擴(kuò)張均勻性高的擴(kuò)晶的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體行業(yè)和LED行業(yè)使用的擴(kuò)張均勻性高的擴(kuò)晶機(jī)，沿互相垂直的兩條芯片切割道方向擴(kuò)張十字形藍(lán)膜，使得粘貼在十字形藍(lán)膜上已經(jīng)切好的晶元均勻擴(kuò)張、芯片互相分離，相鄰芯片之間的距離相等，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較少的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，達(dá)到芯片級(jí)封裝或晶元級(jí)封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。
【專利說明】擴(kuò)張均勻性高的擴(kuò)晶機(jī)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體行業(yè)和LED行業(yè)使用的擴(kuò)晶機(jī)，使得晶元均勻擴(kuò)張，相鄰芯片之間的距離相等，減少后續(xù)的測量和分選工藝占用的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，達(dá)到晶元級(jí)封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。

【背景技術(shù)】
[0002]晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的兩個(gè)方向:X方向和Y方向，X方向與晶元的平邊(flat)平行?，F(xiàn)有的擴(kuò)晶機(jī)(waferexpander)都是沿晶元的半徑方向擴(kuò)張，因此，同一切割道方向上的相鄰芯片(chip)之間的距離不相等，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較多的機(jī)器分辨和定位時(shí)間。另外，芯片級(jí)封裝(chip scale package)或晶元級(jí)封裝(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之間的距離基本上相同。因此，需要一種擴(kuò)晶機(jī)，使得擴(kuò)張后的晶元上的同一切割道方向的芯片之間的距離基本上相同。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的首要目的是提供一種擴(kuò)晶機(jī)，使得擴(kuò)張后的晶元上同一切割道方向上相鄰的芯片之間的距離基本相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離相同，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較少的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，滿足芯片級(jí)封裝的要求。第二個(gè)目的是提供一種擴(kuò)晶機(jī)，使得擴(kuò)張后的晶元在X方向的相鄰的芯片之間的距離基本上相同，在Y方向的相鄰的芯片之間的距離基本上相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離不同，因此，適用于矩形芯片，滿足芯片級(jí)封裝的要求。第三個(gè)目的是提供一種帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)，達(dá)到上述第一和第二個(gè)目的。
[0004]本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的工作原理:擴(kuò)晶機(jī)包括:框架結(jié)構(gòu)、頂膜結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)、壓環(huán)結(jié)構(gòu)。頂膜結(jié)構(gòu)設(shè)置在框架結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，沿垂直方向往返運(yùn)動(dòng)，擴(kuò)張放置在其上的十字形藍(lán)膜。壓膜結(jié)構(gòu)設(shè)置在框架結(jié)構(gòu)上方，壓緊和放松十字形藍(lán)膜。壓環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在頂膜結(jié)構(gòu)的上方，壓環(huán)結(jié)構(gòu)下降，將擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。其特征在于，頂膜結(jié)構(gòu)使得十字形藍(lán)膜沿晶元的芯片切割道方向擴(kuò)張。
[0005]本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面，十字形藍(lán)膜放置在藍(lán)膜接觸面上。藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，決定了十字形藍(lán)膜擴(kuò)張方向。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括一個(gè)主體。主體的頂端表面是藍(lán)膜接觸面。藍(lán)膜接觸面的俯視的形狀為正方形或矩形體。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體。第一主體設(shè)置在第二主體上方。第二主體的外形是圓柱體。第一主體的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面，藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形。
[0006]本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面。十字形藍(lán)膜放置在凸臺(tái)的藍(lán)膜接觸面和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂面上。放在擴(kuò)晶環(huán)支持面上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂端的外周的俯視形狀為正方形或矩形，決定了十字形藍(lán)膜沿X和Y方向擴(kuò)張。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括一個(gè)主體。主體的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體。第一主體設(shè)置在第二主體上方。第二主體的形狀為圓柱體。第一主體的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面。
[0007]本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面。頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽。擴(kuò)晶環(huán)槽把所述藍(lán)膜接觸面分成2部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面。外藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，決定了十字形藍(lán)膜沿X和Y方向擴(kuò)張。十字形藍(lán)膜放置在內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面上，使得十字形藍(lán)膜上的晶元在內(nèi)藍(lán)膜接觸面上方，晶元的外周邊緣沒有超過內(nèi)藍(lán)膜接觸面的外周邊界。擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和。擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)或外擴(kuò)晶環(huán)的寬度。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括一個(gè)主體，主體的頂端表面形成擴(kuò)晶環(huán)槽。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體。第一主體設(shè)置在第二主體上方。第二主體的形狀為圓柱體。第一主體的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽。
