InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列及其制作方法。該探測(cè)器陣列包括n型InSb襯底(1)和鈍化層(7)，n型InSb襯底(1)上刻蝕有t×t個(gè)臺(tái)面(2)，t為整數(shù)且t≥1；每個(gè)臺(tái)面(2)上部淀積有陽極(5)，n型InSb襯底(1)邊緣上部淀積有“回”字形陰極(6)；所述n型InSb襯底(1)上部和每個(gè)臺(tái)面(2)側(cè)面淀積有保護(hù)層(4)；每個(gè)臺(tái)面(2)正下方的n型InSb襯底(1)內(nèi)設(shè)有m個(gè)相同的p型等腰三角形摻雜區(qū)(3)，m為整數(shù)且m≥1，這些p型等腰三角形摻雜區(qū)與n型InSb襯底構(gòu)成pn結(jié)。本發(fā)明具有工藝簡單、量子效率高、串音低的優(yōu)點(diǎn)，可用于紅外偵查和紅外醫(yī)療領(lǐng)域。
【專利說明】I nSb紅外焦平面探測(cè)器陣列及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光伏型探測(cè)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及Insb紅外焦平面探測(cè)器陣 列，可用于紅外偵查、紅外制導(dǎo)和紅外醫(yī)療。 技術(shù)背景
[0002] 紅外焦平面探測(cè)器陣列是紅外系統(tǒng)的核心元件，其功能是將紅外輻射轉(zhuǎn)化成其它 我們能夠識(shí)別的信號(hào)。在空間對(duì)地觀測(cè)、光電對(duì)抗、機(jī)器人視覺、醫(yī)用和工業(yè)熱成像、搜索與 跟蹤、以及導(dǎo)彈精確制導(dǎo)等軍、民領(lǐng)域有重要而廣泛的應(yīng)用，高性能大規(guī)模的紅外焦平面探 測(cè)器陣列已經(jīng)大量應(yīng)用于各種重大國家安全項(xiàng)目和重要新型武器系統(tǒng)中。由于其具有不可 替代的地位和作用，世界上的主要工業(yè)大國都將紅外焦平面陣列器件制備技術(shù)列為重點(diǎn)發(fā) 展的高技術(shù)項(xiàng)目。
[0003] 紅外探測(cè)器的工作模式主要有光導(dǎo)型和光伏型兩種，而光伏型紅外探測(cè)器由于 存在內(nèi)建電場(chǎng)，暗電流較小，所以廣泛應(yīng)用于軍事中，其中光伏型InSb紅外探測(cè)器是目前 研究最多的一種光伏型探測(cè)器，這種探測(cè)器多數(shù)以pn結(jié)為基礎(chǔ)，可以構(gòu)成光伏型焦平面陣 列。近年來，紅外焦平面陣列技術(shù)已經(jīng)呈現(xiàn)出規(guī)格越來越大、像元中心距越來越小、多光譜 探測(cè)應(yīng)用越來越多、新材料不斷涌現(xiàn)等的發(fā)展趨勢(shì)。在高級(jí)紅外應(yīng)用系統(tǒng)的大力驅(qū)動(dòng)下，紅 外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)從第一代的單元和線陣列，逐漸進(jìn)入了以大面陣、小型化和多色化等特點(diǎn) 的第三代紅外焦平面探測(cè)器的發(fā)展階段。隨著航天和軍事領(lǐng)域的飛速發(fā)展，對(duì)中波紅外探 測(cè)器件的性能要求越來越高，通過改善材料質(zhì)量來提高探測(cè)器性能已遠(yuǎn)不能滿足當(dāng)前的應(yīng) 用需求，因此采用器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)來提高探測(cè)器性能已成為國內(nèi)外研究熱點(diǎn)。
[0004] 量子效率和串音是衡量InSb光伏型紅外焦平面探測(cè)器陣列性能的重要參數(shù)指 標(biāo)，它們會(huì)影響探測(cè)器陣列的探測(cè)率，在很大程度上決定著探測(cè)器的探測(cè)效果。為了提高 量子效率、減小串音，1981年，趙文琴首次提出在InSb陣列探測(cè)器中采用質(zhì)子注入形成 的高阻層進(jìn)行隔離的方法，制備的InSb陣列探測(cè)器的串音降低到1. 7?3. 76%，然而量 子效率的改善并不明顯，僅為45%，參見InSb質(zhì)子轟擊損傷的隔離效應(yīng)，趙文琴，半導(dǎo) 體學(xué)報(bào)，Vol. 2, No. l，pp. 14-21，1981。2006年，葉振華等人報(bào)道了 一種帶有增透會(huì)聚微 鏡的紅外焦平面探測(cè)器，有效地提高了探測(cè)器的光電流，可將串音減小到1%，參見專利 CN100433328C。然而，該發(fā)明是通過從外部引入新型的增透會(huì)聚微鏡來改善探測(cè)器的性能， 一方面，增透會(huì)聚微鏡的制備較為復(fù)雜，另一方面，該專利中在半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面并 沒有本質(zhì)的創(chuàng)新。2011年，胡偉達(dá)等人報(bào)道了一種微透鏡列陣InSb紅外焦平面陣列的結(jié) 構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是通過采用硅微透鏡結(jié)構(gòu)增加了光吸收，從而改善了器件性能，通過硅微透鏡結(jié) 構(gòu)優(yōu)化可以使串音降低到4. 2%，參見專利CN 102201487 B。然而，該發(fā)明需要在硅襯底上 異質(zhì)外延InSb材料，這將會(huì)導(dǎo)致n型InSb區(qū)域中尤其是娃襯底與n型InSb區(qū)域界面附近 產(chǎn)生大量位錯(cuò)或缺陷，影響光生載流子的產(chǎn)生，并會(huì)俘獲大量光生載流子，此外該發(fā)明還需 要制備硅微透鏡，因此該發(fā)明實(shí)現(xiàn)難度較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于克服上述已有技術(shù)的不足，提出一種制造工藝簡單、串音小、量 子效率高的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列及其制作方法，以提高紅外焦平面探測(cè)器陣列的 性能。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，該結(jié)構(gòu)自上 而下包括：n型InSb襯底和鈍化層，在n型InSb襯底上刻蝕有tXt個(gè)臺(tái)面，t為整數(shù)且 t > 1，每個(gè)臺(tái)面上部淀積有陽極，n型InSb襯底邊緣上部淀積有"回"字形陰極；所述n型 InSb襯底上部和臺(tái)面?zhèn)让娴矸e有保護(hù)層，其特征在于：每個(gè)臺(tái)面正下方的n型InSb襯底內(nèi) 設(shè)有m個(gè)相同的p型等腰三角形摻雜區(qū)，m為整數(shù)且m彡1，這些p型等腰三角形摻雜區(qū)與 n型InSb襯底構(gòu)成pn結(jié)結(jié)構(gòu)。
