一種tft基板及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種TFT基板及其制造方法。該方法包括以下步驟：提供一基板；在基板上形成TFT結(jié)構(gòu)；在基板上進(jìn)一步形成色阻層，色阻層在TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域；在第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣，以由第一黑色矩陣覆蓋TFT結(jié)構(gòu)；在色阻層和第一黑色矩陣上形成像素電極，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣與TFT結(jié)構(gòu)電連接。通過(guò)上述方法，本發(fā)明能夠在TFT基板組成的面板發(fā)生彎曲時(shí)，充分的遮住光線，減小透光效果，提高面板的對(duì)比度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種TFT基板及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種TFT基板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]曲面電視由于具有更出色的對(duì)比度、更廣泛的視角以及沉浸式體驗(yàn)，為用戶(hù)提供更具深度的觀賞感受，因此其越來(lái)越受到人們的熱愛(ài)。
[0003]在曲面電視應(yīng)用中，由于面板會(huì)有一定程度的彎曲，使得組成面板的TFT (薄膜晶體管,Thin Film Transistor)基板和CF(彩色濾光片，color filter)基板之間會(huì)產(chǎn)生相對(duì)錯(cuò)位，導(dǎo)致設(shè)置在CF基板上的黑色矩陣(Black Matrix,BM)的光遮效果受到影響。具體請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，其中，圖1是面板100沒(méi)有彎曲時(shí)，黑色矩陣101的遮光情況，圖2為面板100彎曲后，黑色矩陣101的遮光情況，由圖1和圖2可知，在面板100彎曲后，有部分光從黑色矩陣101旁邊射出，產(chǎn)生漏光現(xiàn)象，影響黑色矩陣101的光遮效果，從而會(huì)降低面板的對(duì)比度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種TFT基板及其制造方法，能夠在TFT基板組成的面板發(fā)生彎曲時(shí)，充分的遮住光線，減小透光效果，從而提高面板的對(duì)比度。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種基板的制造方法，該方法包括以下步驟:提供一基板；在基板上形成TFT結(jié)構(gòu)；在基板上進(jìn)一步形成色阻層，色阻層在TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域；在第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣，以由第一黑色矩陣覆蓋TFT結(jié)構(gòu)；在色阻層和第一黑色矩陣上形成像素電極，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣與TFT結(jié)構(gòu)電連接。
[0006]其中，在基板上形成TFT結(jié)構(gòu)的步驟還包括:在基板上形成電容電極，其中色阻層在電容電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二開(kāi)口區(qū)域；在第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣的步驟還包括:在第二開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第二黑色矩陣，以由第二黑色矩陣覆蓋電容電極。
[0007]其中，電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，在基板上形成TFT結(jié)構(gòu)的步驟包括:在基板上形成柵電極以及與柵電極同層設(shè)置的掃描線和第一電容電極；在柵電極上依次形成第一絕緣層和有源層，第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋于掃描線和第一電容電極上，有源層未覆蓋于掃描線和第一電容電極上；在有源層上形成源電極和漏電極，并在第一電容電極上形成與源電極和漏電極同層設(shè)置的第二電容電極；在源極、漏極和第二電容電極上形成第二絕緣層，其中色阻層、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成于第二絕緣層上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣和第二絕緣層與源電極和漏電極中的一者電連接，并進(jìn)一步經(jīng)第二黑色矩陣和第二絕緣層與第二電容電極電連接。
[0008]其中，方法還包括:在第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與像素電極之間形成絕緣保護(hù)層。
