本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種揭膜劑及其制備方法和減少LED芯片倒膜損失的方法。

背景技術(shù)：
隨著發(fā)光二極管(LED)于1960年的問世，LED在我們的周圍環(huán)境中開始廣泛的應(yīng)用，在日常生活中扮演著舉足輕重的角色，成為最受重視的光源技術(shù)之一，如各種指示燈、顯示器光源以及照明設(shè)備等都可以看到LED的應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)型照明光源如：熒光燈、白熾鎢絲燈泡等，LED擁有高亮度、低功耗、壽命長、啟動(dòng)快、體積小、環(huán)保節(jié)能、不易產(chǎn)生視覺疲勞等優(yōu)勢，有著廣闊的發(fā)展前景，受到人們廣泛關(guān)注。LED芯片的制作工藝主要包括外延生長、芯片前工藝、研磨和切割、點(diǎn)測和分選等，切割工藝又分為半切和全切兩種切割方式，LED芯片在全切工藝中背面需與藍(lán)膜緊密接觸，正電極朝上，全切結(jié)束后需進(jìn)行一次倒膜操作，即在芯片正面上方蓋上一張新藍(lán)膜，通過常用的翻模機(jī)來進(jìn)行倒膜操作，工作原理是對新藍(lán)膜接觸的主板進(jìn)行加熱，結(jié)束加熱后揭開原有藍(lán)膜，完成倒膜操作。經(jīng)檢索，中國專利公開號CN103794683A公開了一種新的倒膜工藝，該工藝包括：將從劃片機(jī)劃完后有裂紋的芯片連同崩環(huán)按芯片背面平放在倒膜機(jī)上；將倒膜環(huán)均勻的罩在所述崩環(huán)上，并確保所述芯片在所述倒膜環(huán)內(nèi)環(huán)中央位置；將藍(lán)膜覆蓋在崩環(huán)上，用超凈布從芯片中間向芯片兩邊輕輕擦拭開來，直至藍(lán)膜與芯片完全粘貼在一起并確保無氣泡；用倒膜機(jī)上的圓周刀將多余的藍(lán)膜切割下來；將所述崩環(huán)翻轉(zhuǎn)180°，平放在倒膜機(jī)臺面上；撕開白膜的一角，輕輕將白膜從所述倒膜環(huán)上揭下來；所述倒膜環(huán)為環(huán)形，內(nèi)環(huán)直徑比芯片直徑大0.5cm-1.5cm，該發(fā)明操作簡單，節(jié)省時(shí)間，并減少了不必要的浪費(fèi)。中國專利公開號CN202495467U公開了一種用于LED芯片倒膜工藝的倒膜板，該倒膜板包括相對較厚的不銹鋼主板以及粘合于該主板的相對較薄的兩塊不銹鋼輔板，可以使倒膜時(shí)倒膜板受力后釋放均勻，端面與芯片貼合度良好，不易掉管芯，保證了良好的倒膜效果，倒膜板端面耐磨損，不易發(fā)生形變，保證了較長的使用壽命。但是改進(jìn)的倒膜工藝和倒膜板均不能避免倒膜工藝中在揭膜時(shí)導(dǎo)致的晶粒損失。僅僅在加熱條件下的倒膜不可避免的存在芯片掉晶現(xiàn)象，以一顆尺寸為6.5mil的LED芯片為例，芯片在全切結(jié)束后含有74000顆晶粒，在倒膜工藝中會(huì)至少有1％的晶粒損失，也就是說會(huì)導(dǎo)致740顆晶粒的損失，在不涂抹任何揭膜劑的情況下直接進(jìn)行揭膜操作會(huì)導(dǎo)致40％的晶粒損失，嚴(yán)重影響企業(yè)的生產(chǎn)效率，大大增加了企業(yè)的生產(chǎn)成本，故避免倒膜工藝中的芯片損失非常重要。現(xiàn)有技術(shù)中有將丙酮作為揭膜劑，芯片在全切結(jié)束后將丙酮均勻涂抹在藍(lán)膜的表面再進(jìn)行揭膜，可以將晶粒損失降低至10％左右，晶粒損失的量仍然比較大，而且丙酮是劇毒物，對操作人員傷害比較大，長期接觸會(huì)致癌。因此需要研究一種安全的、揭膜效果好的揭膜劑。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