[0007] 作為優(yōu)選，所述的n型InSb襯底刻蝕前的厚度k為3. 5?20 ii m，刻蝕后的厚度s 為3?10 u m，慘雜濃度為1 X 10ncm 3?1 X 1016cm 3。
[0008] 作為優(yōu)選，所述的每個(gè)臺(tái)面的上、下表面均為正方形，正方形的邊長L為10? 60iim，每個(gè)臺(tái)面的高度H均相同，H等于k減去s，且取值范圍為0. 5?lOiim。
[0009] 作為優(yōu)選，所述的相鄰兩個(gè)臺(tái)面之間的距離屯和最邊緣臺(tái)面與n型InSb襯底邊 緣之間的距離d 2相等，且取值范圍為0. 4?60 y m。
[0010] 作為優(yōu)選，所述的m個(gè)p型等腰三角形摻雜區(qū)的底邊長為r，r = L/m，高h(yuǎn)小于或 等于n型InSb襯底刻蝕后的厚度s，且h等于3e°°2dl。
[0011] 作為優(yōu)選，所述的每個(gè)臺(tái)面的下表面與該臺(tái)面正下方的m個(gè)p型等腰三角形摻雜 區(qū)的底面相接。
[0012] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的制作InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的方法，包括如 下過程：
[0013] 第一步，在n型InSb襯底上第一次制作掩膜，利用該掩膜在n型InSb襯底上刻蝕 制作tXt個(gè)臺(tái)面；
[0014] 第二步，在n型InSb襯底上部、每個(gè)臺(tái)面上部和每個(gè)臺(tái)面?zhèn)让娴矸e厚度為3? 10 y m的介質(zhì)層；
[0015] 第三步，在介質(zhì)層上第二次制作掩膜，利用該掩膜在每個(gè)臺(tái)面上部的介質(zhì)層內(nèi)刻 蝕制作m個(gè)相同的等腰V形凹槽，這些等腰V形凹槽的深度小于或等于介質(zhì)層的厚度；
[0016] 第四步，對(duì)每個(gè)等腰V形凹槽下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn) 對(duì)每個(gè)臺(tái)面的P型摻雜，并在每個(gè)臺(tái)面下部形成m個(gè)相同的p型等腰三角形摻雜區(qū)，且p型 等腰三角形摻雜區(qū)的底邊長為r，r = L/m，高h(yuǎn)小于或等于n型InSb襯底刻蝕后的厚度s， h 等于 3ea()Ml ;
[0017] 第五步，在介質(zhì)層上第三次制作掩膜，利用該掩膜刻蝕去除n型InSb襯底上部、每 個(gè)臺(tái)面上部和每個(gè)臺(tái)面?zhèn)让娴慕橘|(zhì)層；
[0018] 第六步，在n型InSb襯底上部、每個(gè)臺(tái)面上部和每個(gè)臺(tái)面?zhèn)让娴矸e保護(hù)層，即用絕 緣介質(zhì)材料分別覆蓋n型InSb襯底上部、每個(gè)臺(tái)面上部和每個(gè)臺(tái)面?zhèn)让娴膮^(qū)域；
[0019] 第七步，在保護(hù)層上第四次制作掩膜，利用該掩膜刻蝕去除n型InSb襯底邊緣上 部和每個(gè)臺(tái)面上部的保護(hù)層；
[0020] 第八步，在每個(gè)臺(tái)面上和n型InSb襯底邊緣上第五次制作掩膜，利用該掩膜在每 個(gè)臺(tái)面上部淀積金屬制作陽極，同時(shí)在n型InSb襯底邊緣上部淀積金屬制作"回"字形陰 極；
[0021] 第九步，在n型InSb襯底的下部淀積鈍化層，即用透紅外輻射絕緣介質(zhì)材料覆蓋 n型InSb襯底下部的區(qū)域，從而完成整個(gè)探測(cè)器陣列的制作。
[0022] 本發(fā)明陣列與傳統(tǒng)的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列比較具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0023] 1、本發(fā)明由于在每個(gè)臺(tái)面下的n型InSb襯底內(nèi)均形成了 m個(gè)相同的p型等腰三 角形摻雜區(qū)，減小了 pn結(jié)結(jié)區(qū)與光生載流子產(chǎn)生區(qū)之間的距離，并增大了 pn結(jié)的結(jié)面積， 從而增強(qiáng)了 pn結(jié)結(jié)區(qū)抽取光生載流子的能力，有效抑制了光生載流子向其它探測(cè)單元的 運(yùn)動(dòng)，因此大大減小了 InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的串音，顯著提高了量子效率。
[0024] 2、本發(fā)明通過在臺(tái)面下n型InSb襯底內(nèi)引入三角形摻雜區(qū)來改善InSb紅外焦平 面探測(cè)器陣列的性能，避免了在傳統(tǒng)InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列制作工藝中光學(xué)微透鏡 制備、異質(zhì)外延等所帶來的工藝復(fù)雜化問題，降低了探測(cè)器陣列的制造難度。
[0025] 仿真結(jié)果表明，本發(fā)明InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的性能明顯優(yōu)于傳統(tǒng)紅外焦 平面探測(cè)器陣列的性能。
