改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，包括依次執(zhí)行下述步驟：第一步驟，用于對(duì)將要進(jìn)行硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的待測(cè)試晶圓進(jìn)行后道烘烤，其中后道烘烤的溫度介于150-200℃之間；第二步驟，用于將經(jīng)過(guò)后道烘烤的待測(cè)試晶圓布置在良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上；第三步驟，用于對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓進(jìn)行晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。根據(jù)本發(fā)明的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法通過(guò)增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的顏色異常情況，而且本發(fā)明可進(jìn)一步通過(guò)控制Ag層的厚度來(lái)進(jìn)一步有效改善顏色異常情況。
【專(zhuān)利說(shuō)明】改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種改善硅片背面晶圓熱 點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于功率M0S晶體管，一般背面金屬膜疊層是Ti層/Ni層/Ag層的疊層。對(duì)于 一些客戶(hù)針對(duì)汽車(chē)電子產(chǎn)品的特殊請(qǐng)求，希望進(jìn)行背面高溫測(cè)試（也稱(chēng)為晶圓熱點(diǎn)測(cè)試， wafer pass hot test)〇
[0003] 在進(jìn)行背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試時(shí)，一般將晶圓布置在良率測(cè)試機(jī)臺(tái)（EWS tester)上， 隨后使得晶圓在125°C下保持2小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。在2小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試之后即可 查看晶圓背面是否存在顏色異常。顏色異常一般包括白點(diǎn)（White dots)和環(huán)狀的顏色異 常。這種顏色異?？赡苡袃煞N原因，即"Ni擴(kuò)散"或者"Ag顆粒尺寸變化"。
[0004] 對(duì)于顏色異常的原因判斷，可以采取下述措施：
[0005] 1.對(duì)晶圓切片以觀察截面時(shí)，和"Ni擴(kuò)散"的樣品作對(duì)比，如果進(jìn)行晶圓熱點(diǎn)測(cè)試 后的Ni比較完整，則可以佐證不是"Ni擴(kuò)散"。
[0006] 2.工程晶圓片僅僅生長(zhǎng)1. 5k厚的Ag而不生長(zhǎng)Ni (這樣就沒(méi)有Ni元素的干擾）， 此時(shí)如果進(jìn)行晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的結(jié)果和生長(zhǎng)Ni的情況類(lèi)似，則確認(rèn)不是"Ni擴(kuò)散"的原因。
[0007] 3.同樣對(duì)晶圓進(jìn)行切片，利用掃描電鏡（SEM)觀察表面Ag顆粒大小的對(duì)比，可以 確認(rèn)顏色異常主要來(lái)源于晶圓熱點(diǎn)測(cè)試后Ag的顆粒大小變化的情況。
[0008] 由此，在本領(lǐng)域中，希望能夠提供一種能夠改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常 的方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠改善 硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法。
[0010] 為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏 色異常的方法，包括依次執(zhí)行下述步驟：第一步驟，用于對(duì)將要進(jìn)行硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試 的待測(cè)試晶圓進(jìn)行后道烘烤，其中后道烘烤的溫度介于150-200°c之間；第二步驟，用于將 經(jīng)過(guò)后道烘烤的待測(cè)試晶圓布置在良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上；第三步驟，用于對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的 待測(cè)試晶圓進(jìn)行晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
[0011] 優(yōu)選地，后道烘烤的溫度介于170-180°c之間。
[0012] 優(yōu)選地，后道烘烤的溫度介于175-180°C之間。
[0013] 優(yōu)選地，后道烘烤的烘烤時(shí)間介于1至3小時(shí)之間。
[0014] 優(yōu)選地，后道烘烤的烘烤時(shí)間為2小時(shí)。
[0015] 優(yōu)選地，待測(cè)試晶圓背面的疊層為T(mén)i層/Ni層/Ag層的疊層。
[0016] 優(yōu)選地，Ag層的厚度不小于1〇kA,。
[0017] 優(yōu)選地，待測(cè)試晶圓背面的疊層為1k Al的Ti層/2kAi的Ni層/1〇kAj的Ag層。
[0018] 優(yōu)選地，第三步驟對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓在75_125°C下保持2小時(shí)的晶 圓熱點(diǎn)測(cè)試。
[0019] 優(yōu)選地，第三步驟對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓在100-1KTC下保持2小時(shí)的 晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法通過(guò)增加后道烘烤而 有效地改善了硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的顏色異常情況，而且本發(fā)明可進(jìn)一步通過(guò)控制Ag 層的厚度來(lái)進(jìn)一步有效改善顏色異常情況。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021] 結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解 并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：
[0022] 圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色 異常的方法的流程圖。
[0023] 需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可 能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi) 容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0025] 圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色 異常的方法的流程圖。
[0026] 具體地說(shuō)，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏 色異常的方法包括依次執(zhí)行下述步驟：