[0009]其中，在第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣的步驟包括:在第一黑色矩陣和第二絕緣層對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極中的一者的位置形成第一接觸孔，并在第二黑色矩陣和第二絕緣層對(duì)應(yīng)于第二電容電極的位置形成第二接觸孔；在第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與像素電極之間形成絕緣保護(hù)層的步驟包括:在第一接觸孔和第二接觸孔內(nèi)形成絕緣保護(hù)層；在第一接觸孔和第二接觸孔內(nèi)的絕緣保護(hù)層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中像素電極通過(guò)第三接觸孔與源電極和漏電極中的一者電連接，并通過(guò)和第四接觸孔與第二電容電極電連接。
[0010]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種TFT基板，該TFT基板包括基板；TFT結(jié)構(gòu)，設(shè)在基板上；色阻層，設(shè)置在基板上，其中，色阻層在TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域；第一黑色矩陣，設(shè)置在第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，以由第一黑色矩陣覆蓋TFT結(jié)構(gòu)；像素電極，設(shè)置在色阻層和第一黑色矩陣上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣與TFT結(jié)構(gòu)電連接。
[0011]其中，TFT基板還包括:電容電極，設(shè)置在基板上，其中色阻層在信號(hào)線的對(duì)應(yīng)位置形成第二開(kāi)口區(qū)域；第二黑色矩陣，設(shè)置在第二開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，以由第二黑色矩陣覆蓋電容電極。
[0012]其中，電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，TFT基板還包括:柵電極，設(shè)置在基板上；掃描線和第一電容電極，與柵電極同層設(shè)置；第一絕緣層和有源層，依次設(shè)置在柵電極上，其中，第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋于掃描線和第一電容電極上，有源層未覆蓋于掃描線和第一電容電極上；源電極和漏電極，設(shè)置在有源層上，第二電容電極，設(shè)置在第一電容電極上，并與源電極和漏電極同層設(shè)置；第二絕緣層，設(shè)置在源極、漏極和第二電容電極上，其中色阻層、第一黑色矩陣和第二黑色矩陣形成于第二絕緣層上，像素電極經(jīng)第一黑色矩陣和第二絕緣層與源電極和漏電極中的一者電連接，并進(jìn)一步經(jīng)第二黑色矩陣和第二絕緣層與第二電容電極電連接。
[0013]其中，TFT基板還包括:絕緣保護(hù)層，設(shè)置在第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與像素電極之間。
[0014]其中，在第一黑色矩陣和第二絕緣層對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極中的一者的位置形成第一接觸孔，并在第二黑色矩陣和第二絕緣層對(duì)應(yīng)于第二電容電極的位置形成第二接觸孔；在第一接觸孔和第二接觸孔內(nèi)形成絕緣保護(hù)層；在第一接觸孔和第二接觸孔內(nèi)的絕緣保護(hù)層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中像素電極通過(guò)第三接觸孔與源電極和漏電極中的一者電連接，并通過(guò)和第四接觸孔與第二電容電極電連接。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明將黑色矩陣設(shè)置在TFT基板側(cè)，使得在TFT基板組成的面板發(fā)生彎曲時(shí)，充分的遮住光線，減小透光效果，提高面板的對(duì)比度。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的面板沒(méi)有彎曲時(shí)黑色矩陣的遮光效果圖；
[0017]圖2是現(xiàn)有技術(shù)的面板在發(fā)生彎曲時(shí)黑色矩陣的遮光效果圖；
[0018]圖3本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4是圖3所示的TFT基板的其中一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5是圖4所示的像素單元沿EF虛線的剖視圖；
[0021]圖6本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板組成的面板在發(fā)生彎曲時(shí)黑色矩陣的遮光效果圖；
[0022]圖7是圖4所示的像素單元沿⑶虛線的剖視圖；