[0026] 以下結(jié)合附圖和實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027] 圖1是本發(fā)明InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖2是對(duì)圖1橫向AB的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖3是對(duì)圖1縱向⑶的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖4是本發(fā)明InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的工藝制作流程圖；
[0031] 圖5是本發(fā)明與傳統(tǒng)的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的空穴濃度仿真對(duì)比圖；
[0032] 圖6是本發(fā)明與傳統(tǒng)的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列沿入射輻射方向的縱向電場(chǎng) 仿真對(duì)比圖；
[0033] 圖7是本發(fā)明與傳統(tǒng)的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列沿入射輻射方向的橫向電場(chǎng) 仿真對(duì)比圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 參照?qǐng)D1、圖2和圖3,本發(fā)明InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列是基于InSb半導(dǎo)體材 料的pn結(jié)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)自上而下包括：n型InSb襯底1和鈍化層7。
[0035] 所述n型InSb襯底1上刻蝕有tXt個(gè)臺(tái)面2, t為整數(shù)且t彡1，其中n型InSb襯底 1刻蝕前的厚度k為3. 5?20 y m，刻蝕后的厚度s為3?10 y m，摻雜濃度為1 X 10nCm_3? 1 X 1016cnT3 ;每個(gè)臺(tái)面2的上、下表面均為正方形，正方形邊長L為10?60 y m，每個(gè)臺(tái)面的 高度H均相同，H的取值范圍為0. 5?10 y m ;相鄰兩個(gè)臺(tái)面2之間的距離為屯，最邊緣臺(tái)面 與n型InSb襯底1邊緣之間的距離為d2,屯等于d 2，且取值范圍為0.4?60 iim。每個(gè)臺(tái) 面2上部淀積有陽極5 ;n型InSb襯底1邊緣上部淀積有"回"字形陰極6,該"回"字形圖 形各內(nèi)邊長相等且各外邊長相等，其中外邊長為tXL+(t+l) Xdi，外邊長與內(nèi)邊長之間的 距離為d2/2。每個(gè)臺(tái)面2正下方的n型InSb襯底1內(nèi)設(shè)有m個(gè)相同的p型等腰三角形摻 雜區(qū)3, m為整數(shù)且m彡1，這些p型等腰三角形摻雜區(qū)3均與n型InSb襯底1構(gòu)成pn結(jié) 結(jié)構(gòu)；每個(gè)臺(tái)面2的下表面均與該臺(tái)面正下方的m個(gè)p型等腰三角形摻雜區(qū)3的底面相接， P型等腰三角形摻雜區(qū)3的底邊長為r，r = L/m，高h(yuǎn)小于或等于n型InSb襯底1刻蝕后 的厚度s，且h等于3eau2dl ; n型InSb襯底1上部和每個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積有保護(hù)層4。
[0036] 上述InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列中：保護(hù)層4采用Si02、ZnS、SiN、A1 203、Sc203、 Hf02、Ti0 2或其它絕緣介質(zhì)材料，其厚度為0. 1?liim;陽極5和陰極6的厚度相同，且均 采用相同的Cr/Au金屬組合，金屬厚度為0. 03?0. 05 y m/0. 5?1 y m，且下層金屬厚度小 于上層金屬厚度；鈍化層7采用ZnS、Si02、SiN、A120 3、Hf02、Ti02或其它透紅外輻射絕緣介 質(zhì)材料，其厚度為〇.〇5?lum。
[0037] 參照?qǐng)D4,本發(fā)明制作InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列給出如下三種實(shí)施例：
[0038] 實(shí)施例一：制作保護(hù)層為SiN，鈍化層為SiN，每個(gè)臺(tái)面正下方p型等腰三角形摻雜 區(qū)的個(gè)數(shù)m = 10,陣列大小為20X20的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列。
[0039] 步驟1，在n型InSb襯底1上刻蝕制作20X20個(gè)臺(tái)面2,如圖4a。
[0040] la)在厚度k為20 ii m、摻雜濃度為1 X 1016cm_3的n型InSb襯底1上第一次制作 掩膜，該掩膜圖形是由20X20個(gè)邊長L為60 的正方形組成的陣列，相鄰兩個(gè)正方形之 間的距離屯，以及最邊緣正方形與n型InSb襯底1邊緣之間的距離d2均為60 y m ;
[0041] lb)利用該掩膜采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在n型InSb襯底1上刻蝕出20X20個(gè)臺(tái) 面2,其中每個(gè)臺(tái)面2的高度H均為10 iim，n型InSb襯底1刻蝕后的厚度s為10 iim。刻 蝕臺(tái)面采用的工藝條件為：Ar/CH4/H2流量比為1:2:6. 6,壓強(qiáng)為0. 35Pa，功率為500W。
[0042] 步驟2,在n型InSb襯底1上部、20 X 20個(gè)臺(tái)面2上部和20 X 20個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀 積介質(zhì)層8,如圖4b。
[0043] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在n型InSb襯底1上部、20 X 20個(gè)臺(tái)面2上 部和20 X 20個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚度為10 y m的Si02介質(zhì)層8。
