Eeprom測試結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型揭示了一種EEPROM測試結構，用于前段工藝的檢測，包括：第一金屬結構、第二金屬結構、第三金屬結構和第四金屬結構，所述第一金屬結構和第三金屬結構通過第一頂層金屬在上端連通，所述第二金屬結構和第四金屬結構通過第二頂層金屬在上端連通，所述第一金屬結構和第二金屬結構分別連接于選擇柵和控制柵，所述第三金屬結構和第四金屬結構分別引出連接線。本測試結構有效地屏蔽了柵極結構暴露于后段工藝的面積，從而降低甚至避免了等離子體對器件的損傷，保證了檢測結果。
【專利說明】EEPROM測試結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體【技術領域】，特別是涉及一種EEPROM (電可擦除可編程只讀存儲器)測試結構。
【背景技術】
[0002]EEPROM作為一種非易失性存儲器由于其具有簡單、方便、可靠的性能和低廉的價格的優(yōu)勢而被廣為使用。
[0003]自然的，在迎合需求的同時，EEPROM的性能得到保證，才是其立足之根本。目前Fab里通常采用線上檢測(inline monitor)的方法,例如包括對編程電壓Vt-PGM,擦除電壓Vt-ERS等前段工藝(FEOL)的主要參數(shù)進行檢測。如圖1所示的結構，EEPR0M1通過引線2將控制柵(CG)、選擇柵(SG)連接至測試焊盤(Prober Pad)上。但是，現(xiàn)今在檢測時發(fā)現(xiàn)，由于后段工藝(BEOL)等離子體過程的影響，會使得器件的擦除電壓受到影響，測試會失敗。實際的器件結構是在EEPROM的陣列旁設置有保護器件(例如BSG-byte selectedthansistor),將后段工藝中的等離子體隔離開，避免對器件的影響，但是采用了 BSG等保護器件會使得由于其直接連接點控制柵而導致編程電壓不能夠檢測。
[0004]因此，如何使得EEPROM在前段工藝的參數(shù)檢測時，具有較佳的等離子體免疫性(plasma immunity),是至關重要的。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于，提供一種EEPROM測試結構，以降低后段工藝中等離子體對器件的影響，獲得較佳的測試結果。
[0006]為解決上述技術問題，本實用新型提供一種EEPROM測試結構，用于前段工藝的檢測，包括:第一金屬結構、第二金屬結構、第三金屬結構和第四金屬結構，所述第一金屬結構和第三金屬結構通過第一頂層金屬在上端連通，所述第二金屬結構和第四金屬結構通過第二頂層金屬在上端連通，所述第一金屬結構和第二金屬結構分別連接于選擇柵和控制柵，所述第三金屬結構和第四金屬結構分別引出連接線。
[0007]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第一金屬結構至少包括第一金屬層，所述第一金屬層連接于選擇柵多晶硅。
[0008]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第三金屬結構至少包括第一金屬層，所述第一金屬層連接于控制柵多晶硅。
[0009]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第二金屬結構和第四金屬結構至少包括第一金屬層，所述連接線由所述第一金屬層引出，連接至測試焊盤。
[0010]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第一金屬結構和第三金屬結構之間的間距大于3um。
[0011]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第二金屬結構和第四金屬結構之間的間距大于3um。[0012]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第一金屬結構和第二金屬結構之間的間距大于I μ m。
[0013]可選的，對于所述的EEPROM測試結構，所述第三金屬結構和第四金屬結構之間的間距大于I μ m。
[0014]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型提供的EEPROM測試結構，通過第一頂層金屬將第一金屬結構和第三金屬結構連接起來，第二頂層金屬將第二金屬結構和第四金屬結構連接起來，有效地屏蔽了柵極結構暴露于后段工藝的面積，從而降低甚至避免了等離子體對器件的損傷，如此能夠獲得精確的檢測結果，使得器件的質量得到保證。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術EEPROM測試結構的示意圖；
[0016]圖2為本實用新型中EEPROM測試結構的示意圖。
【具體實施方式】
[0017]下面將結合示意圖對本實用新型的EEPROM測試結構進行更詳細的描述，其中表示了本實用新型的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本實用新型，而仍然實現(xiàn)本實用新型的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本實用新型的限制。
