密封環(huán)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，至少包括一層金屬層，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。所述金屬塊可以為平行排列的橫桿，也可以是與芯片內(nèi)部金屬焊盤相同的結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬采用新的圖形設(shè)計(jì)，在不犧牲密封環(huán)密封性能的前提下，通過(guò)改變密封環(huán)的形狀和布局，將密封環(huán)分散為多個(gè)小尺寸的部件，該部件與芯片區(qū)域的焊盤尺寸接近，從而解決了化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的凹陷問(wèn)題，提高鍵合質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】密封環(huán)結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，涉及一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓級(jí)的Cu-Cu鍵合作為3D IC中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，目前還處在研發(fā)階段，具有廣闊的應(yīng)用前景。在3D CIS (CMOS圖像傳感器)等高端產(chǎn)品上的應(yīng)用時(shí)，Cu-Cu鍵合的密度很高，通常一個(gè)像素需要至少一個(gè)鍵合點(diǎn)，為減小芯片面積，需要將Cu焊盤的尺寸減小(約2um)。另外，除了芯片內(nèi)Cu焊盤(bonding PAD)外,通常在芯片外圍需要密封環(huán)鍵合(sealring bonding),使芯片內(nèi)部保持密封狀態(tài),避免Cu焊盤氧化。
[0003]傳統(tǒng)的密封環(huán)一般采用多層金屬層疊加，通常為雙密封環(huán)(內(nèi)外共兩圈)或單密封環(huán)(僅一圈)，金屬的寬度約為10?20微米。密封環(huán)為連續(xù)的金屬線，圍在芯片的外圈，從而保護(hù)芯片。芯片內(nèi)Cu頂層金屬鍵合焊盤通常為寬度為2微米的正方形或多邊形。
[0004]晶圓級(jí)Cu-Cu鍵合時(shí)，為提聞鍵合的質(zhì)量，通常需要Cu焊盤聞?dòng)诰A表面，使兩片晶圓在鍵合時(shí)，Cu焊盤得到良好的接觸。工藝上采用Cu化學(xué)機(jī)械拋光結(jié)合介質(zhì)回刻的方式實(shí)現(xiàn)，Cu焊盤的突出程度可以得到精確控制。然而由于不可避免的化學(xué)機(jī)械拋光下沉效應(yīng)(CMP loading effect)作用，大尺寸的Cu密封圈區(qū)域的銅會(huì)表現(xiàn)出嚴(yán)重的表面凹陷現(xiàn)象，而芯片區(qū)域Cu焊盤由于尺寸較小而基本沒(méi)有凹陷；在介質(zhì)回刻后，Cu密封圈區(qū)域相比介質(zhì)表面無(wú)明顯的階梯高度差，而Cu焊盤相比晶圓表面介質(zhì)的階梯高度差可以精確控制，使得密封環(huán)區(qū)域Cu和芯片內(nèi)部Cu焊盤表面狀況具有極大差異。在后續(xù)的鍵合過(guò)程中，Cu焊盤可以實(shí)現(xiàn)良好的鍵合效果，而Cu密封圈區(qū)域由于遭受嚴(yán)重的凹陷現(xiàn)象，在鍵合過(guò)程中難以實(shí)現(xiàn)同時(shí)鍵合，導(dǎo)致密封圈鍵合質(zhì)量變差。
[0005]因此，提供一種新的密封環(huán)結(jié)構(gòu)以提高密封環(huán)的鍵合質(zhì)量實(shí)屬必要。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于密封圈尺寸與芯片內(nèi)部的金屬焊盤尺寸差異過(guò)大，在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中密封圈表面出現(xiàn)嚴(yán)重凹陷，導(dǎo)致鍵合質(zhì)量降低的問(wèn)題。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，至少包括一層金屬層，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。
[0008]可選地，所述金屬塊為連接相鄰兩條金屬線的橫桿。
[0009]可選地，各個(gè)橫桿之間平行排列，且相鄰兩條橫桿之間的距離小于I微米。
[0010]可選地，所述橫桿的線寬小于5微米。
[0011 ] 可選地，所述金屬塊為圓形焊盤或正多邊形焊盤。
[0012]可選地，所述金屬塊的尺寸及形狀與所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)所保護(hù)的芯片區(qū)域中金屬焊盤的尺寸及形狀相同。
[0013]可選地，所述金屬線的線寬小于5微米；相鄰兩條金屬線之間的距離為5?20微米。
[0014]可選地，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)為單密封環(huán)或雙密封環(huán)。
[0015]可選地，所述金屬塊之間由介質(zhì)填充。
[0016]可選地，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)至少包括兩層金屬層，且相鄰金屬層之間通過(guò)通孔層連接。