[0044] 淀積介質(zhì)層采用的工藝條件為：N20流量為90〇SCCm，SiH 4流量為225SCCm，溫度為 275°C，RF 功率為 27. 5W，壓強(qiáng)為 1250mTorr。
[0045] 步驟3,在介質(zhì)層8內(nèi)刻蝕制作等腰V形凹槽9,如圖4c。
[0046] 在介質(zhì)層8上第二次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在20X20個(gè)臺(tái)面2上部的 介質(zhì)層8內(nèi)均刻蝕制作10個(gè)相同的等腰V形凹槽9,等腰V形凹槽9的深度為10 iim，底邊 長度為6 ii m。
[0047] 刻蝕凹槽采用的工藝條件為：SF6流量為7. 5sCCm，02流量為2. 5sCCm，壓強(qiáng)為 12. 5mTorr，偏置電壓為125V。
[0048] 步驟4,對(duì)等腰V形凹槽9下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn)臺(tái)面 2的p型摻雜，并形成p型等腰三角形摻雜區(qū)3,如圖4d。
[0049] 對(duì)每個(gè)等腰V形凹槽9下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn)對(duì) 20X20個(gè)臺(tái)面2的p型摻雜，同時(shí)在每個(gè)臺(tái)面2下部的n型InSb襯底1內(nèi)形成與介質(zhì)層8 內(nèi)10個(gè)等腰V形凹槽9形狀相似的p型等腰三角形摻雜區(qū)3, p型等腰三角形摻雜區(qū)3的 底邊r為6iim，高h(yuǎn)為lOii m，其中摻雜雜質(zhì)為硼離子，摻雜濃度為1 X 1018cnT3。
[0050] 離子注入采用的工藝條件為：注入劑量為7 X 1013cm_2,注入能量為800keV。
[0051] 步驟5,去除介質(zhì)層8,如圖4e。
[0052] 在介質(zhì)層8上第三次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)刻蝕去除n型InSb襯底1 上部、20X20個(gè)臺(tái)面2上部和20X20個(gè)臺(tái)面2側(cè)面的介質(zhì)層8。
[0053] 刻蝕介質(zhì)層采用的工藝條件：CF4流量為5〇SCCm，0 2流量為7.5SCCm，壓強(qiáng)為 17. 5mTorr，功率為 275W。
[0054] 步驟6,在n型InSb襯底1上部、20 X 20個(gè)臺(tái)面2上部和20 X 20個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀 積保護(hù)層4,如圖4f。
[0055] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在n型InSb襯底1上部、20 X 20個(gè)臺(tái)面2上 部和20X20個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚度為1 y m的SiN保護(hù)層4。
[0056] 淀積保護(hù)層采用的工藝條件為：氣體為NH3、N2及SiH 4,氣體流量分別為2. 2SCCm、 925sccm 和 225sccm，溫度、RF 功率和壓強(qiáng)分別為 275°C、22. 5W 和 925mTorr。
[0057] 步驟7,刻蝕去除n型InSb襯底1邊緣上部和20X20個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù)層4， 如圖4g。
[0058] 7a)在保護(hù)層4上第四次制作掩膜，該掩膜是由陽極掩膜圖形和陰極掩膜圖形構(gòu) 成，其中陽極掩膜圖形是由20X20個(gè)邊長L為60 的正方形所組成的陣列，相鄰兩個(gè)正 方形的間距屯、最邊緣正方形與n型InSb襯底1邊緣之間的距離d2均為60 iim ;陰極掩 膜圖形為"回"字形圖形，該"回"字形圖形各內(nèi)邊長相等且各外邊長相等，其中外邊長為 2460 y m，外邊長與內(nèi)邊長的間距為30 y m ;
[0059] 7b)利用上述掩膜采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)刻蝕去除n型InSb襯底1邊緣上部和 20 X 20個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù)層4。刻蝕保護(hù)層采用的工藝條件為：CF4流量為25SCCm，0 2流 量為3sccm，壓強(qiáng)為25mTorr，偏置電壓為150V。
[0060] 步驟8,在臺(tái)面2上部淀積金屬制作陽極5,同時(shí)在n型InSb襯底1邊緣上部淀積 金屬制作"回"字形陰極6,如圖4h。
[0061] 8a)在20X20個(gè)臺(tái)面2上和n型InSb襯底1邊緣上第五次制作掩膜，該掩膜圖形 與步驟7中第四次制作的掩膜圖形完全相同；
[0062] 8b)利用上述掩膜，采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在每個(gè)臺(tái)面2上部和n型InSb襯底1邊 緣上部依次淀積Cr、Au金屬，制作陽極5和"回"字形陰極6,金屬厚度為0. 05 y m/1 y m，再 在N2氣氛中進(jìn)行快速退火。
[0063] 淀積金屬采用的工藝條件為：真空度小于1. 8X l(T3Pa，功率范圍為200?1000W， 蒸發(fā)速率小于3A/s;快速退火采用的工藝條件為：溫度為700°C，時(shí)間為30s。
[0064] 步驟9,在n型InSb襯底1的下部淀積鈍化層7,如圖4i。
[0065] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在n型InSb襯底1的下部淀積厚度為1 y m 的SiN鈍化層7,從而完成整個(gè)探測(cè)器陣列的制作。
[0066] 淀積鈍化層的工藝條件為：氣體為NH3、N2及SiH 4，氣體流量分別為2. 2SCCm、 925sccm 和 225sccm，溫度、RF 功率和壓強(qiáng)分別為 275°C、22. 5W 和 925mTorr。