[0018]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本實用新型由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0019]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實用新型。根據(jù)下面說明和權利要求書，本實用新型的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0020]本實用新型的核心思想在于，提供一種EEPROM測試結構，用于前段工藝的檢測，包括:第一金屬結構、第二金屬結構、第三金屬結構和第四金屬結構，所述第一金屬結構和第三金屬結構通過第一頂層金屬在上端連通，所述第二金屬結構和第四金屬結構通過第二頂層金屬在上端連通，所述第一金屬結構和第二金屬結構分別連接于選擇柵和控制柵，所述第三金屬結構和第四金屬結構分別引出連接線。
[0021]請參考圖2，所述EEPROM測試結構包括基底100，所述基底100至少包括半導體襯底、器件層等，如在本實施例中，圖2示出了器件層中的選擇柵(select gate)多晶硅1001和控制柵(control gate)多晶娃1002。所述基底100的結構為公知常識,本實施例僅介紹出與本實用新型相關聯(lián)的部分，除此不做贅述。
[0022]在所述選擇柵多晶娃1001上形成有第一金屬結構10,所述第一金屬結構10優(yōu)選為多層金屬層結構，每層金屬層之間通過通孔(via)連通，如圖2中示出了第一金屬結構10中的第一金屬層101,所述第一金屬層101連接于所述選擇柵多晶娃1001,從而實現(xiàn)第一金屬結構10連接于選擇柵。在所述控制柵多晶硅1002上形成有第二金屬結構20，所述第二金屬結構20優(yōu)選為多層金屬層結構，每層金屬層之間通過通孔(via)連通，如圖2中示出了第二金屬結構20中的第一金屬層201,所述第一金屬層201連接于所述控制柵多晶娃1002，從而實現(xiàn)第二金屬結構20連接于控制柵。所述第一金屬結構10與第二金屬結構20之間的間距優(yōu)選為大于I μ m,或者按照實際設計需要進行分布。
[0023]如圖2中所述，以第一金屬結構10和第二金屬結構20的排列方向基準，定義出平行其排列方向的X方向與垂直其排列方向的y方向，在y方向一定間隔處，例如是大于3um,設置有第三金屬結構30和第四金屬結構40，同樣是，所述第三金屬結構30和第四金屬結構40優(yōu)選為多層金屬層結構，每層金屬層之間通過通孔(via)連通，如圖2中示出了第三金屬結構30中的第一金屬層301和第四金屬結構40中的第一金屬層401，所述第一金屬層301和第一金屬層401分別引出連接線50，所述連接線50連接至測試焊盤(未圖示)。所述第三金屬結構30和第四金屬結構40之間的間距大于I μ m。所述第一金屬結構10和第三金屬結構30通過第一頂層金屬13在上端連通，所述第二金屬結構20和第四金屬結構40通過第二頂層金屬24在上端連通，則使得控制柵/選擇柵實現(xiàn)與測試焊盤的電性相通。
[0024]在本實施例中，所述第一金屬層101、201、301及401可以是由同一金屬層經(jīng)圖案化后形成，較佳的，所述第一金屬結構10、第二金屬結構20、第三金屬結構30及第四金屬結構40包括相同的金屬層數(shù)，例如為3層、5層、6層等，且對應層數(shù)的金屬層為同一金屬層經(jīng)圖案化后形成。
[0025]由圖2可知，采取本實用新型這樣的結構，有效地屏蔽了柵極結構(選擇柵、控制柵)暴露于后段工藝的面積，降低甚至避免了等離子體對器件的損傷，如此能夠獲得精確的檢測結果，使得器件的質量得到保證。
[0026]顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種EEPROM測試結構，用于前段工藝的檢測，其特征在于，包括:第一金屬結構、第二金屬結構、第三金屬結構和第四金屬結構，所述第一金屬結構和第三金屬結構通過第一頂層金屬在上端連通，所述第二金屬結構和第四金屬結構通過第二頂層金屬在上端連通，所述第一金屬結構和第二金屬結構分別連接于選擇柵和控制柵，所述第三金屬結構和第四金屬結構分別引出連接線。
2.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第一金屬結構至少包括第一金屬層，所述第一金屬層連接于選擇柵多晶娃。
3.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第三金屬結構至少包括第一金屬層，所述第一金屬層連接于控制柵多晶娃。
4.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第二金屬結構和第四金屬結構至少包括第一金屬層，所述連接線由所述第一金屬層引出，連接至測試焊盤。
5.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第一金屬結構和第三金屬結構之間的間距大于3um。
6.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第二金屬結構和第四金屬結構之間的間距大于3um。
7.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第一金屬結構和第二金屬結構之間的間距大于I μ m。
8.如權利要求1所述的EEPROM測試結構，其特征在于，所述第三金屬結構和第四金屬結構之間的間距大于I μ m。
【文檔編號】H01L23/544GK203774312SQ201420103745
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權日:2014年3月7日
【發(fā)明者】周川淼, 張煥云, 方虹 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司