[0023]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT基板的制造方法的流程圖；
[0024]圖9-10是圖8所示的TFT基板制造方法的工藝制程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]請(qǐng)參閱圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例的一種TFT基板的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板10包括多個(gè)像素單元110，其中每個(gè)像素單元110的結(jié)構(gòu)都相同。本發(fā)明將以其中一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]請(qǐng)參閱圖4-圖5，圖4是圖3所示的TFT基板10中的其中一個(gè)像素單元110的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5是圖4所示的像素單元110沿虛線EF的剖視圖。如圖4和圖5所示,本發(fā)明實(shí)施例的TFT基板10的像素單元110包括基板11、TFT結(jié)構(gòu)12、色阻層13、黑色矩陣140以及像素電極15。其中，TFT結(jié)構(gòu)12設(shè)置在基板11上，色阻層13設(shè)置在基板11上，其中，色阻層13在TFT結(jié)構(gòu)12的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域Ml。黑色矩陣140設(shè)置在第一開(kāi)口區(qū)域Ml內(nèi)，以由黑色矩陣140覆蓋TFT結(jié)構(gòu)12。像素電極15設(shè)置在色阻層13和黑色矩陣140上，像素電極15經(jīng)黑色矩陣140與TFT結(jié)構(gòu)12電連接。
[0027]其中，色阻層13包括紅色、綠色以及藍(lán)色(R、G以及B)材料組成，黑色矩陣140由黑樹(shù)脂材料組成。
[0028]因此，本實(shí)施例中，在TFT基板10側(cè)設(shè)置了黑色矩陣140，使得在TFT基板10組成的面板發(fā)生彎曲時(shí)，設(shè)置在TFT基板10側(cè)的黑色矩陣140的遮光功能不受影響，減小透光現(xiàn)象，本發(fā)明實(shí)施例的黑色矩陣140的遮光情況請(qǐng)參閱圖6所示。因此，可以有效提高TFT基板10組成的面板的對(duì)比度。
[0029]本實(shí)施例中，TFT結(jié)構(gòu)12包括柵電極120、第一絕緣層121、有源層122、源電極123、漏電極124以及第二絕緣層125。
[0030]其中，柵電極120設(shè)置在基板11上，第一絕緣層121和有源層122依次設(shè)置在柵電極120上，源電極123和漏電極124設(shè)置在有源層122上，并且源電極123和漏電極124為同層設(shè)置，第二絕緣層125設(shè)置在源電極123和漏電極124上。黑色矩陣140設(shè)置在第二絕緣層125上，也就是說(shuō)，黑色矩陣140和源電極123和漏電極124之間設(shè)置了第二絕緣層125，可以有效的保護(hù)源電極123和漏電極124。
[0031]其中，有源層122的材料包括氫化非晶硅(a-Si: H)，像素電極15為ITO(IndiumTin Oxide,銦錫氧化物)透明電極。
[0032]本實(shí)施例中，TFT基板10還包括電容電極16和黑色矩陣141。其中，電容電極16設(shè)置在基板11上，色阻層13在電容電極16的對(duì)應(yīng)的位置形成第二開(kāi)口區(qū)域M2。黑色矩陣141設(shè)置在第二開(kāi)口區(qū)域M2內(nèi)，以由黑色矩陣141覆蓋電容電極16。
[0033]其中，電容電極16包括第一電容電極161和第二電容電極162。第一電容電極161與柵電極120同層設(shè)置。第一絕緣層121進(jìn)一步覆蓋于第一電容電極161上，有源層122未覆蓋于第一電容電極161上。第二電容電極162設(shè)置在第一電容電極161上,并與源電極123和漏電極124同層設(shè)置。第二絕緣層125進(jìn)一步設(shè)置在第二電容電極162上。由于第一絕緣層121覆蓋于第一電容電極161上，因此,第二電容電極162實(shí)際是設(shè)置在第一電容電極161對(duì)應(yīng)的第一絕緣層121上。
[0034]其中，TFT基板10還包括絕緣保護(hù)層17，其設(shè)置在黑色矩陣140、141和色阻層13與像素電極15之間。用于保護(hù)TFT基板10組成的面板中的液晶不被污染。
[0035]本實(shí)施例中，色阻層13、黑色矩陣140和黑色矩陣141形成于第二絕緣層125上。像素電極15經(jīng)黑色矩陣140和第二絕緣層125與漏電極124電連接，并進(jìn)一步經(jīng)黑色矩陣141和第二絕緣層125與第二電容電極161電連接。