[0067] 實(shí)施例二：制作保護(hù)層為Si02，鈍化層為Si02，每個(gè)臺(tái)面正下方p型等腰三角形摻 雜區(qū)的個(gè)數(shù)m = 4,陣列大小為256X256的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列。
[0068] 步驟一，在n型InSb襯底1上刻蝕制作256X256個(gè)臺(tái)面2,如圖4a。
[0069] 在厚度k為lliim、摻雜濃度為lX1014cm_3的n型InSb襯底1上第一次制作掩 膜，利用該掩膜采用感應(yīng)耦合等離子反應(yīng)刻蝕技術(shù)，在Ar/CH 4/H2流量比為1:3:10,壓強(qiáng)為 lOPa，功率為550W的工藝條件下，在n型InSb襯底1上刻蝕制作256X256個(gè)臺(tái)面高度H 為5 y m、邊長L為40 y m的正方形臺(tái)面2,其中相鄰兩個(gè)臺(tái)面的間距屯、最邊緣臺(tái)面與n型 InSb襯底邊緣之間的距離d2均為30 y m ;n型InSb襯底1刻蝕后的厚度s為6 y m。
[0070] 步驟二，在n型InSb襯底1上部、256X256個(gè)臺(tái)面2上部和256X256個(gè)臺(tái)面2側(cè) 面淀積介質(zhì)層8,如圖4b。
[0071] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)，在氣體為NH3、N2及SiH 4，氣體流量分別為 2. 5sccm、950sccm和250sccm，溫度、RF功率和壓強(qiáng)分別為300°C、25W和950mTorr的工藝 條件下，在n型InSb襯底1上部、256 X 256個(gè)臺(tái)面2上部和256 X 256個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚 度為7 y m的SiN介質(zhì)層8。
[0072] 步驟三，在介質(zhì)層8內(nèi)刻蝕制作等腰V形凹槽9,如圖4c。
[0073] 在介質(zhì)層8上第二次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在CF4流量為42. 5sCCm，02 流量為3sccm，壓強(qiáng)為lOmTorr，功率為220W的工藝條件下，在256X256個(gè)臺(tái)面2上部的介 質(zhì)層8內(nèi)刻蝕制作4個(gè)相同的等腰V形凹槽9,每個(gè)等腰V形凹槽9的底邊長為lOym，凹 槽深度為7 y m。
[0074] 步驟四，對(duì)等腰V形凹槽9下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn)臺(tái) 面2的p型摻雜，并形成p型等腰三角形摻雜區(qū)3,如圖4d。
[0075] 對(duì)每個(gè)等腰V形凹槽9下部的n型InSb材料，在注入劑量為4. 2 X 1013cnT2,注入 能量為450keV的工藝條件下，進(jìn)行硼離子注入，實(shí)現(xiàn)對(duì)256 X 256個(gè)臺(tái)面2的p型摻雜，同 時(shí)在每個(gè)臺(tái)面2下部的n型InSb襯底1內(nèi)形成與介質(zhì)層8內(nèi)4個(gè)等腰V形凹槽9形狀相 似的P型等腰三角形摻雜區(qū)3, p型等腰三角形摻雜區(qū)3的底邊長r為10 y m，高h(yuǎn)為6 y m， 摻雜濃度為lX1017cm_3。
[0076] 步驟五，去除介質(zhì)層8，如圖4e。
[0077] 在介質(zhì)層8上第三次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在CF4流量為2〇SCCm，0 2流 量為2sccm，壓強(qiáng)為20mTorr，偏置電壓為100V的工藝條件下，刻蝕去除在n型InSb襯底1 上部、256X256個(gè)臺(tái)面2上部和256X256個(gè)臺(tái)面2側(cè)面的介質(zhì)層8。
[0078] 步驟六，在n型InSb襯底1上部、256X256個(gè)臺(tái)面2上部和256X256個(gè)臺(tái)面2側(cè) 面淀積保護(hù)層4,如圖4f。
[0079] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)，在N20流量為85〇SCCm，SiH 4流量為 200sccm，溫度為250°C，RF功率為25W，壓強(qiáng)為llOOmTorr的工藝條件下，在n型InSb襯底 1上部、256X256個(gè)臺(tái)面2上部和256X256個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚度為0. 5 ii m的Si02保護(hù) 層4。
[0080] 步驟七，刻蝕去除n型InSb襯底1邊緣上部和256X256個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù)層 4,如圖4g。
[0081] 在保護(hù)層4上第四次制作掩膜，其中該掩膜圖形包括陽極掩膜圖形和陰極掩膜圖 形兩部分，陽極掩膜圖形是由256X256個(gè)邊長L為40 y m的正方形所組成的陣列，其中相 鄰兩個(gè)正方形的間距屯、最邊緣正方形與n型InSb襯底1邊緣之間的距離d2均為30 y m ; 陰極掩膜圖形為"回"字形圖形，該"回"字形圖形各內(nèi)邊長相等且各外邊長相等，其中外 邊長為17950 iim，外邊長與內(nèi)邊長的間距為利用該掩膜米用反應(yīng)尚子刻蝕技術(shù)，在 3?6流量為10sccm，0 2流量為5sccm，壓強(qiáng)為15mTorr，偏置電壓為150V的工藝條件下，刻蝕 去除n型InSb襯底1邊緣上部和256X256個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù)層4。
[0082] 步驟八，在臺(tái)面2上部淀積金屬制作陽極5,同時(shí)在n型InSb襯底1邊緣上部淀積 金屬制作"回"字形陰極6,如圖4h。