[0027] 第一步驟S1，用于對(duì)將要進(jìn)行硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的待測(cè)試晶圓進(jìn)行后道烘 烤，其中后道烘烤的溫度介于150-200°C之間；通過(guò)后道烘烤，使Ag的顆粒尺寸已經(jīng)被穩(wěn) 固，所以在進(jìn)行后續(xù)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試時(shí)，Ag的顆粒尺寸變化變小，能有效改善顏色異常。
[0028] 具體地說(shuō)，后道烘烤的溫度如果低于150°C則效果不好，后道烘烤的溫度如果超過(guò) 200 C則各易引起背面金屬剝落。
[0029] 優(yōu)選地，后道烘烤的溫度介于170_180°C之間。進(jìn)一步優(yōu)選地，后道烘烤的溫度介 于 175_180°C 之間。
[0030] 優(yōu)選地，后道烘烤的烘烤時(shí)間介于1至3小時(shí)之間，進(jìn)一步優(yōu)選地，后道烘烤的烘 烤時(shí)間為2小時(shí)。
[0031] 雖然在說(shuō)明書(shū)中例舉了后道烘烤的烘烤時(shí)間的具體示例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員可以理解的是，上述示例僅僅是優(yōu)選數(shù)值或者數(shù)值范圍，實(shí)際上可以采取其它適當(dāng)?shù)臅r(shí) 間來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。同樣地，雖然在說(shuō)明書(shū)中例舉了后道烘烤的烘烤時(shí)間的具體溫度示例，但 是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，上述示例僅僅是優(yōu)選數(shù)值或者數(shù)值范圍，實(shí)際上可 以采取其它適當(dāng)?shù)臏囟葋?lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
[0032] 進(jìn)一步優(yōu)選地，第三步驟對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓在100-1KTC下保持2 小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
[0033] 而且，可以增加Ag層的厚度來(lái)有效配合后道烘烤，進(jìn)一步改善顏色異常。例如，待 測(cè)試晶圓背面的疊層為T(mén)i層/Ni層/Ag層的疊層，其中Ag層的厚度不小于1〇kA;例如， 優(yōu)選地，待測(cè)試晶圓背面的疊層為1 k A'的Ti層./2kA的Ni層OkA做Ag層。
[0034] 雖然在說(shuō)明書(shū)中例舉了 Ti層/N i層/Ag層的疊層的厚度示例，但是本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員可以理解的是，上述示例僅僅是優(yōu)選數(shù)值或者數(shù)值范圍，實(shí)際上可以采取其它適 當(dāng)?shù)暮穸葦?shù)值來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
[0035] 第二步驟S2,用于將經(jīng)過(guò)后道烘烤的待測(cè)試晶圓布置在良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上；
[0036] 第三步驟S3,用于使得良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓經(jīng)歷晶圓熱點(diǎn)測(cè)試，例如在 75_125°C下保持2小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
[0037] 由此，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法通過(guò) 增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的顏色異常情況，而且本發(fā)明可進(jìn)一 步通過(guò)控制Ag層的厚度來(lái)進(jìn)一步有效改善顏色異常情況。
[0038] 此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)"第一"、"第 二"、"第三"等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè) 組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0039] 可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以 限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等 同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì) 以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍 內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在于包括依次執(zhí)行下述步 驟： 第一步驟，用于對(duì)將要進(jìn)行硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試的待測(cè)試晶圓進(jìn)行后道烘烤，其中 后道烘烤的溫度介于150-200°C之間； 第二步驟，用于將經(jīng)過(guò)后道烘烤的待測(cè)試晶圓布置在良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上； 第三步驟，用于對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓進(jìn)行晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在于， 后道烘烤的溫度介于170-180°C之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在于， 后道烘烤的溫度介于175-180°C之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在 于，后道烘烤的烘烤時(shí)間介于1至3小時(shí)之間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在于， 后道烘烤的烘烤時(shí)間為2小時(shí)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在 于，待測(cè)試晶圓背面的疊層為T(mén)i層/Ni層/Ag層的疊層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在于， Ag層的厚度不小于1〇kA。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在 于，待測(cè)試晶圓背面的疊層為1kA的Ti層/ 2k人的Ni層/ 10kA的Ag層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在 于，第三步驟對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓在75-125°C下保持2小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善硅片背面晶圓熱點(diǎn)測(cè)試顏色異常的方法，其特征在 于，第三步驟對(duì)良率測(cè)試機(jī)臺(tái)上的待測(cè)試晶圓在100-1KTC下保持2小時(shí)的晶圓熱點(diǎn)測(cè)試。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104409379SQ201410668058
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】王鵬, 劉宇, 李秀瑩 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司