[0036]具體的，在黑色矩陣140和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于漏電極124的位置形成第一接觸孔M3，并在黑色矩陣141和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于第二電容電極161的位置形成第二接觸孔M4。其中，在第一接觸孔M3和第二接觸孔M4內(nèi)形成絕緣保護(hù)層17。在第一接觸孔M3和第二接觸孔M4內(nèi)的絕緣保護(hù)層17分別形成第三接觸孔M5和第四接觸孔M6，其中像素電極15通過(guò)第三接觸孔M5與漏電極124電連接，并通過(guò)第四接觸孔M6與第二電容電極161電連接。
[0037]在其他實(shí)施例中，像素電極15還可以經(jīng)黑色矩陣140和第二絕緣層125與源電極123電連接。具體的，第一接觸孔M3設(shè)置在黑色矩陣140和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于源電極123的位置，同樣，在第一接觸孔M3內(nèi)的絕緣保護(hù)層17形成第三接觸孔M5。像素電極15通過(guò)第三接觸孔M5與源電極123電連接。
[0038]請(qǐng)參閱圖4和圖7所示,其中，圖7是圖4所示的像素單元110沿虛線⑶的剖視圖。如圖4和圖7所示，TFT基板10的像素單元110還進(jìn)一步包括掃描線S和數(shù)據(jù)線D。其中，掃描線S設(shè)置在基板11上，并與柵電極120以及第一電容電極161同層設(shè)置。其中，第一絕緣層121進(jìn)一步覆蓋于掃描線S上，有源層122未覆蓋于掃描線S上。數(shù)據(jù)線D設(shè)置在第一絕緣層121上，并與源電極123和漏電極124同層設(shè)置。其中，在數(shù)據(jù)線D上進(jìn)一步設(shè)置第二絕緣層125，并在第二絕緣層125的對(duì)應(yīng)于掃描線S的位置設(shè)置黑色矩陣140。也就是說(shuō)，黑色矩陣140進(jìn)一步覆蓋掃描線S。
[0039]承前所述，本發(fā)明的TFT基板10可以保證黑色矩陣140的遮光功能不受影響，減小透光現(xiàn)象，因此，可以有效提高TFT基板10組成的面板的對(duì)比度。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例還基于前文所述的TFT基板10提供一種TFT基板的制造方法，具體請(qǐng)參閱圖8-圖10所示。
[0041]其中，圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT基板的制造方法的流程圖；圖9是圖8所示的TFT基板的制造方法對(duì)應(yīng)的工藝制程圖；圖10是圖8所示的TFT基板的制造方法對(duì)應(yīng)的另一工藝制程圖。如圖8-圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT基板的制造方法包括以下步驟:
[0042]步驟S1:提供一基板11。
[0043]步驟S2:在基板11上形成TFT結(jié)構(gòu)12。
[0044]本步驟具體為:首先在基板11形成柵電極120，然后在柵電極120上依次形成第一絕緣層121和有源層122，進(jìn)而在有源層122上形成源電極123和漏電極124，最后在漏電極124上形成第二絕緣層125。由此就形成了整個(gè)TFT結(jié)構(gòu)12。
[0045]本步驟中，在形成TFT結(jié)構(gòu)12的同時(shí)，還進(jìn)一步形成電容電極16以及信號(hào)線，其中，電容電極16包括第一電容電極161和第二電容電極,信號(hào)線包括掃描線S和數(shù)據(jù)線D。
[0046]其中，電容電極16的具體形成過(guò)程如下:在基板11上形成與柵電極120同層設(shè)置的第一電容電極161，然后在第一電容電極161上形成第一絕緣層123，使得第一絕緣層123進(jìn)一步覆蓋于第一電容電極161上。其中，有源層122未覆蓋于第一電容電極161上。進(jìn)而在第一電容電極161上形成與源電極123和漏電極124同層設(shè)置的第二電容電極162。由于第一電容電極161被第一絕緣層123覆蓋，因此，第二電容電極162具體是形成在第一絕緣層123的對(duì)應(yīng)于第一電容電極161的位置上。最后在第二電容電極162上形成第二絕緣層125。由此，完成電容電極16的制造。
[0047]信號(hào)線的具體形成過(guò)程如下:首先在基板11上形成與柵電極120同層設(shè)置的掃描線S，然后在掃描線S上形成第一絕緣層123，使得第一絕緣層123進(jìn)一步覆蓋于掃描線S上。其中，有源層122未覆蓋于掃描線S上。進(jìn)而在第一絕緣層123上形成數(shù)據(jù)線D。最后在數(shù)據(jù)線D上形成第二絕緣層125。
[0048]步驟S3:在基板11上進(jìn)一步形成色阻層13，色阻層13在TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域Ml。
[0049]本步驟中，色阻層13還在電容電極16的對(duì)應(yīng)位置形成第二開(kāi)口區(qū)域M2。
[0050]步驟S4:在第一開(kāi)口區(qū)域M2內(nèi)形成黑色矩陣140，以由黑色矩陣140覆蓋TFT結(jié)構(gòu)12。
[0051]本步驟中，還在第二開(kāi)口區(qū)域M2內(nèi)形成黑色矩陣141，以由黑色矩陣141覆蓋電容電極16。
