薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、和顯示裝置制造方法
【專利摘要】公開了一種薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、和包括這種陣列基板的顯示裝置。陣列基板包括：基板；多個薄膜晶體管，形成在所述基板上；以及多個遮光層，每個遮光層在所述基板上設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從外部進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層。其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極在所述基板上形成在同一層中?？梢岳孟嗤牟牧贤ㄟ^一次構(gòu)圖工藝形成遮光層、薄膜晶體管的源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)和掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。
【專利說明】
薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施例涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、和包括這種陣列基板的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]目前在薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay (TFT-1XD))、有機發(fā)光二極體(Organic Light Emitting D1de (OLED))顯示裝置以及有源矩陣有機發(fā)光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting D1de (AMOLED))顯示裝置中廣泛采用的薄膜晶體管(TFT)主要包括非晶硅薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管。其中，低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon ；LTPS)技術(shù)也已應(yīng)用到薄膜晶體管顯示器制造工藝中，其主要是通過準(zhǔn)分子激光退火工藝(Excimer Laser Anneal)將非晶硅(a-Si)薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?Poly-Si)薄膜。相比非晶硅(a_Si)，在這樣制成的多晶硅中，電子遷移率有100倍以上的增加。例如，電子遷移率達到200cm2/V-sec以上，可有效減小薄膜晶體管的面積，從而提高顯示器的開口率，并且在增進顯示器亮度的同時還可以降低整體的功耗。此外，采用LTPS技術(shù)的顯示裝置具有更快的響應(yīng)時間，更高的分辨率，更佳的畫面顯示品質(zhì)。
[0003]一般地，在利用這種多晶硅薄膜形成有源層的頂柵薄膜晶體管中，薄膜晶體管的源極、漏極、以及與源極連接的數(shù)據(jù)線形成在玻璃基板上，柵極形成在源極和漏極的上方，而有源層位于柵極和源漏極之間。另外，在有源層與玻璃基板之間還設(shè)有遮光層，用于阻擋從玻璃基板引入的光照射到有源層上從而影響用于形成有源層的低溫多晶硅薄膜的電特性。在制作這種陣列基板的過程中，一般需要多個構(gòu)圖工藝分別形成源漏極、遮光層和柵極，每個構(gòu)圖工藝所采用的掩模板具有不同的圖形。由于掩膜板造價昂貴，采用多次構(gòu)圖工藝制備陣列基板，工藝復(fù)雜，開發(fā)費用較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、和包括這種陣列基板的顯示裝置，可以減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量。
[0005]根據(jù)本發(fā)明一個發(fā)明的實施例，提供一種薄膜晶體管組件，包括:薄膜晶體管；以及遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間，并被構(gòu)造成用于阻擋光線從外部進入薄膜晶體管的有源層，其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極形成在同一層中。
[0006]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的薄膜晶體管組件，所述薄膜晶體管為頂柵式薄膜晶體管。
[0007]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的薄膜晶體管組件，所述有源層由多晶硅薄膜形成。
[0008]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的薄膜晶體管組件，在所述有源層上與所述源極和漏極電連接的部位分別設(shè)有歐姆摻雜區(qū)。
[0009]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的薄膜晶體管組件，所述薄膜晶體管為N型晶體管。
