一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法
【專利摘要】一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法，它包括以下步驟：(1)用氫氟酸溶液對電池片進(jìn)行去PSG；(2)用氫氟酸和硝酸的混合液刻蝕掉硅片的邊緣部分；(3)用純水清理電池片表面的雜質(zhì)與殘留的酸；(4)用KOH溶液去除電池片表面的多孔硅，并中和刻蝕過程中殘留在表面的酸；(5)用純水清理表面的雜質(zhì)與殘留的堿；(6)用氫氟酸溶液中和電池片表面的堿；(7)用純水清洗掉電池片表面上的酸并吹干。其有益效果：無需使用高濃度的酸就可以刻蝕掉電池片的邊緣部分，而且不易出現(xiàn)刻蝕不足的問題，同時可以減少氫氟酸與硝酸的用量，降低成本，提高生產(chǎn)的安全性。
【專利說明】一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前常規(guī)的P型晶硅太陽能電池片在擴(kuò)散過程中產(chǎn)用的是背靠背擴(kuò)散方式，在硅 片邊緣部分將不可避免的發(fā)生磷擴(kuò)散，這樣會導(dǎo)致在PN結(jié)正面所收集的電流光生電子沿 著邊緣傳輸?shù)絇N結(jié)的邊緣部分，從而導(dǎo)致短路。由于擴(kuò)散過程中有氧的通入，這樣會在硅 片的表面形成一層二氧化硅，在600度的高溫下生成P0C13，部分P原子取代了硅片表面原 晶格上的Si原子形成n型半導(dǎo)體，而其中有一部分則留在了 Si02*形成了 PSG。PSG的存 在會使硅片表面容易受潮，會導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減。針對擴(kuò)散帶來的問題，需要刻 蝕掉硅片的邊緣部分以及去除PSG。目前在采用的工藝步驟為：1、用氫氟酸和硝酸的混合 液刻蝕掉硅片的邊緣部分；2、用純水清洗硅片表面的雜質(zhì)與殘留的酸；3、用氫氧化鉀溶液 去除硅片表面的多孔硅，中和刻蝕殘留在表面的酸；4、用純水清理硅片表面的雜質(zhì)與殘留 的堿；5、用氫氟酸溶液中和硅片表面的堿，去除硅片表面的PSG ;6、用純水清理硅片表面的 酸并吹干，采用這種方法去除PSG以及刻蝕掉硅片的邊緣部分，需要耗費(fèi)大量的酸，宄其原 因，是因?yàn)閿U(kuò)散后的硅片表面有一層PSG，刻蝕槽的酸的濃度必須在很高的情況下才可以把 硅片的邊緣部分刻蝕掉，否則就會出現(xiàn)很多刻蝕不足的情況。然后，刻蝕酸的用量大，不僅 提高了生產(chǎn)成本，而且對生產(chǎn)環(huán)境也造成一定的污染，不利于員工的生產(chǎn)操作。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法，既可以有 效的刻蝕掉硅片的邊緣部分以及PSG，又可以減少刻蝕酸的用量，降低成本，并提高生產(chǎn)操 作時的安全性。
[0004] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：
[0005] 一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法，它包括以下步驟：
[0006] (1).用氫氟酸溶液對電池片進(jìn)行去PSG ;
[0007] (2).用氫氟酸和硝酸的混合液刻蝕掉硅片的邊緣部分；
[0008] (3).用純水清理電池片表面的雜質(zhì)與殘留的酸；
[0009] (4).用KOH溶液去除電池片表面的多孔娃，并中和刻蝕過程中殘留在表面的酸；
[0010] (5).用純水清理表面的雜質(zhì)與殘留的堿；
[0011] (6).用氫氟酸溶液中和電池片表面的堿；
[0012] (7).用純水清洗掉電池片表面上的酸并吹干。
[0013] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有如下有益效果：無需使用高濃度的酸就可以刻蝕掉 電池片的邊緣部分，而且不易出現(xiàn)刻蝕不足的問題，同時可以減少氫氟酸與硝酸的用量，降 低成本，提高生產(chǎn)的安全性。

【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0015] 本發(fā)明一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法，它包括以下步驟：
[0016] (1).用氫氟酸溶液對電池片進(jìn)行去PSG ;
[0017] (2).用氫氟酸和硝酸的混合液刻蝕掉硅片的邊緣部分；
[0018] (3).用純水清理電池片表面的雜質(zhì)與殘留的酸；
[0019] (4).用KOH溶液去除電池片表面的多孔娃，并中和刻蝕過程中殘留在表面的酸；
[0020] (5).用純水清理表面的雜質(zhì)與殘留的堿；
[0021] (6).用氫氟酸溶液中和電池片表面的堿；
[0022] (7).用純水清洗掉電池片表面上的酸并吹干。
[0023] 產(chǎn)用【背景技術(shù)】中的工藝流程需要的用酸量如下表1所示：
[0024] 表 1
[0025]

【權(quán)利要求】
1. 一種減少太陽能電池片刻蝕酸用量的工藝方法，其特征在于：它包括以下步驟： (1) .用氫氟酸溶液對電池片進(jìn)行去PSG; (2) .用氫氟酸和硝酸的混合液刻蝕掉硅片的邊緣部分； (3) .用純水清理電池片表面的雜質(zhì)與殘留的酸； (4) .用KOH溶液去除電池片表面的多孔硅，并中和刻蝕過程中殘留在表面的酸； (5) .用純水清理表面的雜質(zhì)與殘留的堿； (6) .用氫氟酸溶液中和電池片表面的堿； (7) .用純水清洗掉電池片表面上的酸并吹干。
【文檔編號】H01L31/18GK104505431SQ201410771109
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】胡天賜, 崔紅星, 張文鋒, 胡應(yīng)全, 林海峰 申請人:東方日升新能源股份有限公司