一種截面積優(yōu)化的磁芯的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種截面積優(yōu)化的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的截面積與所述心柱磁芯的截面積不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。磁芯上下軛與心柱磁芯采用不同截面積的磁芯組合，磁芯上下軛沒有繞組，磁芯溫升會(huì)較低，因此減少磁芯后同樣可以達(dá)到很好效果，這樣可以提高磁芯利用率，并且降低成本，更好的滿足性能需求。
【專利說明】 一種截面積優(yōu)化的磁芯

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種磁芯，尤其涉及一種截面積優(yōu)化的磁芯。

【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的磁芯,其磁芯上下軛與心柱磁芯的截面積相同，磁芯上下軛溫升與心柱磁芯溫升相差較大，磁芯利用率較低，性能單一有較大的局限性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，本實(shí)用新型提供一種截面積優(yōu)化的磁芯。
[0004]本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種截面積優(yōu)化的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的截面積與所述心柱磁芯的截面積不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。
[0005]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁芯上軛、磁芯下軛的截面積大于所述心柱磁芯的截面積。
[0006]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛。
[0007]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述心柱磁芯至少有兩個(gè)并平行設(shè)置。
[0008]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述磁芯上軛、磁芯下軛均為長(zhǎng)方體。
[0009]作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述心柱磁芯的上頂面與所述磁芯上軛的短邊相切，所述心柱磁芯的下頂面與所述磁芯下軛的短邊相切。
[0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果:磁芯上下軛與心柱磁芯采用不同截面積的磁芯組合，磁芯上下軛沒有繞組，磁芯溫升會(huì)較低，因此減少磁芯后同樣可以達(dá)到很好效果，這樣可以提高磁芯利用率，并且降低成本，更好的滿足性能需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)用新型一種截面積優(yōu)化的磁芯的一個(gè)實(shí)施例的主視圖；
[0012]圖2是本實(shí)用新型一種截面積優(yōu)化的磁芯的另一個(gè)實(shí)施例的主視圖；
[0013]其中:1、磁芯上軛，2、心柱磁芯，3、磁芯下軛。

【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型一種截面積優(yōu)化的磁芯作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0015]實(shí)施例1
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型提出一種截面積優(yōu)化的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛1、兩個(gè)心柱磁芯2和磁芯下軛3，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3的截面積均為Al，所述心柱磁芯2的截面積為A2，且A1>A2 ;兩個(gè)所述心柱磁芯2平行設(shè)置于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3之間，所述心柱磁芯2的頂端與所述磁芯上軛I相接觸，所述心柱磁芯2的底端與所述磁芯下軛3相接觸，所述磁芯上軛1、心柱磁芯2和磁芯下軛3形成閉合磁路。
[0017]所述磁芯上軛1、磁芯下軛3均為長(zhǎng)方體，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3相平行，兩個(gè)所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3，所述心柱磁芯2的上頂面與所述磁芯上軛I的短邊相切，所述心柱磁芯2的下頂面與所述磁芯下軛3的短邊相切。
[0018]實(shí)施例2
[0019]如圖2所示，本實(shí)用新型提出一種截面積優(yōu)化的磁芯，包括均為磁體的磁芯上軛
1、兩個(gè)心柱磁芯2和磁芯下軛3，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3的截面積均為Al，所述心柱磁芯2的截面積為A2，且A1〈A2 ;兩個(gè)所述心柱磁芯2平行設(shè)置于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3之間，所述心柱磁芯2的頂端與所述磁芯上軛I相接觸，所述心柱磁芯2的底端與所述磁芯下軛3相接觸，所述磁芯上軛1、心柱磁芯2和磁芯下軛3形成閉合磁路。
[0020]所述磁芯上軛1、磁芯下軛3均為長(zhǎng)方體，所述磁芯上軛1、磁芯下軛3相平行，兩個(gè)所述心柱磁芯2垂直于所述磁芯上軛1、磁芯下軛3，所述心柱磁芯2的上頂面與所述磁芯上軛I的短邊相切，所述心柱磁芯2的下頂面與所述磁芯下軛3的短邊相切。
[0021]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍的內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種截面積優(yōu)化的磁芯,其特征在于:包括均為磁體的磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛，所述磁芯上軛、磁芯下軛的截面積與所述心柱磁芯的截面積不相等，所述心柱磁芯位于所述磁芯上軛、磁芯下軛之間，所述心柱磁芯的頂端與所述磁芯上軛相接觸，所述心柱磁芯的底端與所述磁芯下軛相接觸，所述磁芯上軛、心柱磁芯和磁芯下軛形成閉合磁路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面積優(yōu)化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛的截面積大于所述心柱磁芯的截面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面積優(yōu)化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛相平行，所述心柱磁芯垂直于所述磁芯上軛、磁芯下軛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面積優(yōu)化的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯至少有兩個(gè)并平行設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面積優(yōu)化的磁芯，其特征在于:所述磁芯上軛、磁芯下軛均為長(zhǎng)方體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的截面積優(yōu)化的磁芯，其特征在于:所述心柱磁芯的上頂面與所述磁芯上軛的短邊相切，所述心柱磁芯的下頂面與所述磁芯下軛的短邊相切。
【文檔編號(hào)】H01F27/26GK203931743SQ201420230288
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】劉志達(dá) 申請(qǐng)人:深圳市鉑科磁材有限公司