一種金屬凸點(diǎn)制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種金屬凸點(diǎn)的制作方法，包括以下步驟：晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球；所述金屬球頂部的線削去形成金屬凸點(diǎn)；對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行機(jī)械粗磨磨平；對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精磨磨平；在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形；將所述金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。非限制性地，所述金屬為金。本發(fā)明能帶來以下有益效果：在各金凸點(diǎn)的高度差可以忽略的情況下，避免了金凸點(diǎn)由于高度過低或未能與異方性導(dǎo)電膠膜緊密結(jié)合導(dǎo)致的開路，以及金凸點(diǎn)高度過高，形變過大導(dǎo)致的短路問題。在簡化生產(chǎn)工藝，降低成本的同時(shí)達(dá)到了電鍍金凸點(diǎn)的工藝效果，金凸點(diǎn)高度均勻性高，提高了產(chǎn)品的良率，縮短了產(chǎn)品制作周期，降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種金屬凸點(diǎn)制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種金屬凸點(diǎn)制作方法，特別地，涉及一種芯片金凸點(diǎn)的植球工藝及制作方法，屬于集成電路封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)正在流行，這主要是它可將封裝尺寸減小至IC芯片大小，以及它可以圓片形式成批加工制作，使封裝降低成本。WLP封裝成本還會(huì)隨芯片尺寸減小相應(yīng)下降。此外，由于對(duì)電路封裝、測試、分離和發(fā)運(yùn)已知好電路可進(jìn)行流水線作業(yè)和管理，從而進(jìn)一步降低了封裝總成本和縮短了周期時(shí)間。如果在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體器件時(shí)就考慮到封裝要求，這無疑會(huì)有益于器件布局設(shè)計(jì)，并可改善元件性能。倒裝(Flip-Chip)是在鋁墊(壓區(qū))上制作凸點(diǎn)，然后將芯片翻轉(zhuǎn)加熱利用凸點(diǎn)與基板相結(jié)合的技術(shù)替換常規(guī)打線鍵合。
[0003]為了降低成本，提高速度，提高產(chǎn)品可靠性，倒裝封裝技術(shù)中使用芯片與基板焊接封裝，封裝方式為芯片正面朝下向基板，無需引線鍵合，形成最短電路；采用凸點(diǎn)倒裝，縮小了產(chǎn)品的封裝尺寸，提高產(chǎn)品的電性能。倒裝封裝技術(shù)的熱學(xué)性能明顯優(yōu)越于常規(guī)使用的引線鍵合工藝，與傳統(tǒng)速度較慢的引線鍵合技術(shù)相比，倒裝更適合應(yīng)用在高腳數(shù)、小型化、多功能、高速度趨勢(shì)IC的產(chǎn)品中。為順應(yīng)集成電路產(chǎn)品愈加密集化、小型化的發(fā)展趨勢(shì)，集成電路封裝現(xiàn)使用凸點(diǎn)(bump)取代常規(guī)引線鍵合(wire bonding)形成電路連接。
[0004]傳統(tǒng)的金凸點(diǎn)的制作方法為電鍍法和光刻法相結(jié)合的工藝。首先進(jìn)行濺射UBM(凸點(diǎn)下金屬)，UBM通常由粘附層、阻擋層和浸潤層三層金屬組成，是電鍍的種子層。要求它同下面的鋁壓焊電極有很好的粘附性，能有效阻止金凸點(diǎn)與其他金屬元素之間的相互擴(kuò)散，避免產(chǎn)生不利的金屬間化合物，更不能讓金進(jìn)入晶圓內(nèi)。然后進(jìn)行厚膠光刻，光刻是工藝中的常規(guī)工序，但金凸點(diǎn)的高度是17um左右，光刻膠的厚度應(yīng)該在25um左右，因此它需要采用粘稠度大的光刻膠、特殊的勻膠機(jī)和曝光機(jī)。而且電鍍法制造金凸點(diǎn)時(shí)，要求光刻后電鍍孔的側(cè)壁陡直，側(cè)壁角要> 85°，因?yàn)榻鹜裹c(diǎn)的形狀基本上由光刻后電鍍孔的形狀所決定。然后進(jìn)行電鍍，電鍍分為掛鍍或垂直噴鍍，掛鍍即陽極和作為陰極的被鍍件分別浸入電鍍液內(nèi)，位置相對(duì)而放，電鍍時(shí)通?；蝿?dòng)被鍍件，以便讓新鮮的電鍍液及時(shí)補(bǔ)充到被鍍件的表面。電鍍金凸點(diǎn)可采用垂直噴鍍法，把被鍍的晶圓正面朝下，電鍍液從下面垂直向上噴到晶圓的中央，然后向晶圓四周流出。隨后去除光刻膠，形成金凸點(diǎn)。該傳統(tǒng)工序工藝復(fù)雜’生產(chǎn)周期較長,成本較高。