[0052]其中，色阻層13、黑色矩陣140和黑色矩陣141是同層設(shè)置的。色阻層13、黑色矩陣140和141形成于第二絕緣層125上。
[0053]步驟S5:在色阻層13和黑色矩陣140上形成像素電極15，像素電極15經(jīng)黑色矩陣140與TFT結(jié)構(gòu)12電連接。具體的，像素電極15經(jīng)黑色矩陣140和第二絕緣層125與漏電極124電連接。進(jìn)一步的，像素電極15還經(jīng)黑色矩陣141和第二絕緣層125與第二電容電極162電連接。
[0054]具體而言，在步驟S4中，進(jìn)一步在黑色矩陣140和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于漏電極124的位置形成第一接觸孔M3，并在黑色矩陣141和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于第二電容電極162的位置形成第二接觸孔M4。
[0055]在本步驟中，首先在色阻層13和黑色矩陣140和141上形成絕緣保護(hù)層17。進(jìn)一步的，在第一接觸孔M3和第二接觸孔M4內(nèi)形成絕緣保護(hù)層17。在第一接觸孔M3和第二接觸孔M4內(nèi)的絕緣保護(hù)層17分別形成第三接觸孔M5和第四接觸孔M6。
[0056]進(jìn)一步的，在絕緣保護(hù)層17上形成像素電極15，也就是說(shuō)，絕緣保護(hù)層17形成在黑色矩陣140和141和色阻層13與像素電極15之間。其中像素電極15通過(guò)第三接觸孔M5與漏電極124電連接，并通過(guò)和第四接觸孔M6與第二電容電極162電連接。
[0057]在其他實(shí)施例中，像素電極15還可以經(jīng)黑色矩陣140和第二絕緣層125與源電極123電連接。具體的，在黑色矩陣140和第二絕緣層125對(duì)應(yīng)于源電極123的位置形成第一接觸孔M3，同樣，在第一接觸孔M3內(nèi)的絕緣保護(hù)層17形成第三接觸孔M5，像素電極15通過(guò)第三接觸孔M5與源電極123電連接。
[0058]綜上所述，本發(fā)明的TFT基板10可以保證黑色矩陣140的遮光功能不受影響，減小透光現(xiàn)象，因此，可以有效提高TFT基板10組成的面板的對(duì)比度。
[0059]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 提供一基板； 在所述基板上形成TFT結(jié)構(gòu)； 在所述基板上進(jìn)一步形成色阻層，所述色阻層在所述TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域； 在所述第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣，以由所述第一黑色矩陣覆蓋所述TFT結(jié)構(gòu)； 在所述色阻層和所述第一黑色矩陣上形成像素電極，所述像素電極經(jīng)所述第一黑色矩陣與所述TFT結(jié)構(gòu)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成TFT結(jié)構(gòu)的步驟還包括: 在所述基板上形成電容電極，其中所述色阻層在所述電容電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二開(kāi)口區(qū)域； 所述在所述第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣的步驟還包括: 在所述第二開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第二黑色矩陣，以由所述第二黑色矩陣覆蓋所述電容電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，所述在所述基板上形成TFT結(jié)構(gòu)的步驟包括: 在所述基板上形成柵電極以及與所述柵電極同層設(shè)置的掃描線和第一電容電極； 在所述柵電極上依次形成第一絕緣層和有源層，所述第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上，所述有源層未覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上； 在所述有源層上形成源電極和漏電極，并在所述第一電容電極上形成與所述源電極和漏電極同層設(shè)置的第二電容電極； 在所述源極、所述漏極和所述第二電容電極上形成第二絕緣層，其中所述色阻層、所述第一黑色矩陣和所述第二黑色矩陣形成于所述第二絕緣層上，所述像素電極經(jīng)所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述源電極和漏電極中的一者電連接，并進(jìn)一步經(jīng)所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述第二電容電極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 在所述第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與所述像素電極之間形成絕緣保護(hù)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成第一黑色矩陣的步驟包括: 