一種小型陶瓷厚膜射頻電阻的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種電阻，一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，包括具有長方形平板狀的陶瓷介質(zhì)、第一、二、三、四金屬導電膜及電阻膜，所述陶瓷介質(zhì)的底面覆蓋第四金屬導電膜、表面覆蓋第一、二金屬導電膜及電阻膜，右側(cè)面覆蓋第三金屬導電膜、剩余左、前、后三個側(cè)面是未覆蓋金屬導電膜的斷路區(qū)。本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小、頻帶寬、功率大等特點，主要應用于射頻電子產(chǎn)品中，從而滿足了人們對厚膜射頻電阻小型化的需求。該射頻電阻最大輸入功率為15W、帶寬為8Ghz、最大損耗為-20db。
【專利說明】一種小型陶瓷厚膜射頻電阻
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種電阻，更具體地說，涉及一種小型陶瓷厚膜射頻電阻。
【背景技術(shù)】
[0002]在射頻電路、隔離器、微波耦合器和功分器/合成器中，射頻電阻位于終端，用來吸收不需要的功率。近年來，隨著通信行業(yè)的發(fā)展，高功率、高頻率且小型化的射頻電阻越來越成為市場的主流。目前，常用的射頻電阻的制造工藝有兩種。一種是薄膜工藝，即在介質(zhì)基底上淀積有耗金屬膜或采用半絕緣襯底上的半導體薄膜。另一種是厚膜工藝，將不同導電率金屬組合印刷在介質(zhì)基底上。而采用薄膜工藝制造的射頻電阻具有工藝復雜且成本較高的缺點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型目的是提供一種小型陶瓷厚膜射頻電阻。該射頻電阻具有結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小、頻帶寬、功率大等特點，主要應用于射頻電子產(chǎn)品中，從而滿足了人們對于厚膜射頻電阻小型化的需求。
[0004]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，解決已有技術(shù)中所存在的問題，本實用新型采取的技術(shù)方案是:一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，包括具有長方形平板狀的陶瓷介質(zhì)、第一、二、三、四金屬導電膜及電阻膜，所述陶瓷介質(zhì)的底面覆蓋第四金屬導電膜、表面覆蓋第一、二金屬導電膜及電阻膜，右側(cè)面覆蓋第三金屬導電膜、剩余左、前、后三個側(cè)面是未覆蓋金屬導電膜的斷路區(qū)。
[0005]所述電阻膜的兩邊分別與第一金屬導電膜及第二金屬導電膜相連。
[0006]所述第二金屬導電膜、第三金屬導電膜及第四金屬導電膜依次相連。
[0007]所述陶瓷介質(zhì)選自誘電率低的氮化鋁陶瓷材料制成。
[0008]所述陶瓷介質(zhì)的尺寸為3.0X 1.5X0.635mm。
[0009]本實用新型有益效果是:一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，包括具有長方形平板狀的陶瓷介質(zhì)、第一、二、三、四金屬導電膜及電阻膜，所述陶瓷介質(zhì)的底面覆蓋第四金屬導電膜、表面覆蓋第一、二金屬導電膜及電阻膜，右側(cè)面覆蓋第三金屬導電膜、剩余左、前、后三個側(cè)面是未覆蓋金屬導電膜的斷路區(qū)。與已有技術(shù)相比，本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小、頻帶寬、功率大等特點，主要應用于射頻電子產(chǎn)品中，從而滿足了人們對厚膜射頻電阻小型化的需求。該射頻電阻最大輸入功率為15W、帶寬為8Ghz、最大損耗為-20db。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本實用新型一種小型陶瓷厚膜射頻電阻的結(jié)構(gòu)示意圖
[0011]圖中:1、陶瓷介質(zhì),2、第一金屬導電膜,2a、第二金屬導電膜,2b、第三金屬導電膜，2c、第四金屬導電膜,3、電阻膜?！揪唧w實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0013]如圖1所示，一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，包括具有長方形平板狀的陶瓷介質(zhì)1、第一、二、三、四金屬導電膜2、2a、2b、2c及電阻膜3，所述陶瓷介質(zhì)I的底面覆蓋第四金屬導電膜2c )、表面覆蓋第一、二金屬導電膜2、2a及電阻膜3,右側(cè)面覆蓋第三金屬導電膜2b、剩余左、前、后三個側(cè)面是未覆蓋金屬導電膜的斷路區(qū)。所述電阻膜3的兩邊分別與第一金屬導電膜2及第二金屬導電膜2a相連，所述第二金屬導電膜2a、第三金屬導電膜2b及第四金屬導電膜2c依次相連，所述陶瓷介質(zhì)I選自誘電率低的氮化鋁陶瓷材料制成，所述陶瓷介質(zhì)I的尺寸為3.0X 1.5X0.635mm。當具有一定功率的射頻信號從輸入端第二金屬導電膜2a輸入時，在流經(jīng)電阻膜3時會產(chǎn)生熱能加以消耗，第四金屬導電膜2c用于起到接地的作用。
[0014]本實用新型的優(yōu)點在于:一種小型陶瓷厚膜射頻電阻具有結(jié)構(gòu)簡單、尺寸小、頻帶寬、功率大等特點，主要應用于射頻電子產(chǎn)品中，從而滿足了人們對厚膜射頻電阻小型化的需求。
【權(quán)利要求】
1.一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，包括具有長方形平板狀的陶瓷介質(zhì)(I)、第一、二、三、四金屬導電膜(2、2a、2b、2c)及電阻膜(3)，其特征在于:所述陶瓷介質(zhì)(I)的底面覆蓋第四金屬導電膜(2c)、表面覆蓋第一、二金屬導電膜(2、2a)及電阻膜(3)，右側(cè)面覆蓋第三金屬導電膜(2b)、剩余左、前、后三個側(cè)面是未覆蓋金屬導電膜的斷路區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，其特征在于:所述電阻膜(3)的兩邊分別與第一金屬導電膜(2)及第二金屬導電膜(2a)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，其特征在于:所述第二金屬導電膜(2a)、第三金屬導電膜(2b )及第四金屬導電膜(2c )依次相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，其特征在于:所述陶瓷介質(zhì)(I)選自誘電率低的氮化鋁陶瓷材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種小型陶瓷厚膜射頻電阻，其特征在于:所述陶瓷介質(zhì)(I)的尺寸為 3.0X 1.5X0.635mm。
【文檔編號】H01C13/00GK203733545SQ201420105133
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月6日
【發(fā)明者】于巖, 劉玉敏, 高攀英 申請人:Tdk大連電子有限公司