[0005]由于金凸點(diǎn)制作工藝復(fù)雜，在晶圓上制作凸點(diǎn)的過程中會(huì)形成高度差異，部分高度較低的凸點(diǎn)在倒裝工序中不能和基板上焊料正常接觸，導(dǎo)致產(chǎn)品在回流焊后焊接不良；而高度過高的產(chǎn)品在倒裝工序中過度接觸，在回流焊后造成短路，這些情況均會(huì)直接損壞產(chǎn)品，降低產(chǎn)品的封裝良率。
[0006]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，以及高頻、低功耗和小形尺寸產(chǎn)品的應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)，現(xiàn)有的工藝弊端已日漸突出，迫切需要一種簡化現(xiàn)有工藝、縮短生產(chǎn)周期、降低成本及提高良率的金凸點(diǎn)制作工藝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種金屬凸點(diǎn)的制作方法，包括以下步驟:晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球；所述金屬球頂部的線削去形成金屬凸點(diǎn)；對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行機(jī)械粗磨磨平；對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精磨磨平；在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形；將所述金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。
[0008]非限制性地，所述金屬為金。
[0009]優(yōu)選地，在所述步驟晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球之前還包括以下步驟:在整片晶圓正面貼覆減薄膠膜；對(duì)晶圓進(jìn)行減薄；除去晶圓正面膠膜。所述步驟在整片晶圓正面貼覆減薄膠膜中，將整片晶圓置于貼膜設(shè)備中，在晶圓1的正面，即芯片的功能區(qū)貼覆一層減薄膠膜。在所述步驟對(duì)晶圓進(jìn)行減薄中，通過減薄設(shè)備，根據(jù)不同晶圓及不同產(chǎn)品尺寸對(duì)晶圓1進(jìn)行減薄。
[0010]進(jìn)一步，在所述步驟晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球中，運(yùn)用絲焊技術(shù)，預(yù)先設(shè)置完成絲焊機(jī)的絲焊溫度及金球高度，與晶圓1各芯片的壓區(qū)2 —一對(duì)應(yīng)，在壓區(qū)2表面上絲焊熔融形成金球。
[0011]更進(jìn)一步，在所述步驟將所述金屬球頂部的線削去形成金屬凸點(diǎn)中，使用晶圓級(jí)打線設(shè)備削去絲焊熔融金球頂部的絲線，即形成金屬凸點(diǎn)3。
[0012]此外，在所述步驟對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行機(jī)械粗磨磨平中，使用機(jī)械粗磨設(shè)備按照最低高度設(shè)置機(jī)械粗磨的基準(zhǔn)線對(duì)金屬凸點(diǎn)3進(jìn)行拋光，使金屬凸點(diǎn)3表面初平。在所述步驟對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精磨磨平中，使用化學(xué)機(jī)械精磨拋光，在軟化金屬凸點(diǎn)3表面的同時(shí)使金屬凸點(diǎn)3表面更加平整，不同高度的金屬凸點(diǎn)3在機(jī)械粗磨和化學(xué)機(jī)械精磨后高度基本持平。
[0013]更為優(yōu)選地，在所述步驟在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形中，制作一面有花紋另一面平整的板狀模具4，模具4有花紋的一面凹凸不平；將晶圓1平置，保持模具4與晶圓1水平，將模具4有花紋的一面對(duì)應(yīng)金屬凸點(diǎn)3，施加3^?別的壓力與晶圓1壓合，壓合后金屬凸點(diǎn)3表面形成向內(nèi)凹陷的花紋，表面凹凸。