在所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)于所述源電極和漏電極中的所述一者的位置形成第一接觸孔，并在所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)于所述第二電容電極的位置形成第二接觸孔； 在所述第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與所述像素電極之間形成絕緣保護(hù)層的步驟包括: 在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內(nèi)形成所述絕緣保護(hù)層； 在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內(nèi)的所述絕緣保護(hù)層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中所述像素電極通過(guò)所述第三接觸孔與所述源電極和漏電極中的所述一者電連接，并通過(guò)和所述第四接觸孔與所述第二電容電極電連接。
6.一種TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括: 基板； TFT結(jié)構(gòu)，設(shè)在所述基板上； 色阻層，設(shè)置在所述基板上，其中，所述色阻層在所述TFT結(jié)構(gòu)的對(duì)應(yīng)位置形成第一開(kāi)口區(qū)域； 第一黑色矩陣，設(shè)置在所述第一開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，以由所述第一黑色矩陣覆蓋所述TFT結(jié)構(gòu)； 像素電極，設(shè)置在所述色阻層和所述第一黑色矩陣上，所述像素電極經(jīng)所述第一黑色矩陣與所述TFT結(jié)構(gòu)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板還包括: 電容電極，設(shè)置在所述基板上，其中所述色阻層在所述電容電極的對(duì)應(yīng)位置形成第二開(kāi)口區(qū)域； 第二黑色矩陣，設(shè)置在所述第二開(kāi)口區(qū)域內(nèi)，以由所述第二黑色矩陣覆蓋所述電容電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述電容電極包括第一電容電極和第二電容電極，所述TFT基板還包括: 柵電極，設(shè)置在所述基板上； 掃描線和第一電容電極，與所述柵電極同層設(shè)置； 第一絕緣層和有源層，依次設(shè)置在所述柵電極上，其中，所述第一絕緣層進(jìn)一步覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上，所述有源層未覆蓋于所述掃描線和所述第一電容電極上； 源電極和漏電極，設(shè)置在所述有源層上， 第二電容電極，設(shè)置在所述第一電容電極上，并與所述源電極和漏電極同層設(shè)置； 第二絕緣層，設(shè)置在所述源極、所述漏極和所述第二電容電極上，其中所述色阻層、所述第一黑色矩陣和所述第二黑色矩陣形成于所述第二絕緣層上，所述像素電極經(jīng)所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述源電極和漏電極中的一者電連接，并進(jìn)一步經(jīng)所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層與所述第二電容電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板還包括: 絕緣保護(hù)層，設(shè)置在所述第一黑色矩陣、第二黑色矩陣和色阻層與所述像素電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所示的TFT基板，其特征在于，在所述第一黑色矩陣和所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)于所述源電極和漏電極中的所述一者的位置形成第一接觸孔，并在所述第二黑色矩陣和所述第二絕緣層對(duì)應(yīng)于所述第二電容電極的位置形成第二接觸孔； 在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內(nèi)形成所述絕緣保護(hù)層； 在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔內(nèi)的所述絕緣保護(hù)層分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，其中所述像素電極通過(guò)所述第三接觸孔與所述源電極和漏電極中的所述一者電連接，并通過(guò)和所述第四接觸孔與所述第二電容電極電連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104393003SQ201410608304
【公開(kāi)日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】連水池, 熊源 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司