Rfldmos器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法，該方法是將用于填充金屬實(shí)現(xiàn)源端、溝道和襯底連接的超深溝槽的版圖陣列設(shè)計(jì)成錯(cuò)位交叉排布形式。該方法通過(guò)將超深溝槽設(shè)計(jì)成錯(cuò)位交叉排布方式，避免了超深溝槽在同一方向上的隔斷或者硅片內(nèi)同一方向上的應(yīng)力過(guò)大，從而緩解了硅片的翹曲度，有效地降低了硅片減薄過(guò)程中碎片的產(chǎn)生。
【專(zhuān)利說(shuō)明】RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造工藝，特別是涉及RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法。

【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)用于基站等的大功率射頻器件RFLDM0S，如圖1所示，器件位于重?fù)诫s基板生長(zhǎng)的外延層中，漏端有一個(gè)較長(zhǎng)的漂移區(qū)，以得到所需的擊穿電壓，溝道由自對(duì)準(zhǔn)柵極源端邊緣的P型離子注入，并通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間高溫推進(jìn)形成，其引出端在源的同一側(cè)，器件的源和溝道要連接到重?fù)诫s的基板上。目前我們采用超深溝槽刻蝕并填入無(wú)空隙的金屬，通常為鎢，連到P型重?fù)诫s的基板上，確保器件的源和溝道有很好的背面金屬引出，這一填入金屬鎢的溝槽稱(chēng)為鎢塞。相對(duì)于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中P型摻雜擴(kuò)散工藝實(shí)現(xiàn)的源端、溝道和襯底的連接，圖1的連接方式可以大大降低電阻和內(nèi)部熱阻。
[0003]在這種含有鎢塞的工藝流程中，填充材料的不同，膜質(zhì)結(jié)構(gòu)的不同，以及溝槽深度等都會(huì)在熱過(guò)程中產(chǎn)生應(yīng)力的不匹配，即熱膨脹系數(shù)失配。如果超深溝槽的版圖排布的方向相同，如圖2所示，硅片面內(nèi)同一方向的應(yīng)力一致作用于硅片，會(huì)導(dǎo)致硅片產(chǎn)生翹曲形變，這種翹曲形變?cè)跍p薄之后更加嚴(yán)重，導(dǎo)致RFLDMOS硅片在減薄過(guò)程中產(chǎn)生一定的碎片，影響正常的生產(chǎn)流片。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法，它可以降低硅片的翹曲度。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法，是將超深溝槽設(shè)計(jì)成錯(cuò)位交叉排布方式。
[0006]所述超深溝槽用于填充金屬(通常為鎢)，實(shí)現(xiàn)源端、溝道和襯底的連接。
[0007]較佳的，所述超深溝槽可以采用品字交叉排布方式。
[0008]較佳的，所述超深溝槽可以采用橫豎交叉排布方式。
[0009]較佳的，所述超深溝槽可以采用回旋交叉排布方式。
[0010]所述超深溝槽的寬度根據(jù)填充的材質(zhì)不同而不同，通常的寬度為0.5?2微米；超深溝槽之間的距離根據(jù)填充材料和工藝能力不同而不同，通常的距離為I?2微米。
[0011]本發(fā)明通過(guò)將超深溝槽設(shè)計(jì)成錯(cuò)位交叉排布方式，避免了超深溝槽在同一方向上的隔斷或者硅片內(nèi)同一方向上的應(yīng)力過(guò)大，從而緩解了硅片的翹曲度，有效地降低了硅片減薄過(guò)程中碎片的產(chǎn)生。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是RFLDMOS的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2是RFLDMOS的器件陣列版圖。
[0014]圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法。
[0015]圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法。
[0016]圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法。

【具體實(shí)施方式】
[0017]為對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖，詳述如下:
[0018]實(shí)施例1
[0019]本實(shí)施例中，在RFLDMOS器件陣列版圖中，鎢超深溝槽采用品字交叉排列形式，如圖3所示。采用這種排布方式可以避免圖2的排布方式中超深溝槽在同一方向上的隔斷，從而使超深溝槽的隔斷更加均勻，不容易發(fā)生裂片。
[0020]實(shí)施例2
[0021]本實(shí)施例中，在RFLDMOS器件陣列版圖中，鎢超深溝槽采用橫豎交叉排列形式，如圖4所示。采用這種排布方式可以平衡硅片面內(nèi)X方向和Y方向上的應(yīng)力，避免因同一方向上的應(yīng)力過(guò)大而導(dǎo)致的硅片翹曲。
[0022]實(shí)施例3
[0023]本實(shí)施例中，在RFLDMOS器件陣列版圖中，鎢超深溝槽采用回旋交叉排列形式，如圖5所示。采用這種排布方式不僅可以平衡硅片面內(nèi)X方向和Y方向上的應(yīng)力，而且可以避免超深溝槽在同一方向上的隔斷，從而對(duì)緩解硅片的翹曲有很大幫助。
【權(quán)利要求】
1.RFLDMOS器件陣列版圖中超深溝槽的排列方法，所述超深溝槽用于填充金屬，實(shí)現(xiàn)源端、溝道和襯底的連接，其特征在于，所述超深溝槽呈錯(cuò)位交叉排布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽呈品字交叉排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽呈橫豎交叉排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽呈回旋交叉排布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽的寬度為0.5?2微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽之間的距離為I?2微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述超深溝槽之間的距離為I?2微米。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK104465406SQ201410848305
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月29日
【發(fā)明者】蔡瑩 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司