一種片上功率合成器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及射頻無(wú)源器件領(lǐng)域，公開(kāi)了一種片上功率合成器。本實(shí)用新型包含：N個(gè)疊層型變壓器；其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)；N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)；其中，每一個(gè)疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形；主圈與次圈位于非相鄰金屬層；每個(gè)主圈的兩端為片上功率合成器的一對(duì)輸入端口，用于接收一對(duì)輸入信號(hào)，并將接收的信號(hào)輸出至次圈；N個(gè)疊層型變壓器的次圈將接收到的信號(hào)以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)片上功率合成器的輸出端口Pout輸出。由于圓形結(jié)構(gòu)的主圈與次圈減小了其寄生電阻，而且，主圈與次圈位于非相鄰金屬層，減小了主次圈之間的寄生耦合電容，從而提高了片上功率合成器的合成效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種片上功率合成器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及射頻無(wú)源器件領(lǐng)域，特別涉及一種片上功率合成器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著射頻通信技術(shù)與半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，功率放大器作為發(fā)射系統(tǒng)中的重要組成部分，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)起著至關(guān)重要的作用，其中，采用CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)工藝設(shè)計(jì)的功率放大器由于成本優(yōu)勢(shì)更是受到越來(lái)越多的關(guān)注。但是，隨著集成電路特征尺寸的減小，晶體管的擊穿電壓越來(lái)越低，從而很大程度上限制了 PA (Power Amplifier，功率放大器)的輸出功率，在這種情況下，功率合成技術(shù)成為了目前提高PA芯片輸出功率常用且非常有效的方式。
[0003]目前，在CMOS工藝下，由于片上變壓器易于集成的優(yōu)點(diǎn)，片上功率合成器廣泛應(yīng)用于功率放大器的芯片設(shè)計(jì)之中，以此滿足對(duì)輸出功率的要求。其中，功率合成器常用的變壓器功率合成結(jié)構(gòu)按照其耦合方式分為兩種:(1)橫向耦合的交錯(cuò)型片上功率合成器；(2)垂直耦合的疊層型功率合成器。
[0004]對(duì)于功率合成器而言，效率是衡量其性能指標(biāo)好壞的一個(gè)關(guān)鍵因素。而影響功率合成器合成效率的主要因素有變壓器自身電感值、Q值以及主次圈之間耦合強(qiáng)度及其寄生耦合電容。通常情況下，根據(jù)所選取的CMOS工藝，通過(guò)采用厚金屬層設(shè)計(jì)片上功率合成器可以達(dá)到提聞Q值的目的，從而提聞功率合成效率。
[0005]另外，通過(guò)采用疊層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)片上功率合成器可以實(shí)現(xiàn)減小面積同時(shí)增加耦合強(qiáng)度的目的。
[0006]然而，對(duì)于疊層結(jié)構(gòu)而言，雖然采用相鄰金屬層可以實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)耦合強(qiáng)度的目的，但是也不可避免的增加了寄生耦合電容，降低了片上功率合成器的功率合成效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型的目的在于提供一種片上功率合成器，減小了變壓器主次圈之間的寄生耦合電容，明顯地改善了片上功率合成器的合成效率。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種片上功率合成器，包含:N個(gè)疊層型變壓器；其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)；
[0009]所述N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)；其中，每一個(gè)所述疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形；所述主圈與所述次圈位于非相鄰金屬層；
[0010]每個(gè)所述主圈的兩端為所述片上功率合成器的一對(duì)輸入端口，用于接收一對(duì)輸入信號(hào)，并將接收的信號(hào)輸出至所述次圈；
[0011]所述N個(gè)疊層型變壓器的次圈將接收到的信號(hào)以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)所述片上功率合成器的輸出端口 Pout輸出。
