Oled陣列基板及其制作方法、封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種OLED陣列基板及其制作方法、封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。其中，OLED陣列基板，包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述OLED陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠在保證OLED陣列基板透過(guò)率的前提下改善陰極搭接不良的問(wèn)題，降低OLED陣列基板的功耗。
【專(zhuān)利說(shuō)明】OLED陣列基板及其制作方法、封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種OLED陣列基板及其制作方法、OLED封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]OLED(Organic Light-Emitting D1de,有機(jī)發(fā)光二極管)器件由于其具有的全固態(tài)結(jié)構(gòu)、高亮度、全視角、響應(yīng)速度快、工作溫度范圍寬、可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等一系列優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)成為極具競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展前景的下一代顯示技術(shù)。OLED器件中使用的有機(jī)發(fā)光材料和陰極材料對(duì)水和氧氣特別敏感，過(guò)于潮濕或氧氣含量過(guò)高都將影響OLED器件的使用壽命。
[0003]為了有效的阻隔水和氧對(duì)OLED器件的影響，需要對(duì)OLED器件進(jìn)行封裝，將OLED陣列基板和封裝基板采用封框膠進(jìn)行粘結(jié)固定，以實(shí)現(xiàn)密閉的器件結(jié)構(gòu)，阻隔空氣中的水和氧氣，在OLED陣列基板和封裝基板之間還設(shè)置有用以支撐盒厚的隔墊物。
[0004]現(xiàn)有的頂發(fā)射OLED器件一般需要設(shè)置較薄的陰極從而保證較高的光透過(guò)率，但是由于OLED陣列基板的起伏較大，較薄的陰極容易在OLED陣列基板上起伏較大的區(qū)域(如隔墊物處)發(fā)生搭接不良，從而導(dǎo)致陰極的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設(shè)置過(guò)厚的陰極則會(huì)導(dǎo)致OLED陣列基板透過(guò)率的下降，影響顯示效果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種OLED陣列基板及其制作方法、OLED封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置，能夠在保證OLED陣列基板透過(guò)率的前提下改善陰極搭接不良的問(wèn)題，降低OLED陣列基板的功耗。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，提供一種OLED陣列基板，包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述OLED陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
[0008]優(yōu)選的，所述第一區(qū)域陰極的厚度處處相等，所述第二區(qū)域陰極的厚度處處相等。
[0009]優(yōu)選的，所述第一區(qū)域陰極的厚度比所述第二區(qū)域陰極的厚度大l_20nm。
[0010]另一方面，提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括上述的OLED陣列基板和封裝基板。
[0011]優(yōu)選的，所述OLED陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過(guò)封框膠粘結(jié)固定。
[0012]可選的，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)還包括用于支撐所述OLED陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位于所述封框膠的內(nèi)部。
[0013]又一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。
[0014]再一方面，提供一種OLED陣列基板的制作方法，所述OLED陣列基板包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述OLED陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述制作方法包括:
[0015]在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
[0016]優(yōu)選的，形成陰極包括:
[0017]在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一陰極圖形；
[0018]在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
[0019]可選的，所述在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域的第二陰極圖形包括:
[0020]將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的開(kāi)口；
[0021]利用與所述蒸鍍掩膜板相對(duì)設(shè)置的陰極蒸發(fā)源進(jìn)行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0023]在OLED陣列基板上，隔墊物所在區(qū)域的起伏較大，本發(fā)明在不改變其他區(qū)域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區(qū)域的厚度，從而能夠在不減少發(fā)光區(qū)域陰極透過(guò)率的情況下，改善陰極在起伏較大區(qū)域搭接不良的問(wèn)題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為現(xiàn)有OLED陣列基板的平面示意圖；
[0025]圖2為圖1中BB’方向的截面示意圖；
[0026]圖3為圖2中A部分的放大示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例OLED陣列基板的平面示意圖；
