改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法，本發(fā)明通過改變現(xiàn)有鍍氮化硅的工藝參數(shù)，能夠進(jìn)一步改善氮化硅薄膜的均勻性，從而提高太陽能電池片的電性能。
【專利說明】改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法
[0001]

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種減反射膜的加工方式，特別涉及一種改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法。

【背景技術(shù)】
[0003]減反射膜，又稱增透膜，它的主要功能是減少或消除透鏡、棱鏡、平面鏡等光學(xué)表面的反射光，從而增加這些元件的透光量，減少或消除系統(tǒng)的雜散光。
[0004]最簡單的增透膜是單層膜，它是鍍在光學(xué)零件光學(xué)表面上的一層折射率較低的薄膜。如果膜層的光學(xué)厚度是某一波長的四分之一，相鄰兩束光的光程差恰好為^即振動(dòng)方向相反，疊加的結(jié)果使光學(xué)表面對(duì)該波長的反射光減少。適當(dāng)選擇膜層折射率，這時(shí)光學(xué)表面的反射光可以完全消除。
[0005]一般情況下，采用單層增透膜很難達(dá)到理想的增透效果，為了在單波長實(shí)現(xiàn)零反射，或在較寬的光譜區(qū)達(dá)到好的增透效果，往往采用雙層、三層甚至更多層數(shù)的減反射膜。
[0006]在減反射膜應(yīng)用于太陽能電池片生產(chǎn)技術(shù)中，現(xiàn)有沉積減反射膜技術(shù)存在改進(jìn)空間，氮化硅薄膜的均勻性還可以進(jìn)一步改善。
[0007]


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種進(jìn)一步提高氮化硅薄膜的均勻性，從而提高太陽能電池片的電性能的改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法。
[0009]本發(fā)明為了解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法，包括以下步驟:
O向爐管內(nèi)充氮?dú)猓瑢⒉逵泄杵氖鄯胚M(jìn)該爐管；
2)保持爐內(nèi)溫度cl=455-465攝氏度，時(shí)間至少為20分鐘；
3)進(jìn)行壓力測試，保證壓力恒定；
4)氨氣吹掃及預(yù)沉積，溫度為Cl，氨氣體積為4-5L，射頻功率為3000-4000W，時(shí)間為100-200s ；
5)依次進(jìn)行三次沉積，各次沉積溫度一次下降預(yù)設(shè)度數(shù)c2，c2=5-10攝氏度，其他工藝參數(shù)為:氨氣流量為4500-5500sccm，硅烷流量為350-600sccm，射頻功率為3000-4000W，持續(xù)時(shí)間為350-400s,占空比為1:15，壓強(qiáng)為180_220pa ；
6)鍍氮化硅減反射膜過程結(jié)束，依次進(jìn)行抽真空、壓力測試、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂?，將所述石墨舟出爐。
[0010]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述爐管為48所管式。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明通過改變現(xiàn)有鍍氮化硅的工藝參數(shù)，能夠進(jìn)一步改善氮化硅薄膜的均勻性，從而提高太陽能電池片的電性能。
[0012]

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明工藝流程示意圖。
[0014]

【具體實(shí)施方式】
[0015]為了加深對(duì)本發(fā)明的理解，下面將結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳述，該實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。
[0016]圖1示出了本發(fā)明一種改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法的一種實(shí)施方式，包括以下步驟:
O向爐管內(nèi)充氮?dú)?，將插有硅片的石墨舟放進(jìn)該爐管；
2)保持爐內(nèi)溫度cl=455攝氏度，時(shí)間至少為20分鐘；
3)進(jìn)行壓力測試，保證壓力恒定；
4)氨氣吹掃及預(yù)沉積，溫度為Cl，氨氣體積為4L，射頻功率為3000W，時(shí)間為200s；
5)依次進(jìn)行三次沉積，各次沉積溫度一次下降預(yù)設(shè)度數(shù)c2，c2=5攝氏度，其他工藝參數(shù)為:氨氣流量為4500SCCm，硅烷流量為350SCCm，射頻功率為4000W，持續(xù)時(shí)間為400s，占空比為1:15，壓強(qiáng)為220pa ；
6)鍍氮化硅減反射膜過程結(jié)束，依次進(jìn)行抽真空、壓力測試、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂?，將所述石墨舟出爐。
[0017]所述爐管為48所管式。
【權(quán)利要求】
1.一種改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法，其特征在于:包括以下步驟: 1)向爐管內(nèi)充氮?dú)?，將插有硅片的石墨舟放進(jìn)該爐管； 2)保持爐內(nèi)溫度cl=455-465攝氏度，時(shí)間至少為20分鐘； 3)進(jìn)行壓力測試，保證壓力恒定； 4)氨氣吹掃及預(yù)沉積，溫度為cl，氨氣體積為4-5L，射頻功率為3000-4000W，時(shí)間為100-200s ； 5)依次進(jìn)行三次沉積，各次沉積溫度一次下降預(yù)設(shè)度數(shù)c2，c2=5-10攝氏度，其他工藝參數(shù)為:氨氣流量為4500-5500sccm，硅烷流量為350-600sccm，射頻功率為3000-4000W，持續(xù)時(shí)間為350-400s,占空比為1:15，壓強(qiáng)為180_220pa ； 6)鍍氮化硅減反射膜過程結(jié)束，依次進(jìn)行抽真空、壓力測試、循環(huán)吹掃及充氮?dú)夂?，將所述石墨舟出爐。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的鍍氮化硅減反射膜方法，其特征在于:所述爐管為48所管式。
【文檔編號(hào)】H01L31/0216GK104319294SQ201410609489
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月4日
【發(fā)明者】尚修鑫 申請(qǐng)人:蘇州精創(chuàng)光學(xué)儀器有限公司