一種局部背表面場(chǎng)n型太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種局部背表面場(chǎng)n型太陽能電池，包括n型硅基體，在n型硅基體的前表面上設(shè)有p+發(fā)射區(qū)、前表面介質(zhì)層和正極金屬電極，在n型硅基體的背表面上設(shè)有n+背表面場(chǎng)、背表面介質(zhì)層和負(fù)極金屬電極，所述的n+背表面場(chǎng)是由選擇性的n+摻雜區(qū)域形成的局部n+背表面場(chǎng)。本發(fā)明中的n型太陽能電池由于采用局部的背表面場(chǎng)結(jié)構(gòu)，可以極大的降低由于背表場(chǎng)摻雜所帶來的少子復(fù)合，與以往常規(guī)的全背表面場(chǎng)n型太陽能電池相比可以極大的提高電池的開路電壓，并且短路電流也有一定的提升。
【專利說明】一種局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于太陽能電池領(lǐng)域，具體涉及一種局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是一種將光能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件，較低的生產(chǎn)成本和較高的能量轉(zhuǎn)化效率一直是太陽能電池工業(yè)追求的目標(biāo)。η型太陽能電池具有體壽命高，光照無衰減等優(yōu)點(diǎn)，是高效晶硅太陽能電池一個(gè)重要的發(fā)展方向，并且由于η型太陽能電池的正負(fù)電極都可以制作成常規(guī)的H-型柵線電極結(jié)構(gòu)，因此該電池不僅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光從而產(chǎn)生額外的電力。
[0003]η型太陽能電池前表面的發(fā)射區(qū)是P+型摻雜，背表面場(chǎng)為η+型摻雜，為了使太陽能電池的金屬電極與發(fā)射極和背表面場(chǎng)均形成良好的歐姆接觸，電池前表面的P+型摻雜和背表面的η+型摻雜往往要求重?fù)诫s，即有較高的摻雜濃度，然而這些重?fù)诫s的P+發(fā)射區(qū)和η+背場(chǎng)會(huì)帶來較高的Auger復(fù)合，從而降低電池的開路電壓和短路電流，影響電池的光轉(zhuǎn)化效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，該電池背表面上的背表面場(chǎng)為由選擇性的η+型摻雜區(qū)域形成的局部η+背表面場(chǎng)，可以減少背表面場(chǎng)由于重?fù)诫s而導(dǎo)致的高表面復(fù)合速率，增加電池的開路電壓和短路電流，從而提升電池的光轉(zhuǎn)化效率。
[0005]本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，包括η型娃基體,在η型娃基體的前表面上設(shè)有ρ+發(fā)射區(qū)、前表面介質(zhì)層和正極金屬電極，在η型娃基體的背表面上設(shè)有η+背表面場(chǎng)、背表面介質(zhì)層和負(fù)極金屬電極,所述的η+背表面場(chǎng)是由選擇性的η+摻雜區(qū)域形成的局部η+背表面場(chǎng)。
[0006]本發(fā)明中所述的局部η+背表面場(chǎng)是指η型硅基體背表面的η+型摻雜并非整面的均勻摻雜，而是呈一維線狀(即下文中的第一種優(yōu)選的實(shí)施方式)、二維點(diǎn)狀(即下文中的第二種優(yōu)選的實(shí)施方式)或其它圖案化的選擇性摻雜，這些圖案化的η+型選擇性摻雜區(qū)域形成局部η+背表面場(chǎng)。
[0007]作為本發(fā)明的第一種優(yōu)選的實(shí)施方式，本發(fā)明所述的局部η+背表面場(chǎng)由均勻設(shè)于所述的η型硅基體背表面上的多條相平行設(shè)置的條形η+摻雜區(qū)域組成。