[0010]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的薄膜晶體管組件，在所述歐姆摻雜區(qū)附近還設(shè)有輕慘雜漏區(qū)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明進一步方面的實施例，提供一種陣列基板，包括:基板；以及多個上述實施例中的任一項所述的薄膜晶體管組件，多個所述薄膜晶體管形成在所述基板上。其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極在所述基板上形成在同一層中。
[0012]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的陣列基板中，每個所述薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，并且數(shù)據(jù)線、遮光層、源極和漏極在所述基板上形成在同一層中。
[0013]根據(jù)本發(fā)明再一方面的實施例，提供一種制作陣列基板的方法，所述陣列基板包括:基板；多個頂柵式薄膜晶體管，形成在所述基板上；以及多個遮光層，每個遮光層在所述基板上設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從基板進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層。所述方法包括如下步驟:在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極。
[0014]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，在執(zhí)行在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極的步驟之后，還包括如下步驟:
[0015]在基板上形成覆蓋所述源極、遮光層和漏極的第一絕緣層；
[0016]在所述第一絕緣層上形成有源層；
[0017]在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層；
[0018]在所述第二絕緣層上形成柵極；
[0019]在第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的第三絕緣層；以及
[0020]通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔分別實現(xiàn)所述有源層與源極和漏極的電連接。
[0021]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，所述薄膜晶體管為頂柵式薄膜晶體管，所述有源層由低溫多晶硅薄膜制成
[0022]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極的步驟包括:在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極、遮光層、漏極以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線。
[0023]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極、遮光層、漏極以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的步驟包括:在所述基板上形成金屬薄膜；在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠層；利用具有與所述源極、遮光層、漏極以及數(shù)據(jù)線分別對應(yīng)的圖形的第一掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影；采用刻蝕工藝，將光刻膠去除區(qū)的金屬薄膜去除；以及將未去除的光刻膠剝離。
[0024]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層和柵極之后，通過離子植入工藝在所述有源層的將與所述源極和漏極電連接的部位分別形成歐姆摻雜區(qū)。
[0025]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，所述薄膜晶體管具有N型結(jié)構(gòu)的柵極，在形成歐姆摻雜區(qū)之后，在所述歐姆摻雜區(qū)附近形成輕摻雜漏區(qū)。
[0026]在根據(jù)本發(fā)明的一種實施例的方法中，通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔分別實現(xiàn)所述有源層與源極和漏極的電連接的步驟包括:在所述第三絕緣層上形成與所述漏極電連接的像素電極。
[0027]根據(jù)本發(fā)明更進一步方面的實施例，提供一種顯示裝置，包括上述任一實施例所述的陣列基板。
[0028]根據(jù)本發(fā)明上述實施例的薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、包括這種陣列基板的顯示裝置，遮光層、薄膜晶體管的源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線在基板上形成在同一層中，可以利用相同的材料通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照附圖，對本發(fā)明作進一步的詳細(xì)說明，其中:
[0030]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例的陣列基板的局部剖視示意圖；以及
