磁場(chǎng)陣列裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及磁力吸附用品及磁場(chǎng)屏蔽的【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種磁場(chǎng)陣列裝置，本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、生產(chǎn)、使用容易，形狀可任意變化；包括多組永磁體，多組永磁體兩兩貼緊在一起，并且每?jī)蓛少N緊的兩組永磁體之間的N極和S極為相對(duì)排列；多組永磁體的外側(cè)設(shè)置有磁屏蔽層；兩兩貼緊的兩組永磁體之間設(shè)置有隔磁材料。
【專利說(shuō)明】磁場(chǎng)陣列裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁力吸附用品及磁場(chǎng)屏蔽的【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種磁場(chǎng)陣列
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【背景技術(shù)】
[0002]眾所周知，利用磁鐵吸附物品是當(dāng)下常用的方法，它是利用磁鐵的磁性吸附住鐵、鈷、鎳等具有磁性的金屬。一塊永磁體的磁通密度是不改變的，其磁場(chǎng)強(qiáng)度也是固定不變的，為加大吸力則只能是使用更大的磁鐵，使用更大的磁鐵會(huì)使得磁場(chǎng)強(qiáng)度更高，吸附力更大，但磁力線的外泄也更強(qiáng)。這樣對(duì)于既需要很強(qiáng)的吸力，同時(shí)又要求磁屏蔽的場(chǎng)所就加大磁屏蔽的難度。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、設(shè)計(jì)合理、生產(chǎn)、使用容易，形狀可任意變化的磁場(chǎng)陣列裝置。
[0004]本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，包括多組永磁體，所述多組永磁體兩兩貼緊在一起，并且每?jī)蓛少N緊的兩組永磁體之間的N極和S極為相對(duì)排列；所述多組永磁體的外側(cè)設(shè)置有磁屏蔽層；所述兩兩貼緊的兩組永磁體之間設(shè)置有隔磁材料。
[0005]本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，所述多組永磁體貼緊排列形成長(zhǎng)方體、立方體、球形、圓柱體或圓錐體形。
[0006]本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，所述多組永磁體中每個(gè)永磁體均為矩形、圓形、扇形或其他多邊形
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型的有益效果為:通過(guò)上述設(shè)置，磁場(chǎng)陣列形成互相之間的短回路比使用單極磁體的吸附力強(qiáng)，可使用多塊小磁鐵的磁性陣列加大磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)避免了磁力線的外泄，便于磁場(chǎng)屏蔽。N，S間的相互吸引，使得磁力線只在很短的距離上就形成短路，使得磁場(chǎng)不外泄。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的第一種實(shí)施例的剖面圖；
[0009]圖2是本實(shí)用新型的第一種實(shí)施例的俯視圖；
[0010]圖3是本實(shí)用新型的第二種實(shí)施例的俯視圖；
[0011]圖4是本實(shí)用新型的第三種實(shí)施例的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。
[0013]如圖1至圖4所示，本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，包括多組永磁體，多組永磁體兩兩貼緊在一起，并且每?jī)蓛少N緊的兩組永磁體之間的N極和S極為相對(duì)排列；多組永磁體的外側(cè)設(shè)置有磁屏蔽層；兩兩貼緊的兩組永磁體之間設(shè)置有隔磁材料:通過(guò)上述設(shè)置，磁場(chǎng)陣列形成互相之間的短回路比使用單極磁體的吸附力強(qiáng)，可使用多塊小磁鐵的磁性陣列加大磁場(chǎng)強(qiáng)度，同時(shí)避免了磁力線的外泄，便于磁場(chǎng)屏蔽。N，S間的相互吸引，使得磁力線只在很短的距離上就形成短路，使得磁場(chǎng)不外泄。
[0014]本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，多組永磁體貼緊排列形成長(zhǎng)方體、立方體、球形、圓柱體或圓錐體形。
[0015]本實(shí)用新型的磁場(chǎng)陣列裝置，多組永磁體中每個(gè)永磁體均為矩形、圓形、扇形或其他多邊形
[0016]實(shí)施例一，
[0017]如圖1和圖2所示，圖中1、2為永磁體，其中需要增大吸力的一面為F1，F(xiàn)1方向?yàn)殚_放式結(jié)構(gòu)，該方向上不做磁場(chǎng)屏蔽，1、2兩塊永磁體間極性相反，3為隔磁材料，將永磁體
1、2隔離并包裹在其中，4為磁屏蔽層，由導(dǎo)磁材料構(gòu)成，以屏蔽其他不需要吸力的F2方向的磁力線外泄。在本實(shí)施例中，裝置包括永磁體I和2、隔磁材料3、磁屏蔽層4。
[0018]實(shí)施例二，
[0019]如圖3所示，圖3為矩形矩陣，圖中1、2為永磁體,I為N極磁鐵向吸附面、2為S極磁鐵向吸附面，兩種永磁體交叉排列，3為隔磁材料，將永磁體1、2隔離并包裹在其中，4為磁屏蔽層，由導(dǎo)磁材料構(gòu)成，以屏蔽其他不需要吸力的方向的磁力線外泄。在本實(shí)施例中，所述裝置包括永磁體I和2、隔磁材料3、磁屏蔽層4。
[0020]實(shí)施例三，
[0021]如圖4所示，圖4為圓形矩陣，圖中1、2為永磁體,I為N極磁鐵向吸附面、2為S極磁鐵向吸附面，兩種永磁體交叉排列，3為隔磁材料，將永磁體1、2隔離并包裹在其中，4為磁屏蔽層，由導(dǎo)磁材料構(gòu)成，以屏蔽其他不需要吸力的方向的磁力線外泄。在本實(shí)施例中，所述裝置包括永磁體I和2、隔磁材料3、磁屏蔽層4。
[0022]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種磁場(chǎng)陣列裝置，其特征在于，包括多組永磁體，所述多組永磁體兩兩貼緊在一起，并且每?jī)蓛少N緊的兩組永磁體之間的N極和S極為相對(duì)排列；所述多組永磁體的外側(cè)設(shè)置有磁屏蔽層；所述兩兩貼緊的兩組永磁體之間設(shè)置有隔磁材料，所述多組永磁體貼緊排列形成長(zhǎng)方體、立方體、球形、圓柱體或圓錐體形。
【文檔編號(hào)】H01F7/02GK204143990SQ201420169949
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月10日
【發(fā)明者】李文媛 申請(qǐng)人:李文媛