[0012]本實(shí)用新型實(shí)施方式相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言，是利用N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)，在每一個(gè)疊層型變壓器的主圈的兩端接收一對(duì)輸入信號(hào)并輸出至次圈，而N個(gè)疊層型變壓器的次圈以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)片上功率合成器的輸出端口 Pout輸出，實(shí)現(xiàn)功率合成的目的，其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)；同時(shí)，每一個(gè)疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形；由于圓形結(jié)構(gòu)的主圈與次圈可以減小其寄生電阻，從而提高了疊層型變壓器的Q值(即品質(zhì)因數(shù))，有助于提高片上功率合成器的合成效率；而且，主圈與次圈位于非相鄰金屬層，采用這種布局增大了主次圈之間的距離，從而在主次圈重疊面積相同的條件下減小了主次圈之間的寄生耦合電容，因?yàn)樵谥鞔稳χ丿B的面
積相同的條件下，寄生耦合電容與主次圈之間的距離成反比，其公式為:c X 4，其中，c為
寄生耦合電容，s為兩導(dǎo)體之間重疊的面積，d為兩導(dǎo)體之間的距離。這樣，通過(guò)減小主次圈之間的寄生耦合電容，提高了片上功率合成器的合成效率。
[0013]另外，所述主圈采用第一金屬層Ml與第二金屬層M2并聯(lián)的結(jié)構(gòu)；
[0014]所述次圈位于第四金屬層M4 ;
[0015]其中，所述第一金屬層Ml、所述第二金屬層M2與所述第四金屬層M4的排列順序依次為:第一金屬層Ml、第二金屬層M2與第四金屬層M4。
[0016]由于主圈采用了第一金屬層與第二金屬層并聯(lián)的結(jié)構(gòu)，次圈采用第四金屬層，其中，各層按第一金屬層、第二金屬層與第四金屬層的次序排列，這樣，相對(duì)于米用相鄰金屬層的布局而言，增加了主圈與次圈之間的距離，從而在主次圈重疊面積相同的條件下減小了主次圈之間的寄生耦合電容，提高了片上功率合成器的合成效率。
[0017]另外，所述第四金屬層的材料為鋁金屬。第四金屬層的材料采用鋁金屬是現(xiàn)有成熟的技術(shù)，保證了本實(shí)用新型實(shí)施方式的可行性。
[0018]另外，所述一對(duì)輸入信號(hào)為單端等幅反相電壓信號(hào)。由于CMOS PA實(shí)際工作時(shí)，滿擺幅輸出，輸出阻抗很小，并且兩端電壓幅度相同，相位相反，等效于一對(duì)等幅反相的理想的電壓源，其中，一對(duì)等幅反相的理想的電壓源輸出的信號(hào)為一對(duì)單端等幅反相電壓信號(hào)。直接將單端等幅反相電壓信號(hào)代替CMOS PA輸出的信號(hào)作為片上功率合成器的輸入信號(hào)，技術(shù)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，有利于推廣普及。
[0019]另外，所述N等于4。由于采用4個(gè)疊層型變壓器既可以提供合適的功率輸出，又保證了片上功率合成器占用合適的面積，所以增加了片上功率合成器的實(shí)用性。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施方式的片上功率合成器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型第一實(shí)施方式中的片上功率合成器的應(yīng)用電路示意圖；
[0022]圖3是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的片上功率合成器的等效電路圖；
[0023]圖4是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中片上功率合成器的合成效率與寄生耦合電容的關(guān)系不意圖；
[0024]圖5a是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的片上功率合成器的俯視圖；
[0025]圖5b是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中的片上功率合成器的主圈與次圈的具體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的片上功率合成器的主次圈剖面圖；
[0027]圖7是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中的寄生耦合電容為c2的片上功率合成器的主次圈剖面圖；
[0028]圖8是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中的寄生耦合電容為c3的片上功率合成器的主次圈剖面圖；
[0029]圖9是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的片上功率合成器中單個(gè)疊層型變壓器的主次圈放置于不同的三種情況對(duì)應(yīng)的寄生耦合電容示意圖；
[0030]圖10是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式的片上功率合成器中單個(gè)疊層型功率合成器的主次圈放置于不同金屬層的三種情況對(duì)應(yīng)的合成效率圖；