[0031]圖2a_2g是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例的陣列基板的制作方法的操作過程示意圖。

【具體實施方式】
[0032]下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步具體的說明。在說明書中，相同或相似的附圖標(biāo)號指示相同或相似的部件。下述參照附圖對本發(fā)明實施方式的說明旨在對本發(fā)明的總體發(fā)明構(gòu)思進行解釋，而不應(yīng)當(dāng)理解為對本發(fā)明的一種限制。
[0033]根據(jù)本發(fā)明的各種示例性實施例的總體上的發(fā)明構(gòu)思，提供一種陣列基板，包括:一種陣列基板，包括:基板；多個薄膜晶體管，形成在所述基板上；以及多個遮光層，每個遮光層在所述基板上設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從基板進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層，其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極在所述基板上形成在同一層中。這樣，遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極可以利用相同的材料通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。
[0034]在下面的詳細(xì)描述中，為便于解釋，闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本披露實施例的全面理解。然而明顯地，一個或多個實施例在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下也可以被實施。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以圖示的方式體現(xiàn)以簡化附圖。
[0035]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例的陣列基板的局部剖視示意圖。參見圖1，根據(jù)本發(fā)明實施例的陣列基板，包括:由例如玻璃或者透明樹脂材料制成的基板1、多個薄膜晶體管和遮光層2。每個薄膜晶體管的源極31與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線(未示出)電連接，漏極32與像素電極7電連接，柵極33與柵線(未示出)電連接。在本申請的一種實施例中，薄膜晶體管可以是頂柵式薄膜晶體管，柵極33位于有源層5的上方，且在有源層5和柵極33之間還設(shè)置有用做柵極絕緣層的第二絕緣層2，即柵極33在遠(yuǎn)離基板I的方向上位于有源層5的上游。薄膜晶體管形成在基板I上。每個遮光層2形成在基板I上并被構(gòu)造成用于阻擋例如由外部光源產(chǎn)生的光線從基板I進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層5。遮光層2與薄膜晶體管的源極31和漏極32在基板I上形成在同一層中。
[0036]在本發(fā)明實施例的陣列基板中，遮光層2與薄膜晶體管的源極31和漏極32在基板I上形成在同一層中，這樣，遮光層2、源極31和漏極32可以由同一金屬薄膜通過一次構(gòu)圖工藝制成，從而減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量。該金屬薄膜可以利用由鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅金屬制成，也可以由上述幾種材料的組合制成。金屬薄膜的具體厚度和材料可以根據(jù)具體情況設(shè)定。遮光層2設(shè)置在源極31和漏極32之間并與有源層5的位置相對應(yīng)，由于阻擋從基板I引入的光照射到有源層5上，從而可以保持有源層5的電特性，進而提高薄膜晶體管的特性。例如，遮光層2由鉻或者鑰金屬薄膜制成。鉻或者鑰金屬薄膜的遮光性和刻蝕性能均較強，可以提高陣列基板的性能。
[0037]在本發(fā)明的一種示例性實施例中，薄膜晶體管的有源層5由多晶硅薄膜(例如低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon ；LTPS)薄膜)形成，因此本申請實施例的晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS-TFT)。例如，由多晶硅薄膜形成的有源層中的電子遷移率達到200cm2/V-sec以上，可有效減小薄膜晶體管的面積，從而提高顯示器的開口率，并且在增進顯示器亮度的同時還可以降低整體的功耗。另外，由多晶硅薄膜形成的有源層的電特性更容易受到光照的影響，由于阻擋從基板I引入的光照射到有源層5上，從而這樣可以保持有源層5的電特性，進而提高薄膜晶體管的特性。
[0038]在本發(fā)明的一種示例性實施例中，每個薄膜晶體管的源極31與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線(未示出)連接，并且數(shù)據(jù)線、遮光層2、源極31和漏極32在基板I上形成在同一層中。這樣，可以進一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)，降低掩模板的使用量。