1.要解決的問題針對現(xiàn)有倒膜工藝中存在的晶粒損失及揭膜劑毒性大等問題，本發(fā)明提供一種揭膜劑及其制備方法和減少LED芯片倒膜損失的方法。本發(fā)明的揭膜劑由丙酮、異丙醇和硝酸在一定條件下混合得到，能夠快速軟化藍(lán)膜并且能夠快速揮發(fā)，不會(huì)滲透藍(lán)膜污染芯片，該揭膜劑揭膜效果特別好，能使揭膜過程中晶粒的損失降為零。2.技術(shù)方案為了解決上述問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下：一種揭膜劑，其組成成份及質(zhì)量份數(shù)為：丙酮10-15份，異丙醇10-30份，硝酸1-3份。優(yōu)選地，所述的丙酮10份，異丙醇10份，硝酸1份。優(yōu)選地，所述的硝酸的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％。上述的一種揭膜劑的制備方法，其步驟為：(a)按質(zhì)量比例稱取10-30份異丙醇和1-3份硝酸加入帶有攪拌裝置的調(diào)和釜中，在40-60℃條件下攪拌20-30min；(b)將10-15份丙酮以2份/分鐘的速度滴加入步驟(a)中的調(diào)和釜中；(c)滴加完畢后靜置15min，然后冷卻至室溫，得到上述的揭膜劑。優(yōu)選地，所述的步驟(a)中在55℃條件下攪拌25min。一種減少LED芯片倒膜損失的方法，其步驟為：(1)將全切結(jié)束的LED芯片加熱至30-35℃，然后在芯片表面覆蓋一層中轉(zhuǎn)膜，趕走芯片與中轉(zhuǎn)膜之間的氣泡；(2)將步驟(1)中貼完中轉(zhuǎn)膜后的LED芯片翻轉(zhuǎn)180°使中轉(zhuǎn)膜在LED芯片的底部；(3)將加熱臺加熱至60-80℃，然后將步驟(2)中的LED芯片移至加熱臺上加熱20-50秒；(4)加熱結(jié)束后將LED芯片從加熱臺上移至工作臺上，在LED芯片上表面的藍(lán)膜表面均勻涂抹權(quán)利要求1中所述的揭膜劑；(5)涂完揭膜劑后靜置0.5-1min，然后按與芯片切割道呈40-50°的方向揭膜。優(yōu)選地，所述的中轉(zhuǎn)膜為單層藍(lán)膜。優(yōu)選地，所述的步驟(2)中揭膜劑的涂抹體積V＝(0.1-0.3)mL/cm2。優(yōu)選地，所述的步驟(5)中按與芯片切割道呈45°的方向揭膜，揭膜速度為10-20mm/min。上述的揭膜劑在LED芯片倒膜工藝中的應(yīng)用。3.有益效果相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的有益效果為：(1)本發(fā)明中的揭膜劑由丙酮、異丙醇和硝酸在一定條件下混合得到，使用過程中可以達(dá)到快速軟化藍(lán)膜的效果，并且能夠快速揮發(fā)，不會(huì)滲透藍(lán)膜污染芯片；(2)本發(fā)明的揭膜劑在使用過程中可以確保倒膜過程中芯片無損失，增加生產(chǎn)效率；(3)本發(fā)明的一種揭膜劑的制備方法，在40-60℃條件下，將異丙醇、硝酸和丙酮依次進(jìn)行混合，得到一種高效的揭膜劑，揭膜劑對藍(lán)膜的軟化效果好，但又不至于使藍(lán)膜完全軟化溶解，方便揭膜操作，生產(chǎn)效率提高了40-50％；(4)本發(fā)明的一種減少LED芯片倒膜損失的方法，使用發(fā)明人自己制備的揭膜劑，控制揭膜劑的使用條件及使用量，使芯片倒膜工藝中的晶粒損失由以前的10％降至0，效果顯著，經(jīng)濟(jì)效益高；(5)本發(fā)明的揭膜劑組分中，丙酮含量低，與現(xiàn)有技術(shù)中以純丙酮作為揭膜劑相比，安全環(huán)保，對操作人員傷害小，值得推廣應(yīng)用；(6)本發(fā)明的一種減少LED芯片倒膜損失的方法，在涂完揭膜劑后，按與芯片切割道呈40-50°的方向揭膜，盡量壓低被揭膜的高度(≤3cm)，以緩慢的速度進(jìn)行揭膜(揭膜速度為10-20mm/min)，在這種條件下揭膜，晶粒的損失率最低，幾乎能達(dá)到零損失。