[0014]所述金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊中，通過熱壓焊的工藝將金屬凸點(diǎn)3與異方性導(dǎo)電膠膜5熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜5與晶圓1及金屬凸點(diǎn)3形成倒裝結(jié)構(gòu)。
[0015]更為優(yōu)選地，在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形的步驟中，進(jìn)一步包括以下步驟:制作有圖形的蝕刻模具；使用蝕刻的方式在金屬凸點(diǎn)頂部形成內(nèi)凹陷圖案；蝕刻后的金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。在制作有圖形的蝕刻模具的步驟中，制作一種有圖案的蝕刻模具6，蝕刻模具6刻有圖形。在使用蝕刻的方式在金屬凸點(diǎn)頂部形成內(nèi)凹陷圖案的步驟中，將晶圓1平置，保持蝕刻模具6與晶圓1水平，將蝕刻模具6對(duì)應(yīng)晶圓1上的金屬凸點(diǎn)3，并將蝕刻模具6覆蓋于晶圓1上，蝕刻模具6刻有圖形的部分裸露在外；在蝕刻模具6上刷光刻膠7，蝕刻模具6的圖形部分即填充光刻膠7，進(jìn)行蝕刻。在蝕刻后的金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊的步驟中，蝕刻后表面形成內(nèi)凹陷圖案的金屬凸點(diǎn)3，通過熱壓焊的工藝，與異方性導(dǎo)電膠膜5熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜5與晶圓1及金屬凸點(diǎn)3形成倒裝結(jié)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明能帶來以下有益效果:在各金凸點(diǎn)的高度差可以忽略的情況下，避免了金凸點(diǎn)由于高度過低或未能與異方性導(dǎo)電膠膜緊密結(jié)合導(dǎo)致的開路，以及金凸點(diǎn)高度過高，形變過大導(dǎo)致的短路問題。在簡化生產(chǎn)工藝，降低成本的同時(shí)達(dá)到了電鍍金凸點(diǎn)的工藝效果，金凸點(diǎn)高度均勻性高，提高了產(chǎn)品的良率，縮短了產(chǎn)品制作周期，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為金凸點(diǎn)形成后廣品首I』面圖
[0018]圖2為金凸點(diǎn)機(jī)械粗磨及化學(xué)機(jī)械精磨后產(chǎn)品剖面圖
[0019]圖3為一種刻有特殊花紋的模具
[0020]圖4為花紋模具水平向晶圓上金凸點(diǎn)施力的過程放大圖
[0021]圖5為花紋模具水平向晶圓上金凸點(diǎn)施力后金凸點(diǎn)俯視放大圖
[0022]圖6為花紋模具水平向晶圓上金凸點(diǎn)施力的過程剖面放大圖
[0023]圖7為花紋模具水平向晶圓上金凸點(diǎn)施力后金凸點(diǎn)剖面放大圖
[0024]圖8為花紋模具水平向晶圓上金凸點(diǎn)施力后剖面圖
[0025]圖9為金凸點(diǎn)形變后，晶圓與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊后剖面圖
[0026]圖10為一種刻有特殊花紋的蝕刻模具
[0027]圖11為使用蝕刻模具在金凸點(diǎn)上涂光刻膠后俯視放大圖
[0028]圖12為金凸點(diǎn)蝕刻后俯視放大圖
[0029]圖13為蝕刻模具水平放置于晶圓上后金凸點(diǎn)剖面放大圖
[0030]圖14為在晶圓上涂光刻膠后金凸點(diǎn)剖面放大圖
[0031]圖15為金凸點(diǎn)蝕刻后剖面放大圖
[0032]圖16為晶圓上金凸點(diǎn)蝕刻后剖面圖
[0033]圖17為金凸點(diǎn)蝕刻后，晶圓與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊后剖面圖具體
[0034]實(shí)施方式
[0035]下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0036]在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，提供了一種金凸點(diǎn)的制作方法。該方法包括以下步驟:
[0037]步驟1:整片晶圓正面(即功能區(qū))貼覆減薄膠膜。
[0038]步驟2:晶圓減薄。
[0039]步驟3:除去晶圓正面月父膜。
[0040]步驟4:晶圓正面鋁墊(壓區(qū))絲焊形成金球。
[0041]步驟5:將燒結(jié)的金球頂部的線削去，形成金凸點(diǎn)。
[0042]步驟6:機(jī)械粗磨磨平凸點(diǎn)表面。