[0008]本發(fā)明所述的條形η+摻雜區(qū)域的寬度優(yōu)選為3(T500Mffl，相鄰兩條形η+摻雜區(qū)域的間距優(yōu)選為6(T3000Mffl，且全部的條形η+摻雜區(qū)域的面積占整個(gè)η型硅基體背表面總面積的50%以下。
[0009]作為本發(fā)明的第二種優(yōu)選的實(shí)施方式，本發(fā)明所述的局部η+背表面場(chǎng)由均勻設(shè)于所述的η型硅基體背表面上的點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域組成。
[0010]本發(fā)明所述點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域中每個(gè)點(diǎn)狀單元的直徑為3(T2000Mffl，相鄰點(diǎn)狀單元的間距優(yōu)選為5(T4000Mffl，且全部的點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域的面積占整個(gè)η型硅基體背表面總面積的50%以下。
[0011]其中呈二維點(diǎn)狀陣列分布的η+型摻雜區(qū)域均勻分布在η型硅基體的背表面。
[0012]除了上述兩種優(yōu)選的實(shí)施方式之外，還可以采用其它圖案進(jìn)行選擇性摻雜，這些圖案化的η+型選擇摻雜區(qū)域形成局部η+背表面場(chǎng)。
[0013]本發(fā)明所述的η型硅基體的電阻率優(yōu)選為0.5?30 Ω 厚度優(yōu)選為5(Γ300μ m，使用前先經(jīng)表面制絨處理。
[0014]本發(fā)明所述的ρ+發(fā)射區(qū)優(yōu)選由覆蓋在硅基體整個(gè)前表面的P+型摻雜區(qū)域形成，所述的P+型發(fā)射區(qū)通過在η型硅基體前表面摻雜硼形成。
[0015]所述的局部η+型背表面場(chǎng)通過在η型硅基體背表面選擇性摻雜磷形成，所述的摻雜方式為熱擴(kuò)散、離子注入或激光摻雜。
[0016]本發(fā)明所述的前表面介質(zhì)層設(shè)置在所述硅基體前表面ρ+發(fā)射區(qū)上，所述的背表面介質(zhì)層設(shè)置在所述的硅基體背表面的η+背表面場(chǎng)上以及所述的硅基體背表面上未設(shè)置η+背表面場(chǎng)的區(qū)域上。
[0017]本發(fā)明所述的前表面介質(zhì)層和背表面介質(zhì)層為A10、SiN和S1介質(zhì)膜中的一種或幾種。
[0018]具體而言，覆蓋在ρ+發(fā)射區(qū)上的前表面介質(zhì)層優(yōu)先選為AlO和SiN復(fù)合介質(zhì)膜，用于前表面的鈍化和光學(xué)減反射，覆蓋在娃基體背表面η+背表面場(chǎng)及背表面未摻雜區(qū)域上的介質(zhì)層優(yōu)選為單層的SiN介質(zhì)膜，也可以為AlO和S1復(fù)合介質(zhì)膜，或AlO和SiN復(fù)合介質(zhì)膜，用于背表面的鈍化。
[0019]本發(fā)明所述的正極金屬電極包括相垂直設(shè)置的正極金屬細(xì)柵線和正極金屬主柵線，所述的負(fù)極金屬電極包括負(fù)極金屬細(xì)柵線和負(fù)極金屬主柵線，其中所述的負(fù)極金屬細(xì)柵線與所述的η+背表面場(chǎng)相歐姆接觸，所述的負(fù)極金屬主柵線的形狀和位置與所述的正極金屬主柵線相對(duì)應(yīng)；或所述的負(fù)極金屬電極為整面覆蓋在硅基體背表面上的金屬薄層，所述的負(fù)極金屬薄層電極與所述的η+背表面場(chǎng)相歐姆接觸，但與所述的背表面上未設(shè)置η+背表面場(chǎng)的裸露區(qū)域不相歐姆接觸。
[0020]本發(fā)明中的正極金屬電極形狀優(yōu)選為目前市場(chǎng)上常規(guī)η型或ρ型電池所用的H-圖樣的金屬電極，該H-圖樣的電極包括相互垂直的正極金屬細(xì)柵線和正極金屬主柵線兩部分，正極金屬細(xì)柵線與硅基體前表面的P+發(fā)射區(qū)相歐姆接觸，用來收集電池受光所產(chǎn)生的光電流，正極金屬主柵線與細(xì)柵線相接觸，負(fù)責(zé)將收集到的電流傳輸?shù)酵怆娐分?，正極金屬電極的材質(zhì)通常為銀，通過絲網(wǎng)印刷或氣霧印刷等方式將銀漿印刷在電池前表面，經(jīng)燒結(jié)形成正極金屬電極。
