一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉑熱電阻的制作方法
【專利摘要】一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉑熱電阻，它涉及一種薄膜鉑熱電阻。本實(shí)用新型的目的是要解決現(xiàn)有薄膜鉑熱電阻不具備抗電磁干擾能力，薄膜鉑熱電阻測(cè)溫精度受外部電磁場(chǎng)干擾，不能精確測(cè)溫的問(wèn)題。一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉑熱電阻包括包封玻璃、金屬鉑膜、襯底、引線和電極漿料連線；在金屬鉑膜上加工出正電極、負(fù)電極和薄膜鉑熱電阻條；正電極和負(fù)電極分別與兩根薄膜鉑熱電阻條連接；金屬鉑膜沉積在襯底的上表面；在襯底的下表面印刷電極漿料連線；通過(guò)電極漿料連線將第一電極孔和第二電極孔連接；第一引線和第二引線分別燒焊在正電極和負(fù)電極的上表面；第一包封玻璃包封在金屬鉑膜的上表面。本實(shí)用新型可獲得一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉑熱電阻。
【專利說(shuō)明】—種雙線并繞無(wú)感薄膜鉑熱電阻
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種薄膜鉬熱電阻。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有使用鉬材料制作的溫度傳感器測(cè)溫元件按照鉬材料狀態(tài)分為絲繞鉬熱電阻、厚膜鉬熱電阻和薄膜鉬熱電阻，它們均具備較好的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。但絲繞鉬熱電阻成本昂貴、體積大、阻值小、抗振動(dòng)能力差；厚膜鉬熱電阻相對(duì)于絲繞鉬熱電阻成本相對(duì)經(jīng)濟(jì)，抗機(jī)械振動(dòng)性能好，但同樣具有體積大、阻值小的缺點(diǎn)；薄膜鉬熱電阻與上述兩種產(chǎn)品相比，具有體積小、阻值大、重量輕和熱響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，但現(xiàn)有薄膜鉬熱電阻產(chǎn)品由于鉬膜電阻條分布采用單線往復(fù)布線方式，不具備抗電磁干擾能力，薄膜鉬熱電阻測(cè)溫精度受外部電磁場(chǎng)干擾，不能精確測(cè)溫。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是要解決現(xiàn)有薄膜鉬熱電阻不具備抗電磁干擾能力，薄膜鉬熱電阻測(cè)溫精度受外部電磁場(chǎng)干擾，不能精確測(cè)溫的問(wèn)題，而提供一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻。
[0004]一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，它包括包封玻璃、金屬鉬膜、襯底、第一引線和第二引線，它還包括電極漿料連線；
[0005]在金屬鉬膜上加工出正電極、負(fù)電極和薄膜鉬熱電阻條；正電極和負(fù)電極分別與兩根薄膜鉬熱電阻條連接；薄膜鉬熱電阻條的端部設(shè)有第一電阻條抽頭和第二電阻條抽頭;
[0006]金屬鉬膜沉積在襯底的上表面；在第一電阻條抽頭和第二電阻條抽頭處加工出第一電極孔和第二電極孔，第一電極孔和第二電極孔穿過(guò)金屬鉬膜和襯底在第一電極孔和第二電極孔處涂覆電極漿料；在襯底的下表面印刷電極漿料連線；通過(guò)電極漿料連線將第一電極孔和第二電極孔連接；第一引線和第二引線分別燒焊在正電極和負(fù)電極的上表面；
[0007]所述的包封玻璃包括第一包封玻璃、第二包封玻璃和第三包封玻璃；第一包封玻璃包封在金屬鉬膜的上表面，第二包封玻璃包封在正電極和負(fù)電極的上表面，第三包封玻璃包封在襯底的下表面。
[0008]本實(shí)用新型的原理及優(yōu)點(diǎn):
[0009]一、本實(shí)用新型正電極和負(fù)電極分別與兩根薄膜鉬熱電阻條連接，設(shè)計(jì)上采用雙線并繞抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，兩根電阻條寬度一致，橫截面積相同，通過(guò)在第一電阻條抽頭和第二電阻條抽頭處加工出第一電極孔和第二電極孔，第一電極孔和第二電極孔穿過(guò)金屬鉬膜和襯底；在第一電極孔和第二電極孔處涂覆電極漿料；在襯底的下表面印刷電極漿料連線；通過(guò)電極漿料連線將第一電極孔和第二電極孔連接；采用雙面加工的方法，將第一電極孔和第二電極孔連接；本實(shí)用新型一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻工作時(shí)，由于雙線并繞的薄膜鉬熱電阻條電流走向相反，相鄰薄膜鉬熱電阻條通過(guò)電流產(chǎn)生的電磁感應(yīng)大小相等、方向相反，電流產(chǎn)生的磁通能夠相互抵消，有效消除薄膜鉬熱電阻條對(duì)外界電磁干擾；當(dāng)薄膜鉬熱電阻條工作環(huán)境存在交變磁場(chǎng)工作時(shí)，薄膜鉬熱電阻條閉合回路耦合系數(shù)K近似等于1，閉合回路中磁通量變化Λ Φ近似為O，不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流，具備電磁兼容性，有效消除外界電磁干擾帶來(lái)的不利影響，適用于具有電磁場(chǎng)的空間環(huán)境；