[0031]圖11是根據(jù)本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中的片上功率合成器的測(cè)試電路示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0032]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的各實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的闡述。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，在本實(shí)用新型各實(shí)施方式中，為了使讀者更好地理解本申請(qǐng)而提出了許多技術(shù)細(xì)節(jié)。但是，即使沒(méi)有這些技術(shù)細(xì)節(jié)和基于以下各實(shí)施方式的種種變化和修改，也可以實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)各權(quán)利要求所要求保護(hù)的技術(shù)方案。
[0033]本實(shí)用新型的第一實(shí)施方式涉及一種片上功率合成器，具體結(jié)構(gòu)如圖1所示，包含:N個(gè)疊層型變壓器；其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)。
[0034]具體地說(shuō)，N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)；其中，每一個(gè)疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形。由于高頻時(shí)，直角和銳角具有更強(qiáng)的電磁輻射，進(jìn)而產(chǎn)生更大的線圈損耗，而圓形結(jié)構(gòu)等效于η邊形，其中，η為大于或者等于4的自然數(shù)，且η很大；當(dāng)11很大時(shí)，η邊形相鄰兩邊的夾角很大，可以減弱電磁輻射，進(jìn)而減小線圈損耗，所以圓形結(jié)構(gòu)的主圈與次圈可以減小其寄生電阻，從而提高疊層型變壓器的Q值(即品質(zhì)因數(shù))，這樣，有助于提高片上功率合成器的合成效率。
[0035]每個(gè)主圈的兩端為片上功率合成器的一對(duì)輸入端口，用于接收一對(duì)輸入信號(hào)，并將接收的信號(hào)輸出至次圈；其中，主圈與次圈采取磁耦合的方式。也就是說(shuō)，每個(gè)疊層型變壓器包含兩個(gè)輸入端口，用于接收一對(duì)輸入信號(hào)；其中，這一對(duì)輸入信號(hào)為單端等幅反相電壓信號(hào)。換句話說(shuō)，這對(duì)信號(hào)通過(guò)磁耦合的方式從主圈耦合至次圈。
[0036]N個(gè)疊層型變壓器的次圈將接收到的信號(hào)以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)片上功率合成器的輸出端口(Pout)輸出，即實(shí)現(xiàn)功率合成并輸出。
[0037]在本實(shí)施方式中，主圈與次圈位于非相鄰金屬層。由于主圈與次圈位于不相鄰的金屬層，這樣，在提高疊層型變壓器Q值的基礎(chǔ)上，采用這種布局增大了主、次圈之間的距離，從而在主、次圈重疊面積相同的條件下減小了主、次圈之間的寄生耦合電容，提高了片上功率合成器的合成效率。
[0038]另外，片上功率合成器還包含接地端口(GND)。具體地說(shuō)，N個(gè)疊層型變壓器包含N個(gè)次圈，這N個(gè)次圈分別通過(guò)N-1個(gè)連接線依次相連后，其中兩個(gè)次圈的非串聯(lián)的端口中一個(gè)為片上功率合成器的輸出端口(Pout)，另一個(gè)為接地端口(GND)。
[0039]在實(shí)際應(yīng)用中，片上功率合成器可以對(duì)差分放大器輸出的信號(hào)進(jìn)行合并，具體電路如圖2所示。N對(duì)差分放大器為N個(gè)疊層型變壓器提供N對(duì)輸入信號(hào)。也就是說(shuō)，片上功率合成器是將N對(duì)差分放大器輸出的信號(hào)進(jìn)行合成。[0040]其中,N對(duì)差分放大器與N個(gè)疊層型變壓器 對(duì)應(yīng)；每對(duì)差分放大器輸出一對(duì)輸入信號(hào)。具體地說(shuō)，每對(duì)差分放大器包含第一差分放大器與第二差分放大器；第一差分放大器輸出的信號(hào)與第二差分放大器輸出的信號(hào)為單端等幅反相電壓信號(hào)。
[0041]與現(xiàn)有技術(shù)相比，是利用N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)，每一個(gè)疊層型變壓器接收一對(duì)輸入信號(hào)并通過(guò)主圈耦合至次圈，而N個(gè)疊層型變壓器的次圈以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)輸出端口(Pout)輸出，實(shí)現(xiàn)功率合成的目的，其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)；同時(shí)，每一個(gè)疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形；由于圓形結(jié)構(gòu)的主圈與次圈可以減小輻射損耗，進(jìn)而減小其寄生電阻，從而提高了疊層型變壓器的Q值，有助于提高片上功率合成器的合成效率；而且，主圈與次圈位于非相鄰金屬層，采用這種布局增大了主次圈之間的距離，從而在主次圈重疊面積相同的條件下減小了主次圈之間的寄生耦合電容，提高了片上功率合成器的合成效率。