附圖說明圖1為本發(fā)明的減少LED芯片倒膜損失的工藝流程簡圖；具體實(shí)施方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步進(jìn)行描述。實(shí)施例1一種揭膜劑，其組成成份及質(zhì)量份數(shù)為：丙酮10份，異丙醇10份，硝酸(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％)1份。為了得到上述物質(zhì)，一種揭膜劑的制備方法，其步驟為：(a)按質(zhì)量比例稱取10份異丙醇和1份硝酸(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％)加入帶有攪拌裝置的調(diào)和釜中，在55℃條件下攪拌25min；(b)將10份丙酮以2份/分鐘的速度滴加入步驟(a)中的調(diào)和釜中；(c)滴加完畢后靜置15min，然后冷卻至室溫，得到上述的揭膜劑。本實(shí)施例中的揭膜劑，組分安全，混合物中各物質(zhì)的分散度好，能快速軟化藍(lán)膜并且能夠快速揮發(fā)，不會(huì)滲透藍(lán)膜污染芯片。如圖1所示，一種減少LED芯片倒膜損失的方法，其步驟為：(1)將全切結(jié)束的LED芯片(芯片上與切割面相對的一面貼有藍(lán)膜)加熱至30℃，然后在芯片表面覆蓋一層中轉(zhuǎn)膜(中轉(zhuǎn)膜為單層藍(lán)膜，厚度為0.08mm，引張強(qiáng)度為20N/20mm，180°剝離粘著力為2.5N/20mm。)，趕走芯片與中轉(zhuǎn)膜之間的氣泡；(2)將步驟(1)中貼完中轉(zhuǎn)膜后的LED芯片翻轉(zhuǎn)180°使中轉(zhuǎn)膜在LED芯片的底部；(3)將加熱臺加熱至60℃，然后將步驟(2)中的LED芯片移至加熱臺上加熱50秒；(4)加熱結(jié)束后將LED芯片從加熱臺上移至工作臺上，在LED芯片上表面的藍(lán)膜表面均勻涂抹上述的揭膜劑，涂抹體積V＝0.3mL/cm2，本實(shí)施例中LED芯片的表面積為50cm2所以揭膜劑的涂抹量為15mL；(5)涂完揭膜劑后靜置0.5min，然后按與芯片切割道呈45°的方向揭膜，揭膜速度為15mm/min，這樣沒有晶粒損失。本實(shí)施例中的倒膜工藝，使用上述制備的揭膜劑軟化待揭去的藍(lán)膜，并且按照一定的方向和速度揭去藍(lán)膜，可以得到晶粒零損失的優(yōu)異效果，沒有晶粒損失。而現(xiàn)有技術(shù)中，以丙酮為揭膜劑時(shí)，晶粒的損失率為10％左右，晶粒損失量比較大，而且丙酮是劇毒物質(zhì)，不易經(jīng)常使用，綜上所述，本實(shí)施例中的揭膜劑和倒膜工藝安全環(huán)保，經(jīng)濟(jì)效益高，值得推廣使用。實(shí)施例2一種揭膜劑，其組成成份及質(zhì)量份數(shù)為：丙酮15份，異丙醇30份，硝酸(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％)3份。為了得到上述物質(zhì)，一種揭膜劑的制備方法，其步驟為：(a)按質(zhì)量比例稱取30份異丙醇和3份硝酸加入帶有攪拌裝置的調(diào)和釜中，在60℃條件下攪拌20min；(b)將15份丙酮以2份/分鐘的速度滴加入步驟(a)中的調(diào)和釜中；(c)滴加完畢后靜置15min，然后冷卻至室溫，得到上述的揭膜劑。