[0017]如上所述，本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:密封環(huán)結(jié)構(gòu)至少包括一層金屬層，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。所述金屬塊可以為平行排列的橫桿，也可以是與芯片內(nèi)部金屬焊盤相同的結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬采用新的圖形設(shè)計(jì)，在不犧牲密封環(huán)密封性能的前提下，通過(guò)改變密封環(huán)的形狀和布局，將密封環(huán)分散為多個(gè)小尺寸的部件，該部件與芯片區(qū)域的焊盤尺寸接近，從而解決了化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的凹陷問(wèn)題，提高鍵合質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例一中的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖2顯示為圖1所示結(jié)構(gòu)中虛線框所示區(qū)域的剖面示意圖。
[0020]圖3顯示為圖1所示結(jié)構(gòu)中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0021]圖4顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例二中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0022]圖5顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例三中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0023]圖6顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例四中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0024]圖7顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例五中的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖8顯示為圖7所示結(jié)構(gòu)中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0026]圖9顯示為本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)在實(shí)施例六中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。
[0027]元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0028]100 密封環(huán)
[0029]101 金屬線
[0030]102 橫桿
[0031]103 正多邊形焊盤
[0032]d 相鄰兩條橫桿之間的距離
[0033]W1 金屬線的線寬
[0034]W2 橫桿的線寬
[0035]W3 密封環(huán)的線寬
[0036]W4 正多邊形焊盤的寬度[0037]CT 接觸層
[0038]Ml?M8 金屬層
[0039]Vl?V7 通孔層
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0041]請(qǐng)參閱圖1至圖9。須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
[0042]實(shí)施例一
[0043]請(qǐng)參閱圖1至圖3，本實(shí)用新型提供一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，至少包括一層金屬層，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。
[0044]本實(shí)施例中，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)以單密封環(huán)為例。如圖1所示，顯示為該密封環(huán)結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層包括一圈多邊形的密封環(huán)100。所述密封環(huán)100可以為正方形、長(zhǎng)方形、八邊形等。本實(shí)施例中，所述密封環(huán)100以正方形為例。所述密封環(huán)內(nèi)為芯片區(qū)域。圖1中虛線框所示區(qū)域?yàn)樗雒芊猸h(huán)一條邊的部分區(qū)域。
[0045]所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)可以包括一層金屬層、兩層金屬層或多層金屬層，本實(shí)施例中以包括八層金屬層為例，如圖2所示，顯示為圖1中虛線框所示區(qū)域的剖面示意圖，其顯示了所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的多層結(jié)構(gòu)，自下而上依次包括金屬層Ml、金屬層M2、金屬層M3、金屬層M4、金屬層M5、金屬層M6、金屬層M7及金屬層M8,其中金屬層M8為頂層金屬。相鄰金屬層之間通過(guò)通孔層連接。如圖2所示，還顯示了通孔層V1、通孔層V2、通孔層V3、通孔層V4、通孔層V5、通孔層V6及通孔層V7，所述金屬層Ml下方連接有接觸層CT。所述金屬層及所述通孔層的材料包括但不限于金屬Cu。