[0042]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中，N個(gè)疊層型變壓器既可以相同，也可以不同。在N個(gè)疊層型變壓器均相同時(shí)，片上功率合成器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，且實(shí)用性強(qiáng)，易于推廣。
[0043]本實(shí)用新型的第二實(shí)施方式涉及一種片上功率合成器。第二實(shí)施方式為第一實(shí)施方式的進(jìn)一步細(xì)化，并給出了具體的片上功率合成器的等效電路。在本實(shí)用新型第二實(shí)施方式中，片上功率合成器為片上片上功率合成器，包含4個(gè)疊層型變壓器，具體如3所示。由于采用4個(gè)疊層型變壓器既可以提供合適的功率輸出，又保證了片上功率合成器占用合適的面積，所以增加了片上功率合成器的實(shí)用性。
[0044]具體地說(shuō)，如圖3所示，每一個(gè)疊層型變壓器的主、次圈的電感與其寄生電阻分別SL1A1，主、次圈的耦合系數(shù)為K，主、次圈寄生耦合電容為Q。單端等幅反相電壓信號(hào)分別從從主圈的兩端輸入，通過(guò)疊層型變壓器將能量耦合到次圈，然后每個(gè)次圈通過(guò)串聯(lián)的形式將能量合成后并輸出，從而實(shí)現(xiàn)功率合成的目的。
[0045]由于寄生耦合電容C1的存在，對(duì)于不同的端口阻抗存在差異，從而影響了片上功率合成器功率合成效率，具體如圖4所示，當(dāng)L1=0.8nH(納亨XR1=0.5Ω (歐姆)、k=l時(shí)，疊層型變壓器主、次圈寄生耦合電容C1分別為0.0OOOOOpF(皮法)、4.000000pF與5.000000pF時(shí)對(duì)片上功率合成器合成效率的影響，其中，橫軸為輸入信號(hào)的頻率，單位為吉赫(GHz)，縱軸為片上功率合成器功率的合成效率，ml、m2、m3分別表示C1為0.000000pF(皮法)、4.000000pF與5.0OOOOOpF時(shí)片上功率合成器合成效率的曲線?？梢钥闯觯?、次圈寄生耦合電容越小，片上功率合成器功率平均合成效率越高。
[0046]在本實(shí)施方式中，所用芯片采用SMIC (中芯國(guó)際)1P8M0.13-μ mCMOS工藝，片上功率合成器由4個(gè)主圈及依次串聯(lián)的4個(gè)次圈組成，其中，主圈與次圈采取垂直耦合的結(jié)構(gòu)，即以垂直耦合的形式疊加構(gòu)成，具體如圖5所示。
[0047]在圖5中，501為主圈，502為次圈。
[0048]其中，主圈采用第一金屬層(Ml)與第二金屬層(M2)并聯(lián)的結(jié)構(gòu)；次圈位于第四金屬層(M4)，主圈與次圈布局的剖面圖如圖6所示，由于本實(shí)用新型中未采用第三金屬層(M3)，因此該金屬層所處位置采用介質(zhì)填充。在本實(shí)施方式中，第一金屬層、第二金屬層與第四金屬層的排列順序依次為:第一金屬層、第二金屬層與第四金屬層，且第四金屬層的材料為鋁金屬。第四金屬層的材料采用鋁金屬是現(xiàn)有成熟的技術(shù)，保證了本實(shí)用新型實(shí)施方式的可行性。[0049]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在CMOS工藝中，金屬層是慣用術(shù)語(yǔ)，至于各金屬層填充的材料是金屬還是介質(zhì)，要視具體情況而定，且第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層與第四金屬層依次排列。
[0050]其中，M1、M2、M3與 M4 的厚度分別為 0.38 μ m(微米)、0.9 μ m、3 μ m、1.25 μ m,Ml 與M2之間的距離為0.7 μ m，M2與M3之間的距離為0.7 μ m，M3與M4之間的距離為0.87 μ m,這樣，主圈與次圈之間的距離就是(0.7+3+0.87) μπι即為4.57μπι。以該種方式布局的寄生耦合電容記為Cl。
[0051]當(dāng)主圈與次圈采用相鄰金屬層時(shí)，比如其剖面圖如圖7與圖8所示的兩種情況:
[0052](I)、主圈米用第一金屬層(Ml)與第二金屬層(M2)并聯(lián)的結(jié)構(gòu)；次圈米用第三金屬層(M3)，其中，M3的材料為與Μ1、Μ2的材料相同的金屬，Ml、Μ2與M3的排列順序依次為:Ml、M2與M3。Ml、M2與M3的厚度分別為0.38 μ m、0.9 μ m與3 μ m，Ml與M2之間的距離為
0.7 μ m,M2與M3之間的距離為0.7 μ m,這樣,主圈與次圈之間的距離就是0.7 μ m。以該種方式布局的寄生稱(chēng)合電容記為c2。
[0053](2)、主圈采用第二金屬層(M2)與第三金屬層(M3)并聯(lián)的結(jié)構(gòu)；次圈采用第四金屬層(M4)，其中，M3的材料為與M2、M4的材料相同的金屬，M2、M3與M4的排列順序依次為:M2、M3與M4。M2、M3與M4的厚度分別為0.9 μ m、3 μ m與1.25 μ m, M2與M3之間的距離為
0.7 μ m,M3與M4之間的距離為0.87 μ m,這樣,主圈與次圈之間的距離就是0.87 μ m。以該種方式布局的寄生稱(chēng)合電容記為c3。
