(gòu)的區(qū)別點(diǎn)在于，在圖3所示的L...