[0043]步驟7:化學(xué)機(jī)械精磨平凸點(diǎn)表面。
[0044]步驟8:金凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形。
[0045]步驟9:金凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。
[0046]在上述步驟1中，在晶圓1的正面(即功能區(qū))貼覆減薄膠膜。將整片晶圓置于貼膜設(shè)備中，在晶圓1的正面，即芯片的功能區(qū)貼覆一層減薄膠膜，保護(hù)晶圓的正面的以下的工序中不受外力損壞。
[0047]在上述步驟2中，通過減薄設(shè)備，根據(jù)不同晶圓及不同產(chǎn)品尺寸對(duì)晶圓1進(jìn)行減薄，達(dá)到所需厚度。
[0048]在上述步驟3中，除去晶圓1正面貼覆的減薄膠膜。
[0049]在上述步驟4中，運(yùn)用絲焊技術(shù)，預(yù)先設(shè)置完成絲焊機(jī)的絲焊溫度及金球高度，與晶圓1各芯片的壓區(qū)(鋁墊)2—一對(duì)應(yīng)，在壓區(qū)2表面上絲焊熔融形成金球。省去了繁瑣的濺射服1、厚膠光刻、電鍍、去膠等工序。不同于傳統(tǒng)的金凸點(diǎn)制作工作，絲焊熔融形成金球的方法工藝簡便，生產(chǎn)周期短。
[0050]在上述步驟5中，使用晶圓級(jí)打線0^11*6 13011(11118)設(shè)備削去絲焊熔融金球頂部的絲線，即形成金凸點(diǎn)3。
[0051]在上述步驟6中，由于金凸點(diǎn)3的制作工程中有一定的高度差異，所以需要使用機(jī)械粗磨設(shè)備對(duì)金凸點(diǎn)3進(jìn)行拋光，使金凸點(diǎn)3表面初平。如圖1所示，根據(jù)所有金凸點(diǎn)3的最低高度設(shè)置機(jī)械粗磨的基準(zhǔn)線，即圖中虛線。機(jī)械粗磨設(shè)備根據(jù)金凸點(diǎn)3最低的高度為標(biāo)準(zhǔn)高度，通過機(jī)械粗磨設(shè)備的磨輪，對(duì)其他金凸點(diǎn)3進(jìn)行拋光。
[0052]在上述步驟7中，為了進(jìn)一步縮小各金凸點(diǎn)的高度差，需要使用化學(xué)機(jī)械精磨拋光，在軟化金凸點(diǎn)3表面的同時(shí)使金凸點(diǎn)3表面更加平整，進(jìn)一步提高晶圓1上金凸點(diǎn)3的共面性。如圖2所示，不同高度的金凸點(diǎn)3在機(jī)械粗磨和化學(xué)機(jī)械精磨后高度基本持平。
[0053]在上述步驟8中，制作一面有花紋另一面平整的板狀模具4，如圖3所示，模具4有花紋的一面凹凸不平。然后將晶圓1平置，保持模具4與晶圓1水平，將模具4有花紋的一面對(duì)應(yīng)金凸點(diǎn)3，施加％?別的壓力與晶圓1壓合。如圖4所示，模板4完全覆蓋晶圓1，在向下施力的作用下模板4有圖形的一面與金凸點(diǎn)3接觸，模板4的圖形嵌入金凸點(diǎn)3。如圖3所示模具4有特殊花紋的一面接觸金凸點(diǎn)3的頂面，并嵌入金凸點(diǎn)3內(nèi)部。如圖6所示，模具4與晶圓1在水平面上，模具4對(duì)應(yīng)晶圓1上金凸點(diǎn)3的頂部。如圖5所示，壓合后金凸點(diǎn)3表面形成向內(nèi)凹陷的花紋，表面凹凸。同時(shí)在施力的作用下金凸點(diǎn)3發(fā)生形變，頂面變大，至此各金凸點(diǎn)3的高度差可以忽略。如圖7所示，壓合后撤掉模具4，金凸點(diǎn)3的頂面已經(jīng)形成有特殊花紋的凹凸圖案。如圖8所示，晶圓1上所有的金凸點(diǎn)3的頂面都已形成有特殊花紋的凹凸圖案，且高度一致。
[0054]在上述步驟9中，通過熱壓焊的工藝將金凸點(diǎn)3與異方性導(dǎo)電膠膜(八⑶膜)5熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜5與晶圓1及金凸點(diǎn)3形成倒裝結(jié)構(gòu)。如圖9所示，金凸點(diǎn)3嵌入一部分異方性導(dǎo)電膠膜5，異方性導(dǎo)電膠膜5與金凸點(diǎn)3特別是內(nèi)凹陷花紋處緊密結(jié)合，晶圓1的壓區(qū)2上的金凸點(diǎn)3與異方性導(dǎo)電膠膜5擠壓后導(dǎo)通點(diǎn)性能，與異方性導(dǎo)電膠膜5中的導(dǎo)電粒子共同構(gòu)成電路的連通。
[0055]在本發(fā)明的第二是實(shí)施例中，對(duì)第一實(shí)施例進(jìn)行了改進(jìn)。具體地，在該實(shí)施例中，對(duì)第一實(shí)施例中內(nèi)凹陷圖形的制作方式進(jìn)行了改進(jìn)，在該實(shí)施方式中，包括以下步驟:
[0056]步驟8-1:制作有圖形的蝕刻模具。
[0057]步驟8-2:使用蝕刻的方式在金凸點(diǎn)頂部形成內(nèi)凹陷圖案。