[0083] 在256X256個(gè)臺(tái)面2上和n型InSb襯底1邊緣上第五次制作掩膜，該掩膜圖形 與步驟七中第四次制作的掩膜圖形完全相同；利用該掩膜采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在真空度小 于1.8Xl(T 3Pa，功率范圍為300?1100W，蒸發(fā)速率小于3A/s的工藝條件下，在每個(gè)臺(tái)面2 上部和n型InSb襯底1邊緣上部依次淀積厚度為0. 04 y m/0. 75 y m的Cr、Au金屬，并在溫 度為750°C，時(shí)間為20s的工藝條件下進(jìn)行快速退火，制作陽極5和"回"字形陰極6。
[0084] 步驟九，在n型InSb襯底1的下部淀積鈍化層7,如圖4i。
[0085] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)，在N20流量為85〇SCCm，SiH 4流量為 200sccm，溫度為250°C，RF功率為25W，壓強(qiáng)為llOOmTorr的工藝條件下，在n型InSb襯底 1的下部淀積厚度為〇. 5 y m的Si02鈍化層7,從而完成整個(gè)探測(cè)器陣列的制作。
[0086] 實(shí)施例三：制作保護(hù)層為SiN，鈍化層為Si02，每個(gè)臺(tái)面正下方p型等腰三角形摻 雜區(qū)的個(gè)數(shù)m = 1，陣列大小為15000X15000的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列。
[0087] 步驟A，在n型InSb襯底1上刻蝕制作15000X15000個(gè)臺(tái)面2,如圖4a。
[0088] 在厚度k為3. 5 ii m、摻雜濃度為1 X 10nCm_3的n型InSb襯底1上第一次制作掩 膜，采用感應(yīng)耦合等離子反應(yīng)刻蝕技術(shù)在n型InSb襯底1上刻蝕制作15000X 15000個(gè)邊 長L為10 y m的正方形臺(tái)面2,相鄰兩個(gè)臺(tái)面2的間距屯，最邊緣臺(tái)面2與n型InSb襯底1 邊緣之間的距離d2均為0. 4 ii m，每個(gè)臺(tái)面的高度H均為0. 5 ii m ;n型InSb襯底刻蝕后的厚 度s為3iim。亥lj蝕臺(tái)面采用的工藝條件為：Ar/CH4/H2流量比為1:4:13,壓強(qiáng)為20Pa，功率 為 600W。
[0089] 步驟B，在n型InSb襯底1上部、15000X15000個(gè)臺(tái)面2上部和15000X15000個(gè) 臺(tái)面2側(cè)面淀積介質(zhì)層8,如圖4b。
[0090] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在n型InSb襯底1上部、15000X 15000個(gè) 臺(tái)面2上部和15000X 15000個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚度為3 y m的Si02介質(zhì)層8。淀積介質(zhì) 層采用的工藝條件為：N20流量為80〇SCCm，SiH 4流量為175SCCm，溫度為225°C，RF功率為 22. 5W，壓強(qiáng)為 lOOOmTorr。
[0091] 步驟C，在介質(zhì)層8內(nèi)刻蝕制作等腰V形凹槽9,如圖4c。
[0092] 在介質(zhì)層8上第二次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)在15000X 15000個(gè)臺(tái)面2 上部的介質(zhì)層8內(nèi)均刻蝕制作1個(gè)等腰V形凹槽9,等腰V形凹槽9的底邊長度為10 y m， 凹槽深度為3 y m。刻蝕凹槽采用的工藝條件為：SF6流量為5sCCm，02流量為2s CCm，壓強(qiáng)為 lOmTorr，偏置電壓為100V。
[0093] 步驟D，對(duì)等腰V形凹槽9下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn)臺(tái)面 2的p型摻雜，并形成p型等腰三角形摻雜區(qū)3,如圖4d。
[0094] 對(duì)15000 X 15000個(gè)臺(tái)面2上部介質(zhì)層8內(nèi)1個(gè)等腰V形凹槽9下部的n型InSb 材料進(jìn)行P型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn)對(duì)每個(gè)臺(tái)面2的p型摻雜，同時(shí)在每個(gè)臺(tái)面2下部的n型 InSb襯底1內(nèi)形成與介質(zhì)層8內(nèi)1個(gè)等腰V形凹槽9形狀相似的p型等腰三角形摻雜區(qū)3， P型等腰三角形摻雜區(qū)3的底邊r為10 iim，高h(yuǎn)為m，其中摻雜雜質(zhì)為鎂離子，摻雜濃度 為1 X 1016cm_3。離子注入采用的工藝條件為：注入劑量為6. 3 X 109cm_2,注入能量為30keV。
[0095] 步驟E，去除介質(zhì)層8,如圖4e。
[0096] 在介質(zhì)層8上第三次制作掩膜，采用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)刻蝕去除在n型InSb襯底 1上部、15000X15000個(gè)臺(tái)面2上部和15000X15000個(gè)臺(tái)面2側(cè)面的介質(zhì)層8?？涛g介質(zhì) 層采用的工藝條件：CF 4流量為40sccm，02流量為2. 5sccm，壓強(qiáng)為12. 5mTorr，功率為225W。
[0097] 步驟F，在n型InSb襯底1上部、15000X15000個(gè)臺(tái)面2上部和15000X15000個(gè) 臺(tái)面2側(cè)面淀積保護(hù)層4,如圖4f。
[0098] 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積技術(shù)在n型InSb襯底1上部、15000 X 15000個(gè)臺(tái) 面2上部和15000 X 15000個(gè)臺(tái)面2側(cè)面淀積厚度為0. 1 y m的SiN保護(hù)層4。淀積保護(hù)層 采用的工藝條件為：氣體為NH3、N2及SiH 4，氣體流量分別為2sccm、900sccm和200sccm，溫 度、RF功率和壓強(qiáng)分別為250°C、25W和900mTorr。