[0021]本發(fā)明中的負(fù)極金屬電極可以包括用來收集光生電流的負(fù)極金屬細(xì)柵線和用來將電流傳輸?shù)酵怆娐返呢?fù)極金屬主柵線兩部分，其中負(fù)極金屬細(xì)柵線與電池背表面圖案化的η+背表面場(chǎng)相歐姆接觸，因此其形狀要求與電池背表面圖案化的η+背表面場(chǎng)形狀相一致的，負(fù)極金屬主柵線的形狀及位置優(yōu)先要求與正極金屬電極的主柵線相對(duì)應(yīng)，以便測(cè)量，電極材質(zhì)優(yōu)選為銀，通過絲網(wǎng)印刷或氣霧印刷等方式將銀漿印刷的電池背表面，經(jīng)燒結(jié)與η+背表面場(chǎng)歐姆接觸以形成負(fù)極金屬電極，由于背面負(fù)極金屬電極采用的是柵線形式，因此電池為背面也可以受光的雙面電池。
[0022]本發(fā)明中的負(fù)極金屬電極也可以為整面的金屬薄層覆蓋在電池背表面，但要求與背表面局部η+背表面場(chǎng)相對(duì)應(yīng)的位置形成歐姆接觸，與未設(shè)置η+背表面場(chǎng)的η型基體不形成歐姆接觸，該電極金屬化方案制成的η型太陽能電池由于背面全部被金屬電極覆蓋，無法受光，因此該局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池為單面電池。
[0023]由于上面的負(fù)極金屬電極的設(shè)置方式不同，因此本發(fā)明所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池可以為前后表面均受光的雙面電池或只有前表面受光的單面電池。
[0024]本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有η型電池結(jié)構(gòu)相比，本發(fā)明中的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池由于采用局部摻雜的η+區(qū)域形成局部η+背表面場(chǎng)，可以極大的降低由于背表面場(chǎng)重?fù)诫s所帶來的高的表面復(fù)合，從而提高電池的開路電壓，同時(shí)短路電流也有一定的提升，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，6英寸局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池的開路電壓較6英寸全背場(chǎng)常規(guī)η型太陽能電池相比有l(wèi)(T20mV的提升，短路電流密度有0.3?1 mA/cm2的提升，本測(cè)試采用瞬態(tài)太陽能模擬器進(jìn)行測(cè)試，參考測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為IEC61215:2005第10.6條款，測(cè)試條件為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件。
[0025]在以下的結(jié)合附圖和優(yōu)選示例性實(shí)施方案進(jìn)一步詳細(xì)說明給出本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是實(shí)施例1中雙面受光的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是實(shí)施例1中一維結(jié)構(gòu)的局部η+背表面場(chǎng)示意圖；
圖3是實(shí)施例2中單面受光的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是實(shí)施例2中二維結(jié)構(gòu)的局部η+背表面場(chǎng)示意圖；
【專利附圖】

【附圖說明】:10、η型晶體硅基底；12、前表面ρ+發(fā)射區(qū)；14、背表面局部η+背表面場(chǎng)；16、Α10介質(zhì)膜；18、前表面SiN介質(zhì)膜；20、背表面SiN介質(zhì)膜；22、正極柵線接觸電極；24、負(fù)極柵線接觸電極。26、負(fù)極金屬薄層電極。

