貼片式led封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片和散熱器，所述LED芯片設(shè)于所述散熱器的中軸上，所述散熱器及所述LED芯片上設(shè)有鍍銀層。本實(shí)用新型省略了繁雜的中間環(huán)節(jié)，整體制作成本大幅下降，產(chǎn)品的一致性得到提高；熱阻明顯下降，相同功率下體積大大縮小，壽命得以延長，亮度得到提升，光衰速度變慢。
【專利說明】貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及LED封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種LED封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002] 為了避免LED芯片發(fā)出的光被金屬基板吸收，造成光損失。目前業(yè)界的做法，是在 金屬基板的表面鍍銀。利用銀的高反射率特性，將射到基板表面的光線反射到LED芯片和 硅膠層。由于有機(jī)硅膠較高的透濕透氧性，在LED光源使用過程中，空氣中的硫元素會透過 硅膠，滲入封裝體內(nèi)部。硫元素進(jìn)入封裝體后會與基板表面的銀發(fā)生反應(yīng)，生成黑色的硫化 銀。例如2012年5月23號授權(quán)的專利號為ZL201120356103. 3實(shí)用新型，揭示了一種貼片 LED的封裝結(jié)構(gòu)。該LED封裝結(jié)構(gòu)包括：LED芯片、基板、鍍銀層，所述LED芯片設(shè)置在所述 的基板的上表面，所述的鍍銀層涂在所述基板的上表面，分別連接所述LED芯片的各電極， 該鍍銀層將LED芯片發(fā)出的光線充分反射，提高了 LED光源的質(zhì)量。
[0003] 由此可知，由于該LED封裝技術(shù)，在基板上表面鍍銀，該銀反射層會與進(jìn)入LED封 裝結(jié)構(gòu)的空氣中的硫元素發(fā)化學(xué)反應(yīng)生成黑色的硫化銀。導(dǎo)致基板反射區(qū)域變黑，造成LED 光源光通量降低。而且由于銀層直接位于LED芯片下，銀層反射回來的光大部分再次進(jìn)入 LED芯片，這就會導(dǎo)致LED芯片過熱，影響LED的使用壽命。因此，LED封裝結(jié)構(gòu)的防止硫化 和過熱的問題已經(jīng)成為LED封裝技術(shù)的主要的技術(shù)問題。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0004] 本實(shí)用新型針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題作出改進(jìn)，即本實(shí)用新型要解決的技術(shù) 問題是提供一種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，這種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)提高了散熱。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下的技術(shù)方案：
[0006] -種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片和散熱器，所述LED芯片設(shè)于所述散熱器 的中軸上，所述散熱器及所述LED芯片上設(shè)有鍍銀層。
[0007] 所述LED芯片包括至少一 P極與一 N極，所述P極與N極分別設(shè)置于所述LED芯 片上。
[0008] 所述LED芯片通過共晶焊或粘膠定位于所述散熱器上。
[0009] 所述散熱器包括絕緣層和導(dǎo)電層，所述絕緣層和所述導(dǎo)電層設(shè)置于所述散熱器與 所述LED芯片之間。
[0010] 本實(shí)用新型一種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，省略了繁雜的中間環(huán)節(jié)，整體制作成本大 幅下降，產(chǎn)品的一致性得到提高；熱阻明顯下降，相同功率下體積大大縮小，壽命得以延長， 亮度得到提升，光衰速度變慢；鍍銀層與本結(jié)構(gòu)的巧妙設(shè)置有效的防止了硫化，使LED向大 功率照明發(fā)展的技術(shù)上升到了一個新的臺階。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實(shí)用 新型的實(shí)施例一起用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制。在附圖中：
[0012] 圖1是本實(shí)用新型一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 如圖1所示，本實(shí)用新型公開一種LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片21和散熱器232， LED芯片21設(shè)于散熱器232的中軸上，散熱器232及LED芯片21上設(shè)有鍍銀層。
[0014] 芯片21的P極與N極均設(shè)置于遠(yuǎn)離散熱器232的一側(cè)，即芯片的頂部，該P(yáng)極與N 極直接通過超聲焊分別引出。當(dāng)該芯片21與芯片21間距離較短時，可用金線、鋁線、銅線 等通過超聲焊進(jìn)行連接。該散熱器232由銅材料或鋁材料制作。
[0015] LED芯片21通過共晶焊或粘膠定位于散熱器232上。
[0016] 散熱器232包括絕緣層和導(dǎo)電層，絕緣層和導(dǎo)電層設(shè)置于散熱器232與LED芯片 之21間。
[0017] 芯片與芯片通過超聲焊進(jìn)行電性連接時，為提高安全系數(shù)，線與散熱器232間增 加一絕緣層。導(dǎo)電層之上再增加一保護(hù)層，即設(shè)置鍍銀層。散熱器232中軸上設(shè)置反光層， 反光層可用拋光法、涂層法，液體法，濺射法、真空鍍層法（蒸化真空沉積法）、電鍍、氧化方 式制成。當(dāng)為鋁材散熱器時，并通過氧化的方法制作反光層時，該氧化層進(jìn)一步通過離子封 孔、染色處理，提高美觀效果，具有與芯片發(fā)光色相同的顏色時，提高反光效果。
[0018] 當(dāng)該貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)包括多顆LED芯片21串并聯(lián)電連接時，與電源連接線對 應(yīng)的LED芯片21之P極與N極由該導(dǎo)電層引出，非與電源連接線對應(yīng)的LED芯片21之P 極與N極由超聲焊引出。
[0019] 同時，該LED封裝結(jié)構(gòu)也適用于其他大功率芯片，包括不限于LED、功率集成電路、 大功率穩(wěn)壓電源、大功率音響芯片、CPU等高功率芯片的散熱封裝。
[0020] 以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，盡管參 照前述實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，其依然可以 對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換。凡 在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用 新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括LED芯片和散熱器，所述LED芯片設(shè)于 所述散熱器的中軸上，所述散熱器及所述LED芯片上設(shè)有鍍銀層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片包括至少 一 P極與一 N極，所述P極與N極分別設(shè)置于所述LED芯片上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片通過共晶 焊或粘膠定位于所述散熱器上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的貼片式LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述散熱器包括絕緣層 和導(dǎo)電層，所述絕緣層和所述導(dǎo)電層設(shè)置于所述散熱器與所述LED芯片之間。
【文檔編號】H01L33/48GK203895496SQ201420222388
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月30日
【發(fā)明者】周峰 申請人:揚(yáng)州新思路光電科技有限公司