[0099] 步驟G，刻蝕去除n型InSb襯底1邊緣上部和15000 X 15000個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù) 層4,如圖4g。
[0100] 在保護(hù)層4上第四次制作掩膜，其中該掩膜圖形包括陽極掩膜圖形和陰極圖形掩 膜兩部分，陽極掩膜圖形是由15000X15000個(gè)邊長L為lOym的正方形所組成的陣列， 其中相鄰兩個(gè)正方形的間距屯、最邊緣正方形與n型InSb襯底1邊緣之間的距離d 2均為 0. 4pm;陰極掩膜圖形為"回"字形圖形，該"回"字形圖形各內(nèi)邊長相等且各外邊長相等， 其中外邊長為156000. 4 y m，外邊長與內(nèi)邊長的間距為0. 2 y m ;利用該掩膜米用反應(yīng)尚子 刻蝕技術(shù)，刻蝕去除n型InSb襯底1邊緣上部和15000X 15000個(gè)臺(tái)面2上部的保護(hù)層4。 刻蝕保護(hù)層采用的工藝條件為：CF4流量為45SCCm，0 2流量為5SCCm，壓強(qiáng)為15mTorr，功率 為 250W。
[0101] 步驟H，在臺(tái)面2上部淀積金屬制作陽極5,同時(shí)在n型InSb襯底1邊緣上部淀積 金屬制作"回"字形陰極6,如圖4h。
[0102] 在15000 X 15000個(gè)臺(tái)面2上和n型InSb襯底1邊緣上第五次制作掩膜，該掩膜 圖形與步驟G中第四次制作的掩膜圖形完全相同；利用該掩膜采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在每個(gè) 臺(tái)面2上部和n型InSb襯底1邊緣上部依次淀積Cr、Au金屬，制作陽極5和"回"字形陰 極6,金屬厚度為0. 03 y m/0. 5 y m。淀積金屬采用的工藝條件為：真空度小于1. 8 X l(T3Pa， 功率范圍為160?960W，蒸發(fā)速率小于3A/s;快速退火采用的工藝條件為：溫度為800°C，時(shí) 間為15s。
[0103] 步驟I，在n型InSb襯底1的下部淀積鈍化層7,如圖4i。
[0104] 采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在n型InSb襯底1的下部，淀積厚度為0.05 iim的Si02 鈍化層7,從而完成整個(gè)探測(cè)器陣列的制作。淀積鈍化層采用的工藝條件為：真空度小于 1. 2Xl(T3Pa，功率小于50W，蒸發(fā)速率小于2A/s。
[0105] 本發(fā)明的效果可通過以下仿真進(jìn)一步說明。
[0106] 仿真中，傳統(tǒng)陣列和本發(fā)明陣列均采用7X7的陣列，n型InSb襯底刻蝕后的厚 度s均為10 y m，臺(tái)面大小L均為40 y m，臺(tái)面高度H均為5 y m，相鄰兩個(gè)臺(tái)面的間距屯以 及最邊緣臺(tái)面與n型InSb襯底邊緣之間的距離d2均為20 y m，n型InSb摻雜濃度均為 1 X 1015cnT3, p型InSb摻雜濃度均為1 X 1018cnT3 ;本發(fā)明陣列中每個(gè)臺(tái)面下p型等腰三角形 摻雜區(qū)的個(gè)數(shù)m = 2, p型等腰三角形摻雜區(qū)的底邊長r為20iim，高h(yuǎn)為lOiim ;仿真中的 輻射源從鈍化層一側(cè)，即以背入射方式，垂直照射最中心像元。
[0107] 仿真1 :對(duì)傳統(tǒng)陣列與本發(fā)明陣列中沿入射輻射方向在最中心像元中心處的空穴 濃度進(jìn)行仿真，結(jié)果如圖5。
[0108] 由圖5可以看出：沿入射輻射方向在最中心像元中心處絕大部分范圍內(nèi)，本發(fā)明 探測(cè)器陣列的空穴濃度均顯著高于傳統(tǒng)陣列的空穴濃度，說明本發(fā)明探測(cè)器陣列收集載流 子的能力明顯高于傳統(tǒng)探測(cè)器陣列。
[0109] 仿真2 :對(duì)傳統(tǒng)探測(cè)器陣列與本發(fā)明探測(cè)器陣列中最中心像元中心處沿入射輻射 方向的縱向電場(chǎng)進(jìn)行仿真，結(jié)果如圖6。
[0110] 由圖6可以看出：本發(fā)明陣列的電場(chǎng)在光生載流子的主要產(chǎn)生區(qū)域，即靠近鈍化 層附近的n型InSb襯底中，明顯大于傳統(tǒng)陣列的電場(chǎng)，說明本發(fā)明陣列在光生載流子的主 要產(chǎn)生區(qū)域中最中心像元中心處沿入射輻射方向的縱向電場(chǎng)對(duì)光生載流子的抽取作用顯 著增強(qiáng)，這大大減小了光生載流子產(chǎn)生區(qū)域中光生電子空穴對(duì)的復(fù)合作用，并減少了光生 載流子產(chǎn)生區(qū)域中陷阱俘獲光生載流子的數(shù)量，使得絕大部分光生載流子都被中心像元收 集，而被其他像元收集的光生載流子數(shù)量大大減少，因此本發(fā)明陣列的量子效率和串音均 明顯優(yōu)于傳統(tǒng)陣列。
[0111] 仿真3 :對(duì)傳統(tǒng)探測(cè)器陣列與本發(fā)明探測(cè)器陣列最中心像元中心處沿入射輻射方 向的橫向電場(chǎng)進(jìn)行仿真，結(jié)果如圖7。
[0112] 由圖7可以看出：本發(fā)明陣列的電場(chǎng)，尤其是光生載流子主要產(chǎn)生區(qū)域中的電場(chǎng)， 明顯小于傳統(tǒng)陣列的電場(chǎng)，說明本發(fā)明陣列最中心像元中心處沿入射輻射方向的橫向電場(chǎng) 對(duì)光生載流子的抽取作用顯著減小，結(jié)合圖6仿真結(jié)果可知，絕大部分光生載流子都被中 心像元沿入射輻射方向的縱向強(qiáng)電場(chǎng)抽取，而被其他像元收集的光生載流子數(shù)量大大減 少，因此本發(fā)明陣列的量子效率和串音均明顯優(yōu)于傳統(tǒng)陣列。
[0113] 對(duì)于本領(lǐng)域的專業(yè)人員來說，在了解了本
【發(fā)明內(nèi)容】