【具體實(shí)施方式】
[0027]實(shí)施例1
如圖1所示，本實(shí)施例提供了一種雙面受光的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，包括η型娃基體10,設(shè)于娃基體前表面的P+發(fā)射區(qū)12和設(shè)于娃基體背表面的局部η+背表面場(chǎng)14,前表面的P+發(fā)射區(qū)12為整面的ρ+型摻雜區(qū)域，背表面的背表面場(chǎng)為選擇性的局部η+型摻雜區(qū)域以形成局部η+背表面場(chǎng)14，局部η+背表面場(chǎng)14由均勻設(shè)于η型硅基體背表面上的多條相平行設(shè)置的條形η+摻雜區(qū)域組成(即呈一維的線狀結(jié)構(gòu)均勻排布在電池背表面)，前表面P+發(fā)射區(qū)12和背表面局部η+背表面場(chǎng)14及裸露的η型基體10均覆蓋有介質(zhì)層(或介質(zhì)疊層)，覆蓋在P+發(fā)射區(qū)12上的介質(zhì)層優(yōu)先選為AlO介質(zhì)膜16和SiN介質(zhì)膜18的復(fù)合介質(zhì)膜，用于前表面的鈍化和光學(xué)減反射，覆蓋在背表面局部η+背表面場(chǎng)14及裸露的η型基體10上的介質(zhì)層優(yōu)選為單層的SiN介質(zhì)膜20，用于背表面的鈍化，在ρ+發(fā)射區(qū)12和局部η+背表面場(chǎng)14上還分別設(shè)有正極柵線接觸電極(即正極金屬電極)22和負(fù)極柵線接觸電極(即負(fù)極金屬電極)24，用來收集和傳輸電池受光所產(chǎn)生的光電流。
[0028]如圖2所示，用于形成背表面局部η+背表面場(chǎng)14的η+摻雜區(qū)域的線寬優(yōu)選為3(T500Mm，相鄰兩條η+摻雜區(qū)域之間的間隔優(yōu)選為6(T3000Mm，且要求所有的η+摻雜區(qū)域所占的面積不超過電池背表面面積的50%。
[0029]η型硅基體10的電阻率在0.5^30 Ω.αιι之間，厚度在5(T300 Mm之間，使用前先經(jīng)表面制絨處理，前表面P+摻雜區(qū)域12所摻入的雜質(zhì)原子通常為硼，背表面用于形成局部η+背表面場(chǎng)14所摻入的雜質(zhì)原子通常為磷，摻雜方法為熱擴(kuò)散、離子注入和激光摻雜等。
[0030]與ρ+發(fā)射區(qū)12相接觸的金屬電極為正極柵線接觸電極22，電極形狀優(yōu)選為目前市場(chǎng)上常規(guī)η型或ρ型電池所用的H-圖樣的金屬電極，電極22包括相互垂直的正極金屬細(xì)柵線和正極金屬主柵線兩部分，正極金屬細(xì)柵線用來收集電池受光所產(chǎn)生的光電流，正極金屬主柵線負(fù)責(zé)將收集到的電流傳輸?shù)酵怆娐分?，該金屬電極的材質(zhì)通常為銀，通過絲網(wǎng)印刷或氣霧印刷等方式將銀漿印刷在電池前表面，經(jīng)燒結(jié)形成正極金屬電極。
[0031]與電池背表面局部η+背表面場(chǎng)14相接觸的金屬電極為負(fù)極柵線接觸電極24，電極24亦為H-圖樣的金屬電極，包括用來收集光生電流的負(fù)極金屬細(xì)柵線和用來將電流傳輸?shù)酵怆娐返呢?fù)極金屬主柵線兩部分，電極材質(zhì)優(yōu)選為銀，通過絲網(wǎng)印刷或氣霧印刷等方式將銀漿印刷的電池背表面，經(jīng)燒結(jié)與局部η+背表面場(chǎng)14相歐姆接觸以形成負(fù)極柵線接觸電極24，由于背面負(fù)極柵線接觸電極24采用的是柵線形式，因此電池為背面可以受光的雙面電池,從而增加額外發(fā)電功率。
[0032]實(shí)施例2