[0058]步驟9-1:蝕刻后的金凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。
[0059]在上述步驟8-1中，制作一種有圖案的蝕刻模具6，如圖10所示，蝕刻模具6刻有特殊圖形，但本發(fā)明提供的方法并不限于本實(shí)施例中的圖形。
[0060]在上述步驟8-2中，將晶圓1平置，保持蝕刻模具6與晶圓1水平，將蝕刻模具6對(duì)應(yīng)晶圓1上的金凸點(diǎn)3，并將蝕刻模具6覆蓋于晶圓1上，如圖13所示，蝕刻模具6刻有圖形的部分裸露在外。在蝕刻模具6上刷光刻膠7，蝕刻模具6的圖形部分即填充光刻膠7，如圖11所示，在金凸點(diǎn)3的頂部，蝕刻模具6的圖形部分都已填充光刻膠7。如圖14所示，從剖面更清晰地顯示蝕刻模具6的圖形部分都已填充光刻膠。再移開蝕刻模具6，金凸點(diǎn)3表面即形成涂著光刻膠7的特殊圖形。再使用化學(xué)蝕刻的方法對(duì)晶圓1上的金凸點(diǎn)3進(jìn)行蝕刻，蝕刻后晶圓1上的金凸點(diǎn)3即形成內(nèi)凹陷的特殊圖案。如圖12所示，蝕刻后金凸點(diǎn)3頂部未覆蓋光刻膠7的部位出現(xiàn)內(nèi)凹陷圖形。如圖15所示，從剖面更清晰地顯示蝕刻后金凸點(diǎn)3頂部未覆蓋光刻膠7的部位出現(xiàn)內(nèi)凹陷圖形。如圖16所示，蝕刻后晶圓1上所有金凸點(diǎn)3的頂部均布特殊圖形。
[0061]在上述步驟9-1中，蝕刻后表面形成內(nèi)凹陷圖案的金凸點(diǎn)3，通過熱壓焊的工藝，與異方性導(dǎo)電膠膜(八⑶膜)5熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜5與晶圓1及金凸點(diǎn)3形成倒裝結(jié)構(gòu)。如圖17所示，金凸點(diǎn)3嵌入一部分異方性導(dǎo)電膠膜5，異方性導(dǎo)電膠膜5與金凸點(diǎn)3特別是內(nèi)凹陷花紋處緊密結(jié)合，晶圓1的壓區(qū)2上的金凸點(diǎn)3與異方性導(dǎo)電膠膜5擠壓后導(dǎo)通點(diǎn)性能，與異方性導(dǎo)電膠膜5中的導(dǎo)電粒子共同構(gòu)成電路的連通。
[0062]本發(fā)明能帶來以下有益效果:在各金凸點(diǎn)的高度差可以忽略的情況下，避免了金凸點(diǎn)由于高度過低或未能與異方性導(dǎo)電膠膜緊密結(jié)合導(dǎo)致的開路，以及金凸點(diǎn)高度過高，形變過大導(dǎo)致的短路問題。在簡化生產(chǎn)工藝，降低成本的同時(shí)達(dá)到了電鍍金凸點(diǎn)的工藝效果，金凸點(diǎn)高度均勻性高，提高了產(chǎn)品的良率，縮短了產(chǎn)品制作周期，降低了生產(chǎn)成本。
[0063]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬凸點(diǎn)的制作方法，包括以下步驟: 晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球； 將所述金屬球頂部的線削去形成金屬凸點(diǎn)； 對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行機(jī)械粗磨磨平； 對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精磨磨平； 在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形； 將所述金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，所述金屬為金。
3.如權(quán)利要求2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球的步驟之前還包括以下步驟:在整片晶圓正面貼覆減薄膠膜；對(duì)晶圓進(jìn)行減?。怀ゾA正面膠膜。
4.如權(quán)利要求3所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在整片晶圓正面貼覆減薄膠膜的步驟中，將整片晶圓置于貼膜設(shè)備中，在晶圓(I)的正面，即芯片的功能區(qū)貼覆一層減薄膠膜。
5.如權(quán)利要求4所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在對(duì)晶圓進(jìn)行減薄的步驟中，通過減薄設(shè)備，根據(jù)不同晶圓及不同產(chǎn)品尺寸對(duì)晶圓(I)進(jìn)行減薄。