[0046]請(qǐng)參閱圖3，顯示為圖1中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。如圖3所示，所述密封環(huán)100的邊包括兩條縱向平行排列的金屬線101及形成與兩條金屬線101之間且間隔排列的若干金屬塊，本實(shí)施例中，所述金屬塊以橫桿102為例，所述橫桿連接相鄰的兩條金屬線101。
[0047]具體的，所述金屬線101為連續(xù)的金屬連線，以保證將芯片密封，相鄰金屬線101之間的距離為5?20微米。為了降低應(yīng)力，相鄰兩條金屬線101之間的距離優(yōu)選為大于5微米。
[0048]各個(gè)橫桿102之間平行排列，為了增加鍵合的面積，相鄰兩條橫桿之間的距離d可按最小的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)置，優(yōu)選為小于I微米，本實(shí)施例中，相鄰兩條橫桿之間的距離d約為0.5微米。所述橫桿102之間的由介質(zhì)填充。
[0049]為了減少化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中密封環(huán)結(jié)構(gòu)發(fā)生凹陷，金屬線的線寬W1及橫桿的線寬W2不太寬，應(yīng)滿足小于5微米，由于通常芯片內(nèi)部的Cu焊盤的尺寸約為2微米，本實(shí)施例中，所述金屬線的線寬W1及橫桿的線寬W2優(yōu)選為2微米。
[0050]本實(shí)施例中，所述密封環(huán)100的線寬以10微米為例，圖3中示出了密封環(huán)的線寬W3。
[0051]本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬由傳統(tǒng)的整塊金屬改進(jìn)由連續(xù)的金屬線和間隔分布的金屬塊組成，不僅能夠起到良好的密封效果，還能夠?qū)崿F(xiàn)良好的鍵合質(zhì)量。
[0052]實(shí)施例二
[0053]本實(shí)施例與實(shí)施例一采用基本相同的結(jié)構(gòu)，不同之處在于，實(shí)施例一中所述密封環(huán)100的線寬較小(10微米)，每一條邊包括兩條縱向平行排列的金屬線101 ;而本實(shí)施例中，所述密封環(huán)100的線寬較大，每一條邊包括三條縱向平行排列的金屬線101。
[0054]請(qǐng)參閱圖4，顯示為本實(shí)施例中密封環(huán)的一條邊的俯視放大圖，本實(shí)施例中，密封環(huán)的線寬W3以20微米為例，每條金屬線的線寬為2微米。相鄰兩條金屬線之間的橫桿結(jié)構(gòu)及分布與實(shí)施例一中相同。
[0055]需要指出的是，在其它實(shí)施例中，所述金屬線也可以為其它數(shù)目，如三根、四根等，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0056]實(shí)施例三
[0057]本實(shí)施例與實(shí)施例一采用基本相同的結(jié)構(gòu)，不同指出在于實(shí)施例一中，相鄰金屬線之間的金屬塊為橫桿，而本實(shí)施例中，相鄰金屬線之間的金屬塊為正多邊形焊盤。
[0058]請(qǐng)參閱圖5,顯示為本實(shí)施例中密封環(huán)的一條邊的俯視放大圖，如圖所示,所述金屬線101之間間隔分布有若干正多邊形焊盤103。本實(shí)施例中，所述正多邊形焊盤103以八邊形為例，在其它實(shí)施例中，正多邊形焊盤103還可以為四邊形、六邊形等。
[0059]本實(shí)施例中，密封環(huán)的線寬W3以20微米為例，每條金屬線的線寬為2微米。圖5中還示出還示出了正多邊形焊盤的寬度W4，由于芯片區(qū)域的Cu焊盤通常為寬度為2微米的正方形或多邊形，本實(shí)施例中，所述正多邊形焊盤的寬度W4以2微米為例。在其他實(shí)施例中，所述正多邊形焊盤的寬度W4可以根據(jù)芯片內(nèi)部Cu焊盤的尺寸變化進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，優(yōu)選的，所述金屬塊的尺寸、形狀及布局與所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)所保護(hù)的芯片區(qū)域中金屬焊盤的尺寸及形狀相同。當(dāng)然在其它實(shí)施例中，所述金屬塊還可以為圓形焊盤或其它形狀的焊盤，此處不應(yīng)過(guò)分限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0060]實(shí)施例四
[0061]本實(shí)施例與實(shí)施例三米用基本相同的技術(shù)方案，不同之處在于實(shí)施例三中，密封環(huán)的每一條邊僅包括兩條金屬線，而本實(shí)施例中，密封環(huán)的每一條邊包括三條金屬線。
[0062]請(qǐng)參閱圖6，顯示為本實(shí)施例中密封環(huán)的一條邊的俯視放大圖，如圖所示，相鄰金屬線之間形成有若干間隔排列的正多邊形焊盤。在其它實(shí)施例中，所述金屬線的數(shù)目還可以進(jìn)一步進(jìn)行調(diào)整，如為四條、五條等，以增強(qiáng)密封環(huán)的密封性能。所述正多邊形焊盤的數(shù)目也可以進(jìn)行增減，焊盤數(shù)目越多，鍵合強(qiáng)度越高。需要指出的是，鍵合過(guò)程中，待鍵合的兩片晶圓表面的密封環(huán)采用相同的版圖設(shè)計(jì)，以保證鍵合的精確度。
[0063]實(shí)施例五[0064]本實(shí)施例與實(shí)施例一及實(shí)施例二米用基本相同的技術(shù)方案,不同之處在于實(shí)施例一及實(shí)施例二為單密封環(huán)結(jié)構(gòu)(一圈密封環(huán))，而本實(shí)施例中為雙密封環(huán)結(jié)構(gòu)(由內(nèi)而外包括兩圈密封環(huán))。