[0028]圖5為圖4中BB’方向的截面示意圖；
[0029]圖6為圖5中C部分的放大示意圖。
[0030]附圖標(biāo)記
[0031]11隔墊物12子像素13陰極
[0032]14第一區(qū)域的陰極15像素界定層16第二區(qū)域的陰極

【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0034]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種OLED陣列基板及其制作方法、OLED封裝結(jié)構(gòu)、顯示裝置，能夠在保證OLED陣列基板透過(guò)率的前提下改善陰極搭接不良的問(wèn)題，降低OLED陣列基板的功耗。
[0035]實(shí)施例一
[0036]圖1為現(xiàn)有OLED陣列基板的平面示意圖，圖2為圖1中BB’方向的截面示意圖，圖3為圖2中A部分的放大示意圖。
[0037]在OLED陣列基板上形成有薄膜晶體管、像素界定層、陽(yáng)極、有機(jī)功能層和陰極，像素界定層界15定出多個(gè)子像素12?，F(xiàn)有的頂發(fā)射OLED器件一般需要設(shè)置較薄的陰極13從而保證較高的光透過(guò)率，但是由于OLED陣列基板需要與封裝基板進(jìn)行封裝，因此，還需要在OLED陣列基板上設(shè)置支撐盒厚的隔墊物11，隔墊物11的高度主要由形成陰極前形成的平坦化層樹(shù)脂和像素定義層樹(shù)脂組成，陰極13覆蓋在隔墊物11上。由于隔墊物11具有一定的高度，因此，在設(shè)置隔墊物11的區(qū)域OLED陣列基板的起伏較大，如圖3所示，較薄的陰極容易在隔墊物11處發(fā)生搭接不良，從而導(dǎo)致陰極13的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設(shè)置過(guò)厚的陰極則會(huì)導(dǎo)致OLED陣列基板透過(guò)率的下降，影響顯示效果。
[0038]為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述OLED陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
[0039]在OLED陣列基板上，隔墊物所在區(qū)域的起伏較大，本發(fā)明在不改變其他區(qū)域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區(qū)域的厚度，從而能夠在不減少發(fā)光區(qū)域陰極透過(guò)率的情況下，改善陰極在起伏較大區(qū)域搭接不良的問(wèn)題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0040]圖4為本實(shí)施例OLED陣列基板的平面示意圖，圖5為圖4中BB’方向的截面示意圖，圖6為圖5中C部分的放大示意圖。如圖5和圖6所示，OLED陣列基板的陰極包括覆蓋隔墊物11的第一區(qū)域和除第一區(qū)域外的第二區(qū)域，第一區(qū)域陰極14的厚度大于第二區(qū)域陰極16的厚度。
[0041]進(jìn)一步地，第一區(qū)域陰極14的厚度處處相等，第二區(qū)域陰極16的厚度處處相等。具體地，第一區(qū)域陰極14的厚度可以比第二區(qū)域陰極16的厚度大l_20nm。本實(shí)施例僅增厚部分陰極的厚度，不會(huì)對(duì)發(fā)光區(qū)域陰極的透過(guò)率造成影響，并且能夠顯著改善陰極在起伏較大區(qū)域搭接不良的問(wèn)題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0042]實(shí)施例二
[0043]本發(fā)明還提供了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括上述的OLED陣列基板和封裝基板。
[0044]其中，所述OLED陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過(guò)封框膠粘結(jié)固定，所述OLED封裝結(jié)構(gòu)還包括用于支撐所述OLED陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位于所述封框膠的內(nèi)部。
[0045]由于隔墊物具有一定的高度，因此，在設(shè)置隔墊物的區(qū)域OLED陣列基板的起伏較大，本實(shí)施例在不改變其他區(qū)域陰極厚度的前提下，增厚陰極在隔墊物所在區(qū)域的厚度，從而能夠在不減少發(fā)光區(qū)域陰極透過(guò)率的情況下，改善陰極在起伏較大區(qū)域搭接不良的問(wèn)題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0046]實(shí)施例三
[0047]本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。該顯示裝置可以是:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0048]實(shí)施例四
[0049]圖1為現(xiàn)有OLED陣列基板的平面示意圖，圖2為圖1中BB’方向的截面示意圖，圖3為圖2中A部分的放大示意圖。
[0050]在OLED陣列基板上形成有薄膜晶體管、像素界定層、陽(yáng)極、有機(jī)功能層和陰極，像素界定層界15定出多個(gè)子像素12?，F(xiàn)有的頂發(fā)射OLED器件一般需要設(shè)置較薄的陰極13從而保證較高的光透過(guò)率，但是由于OLED陣列基板需要與封裝基板進(jìn)行封裝，因此，還需要在OLED陣列基板上設(shè)置支撐盒厚的隔墊物11，隔墊物11的高度主要由形成陰極前形成的平坦化層樹(shù)脂和像素定義層樹(shù)脂組成，陰極13覆蓋在隔墊物11上。由于隔墊物11具有一定的高度，因此，在設(shè)置隔墊物11的區(qū)域OLED陣列基板的起伏較大，如圖3所示，較薄的陰極容易在隔墊物11處發(fā)生搭接不良，從而導(dǎo)致陰極13的電阻上升，增加了 OLED陣列基板的功耗；而如果設(shè)置過(guò)厚的陰極則會(huì)導(dǎo)致OLED陣列基板透過(guò)率的下降，影響顯示效果。
[0051]為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板的制作方法，所述OLED陣列基板包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述OLED陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述OLED陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述制作方法包括:
[0052]在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
[0053]圖4為本實(shí)施例制作的OLED陣列基板的平面示意圖，圖5為圖4中BB’方向的截面示意圖，圖6為圖5中C部分的放大示意圖。如圖5和圖6所示，本實(shí)施例制作的OLED陣列基板的陰極包括覆蓋隔墊物11的第一區(qū)域和除第一區(qū)域外的第二區(qū)域，第一區(qū)域陰極14的厚度大于第二區(qū)域陰極16的厚度。
[0054]進(jìn)一步地，本實(shí)施例形成的第一區(qū)域陰極14的厚度處處相等，第二區(qū)域陰極16的厚度處處相等。具體地，第一區(qū)域陰極14的厚度可以比第二區(qū)域陰極16的厚度大l_20nm。
[0055]進(jìn)一步地，形成陰極的步驟具體包括:
[0056]在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一陰極圖形；
[0057]在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
[0058]由于第一區(qū)域比第二區(qū)域多了第二陰極圖形，因此，第一區(qū)域陰極的厚度大于第二區(qū)域陰極的厚度。
[0059]具體地，可以采用蒸鍍的方法在形成有第一陰極圖形的基板上形成第二陰極圖形，所述在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域的第二陰極圖形包括:
[0060]將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的開(kāi)口；
[0061]利用與所述蒸鍍掩膜板相對(duì)設(shè)置的陰極蒸發(fā)源進(jìn)行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
[0062]本實(shí)施例僅增厚部分陰極的厚度，不會(huì)對(duì)發(fā)光區(qū)域陰極的透過(guò)率造成影響，并且能夠顯著改善陰極在起伏較大區(qū)域搭接不良的問(wèn)題，降低陰極電阻，從而降低OLED陣列基板的功耗。
[0063]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種01^0陣列基板，包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述0120陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述0120陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，其特征在于，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的01^0陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域陰極的厚度處處相等，所述第二區(qū)域陰極的厚度處處相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的01^0陣列基板，其特征在于，所述第一區(qū)域陰極的厚度比所述第二區(qū)域陰極的厚度大1-2011111。
4.一種01^0封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的01^0陣列基板和封裝基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的0120封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述0120陣列基板和所述封裝基板的邊緣通過(guò)封框膠粘結(jié)固定。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的01^0封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述01^0封裝結(jié)構(gòu)還包括用于支撐所述01^0陣列基板和所述封裝基板之間盒厚的隔墊物，所述隔墊物位于所述封框膠的內(nèi)部。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求4-6中任一項(xiàng)所述的況即封裝結(jié)構(gòu)。
8.—種01^0陣列基板的制作方法，所述01^0陣列基板包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、陰極以及位于所述陽(yáng)極和陰極之間的有機(jī)發(fā)光層，所述0120陣列基板上還設(shè)置有用于支撐所述0120陣列基板和封裝基板之間盒厚的隔墊物，其特征在于，所述制作方法包括: 在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成陰極，所述陰極包括覆蓋所述隔墊物的第一區(qū)域和除所述第一區(qū)域外的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域陰極的厚度大于所述第二區(qū)域陰極的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的01^0陣列基板的制作方法，其特征在于，形成陰極包括: 在形成有所述隔墊物、薄膜晶體管、陽(yáng)極和有機(jī)發(fā)光層的基板上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一陰極圖形； 在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的第二陰極圖形，所述第一陰極圖形與所述第二陰極圖形組成所述陰極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的01^0陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一陰極圖形上形成對(duì)應(yīng)所述第二區(qū)域的第二陰極圖形包括: 將形成有所述第一陰極圖形的基板與蒸鍍掩膜板緊密貼合，所述蒸鍍掩膜板包括有對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域的開(kāi)口； 利用與所述蒸鍍掩膜板相對(duì)設(shè)置的陰極蒸發(fā)源進(jìn)行蒸鍍，在所述基板上形成所述第二陰極圖形。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104465709SQ201410832038
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月26日
【發(fā)明者】孫亮 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司