[0039]在本發(fā)明的一種示例性實施例中，在有源層5上與源極31和漏極32電連接的部位分別設(shè)有歐姆摻雜區(qū)61。歐姆摻雜區(qū)61例如摻雜有磷或者硼元素，可以減小源極31和漏極32與有源層5和像素電極7之間的接觸阻抗。薄膜晶體管可以為P型晶體管，也可以是N型晶體管。在N型晶體管的情況下，在歐姆摻雜區(qū)61附近還設(shè)有輕摻雜漏區(qū)(LightlyDoped Drain (LDD) )62,以防止熱電子退化效應(yīng)，提高薄膜晶體管的熱載流子壽命。
[0040]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的另一方面的實施例，提供一種薄膜晶體管組件，包括:薄膜晶體管以及遮光層2。遮光層2設(shè)置在薄膜晶體管的源極31和漏極32之間，并被構(gòu)造成用于阻擋光線從外部進入薄膜晶體管的有源層5，其中，遮光層2與薄膜晶體管的源極31和漏極32形成在同一層中。雖然圖1示出了薄膜晶體管為頂柵式薄膜晶體管的實施例，但本發(fā)明并不局限于此。在一種可替換的實施例中，薄膜晶體管可以是底柵式薄膜晶體管，并且遮光層2設(shè)置在薄膜晶體管的源極31和漏極32之間。
[0041]根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管組件，遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極可以利用相同的材料通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了薄膜晶體管組件的制作工藝，降低了制作成本。遮光層設(shè)置在源極和漏極之間并與有源層的位置相對應(yīng)，由于阻擋從基板引入的光照射到有源層上，從而可以保持有源層的電特性，進而提高薄膜晶體管的特性。
[0042]根據(jù)本發(fā)明進一步方面的發(fā)明構(gòu)思，提供一種制作陣列基板的方法，所述陣列基板包括:基板；多個薄膜晶體管，形成在所述基板上；以及多個遮光層，每個遮光層在所述基板上設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從基板進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層。所述方法包括如下步驟:在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極。之后，在基板上形成覆蓋所述源極、遮光層和漏極的第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成有源層；在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成柵極；在第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的第三絕緣層；通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔分別實現(xiàn)所述有源層與源極和漏極的電連接。這樣，遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極可以利用相同的材料通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。
[0043]圖2a_2g是根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例的陣列基板的制作方法的操作過程示意圖。陣列基板包括:基板I ;多個例如具有頂柵式結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，形成在基板I上；以及多個遮光層2，每個遮光層2在基板I上設(shè)置在薄膜晶體管的源極31和漏極32之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從基板I進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層5。本發(fā)明實施例的制作陣列基板的方法包括步驟SlOO:在例如玻璃或者透明樹脂材料制成的基板I上利用單個掩模板(未示出)通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極31、遮光層2和漏極32，參見圖2a。在本發(fā)明的一種示例性實施例中，在基板I上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極31、遮光層2、漏極32以及與源極31電連接的數(shù)據(jù)線(未示出)。
[0044]在本發(fā)明的實施例中，構(gòu)圖工藝主要包括基板清洗、成膜、光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。例如，在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極31、遮光層2、漏極32以及與源極31電連接的數(shù)據(jù)線的步驟包括:在基板I上例如采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法形成金屬薄膜；在金屬薄膜上涂覆光刻膠層；利用具有與源極、遮光層、漏極以及數(shù)據(jù)線分別對應(yīng)的圖形的第一掩模板對光刻膠進行曝光，以形成光刻膠保留區(qū)和光刻膠去除區(qū)；通過顯影將光刻膠去除區(qū)的光刻膠完全去除，光刻膠保留區(qū)的光刻膠完全保留；采用刻蝕工藝，將光刻膠去除區(qū)的金屬薄膜去除；以及將未去除的光刻膠剝離。另外，還可以利用灰化工藝切除殘余的光刻膠。這樣，如圖2a所示，可以在基板I形成源極31、遮光層2、漏極32以及數(shù)據(jù)線(未示出)。