[0010]二、本實(shí)用新型基于電磁感應(yīng)原理，提出一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，設(shè)計(jì)上采用雙線并繞技術(shù)，建立薄膜鉬熱電阻無(wú)感結(jié)構(gòu)模型，實(shí)現(xiàn)無(wú)感結(jié)構(gòu)薄膜鉬熱電阻制作，本實(shí)用新型有效消除鉬熱電阻對(duì)外界電磁干擾，降低外界電磁場(chǎng)對(duì)薄膜鉬熱電阻干擾，達(dá)到薄膜鉬熱電阻在電磁場(chǎng)環(huán)境下精確測(cè)溫目的。
[0011]本實(shí)用新型可獲得一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是【具體實(shí)施方式】一所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻的主視圖；
[0013]圖2是圖1的左視圖；
[0014]圖3是圖1的右視圖；
[0015]圖4是圖1沿A-A的剖視圖；
[0016]圖5是【具體實(shí)施方式】一所述的金屬鉬膜的上表面結(jié)構(gòu)示意圖； [0017]圖6是【具體實(shí)施方式】一所述的襯底的下表面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]【具體實(shí)施方式】一:本實(shí)施方式是一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，它包括包封玻璃、金屬鉬膜2、襯底3、第一引線5和第二引線6，其特征在于它還包括電極漿料連線4 ；
[0019]在金屬鉬膜2上加工出正電極7、負(fù)電極8和薄膜鉬熱電阻條9 ;正電極7和負(fù)電極8分別與兩根薄膜鉬熱電阻條9連接；薄膜鉬熱電阻條9的端部設(shè)有第一電阻條抽頭10和第二電阻條抽頭11 ;
[0020]金屬鉬膜2沉積在襯底3的上表面；在第一電阻條抽頭10和第二電阻條抽頭11處加工出第一電極孔12和第二電極孔13，第一電極孔12和第二電極孔13穿過(guò)金屬鉬膜2和襯底3 ;在第一電極孔12和第二電極孔13處涂覆電極漿料；在襯底3的下表面印刷電極漿料連線4 ;通過(guò)電極漿料連線4將第一電極孔12和第二電極孔13連接；第一引線5和第二引線6分別燒焊在正電極7和負(fù)電極8的上表面；
[0021]所述的包封玻璃包括第一包封玻璃14、第二包封玻璃15和第三包封玻璃16 ?’第一包封玻璃14包封在金屬鉬膜2的上表面，第二包封玻璃15包封在正電極7和負(fù)電極8的上表面，第三包封玻璃16包封在襯底3的下表面。
[0022]圖1是【具體實(shí)施方式】一所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻的主視圖；圖中2為金屬鉬膜，3為襯底，6為第二引線，14為第一包封玻璃，15為第二包封玻璃，16為第三包封玻璃；
[0023]圖2是圖1的左視圖；圖中2為金屬鉬膜，3為襯底，5為第一引線，6為第二引線，15為第二包封玻璃，16為第三包封玻璃；
[0024]圖3是圖1的右視圖；圖中2為金屬鉬膜，3為襯底，14為第一包封玻璃，15為第二包封玻璃，16為第三包封玻璃；[0025]圖4是圖1沿A-A的剖視圖；圖中2為金屬鉬膜，5為第一引線，6為第二引線，7為正電極，8為負(fù)電極；
[0026]圖5是【具體實(shí)施方式】一所述的金屬鉬膜的上表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中7為正電極，8為負(fù)電極，9為薄膜鉬熱電阻條，10為第一電阻條抽頭，11為第二電阻條抽頭，12為第一電極孔，13為第二電極孔；
[0027]圖6是【具體實(shí)施方式】一所述的襯底的下表面結(jié)構(gòu)示意圖；圖中4為電極漿料連線，12為第一電極孔,13為第二電極孔。
[0028]本實(shí)施方式的原理及優(yōu)點(diǎn):
[0029]一、本實(shí)施方式正電極7和負(fù)電極8分別與兩根薄膜鉬熱電阻條9連接，設(shè)計(jì)上采用雙線并繞抗電磁干擾結(jié)構(gòu)，兩根電阻條寬度一致，橫截面積相同，在第一電阻條抽頭10和第二電阻條抽頭11處加工出第一電極孔12和第二電極孔13，第一電極孔12和第二電極孔13穿過(guò)金屬鉬膜2和襯底3 ;在第一電極孔12和第二電極孔13處涂覆電極漿料；在襯底3的下表面印刷電極漿料連線4 ;通過(guò)電極漿料連線4將第一電極孔12和第二電極孔13連接；采用雙面加工的方法，將第一電極孔12和第二電極孔13連接；本實(shí)施方式一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻工作時(shí)，由于雙線并繞的薄膜鉬熱電阻條9電流走向相反，相鄰薄膜鉬熱電阻條9通過(guò)電流產(chǎn)生的電磁感應(yīng)大小相等、方向相反，電流產(chǎn)生的磁通能夠相互抵消，有效消除薄膜鉬熱電阻條9對(duì)外界電磁干擾；當(dāng)薄膜鉬熱電阻條9工作環(huán)境存在交變磁場(chǎng)工作時(shí)，薄膜鉬熱電阻條9閉合回路耦合系數(shù)K近似等于1，閉合回路中磁通量變化Δ Φ近似為0，不會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流，具備電磁兼容性，有效消除外界電磁干擾帶來(lái)的不利影響，適用于具有電磁場(chǎng)的空間環(huán)境；