6.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在晶圓正面鋁墊壓區(qū)絲焊形成金屬球的步驟中，運(yùn)用絲焊技術(shù)，預(yù)先設(shè)置完成絲焊機(jī)的絲焊溫度及金球高度，與晶圓(I)各芯片的壓區(qū)(2) —一對(duì)應(yīng)，在壓區(qū)(2)表面上絲焊熔融形成金球。
7.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在將所述金屬球頂部的線削去形成金屬凸點(diǎn)的步驟中，使用晶圓級(jí)打線設(shè)備削去絲焊熔融金球頂部的絲線，即形成金屬凸點(diǎn)⑶。
8.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行機(jī)械粗磨磨平的步驟中，使用機(jī)械粗磨設(shè)備按照最低高度設(shè)置機(jī)械粗磨的基準(zhǔn)線對(duì)金屬凸點(diǎn)(3)進(jìn)行拋光，使金屬凸點(diǎn)(3)表面初平。
9.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在對(duì)所述金屬凸點(diǎn)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械精磨磨平的步驟中，使用化學(xué)機(jī)械精磨拋光，在軟化金屬凸點(diǎn)(3)表面的同時(shí)使金屬凸點(diǎn)(3)表面更加平整，不同高度的金屬凸點(diǎn)(3)在機(jī)械粗磨和化學(xué)機(jī)械精磨后高度基本持平。
10.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形的步驟中，制作一面有花紋另一面平整的板狀模具(4)，模具(4)有花紋的一面凹凸不平；將晶圓(I)平置，保持模具(4)與晶圓(I)水平，將模具(4)有花紋的一面對(duì)應(yīng)金屬凸點(diǎn)(3),施加3N?5N的壓力與晶圓(I)壓合,壓合后金屬凸點(diǎn)(3)表面形成向內(nèi)凹陷的花紋，表面凹凸。
11.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在將所述金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊的步驟中，通過熱壓焊的工藝將金屬凸點(diǎn)(3)與異方性導(dǎo)電膠膜(5)熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜(5)與晶圓⑴及金屬凸點(diǎn)(3)形成倒裝結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1或2所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在所述金屬凸點(diǎn)表面形成內(nèi)凹陷圖形的步驟中，進(jìn)一步包括以下步驟:制作有圖形的蝕刻模具；使用蝕刻的方式在金屬凸點(diǎn)頂部形成內(nèi)凹陷圖案；蝕刻后的金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊。
13.如權(quán)利要求12所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在制作有圖形的蝕刻模具的步驟中，制作一種有圖案的蝕刻模具￠)，蝕刻模具6刻有圖形。
14.如權(quán)利要求13所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在使用蝕刻的方式在金屬凸點(diǎn)頂部形成內(nèi)凹陷圖案的步驟中，將晶圓(I)平置，保持蝕刻模具(6)與晶圓(I)水平，將蝕刻模具(6)對(duì)應(yīng)晶圓(I)上的金屬凸點(diǎn)(3)，并將蝕刻模具(6)覆蓋于晶圓(I)上，蝕亥IJ模具(6)刻有圖形的部分裸露在外；在蝕刻模具(6)上刷光刻膠(7)，蝕刻模具(6)的圖形部分即填充光刻膠(7)，進(jìn)行蝕刻。
15.如權(quán)利要求14所述的金屬凸點(diǎn)制作方法，其特征在于，在蝕刻后的金屬凸點(diǎn)與異方性導(dǎo)電膠膜熱壓焊的步驟中，蝕刻后表面形成內(nèi)凹陷圖案的金屬凸點(diǎn)(3)，通過熱壓焊的工藝，與異方性導(dǎo)電膠膜(5)熱壓，異方性導(dǎo)電膠膜(5)與晶圓(I)及金屬凸點(diǎn)(3)形成倒裝結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK104465424SQ201410763509
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】丁萬春 申請(qǐng)人:南通富士通微電子股份有限公司