本實(shí)施例中的揭膜劑，組分安全，混合物中各物質(zhì)的分散度好，能快速軟化藍(lán)膜并且能夠快速揮發(fā)，不會(huì)滲透藍(lán)膜污染芯片。一種減少LED芯片倒膜損失的方法，其步驟為：(1)將全切結(jié)束的LED芯片(芯片上與切割面相對的一面貼有藍(lán)膜)加熱至35℃，然后在芯片表面覆蓋一層中轉(zhuǎn)膜(單層藍(lán)膜)，趕走芯片與中轉(zhuǎn)膜之間的氣泡；(2)將步驟(1)中貼完中轉(zhuǎn)膜后的LED芯片翻轉(zhuǎn)180°使中轉(zhuǎn)膜在LED芯片的底部；(3)將加熱臺加熱至80℃，然后將步驟(2)中的LED芯片移至加熱臺上加熱20秒；(4)加熱結(jié)束后將LED芯片從加熱臺上移至工作臺上，在LED芯片上表面的藍(lán)膜表面均勻涂抹權(quán)利要求1中所述的揭膜劑，涂抹體積V＝0.1mL/cm2，本實(shí)施例中LED芯片的表面積為30cm2所以揭膜劑的涂抹量為3mL；(5)涂完揭膜劑后靜置1min，然后按與芯片切割道呈40°的方向揭膜，揭膜速度為10mm/min。本實(shí)施例中的倒膜工藝，使用上述制備的揭膜劑軟化待揭去的藍(lán)膜，并且按照一定的方向和速度揭去藍(lán)膜，可以得到晶粒零損失的優(yōu)異效果(檢測晶粒損失的方法為：揭膜后芯片轉(zhuǎn)移至中轉(zhuǎn)膜上，將中轉(zhuǎn)膜展開，放于晶粒計(jì)數(shù)器中計(jì)數(shù)，用理論值減去剩余芯片顆數(shù)得出損失的晶粒數(shù))，而現(xiàn)有技術(shù)中，以丙酮為揭膜劑時(shí)，晶粒的損失率為10％左右，晶粒損失量比較大，本發(fā)明沒有晶粒損失，而且丙酮是劇毒物質(zhì)，不易經(jīng)常使用，綜上所述，本實(shí)施例中的揭膜劑和倒膜工藝安全環(huán)保，經(jīng)濟(jì)效益高，值得推廣使用。實(shí)施例3一種揭膜劑，其組成成份及質(zhì)量份數(shù)為：丙酮12份，異丙醇20份，硝酸(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為68％)2份。為了得到上述物質(zhì)，一種揭膜劑的制備方法，其步驟為：(a)按質(zhì)量比例稱取20份異丙醇和2份硝酸加入帶有攪拌裝置的調(diào)和釜中，在40℃條件下攪拌30min；(b)將12份丙酮以2份/分鐘的速度滴加入步驟(a)中的調(diào)和釜中；(c)滴加完畢后靜置15min，然后冷卻至室溫，得到上述的揭膜劑。本實(shí)施例中的揭膜劑，組分安全，混合物中各物質(zhì)的分散度好，能快速軟化藍(lán)膜并且能夠快速揮發(fā)，不會(huì)滲透藍(lán)膜污染芯片。一種減少LED芯片倒膜損失的方法，其步驟為：(1)將全切結(jié)束的LED芯片(芯片上與切割面相對的一面貼有藍(lán)膜)加熱至33℃，然后在芯片表面覆蓋一層中轉(zhuǎn)膜(單層藍(lán)膜)，趕走芯片與中轉(zhuǎn)膜之間的氣泡；(2)將步驟(1)中貼完中轉(zhuǎn)膜后的LED芯片翻轉(zhuǎn)180°使中轉(zhuǎn)膜在LED芯片的底部；(3)將加熱臺加熱至70℃，然后將步驟(2)中的LED芯片移至加熱臺上加熱35秒；(4)加熱結(jié)束后將LED芯片從加熱臺上移至工作臺上，在LED芯片上表面的藍(lán)膜表面均勻涂抹權(quán)利要求1中所述的揭膜劑，涂抹體積V＝0.2mL/cm2，本實(shí)施例中LED芯片的表面積為45cm2所以揭膜劑的涂抹量為9mL；(5)涂完揭膜劑后靜置0.7min，然后按與芯片切割道呈50°的方向揭膜，揭膜速度為20mm/min。綜上所述，本實(shí)施例中的揭膜劑和倒膜工藝安全環(huán)保，經(jīng)濟(jì)效益高，值得推廣使用。