[0054]以上三種情況下的寄生耦合電容如圖9所示，其中，橫軸是輸入信號(hào)的頻率，單位為GHz，縱軸是寄生耦合電容，單位是pF?？梢钥闯觯珻l的值最小，也就是，采用本實(shí)用新型中的主次圈布局層次的寄生耦合電容最小。
[0055]在進(jìn)行功率合成時(shí)，4對(duì)單端等幅反相電壓信號(hào)分別從4對(duì)輸入端口 Pl+與P1_、P2+與Ρ2_、Ρ3+與Ρ3_、Ρ4+與Ρ4—輸入，并通過(guò)磁耦合將能量傳輸?shù)酱稳Γ?個(gè)次圈將接收到的信號(hào)通過(guò)輸出端口 Pout將4對(duì)輸入信號(hào)的功率進(jìn)行合成輸出。
[0056]對(duì)于采用以上三種主次圈的布局的片上功率合成器，其功率合成效率如圖10所示，其中，橫軸為輸入信號(hào)的頻率，單位為GHz，縱軸是合成效率；m4為寄生耦合電容為Cl時(shí)片上功率合成器的合成效率，m5為寄生耦合電容為c2時(shí)片上功率合成器的合成效率，m6為寄生耦合電容為c3時(shí)片上功率合成器的合成效率?？梢钥闯?，采用本實(shí)用新型中的主次圈布局層次的片上功率合成器的合成效率m4最高，特別是在關(guān)心頻點(diǎn)1.95GHz處的合成效率明顯優(yōu)于其他兩種片上功率合成器。
[0057]在本實(shí)施方式中，為了驗(yàn)證本實(shí)施方式中的片上功率合成器可以達(dá)到功率合成的目的，利用等效于一對(duì)差分放大器的一對(duì)等幅反相的理想的電壓源輸出的一對(duì)信號(hào)作為輸入信號(hào)，具體如圖11所示。
[0058]其中，單端等幅反相電壓信號(hào)分別從等效電源Ul與-Ul中輸出并從主圈的兩端輸入，通過(guò)疊層型變壓器將能量耦合到次圈，然后每個(gè)次圈通過(guò)串聯(lián)的形式將能量合成后并輸出，從而實(shí)現(xiàn)功率合成的目的。
[0059]需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方式中列舉的數(shù)字只是實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的一種具體形式，但本實(shí)用新型不僅限于此一種實(shí)現(xiàn)形式。
[0060]本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，上述各實(shí)施方式是實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，而在實(shí)際應(yīng)用中，可以在形式上和細(xì)節(jié)上對(duì)其作各種改變，而不偏離本實(shí)用新型的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種片上功率合成器，其特征在于，包含:N個(gè)疊層型變壓器；其中，N為大于或者等于2的自然數(shù)； 所述N個(gè)疊層型變壓器次圈依次串聯(lián)；其中，每一個(gè)所述疊層型變壓器的主圈與次圈的電感結(jié)構(gòu)相同，且形狀均為圓形；所述主圈與所述次圈位于非相鄰金屬層； 每個(gè)所述主圈的兩端為所述片上功率合成器的一對(duì)輸入端口，用于接收一對(duì)輸入信號(hào)，并將接收的信號(hào)輸出至所述次圈； 所述N個(gè)疊層型變壓器的次圈將接收到的信號(hào)以串聯(lián)的形式將能量合成后通過(guò)所述片上功率合成器的輸出端口 Pout輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述主圈采用第一金屬層Ml與第二金屬M(fèi)2層并聯(lián)的結(jié)構(gòu)； 所述次圈位于第四金屬層M4; 其中，所述第一金屬層Ml、所述第二金屬層M2與所述第四金屬層M4的排列順序依次為:第一金屬層Ml、第二金屬層M2與第四金屬層M4。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的片上功率合成器，其特征在于，所述第四金屬層M4的材料為招金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述一對(duì)輸入信號(hào)為單端等幅反相電壓信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述主圈與所述次圈采取垂直耦合的結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述主圈與所述次圈采取磁耦合的方式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述N等于4。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片上功率合成器，其特征在于，所述片上功率合成器還包含接地端口 GND。
【文檔編號(hào)】H01P5/12GK203774434SQ201420109891
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年3月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月11日
【發(fā)明者】馮衛(wèi)鋒, 章國(guó)豪, 周磊, 唐鵬, 孫亞楠, 曾斌 申請(qǐng)人:豪芯微電子科技（上海）有限公司