如圖3所示，本實(shí)施例提供了一種單面受光的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，包括η型娃基體10,設(shè)于娃基體前表面的P+發(fā)射區(qū)12和設(shè)于娃基體背表面的局部η+背表面場(chǎng)14,前表面的P+發(fā)射區(qū)12為整面的ρ+型摻雜區(qū)域，背表面的背表面場(chǎng)為選擇性的局部η+型摻雜區(qū)域以形成局部η+背表面場(chǎng)14，局部η+背表面場(chǎng)14由均勻設(shè)于η型硅基體背表面上的點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域組成(呈二維的點(diǎn)狀陣列結(jié)構(gòu)均勻排布在電池背表面)，前表面P+發(fā)射區(qū)12和背表面局部η+背表面場(chǎng)14及裸露的η型基體10均覆蓋有介質(zhì)疊層，覆蓋在P+發(fā)射區(qū)12上的介質(zhì)疊層優(yōu)先選為AlO介質(zhì)膜16和SiN介質(zhì)膜18的復(fù)合介質(zhì)膜，用于前表面的鈍化和光學(xué)減反射，覆蓋在背表面η+局部背表面場(chǎng)14及背表面裸露的η型基體10上的介質(zhì)疊層優(yōu)選為單層的SiN介質(zhì)膜20，用于背表面的鈍化，在ρ+發(fā)射區(qū)12和η+局部背表面場(chǎng)14上還分別設(shè)有正極柵線接觸電極(即正極金屬電極)22和負(fù)極柵線接觸電極(即負(fù)極金屬電極)26,用來收集和傳輸電池受光所產(chǎn)生的光電流。
[0033]如圖4所示，用來形成局部η+背表面場(chǎng)14的背表面η+摻雜區(qū)域呈二維點(diǎn)狀陣列結(jié)構(gòu)，點(diǎn)狀的η+型摻雜區(qū)域均勻分布在電池背表面，點(diǎn)的直徑優(yōu)選為3(T2000Mm，點(diǎn)與點(diǎn)之間的間距優(yōu)選為5(T4000um，且要求所有的局部η+摻雜區(qū)域所占的面積不超過電池背表面面積的50%。
[0034]η型硅基體10的電阻率優(yōu)選為0.5^30 Ω -cm,厚度為5(T300Mm，使用前先經(jīng)表面制絨處理，前表面P+摻雜區(qū)域12所摻入的雜質(zhì)原子通常為硼，背表面用于形成η+局部背表面場(chǎng)14所摻入的雜質(zhì)原子通常為磷，摻雜方法為熱擴(kuò)散、離子注入和激光摻雜等。
[0035]與ρ+發(fā)射區(qū)12相接觸的金屬電極為正極柵線接觸電極22，電極形狀優(yōu)選為目前市場(chǎng)上常規(guī)η型或ρ型電池所用的H-圖樣的金屬電極，電極22包括相互垂直的正極金屬細(xì)柵線和正極金屬主柵線兩部分，正極金屬細(xì)柵線用來收集電池受光所產(chǎn)生的光電流，正極金屬主柵線負(fù)責(zé)將收集到的電流傳輸?shù)酵怆娐分?，該金屬電極的材質(zhì)通常為銀，通過絲網(wǎng)印刷或氣霧印刷等方式將銀漿印刷在電池前表面，經(jīng)燒結(jié)形成正極金屬電極。
[0036]與電池背表面局部η+背表面場(chǎng)14相接觸的金屬電極為負(fù)極金屬薄層電極26，該負(fù)極金屬薄層電極26為整面的金屬薄層覆蓋在電池背表面，要求與背表面點(diǎn)狀的局部η+背表面場(chǎng)14形成歐姆接觸，但與背表面未摻雜的η型基體10不形成歐姆接觸，該金屬化方案制成的η型太陽能電池由于背面全部被金屬覆蓋，無法受光，因此該局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池為單面電池，負(fù)極金屬薄層電極26材質(zhì)優(yōu)選為鋁，可以通過物理氣相沉積(PVD)的方法將負(fù)極金屬電極沉積到電池背表面，其與η+局部背表面場(chǎng)14之間的歐姆接觸可以通過激光開孔或漿料開孔的方式實(shí)現(xiàn)。
[0037]實(shí)施例3
與實(shí)施例1和實(shí)施例2不同的是，覆蓋在背表面的局部η+背表面場(chǎng)14及背表面未摻雜的η型基體10上的介質(zhì)疊層為AlO和S1復(fù)合介質(zhì)膜，或AlO和SiN復(fù)合介質(zhì)膜，用于背表面的鈍化。