[0030]二、本實(shí)施方式基于電磁感應(yīng)原理，提出一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，設(shè)計(jì)上采用雙線并繞技術(shù)，建立薄膜鉬熱電阻無(wú)感結(jié)構(gòu)模型，實(shí)現(xiàn)無(wú)感結(jié)構(gòu)薄膜鉬熱電阻制作，本實(shí)施方式有效消除鉬熱電阻對(duì)外界電磁干擾，降低外界電磁場(chǎng)對(duì)薄膜鉬熱電阻干擾，達(dá)到薄膜鉬熱電阻在電磁場(chǎng)環(huán)境下精確測(cè)溫目的。
[0031]本實(shí)施方式可獲得一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻。
[0032]【具體實(shí)施方式】二:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同點(diǎn)是:襯底3的材料為三氧化二鋁陶瓷基板。其他步驟與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0033]【具體實(shí)施方式】三:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一或二之一不同點(diǎn)是:引線5的材料為鉬絲。其他步驟與【具體實(shí)施方式】一或二相同。
[0034]【具體實(shí)施方式】四:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至三之一不同點(diǎn)是:薄膜鉬熱電阻條9的寬度為ΙΟμπι?20μπι。其他步驟與【具體實(shí)施方式】一至三相同。
[0035]【具體實(shí)施方式】五:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至四之一不同點(diǎn)是:第一電極12的直徑為0.2mm?0.3_。其他步驟與【具體實(shí)施方式】一至四相同。
[0036]【具體實(shí)施方式】六:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至五之一不同點(diǎn)是:金屬鉬膜2的厚度為1.2μηι?1.8μηι。其他步驟與【具體實(shí)施方式】一至五相同。
【權(quán)利要求】
1.一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，它包括包封玻璃、金屬鉬膜(2)、襯底(3)、第一引線(5)和第二引線(6)，其特征在于它還包括電極漿料連線(4)； 在金屬鉬膜⑵上加工出正電極(7)、負(fù)電極⑶和薄膜鉬熱電阻條(9);正電極(7)和負(fù)電極(8)分別與兩根薄膜鉬熱電阻條(9)連接；薄膜鉬熱電阻條(9)的端部設(shè)有第一電阻條抽頭(10)和第二電阻條抽頭(11)； 金屬鉬膜(2)沉積在襯底(3)的上表面；在第一電阻條抽頭(10)和第二電阻條抽頭(11)處加工出第一電極孔(12)和第二電極孔(13)，第一電極孔(12)和第二電極孔(13)穿過(guò)金屬鉬膜⑵和襯底⑶；在第一電極孔(12)和第二電極孔(13)處涂覆電極漿料；在襯底(3)的下表面印刷電極漿料連線(4);通過(guò)電極漿料連線(4)將第一電極孔(12)和第二電極孔(13)連接；第一引線(5)和第二引線(6)分別燒焊在正電極(7)和負(fù)電極⑶的上表面； 所述的包封玻璃包括第一包封玻璃(14)、第二包封玻璃(15)和第三包封玻璃(16);第一包封玻璃(14)包封在金屬鉬膜(2)的上表面，第二包封玻璃(15)包封在正電極(7)和負(fù)電極(8)的上表面，第三包封玻璃(16)包封在襯底(3)的下表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，其特征在于襯底(3)的材料為三氧化二招陶瓷基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，其特征在于引線(5)的材料為鉬絲。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，其特征在于薄膜鉬熱電阻條(9)的寬度為10 μ m?20 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，其特征在于第一電極孔(12)的直徑為0.2mm?0.3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙線并繞無(wú)感薄膜鉬熱電阻，其特征在于金屬鉬膜(2)的厚度為1.2 μ m?1.8 μ m。
【文檔編號(hào)】H01C3/02GK203774034SQ201420208948
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月25日
【發(fā)明者】姜國(guó)光, 王震, 王大興, 金建東, 程鑫, 王永剛, 孫志成, 劉成利 申請(qǐng)人:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所