[0045]在步驟100中所使用的金屬薄膜可以利用由鑰、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅金屬制成，也可以由上述幾種材料的組合制成。遮光層2設(shè)置在源極31和漏極32之間并與有源層5的位置相對應(yīng)，用于阻擋從基板I引入的光照射到有源層5上，從而這樣可以保持用于形成有源層5的多晶硅薄膜的電特性。例如，遮光層2由鉻或者鑰金屬薄膜制成。
[0046]如圖2b所示，本發(fā)明實施例的制作陣列基板的方法還包括:
[0047]步驟S200:在基板I上例如采用化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposit1n,CVD)工藝形成覆蓋源極31、遮光層2和漏極32的第一絕緣層41和非晶硅薄膜。第一絕緣層41例如可以由SiN(氮化硅)、Si0x(氧化硅)制成。通過對非晶硅薄膜進行準(zhǔn)分子激光退火工藝，使非晶硅薄膜轉(zhuǎn)變成為低溫多晶硅薄膜，所述低溫多晶硅薄膜用于形成薄膜晶體管的有源層5 ；
[0048]如圖2c所示，本發(fā)明實施例的制作陣列基板的方法還包括:
[0049]S300:在第一絕緣層41上例如采用化學(xué)氣相沉積工藝形成覆蓋有源層5的第二絕緣層42 ；
[0050]S400:例如采用構(gòu)圖工藝在第二絕緣層42上形成柵極33 ;以及
[0051]S500:在第二絕緣層42上形成覆蓋柵極33的第三絕緣層43。
[0052]本發(fā)明實施例的制作陣列基板的方法還包括S600:通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔9分別實現(xiàn)有源層5與源極31和漏極32的電連接。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實施例，如圖2c所示，在第一絕緣層41上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層42和柵極之后，通過離子植入工藝，例如采用電子槍轟擊，在有源層5的將與源極31和漏極32電連接的部位分別形成歐姆摻雜區(qū)61。歐姆摻雜區(qū)61例如摻雜有磷或者硼元素，可以減小源極31和漏極32與有源層5和像素電極7之間的接觸阻抗。
[0054]薄膜晶體管可以為P型晶體管，也可以是N型晶體管。在薄膜晶體管為N型晶體管的情況下，如圖2d所示，在形成歐姆摻雜區(qū)61之后，通過對光刻膠進行灰化處理，對有源層進行輕摻雜，以在歐姆摻雜區(qū)61附近形成輕摻雜漏區(qū)62。輕摻雜漏區(qū)62可以防止熱電子退化效應(yīng)，提高薄膜晶體管的熱載流子壽命。
[0055]在一種示例性實施例中，通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔9分別實現(xiàn)有源層5與源極31和漏極32的電連接的步驟包括:在第三絕緣層43上形成與漏極32電連接的像素電極7。具體地，如圖2e所示，采用構(gòu)圖工藝在第一絕緣層41、第二絕緣層42和第三絕緣層43中形成過孔9;如圖2f所示，采用濺射工藝(Sputter)在第三絕緣層43和過孔9中涂覆ITO薄膜或其他導(dǎo)電材料薄膜，實現(xiàn)有源層5與源極31和漏極32間的電連接，并使用一張掩膜板通過構(gòu)圖工藝形成像素電極7。在一種示例性實施例中，數(shù)據(jù)線可以與像素電極7通過一次構(gòu)圖工藝形成在第三絕緣層43上并與源極31電連接。
[0056]進一步地，如圖2g所示，在第三絕緣層43上例如采用化學(xué)氣相沉積工藝形成覆蓋像素電極7的第四絕緣層44，采用濺射工藝在第四絕緣層44上涂覆ITO薄膜或其他導(dǎo)電材料薄膜，并使用通過構(gòu)圖工藝形成至少一個公共電極8。這樣，形成本發(fā)明實施例的陣列基板。
[0057]可以理解，第二絕緣層42、第三絕緣層43和第四絕緣層44都可以例如由SiN(氮化硅)、Si0x(氧化硅)制成。另外，在執(zhí)行步驟SlOO之前，可以在基板I上形成緩沖層，以有助于改善基板I的表面平整度和附著力，而且還有助于改善抗水氧滲透性。緩沖層例如由SiN (氮化娃)、S1x (氧化娃)制成。
[0058]根據(jù)本發(fā)明進一步方面的實施例，提供一種顯示裝置，包括上述任一實施例所述的陣列基板。顯示裝置可以是液晶顯示裝置。這些液晶顯示裝置在陣列基板的薄膜晶體管的驅(qū)動下，可以實現(xiàn)顯示功能。在替換的實施例中，本發(fā)明實施例的陣列基板可以應(yīng)用于 OLED (Organic Light Emitting D1de,有機發(fā)光二極體)顯不裝置以及 AMOLED (ActiveMatrix Organic Light Emitting D1de,有源矩陣有機發(fā)光二極體)顯示裝置。顯示裝置可以為:手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的廣品或部件。
[0059]根據(jù)本發(fā)明上述實施例的薄膜晶體管組件、陣列基板及其制作方法、包括這種陣列基板的顯示裝置，遮光層、薄膜晶體管的源極和漏極、以及數(shù)據(jù)線在基板上形成在同一層中，可以利用相同的材料通過一次構(gòu)圖工藝形成，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，從而簡化了陣列基板的制作工藝，降低了制作成本。