[0038]上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池,包括η型娃基體,在η型娃基體的前表面上設(shè)有P+發(fā)射區(qū)、前表面介質(zhì)層和正極金屬電極，在η型娃基體的背表面上設(shè)有η+背表面場(chǎng)、背表面介質(zhì)層和負(fù)極金屬電極，其特征是:所述的η+背表面場(chǎng)是由選擇性的η+摻雜區(qū)域形成的局部η+背表面場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的局部η+背表面場(chǎng)由均勻設(shè)于所述的η型硅基體背表面上的多條相平行設(shè)置的條形η+摻雜區(qū)域組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的條形η+摻雜區(qū)域的寬度為3(Γ500μπι，相鄰兩條形η+摻雜區(qū)域的間距為6(Γ3000μπι，且全部的條形η+摻雜區(qū)域的面積占整個(gè)η型硅基體背表面總面積的50%以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的局部η+背表面場(chǎng)由均勻設(shè)于所述的η型硅基體背表面上的點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域中每個(gè)點(diǎn)狀單元的直徑大小為3(T2000Mffl，相鄰點(diǎn)狀單元的間距為5(T4000Mffl，且全部的點(diǎn)狀陣列分布的η+摻雜區(qū)域的面積占整個(gè)η型硅基體背表面總面積的50%以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的P+發(fā)射區(qū)由覆蓋在硅基體整個(gè)前表面的P+型摻雜區(qū)域形成，所述的P+型發(fā)射區(qū)通過在η型硅基體前表面摻雜硼形成，所述的局部η+型背表面場(chǎng)通過在η型硅基體背表面選擇性摻雜磷形成，所述的摻雜方式為熱擴(kuò)散、離子注入或激光摻雜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的前表面介質(zhì)層設(shè)置在所述的硅基體前表面P+發(fā)射區(qū)上，所述的背表面介質(zhì)層設(shè)置在所述的η型硅基體背表面的η+背表面場(chǎng)上以及所述的η型硅基體背表面上未設(shè)置η+背表面場(chǎng)的裸露區(qū)域上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的前表面介質(zhì)層和背表面介質(zhì)層為Α10、SiN和S1介質(zhì)膜中的一種或幾種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的正極金屬電極包括相垂直設(shè)置的正極金屬細(xì)柵線和正極金屬主柵線，所述的正極金屬細(xì)柵線與所述的P+發(fā)射區(qū)相歐姆接觸，所述的負(fù)極金屬電極包括負(fù)極金屬細(xì)柵線和負(fù)極金屬主柵線，其中所述的負(fù)極金屬細(xì)柵線與所述的η+背表面場(chǎng)相歐姆接觸，所述的負(fù)極金屬主柵線的形狀和位置與所述的正極金屬電極中的正極金屬主柵線相對(duì)應(yīng)；或所述的負(fù)極金屬電極為整面覆蓋在硅基體背表面上的金屬薄層，所述的負(fù)極金屬薄層電極與所述的局部η+背表面場(chǎng)相歐姆接觸，但與所述的背表面上未設(shè)置η+背表面場(chǎng)的區(qū)域不相歐姆接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池，其特征是:所述的局部背表面場(chǎng)η型太陽能電池為前后表面均受光的雙面電池或只有前表面受光的單面電池。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK104465811SQ201410638596
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】劉志鋒, 尹海鵬, 張俊兵, 孫壽亮, 張峰, 單偉 申請(qǐng)人:晶澳（揚(yáng)州）太陽能科技有限公司, 晶澳太陽能有限公司