和原理后，能夠在不背離本發(fā) 明的原理和范圍的情況下，根據(jù)本發(fā)明的方法進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修正和改變，但是 這些基于本發(fā)明的修正和改變?nèi)栽诒景l(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，包括n型InSb襯底（1)和鈍化層（7)，在n型 InSb襯底（1)上刻蝕有tXt個(gè)臺(tái)面（2)，t為整數(shù)且t彡1，每個(gè)臺(tái)面（2)上部淀積有陽極 (5)，n型InSb襯底邊緣上部淀積有"回"字形陰極（6);所述n型InSb襯底（1)上部和每 個(gè)臺(tái)面（2)側(cè)面淀積有保護(hù)層（4)，其特征在于：每個(gè)臺(tái)面（2)正下方的n型InSb襯底（1) 內(nèi)設(shè)有m個(gè)相同的p型等腰三角形摻雜區(qū)（3)，m為整數(shù)且m3 1，這些p型等腰三角形摻 雜區(qū)（3)與n型InSb襯底⑴構(gòu)成pn結(jié)結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，其特征在于n型InSb襯底（1) 刻蝕前的厚度k為3. 5?20ym，刻蝕后的厚度s為3?10ym，摻雜濃度為1X10nCm_3? 1X1016cm3。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，其特征在于每個(gè)臺(tái)面（2)的 上、下表面均為正方形，正方形的邊長L為10?60ym，每個(gè)臺(tái)面的高度H均相同，H等于k 減去s,且取值范圍為0. 5?10iim。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，其特征在于相鄰兩個(gè)臺(tái)面（2) 之間的距離屯和最邊緣臺(tái)面與n型InSb襯底（1)邊緣之間的距離d2相等，且取值范圍為 0? 4 ?60um〇
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，其特征在于m個(gè)p型等腰三 角形摻雜區(qū)（3)的底邊長為r，r=L/m，高h(yuǎn)小于或等于n型InSb襯底（1)刻蝕后的厚度 s，且h等于3ea°2dl。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列，其特征在于每個(gè)臺(tái)面（2)的下 表面與該臺(tái)面正下方的m個(gè)p型三角形摻雜區(qū)（3)的底面相接。
7. -種制作InSb紅外焦平面探測(cè)器陣列的方法，包括如下過程： 第一步，在n型InSb襯底（1)上第一次制作掩膜，利用該掩膜在n型InSb襯底（1)上 刻蝕制作tXt個(gè)臺(tái)面（2); 第二步，在n型InSb襯底（1)上部、每個(gè)臺(tái)面（2)上部和每個(gè)臺(tái)面（2)側(cè)面淀積厚度 為3?10ym的介質(zhì)層（8); 第三步，在介質(zhì)層（8)上第二次制作掩膜，利用該掩膜在每個(gè)臺(tái)面（2)上部的介質(zhì)層 (8)內(nèi)刻蝕制作m個(gè)相同的等腰V形凹槽（9)，這些等腰V形凹槽（9)的深度小于或等于介 質(zhì)層⑶的厚度； 第四步，對(duì)每個(gè)等腰V形凹槽（9)下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，實(shí)現(xiàn) 對(duì)每個(gè)臺(tái)面（2)的p型摻雜，并在每個(gè)臺(tái)面（2)下部形成m個(gè)相同的p型等腰三角形摻雜 區(qū)（3)，且p型等腰三角形摻雜區(qū)（3)的底邊長為r，r=L/m，，高h(yuǎn)小于或等于n型InSb 襯底⑴亥_后的厚度s，且h等于3eafl2S 第五步，在介質(zhì)層（8)上第三次制作掩膜，利用該掩膜刻蝕去除n型InSb襯底（1)上 部、每個(gè)臺(tái)面（2)上部和每個(gè)臺(tái)面（2)側(cè)面的介質(zhì)層（8); 第六步，在n型InSb襯底（1)上部、每個(gè)臺(tái)面（2)上部和每個(gè)臺(tái)面（2)側(cè)面淀積保護(hù) 層（4)，即用絕緣介質(zhì)材料分別覆蓋n型InSb襯底（1)上部、每個(gè)臺(tái)面（2)上部和每個(gè)臺(tái)面 (2)側(cè)面的區(qū)域； 第七步，在保護(hù)層（4)上第四次制作掩膜，利用該掩膜刻蝕去除n型InSb襯底（1)邊 緣上部和每個(gè)臺(tái)面（2)上部的保護(hù)層（4); 第八步，在每個(gè)臺(tái)面（2)上和n型InSb襯底（1)邊緣上第五次制作掩膜，利用該掩膜 在每個(gè)臺(tái)面（2)上部淀積金屬制作陽極（5)，同時(shí)在n型InSb襯底（1)邊緣上部淀積金屬 制作"回"字形陰極（6); 第九步，在n型InSb襯底（1)的下部淀積鈍化層（7)，即用透紅外輻射絕緣介質(zhì)材料覆 蓋n型InSb襯底（1)下部的區(qū)域，從而完成整個(gè)探測(cè)器陣列的制作。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述第四步對(duì)等腰V形凹槽（9)下部的n型InSb材料進(jìn)行p型雜質(zhì)離子注入，摻雜濃度為1X1016cm_3?1X1018cm_3 ;工藝條件為：注 入劑量為 6. 3X109cnT2 ?7X1013cnT2,注入能量為 30keV?800keV。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述第八步制作的陽極（5)和陰極（6)，厚 度相同，均采用相同的Cr/Au兩層金屬組合，其厚度為0. 03?0. 05ym/0. 5?1ym，且下層 金屬厚度小于上層金屬厚度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于： 所述保護(hù)層（4)采用Si02、ZnS、SiN、A1203、Sc203、Hf02、Ti02或其它絕緣介質(zhì)材料，其 厚度為〇? 1?1ym; 所述鈍化層（7)采用ZnS、Si02、SiN、A1203、Hf02、Ti02或其它透紅外輻射絕緣介質(zhì)材 料，其厚度為〇.〇5?lum。
【文檔編號(hào)】H01L31/0352GK104409533SQ201410667776
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】楊翠, 馬京立, 張延濤, 毛維, 張小雷, 孟超, 劉鵬, 張建奇 申請(qǐng)人:西安電子科技大學(xué)