[0065]請(qǐng)參閱圖7,顯示為本實(shí)施例中密封環(huán)結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示,所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬由內(nèi)而外共包括兩個(gè)密封環(huán)100。作為示例，內(nèi)部的密封環(huán)的線寬大于外部的密封環(huán)線寬。
[0066]請(qǐng)參閱圖8，顯示為圖7所示結(jié)構(gòu)中虛線為圖7所示結(jié)構(gòu)中虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖。本實(shí)施例中，由于內(nèi)密封環(huán)較寬，其采用實(shí)施例二中的結(jié)構(gòu)，外密封環(huán)較窄，其采用實(shí)施例一中的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱相關(guān)部分描述，此處不再贅述。
[0067]實(shí)施例六
[0068]本實(shí)施例與實(shí)施例五采用基本相同的雙密封環(huán)結(jié)構(gòu)，不同之處在于金屬塊的設(shè)計(jì)不同，實(shí)施例五中，金屬塊采用橫桿結(jié)構(gòu)，而本實(shí)施例中，金屬塊采用正多邊形焊盤結(jié)構(gòu)。
[0069]請(qǐng)參閱圖9,顯示為本實(shí)施例中圖7虛線框所示區(qū)域的俯視放大圖,如圖所示,夕卜密封環(huán)與內(nèi)密封環(huán)結(jié)構(gòu)相同，只是寬度有所差異。當(dāng)然在其它實(shí)施例中，較寬的密封環(huán)可以采用更多數(shù)目的金屬線。
[0070]綜上所述，本實(shí)用新型的密封環(huán)結(jié)構(gòu)至少包括一層金屬層，所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。所述金屬塊可以為平行排列的橫桿，也可以是與芯片內(nèi)部金屬焊盤相同的結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬采用新的圖形設(shè)計(jì)，在不犧牲密封環(huán)密封性能的前提下，通過(guò)改變密封環(huán)的形狀和布局，將密封環(huán)分散為多個(gè)小尺寸的部件，該部件與芯片區(qū)域的焊盤尺寸接近，從而解決了化學(xué)機(jī)械拋光產(chǎn)生的凹陷問(wèn)題，提高鍵合質(zhì)量。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0071]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種密封環(huán)結(jié)構(gòu)，至少包括一層金屬層，其特征在于:所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)的頂層金屬層至少包括一圈多邊形的密封環(huán)；所述密封環(huán)每一條邊包括至少兩條縱向平行排列的金屬線，且相鄰兩條金屬線之間形成有若干間隔排列的金屬塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬塊為連接相鄰兩條金屬線的橫桿。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:各個(gè)橫桿之間平行排列，且相鄰兩條橫桿之間的距離小于I微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述橫桿的線寬小于5微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬塊為圓形焊盤或正多邊形焊盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬塊的尺寸及形狀與所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)所保護(hù)的芯片區(qū)域中金屬焊盤的尺寸及形狀相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬線的線寬小于5微米；相鄰兩條金屬線之間的距離為5?20微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)為單密封環(huán)或雙密封環(huán)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬塊之間由介質(zhì)填充。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的密封環(huán)結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述密封環(huán)結(jié)構(gòu)至少包括兩層金屬層，且相鄰金屬層之間通過(guò)通孔層連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK203826393SQ201420231706
【公開(kāi)日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月7日
【發(fā)明者】李新, 戚德奎 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司