晶片型通訊單元的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種晶片型通訊單元，包括天線芯片、電路芯片，其中天線芯片為具有頂面和底面的基板，基板上蝕刻有：L型低頻區(qū)，具有橫向部和縱向部，橫向部形成于基板頂面，縱向部朝向基板底面；中頻區(qū)，包括兩條平行的金屬線段，分別位于基板頂面的側(cè)邊和基板底面的同一側(cè)邊；高頻區(qū)為位于基板頂面的直線；連接區(qū)，連接基板頂面的低頻區(qū)、中頻區(qū)、高頻區(qū)及基板底面的中頻區(qū)并通過輸出端連接電路芯片；電路芯片上包括有LC諧振電路和信號處理放大器，其中LC諧振電路具有三組，分別電連接天線芯片上的低頻區(qū)、中頻區(qū)和高頻區(qū)；LC諧振電路電連接信號處理放大器。本實(shí)用新型公開的通訊單元能滿足主流的LTE通訊帶寬要求，并提供良好的封裝。
【專利說明】晶片型通訊單元
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種，通訊單元，封裝在兩組芯片中，屬于通訊領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]LTE技術(shù)是目前國內(nèi)外移動通訊技術(shù)焦點(diǎn)，目前中國移動已經(jīng)推出了 LTE-TDD移動通訊數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)，為了提高LTE終端的帶寬，LTE結(jié)合使用了正交多任務(wù)分頻(OFDM)及多重輸入輸出(MMO)兩項(xiàng)技術(shù)。
[0003]由于各國的無線頻譜分配原因，在不同的國家LTE頻段是不同的，導(dǎo)致手機(jī)內(nèi)的LTE模組必須滿足下述要求:在高頻和低頻都有良好的增益；同時涵蓋多個頻帶以降低研發(fā)成本；通訊模組的體積應(yīng)盡可能小以滿足消費(fèi)者需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為滿足現(xiàn)有技術(shù)的需要，本實(shí)用新型公開了一種晶片型通訊模組，通過采用芯片封裝整合多頻段并降低其空間占用，同時保持良好的信號接收能力。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型是通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]晶片型通訊單元，包括天線芯片、電路芯片，其中天線芯片為具有頂面和底面的基板，基板上蝕刻有:L型低頻區(qū)，具有橫向部和縱向部，橫向部形成于基板頂面，縱向部朝向基板底面；中頻區(qū)，包括兩條平行的金屬線段，分別位于基板頂面的側(cè)邊和基板底面的同一側(cè)邊；高頻區(qū)為位于基板頂面的直線；連接區(qū)，連接基板頂面的低頻區(qū)、中頻區(qū)、高頻區(qū)及基板底面的中頻區(qū)并通過輸出端連接電路芯片；電路芯片上包括有LC諧振電路和信號處理放大器，其中LC諧振電路具有三組，分別電連接天線芯片上的低頻區(qū)、中頻區(qū)和高頻區(qū)；LC諧振電路電連接信號處理放大器。
[0007]在本實(shí)用新型中，以低頻區(qū)涵蓋700M Hz頻段，以中頻區(qū)涵蓋850M Hz頻段，以高頻區(qū)涵蓋2100MHz頻段，從而完整整合了 LTE頻段覆蓋；為了保證信號質(zhì)量，隔離頻段干擾，通過LC諧振電路將三個頻段的無線電波信號進(jìn)行了隔離和共振強(qiáng)化，最后傳輸給手機(jī)的信號處理放大器(或稱信號放大處理器)。
[0008]其中，低頻區(qū)的縱向部形成導(dǎo)電柱，以連接形成于基板底面的低頻區(qū)段縱向部沖頻區(qū)的兩條金屬線段位置穿設(shè)多個導(dǎo)電柱，使基板頂面和底面的金屬線段連接；連接區(qū)處形成多個導(dǎo)電柱，以連接基板頂面和底面的連接區(qū)；連接區(qū)的輸出端形成有導(dǎo)電柱以穩(wěn)定連接LC諧振電路。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1、2為本實(shí)用新型晶片型通訊單元的俯視圖和仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]參考附圖所示，本實(shí)用新型的晶片型通訊單元包括天線芯片和電路芯片，其中天線芯片的基板10具有頂面及底面，其天線部分包括:L型低頻區(qū)30，具有橫向部31及縱向部32，橫向部31位于基板10的頂面，縱向部32位于基板10底面，其中縱向部32上具有導(dǎo)電柱33連接形成于基板10底面的低頻區(qū)30縱向部32 ;中頻區(qū)40，包括兩個平行的金屬線段401、402，分別位于基板的頂面和底面，其中金屬線段401與低頻區(qū)30的橫向部31平行，基板10對應(yīng)金屬線段401、402處穿設(shè)有多個并列的導(dǎo)電柱41，使基板10頂面及底面的金屬線段401、402連接；高頻區(qū)50，是一條金屬線，位于基板10的頂面，與中頻區(qū)40位于基板頂面的金屬線段401排列于同一長軸上；連接區(qū)60，位于基板10的頂面及底面，連接基板10頂面的低頻區(qū)30的橫向部31、中頻區(qū)40、高頻區(qū)50及基板10底面的中頻區(qū)40。
[0011]基板10對應(yīng)于連接區(qū)60處具有多個導(dǎo)電柱61連接基板頂面及底面的連接區(qū)60 ；輸出端80，位于基板10的底面，并與連接區(qū)60連接，從而將信號輸出至電路芯片20，基板10對應(yīng)于輸出區(qū)80處具有導(dǎo)電柱81。
[0012]電路芯片20，位于基板10的一側(cè)，在FPC電路板上設(shè)有三組LC諧振電路201、202、203和一個信號處理放大器204。
[0013]為了進(jìn)一步抑制干擾，還設(shè)有饋電端70，位于基板10的頂面并與連接區(qū)60連接。
【權(quán)利要求】
1.晶片型通訊單元，其特征在于包括天線芯片、電路芯片，其中天線芯片為具有頂面和底面的基板，基板上蝕刻有:L型低頻區(qū)，具有橫向部和縱向部，橫向部形成于基板頂面，縱向部朝向基板底面；中頻區(qū)，包括兩條平行的金屬線段，分別位于基板頂面的側(cè)邊和基板底面的同一側(cè)邊；高頻區(qū)為位于基板頂面的直線；連接區(qū)，連接基板頂面的低頻區(qū)、中頻區(qū)、高頻區(qū)及基板底面的中頻區(qū)并通過輸出端連接電路芯片；電路芯片上包括有LC諧振電路和信號處理放大器，其中LC諧振電路具有三組，分別電連接天線芯片上的低頻區(qū)、中頻區(qū)和高頻區(qū)；LC諧振電路電連接信號處理放大器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片型通訊單元，其特征在于低頻區(qū)的縱向部形成導(dǎo)電柱，以連接形成于基板底面的低頻區(qū)段縱向部；中頻區(qū)的兩條金屬線段位置穿設(shè)多個導(dǎo)電柱，使基板頂面和底面的金屬線段連接；連接區(qū)處形成多個導(dǎo)電柱，以連接基板頂面和底面的連接區(qū)；連接區(qū)的輸出端形成有導(dǎo)電柱以穩(wěn)定連接LC諧振電路。
【文檔編號】H01Q5/10GK203721879SQ201420094010
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月3日
【發(fā)明者】鄭創(chuàng)標(biāo) 申請人:深圳市科帆通科技有限公司