[0060]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管組件，包括: 薄膜晶體管；以及 遮光層，所述遮光層設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間，并被構(gòu)造成用于阻擋光線從外部進入薄膜晶體管的有源層， 其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極形成在同一層中。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管組件，其中，所述薄膜晶體管為頂柵式薄膜晶體管。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管組件，其中，所述有源層由多晶硅薄膜形成。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管組件，其中，在所述有源層上與所述源極和漏極電連接的部位分別設(shè)有歐姆摻雜區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管組件，其中，所述薄膜晶體管為N型晶體管。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管組件，其中，在所述歐姆摻雜區(qū)附近還設(shè)有輕摻雜漏區(qū)。
7.—種陣列基板,包括: 基板；以及 多個如權(quán)利要求1-6中的任一項所述的薄膜晶體管組件，多個所述薄膜晶體管形成在所述基板上； 其中，所述遮光層與薄膜晶體管的源極和漏極在所述基板上形成在同一層中。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，每個所述薄膜晶體管的源極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接，并且數(shù)據(jù)線、遮光層、源極和漏極在所述基板上形成在同一層中。
9.一種制作陣列基板的方法，所述陣列基板包括: 基板； 多個薄膜晶體管，形成在所述基板上；以及 多個遮光層，每個遮光層在所述基板上設(shè)置在所述薄膜晶體管的源極和漏極之間并被構(gòu)造成用于阻擋光線從基板進入相應(yīng)薄膜晶體管的有源層， 所述方法包括如下步驟:在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在執(zhí)行在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極的步驟之后，還包括如下步驟: 在基板上形成覆蓋所述源極、遮光層和漏極的第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成有源層； 在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成柵極； 在第二絕緣層上形成覆蓋所述柵極的第三絕緣層；以及 通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔分別實現(xiàn)所述有源層與源極和漏極的電連接。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述薄膜晶體管為頂柵式薄膜晶體管，所述有源層由低溫多晶硅薄膜制成
12.如權(quán)利要求9-11中的任一項所述的方法，其中， 在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成依次間隔布置的源極、遮光層和漏極的步驟包括: 在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極、遮光層、漏極以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在基板上利用單個掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成源極、遮光層、漏極以及與所述源極電連接的數(shù)據(jù)線的步驟包括: 在所述基板上形成金屬薄膜； 在所述金屬薄膜上涂覆光刻膠層； 利用具有與所述源極、遮光層、漏極以及數(shù)據(jù)線分別對應(yīng)的圖形的第一掩模板對所述光刻膠進行曝光和顯影； 采用刻蝕工藝，將光刻膠去除區(qū)的金屬薄膜去除；以及 將未去除的光刻膠剝離。
14.如權(quán)利要求10或11所述的方法，其中，在所述第一絕緣層上形成覆蓋所述有源層的第二絕緣層和柵極后，通過離子植入工藝在所述有源層的將與所述源極和漏極電連接的部位分別形成歐姆摻雜區(qū)。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述薄膜晶體管為N型晶體管，并且在形成歐姆摻雜區(qū)之后，在所述歐姆摻雜區(qū)附近形成輕摻雜漏區(qū)。
16.如權(quán)利要求10或11所述的方法，其中，通過形成在所述第一、第二和第三絕緣層中的過孔分別實現(xiàn)所述有源層與源極和漏極的電連接的步驟包括: 在所述第三絕緣層上形成與所述漏極電連接的像素電極。
17.—種顯示裝置，包括如權(quán)利要求7-8中的任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK104332477SQ201410645972
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】孫雙, 張方振, 牛菁, 呂志軍 申請人:京東方科技集團股份有限公司