[0008]本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)具有加熱結(jié)構(gòu)。
[0009]本實(shí)用新型的帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的工作原理:在傳統(tǒng)的或本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)置一個(gè)附件，附件的頂端的表面與頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面在同一平面。附件的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面，藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元的芯片切割道方向擴(kuò)張，達(dá)到相鄰的芯片之間的距離相同的目的。
[0010]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面；擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，擴(kuò)晶環(huán)支持面的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)或者外擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
[0011]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽，擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。擴(kuò)晶環(huán)槽把藍(lán)膜接觸面分成2部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面。晶元在內(nèi)藍(lán)膜接觸面上方。
[0012]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:在圖1a展示的傳統(tǒng)的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)置一個(gè)附件，附件的外周的形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿X和Y兩個(gè)方向擴(kuò)張，達(dá)到相鄰的芯片之間的距離相同的目的。
[0013]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:附件的靠近附件的通孔的位置處形成附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面。附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面的深度等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
[0014]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:附件的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽，擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
[0015]本實(shí)用新型的帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的工作原理:在傳統(tǒng)的或本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)置一個(gè)附件，附件的頂端的表面與頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面在同一平面。一個(gè)實(shí)施實(shí)例:附件的頂端的外側(cè)形成一個(gè)附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面，附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面的深度等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度；放置在附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂端的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
[0016]帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例:附件具有對(duì)附件進(jìn)行加熱的加熱結(jié)構(gòu)。
[0017]下面的事項(xiàng)對(duì)所有本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例都適用:(I)頂膜結(jié)構(gòu)頂端的藍(lán)膜接觸面上形成一個(gè)為了晶元的平邊對(duì)位用的標(biāo)記200。(2)所有藍(lán)膜采用十字形藍(lán)膜；放置晶元在十字形藍(lán)膜的中心位置處，并使得晶元的平邊與十字形藍(lán)膜的一條邊平行；放置十字形藍(lán)膜在頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的藍(lán)膜接觸面上，晶元的平邊103與對(duì)位標(biāo)記200對(duì)準(zhǔn)，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。(3)附圖中的尺寸不成比例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖la、圖lb、圖1c分別是傳統(tǒng)擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。
[0019]圖2a和圖2b是本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的工作原理圖。
[0020]圖3a和圖3b是本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。
[0021]圖3c和圖3d分別是圖3a的頂膜結(jié)構(gòu)的實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0022]圖3e和圖3f分別是圖3a的頂膜結(jié)構(gòu)的實(shí)施實(shí)例的俯視圖。
[0023]圖4a和圖4b是本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。
[0024]圖4c和圖4d分別是圖4a的頂膜結(jié)構(gòu)的凸臺(tái)的實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0025]圖4e和圖4f分別是圖4a的頂膜結(jié)構(gòu)的凸臺(tái)的實(shí)施實(shí)例的俯視圖。
[0026]圖4g和圖4h分別是圖4a的頂膜結(jié)構(gòu)的凸臺(tái)的實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0027]圖4i和圖4j分別是圖4a的頂膜結(jié)構(gòu)的凸臺(tái)的實(shí)施實(shí)例的俯視圖。
[0028]圖5a和圖5b是本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。
[0029]圖5c和5d分別是圖5a的監(jiān)I旲接觸面和擴(kuò)晶環(huán)槽的實(shí)施實(shí)例的不意圖。
[0030]圖5e和圖5f分別是圖5a的藍(lán)膜接觸面和擴(kuò)晶環(huán)槽的實(shí)施實(shí)例的俯視圖。
[0031]圖6a、圖6b、圖6c、圖6d、圖6e、圖6f分別是本實(shí)用新型的帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。
[0032]圖6g、圖61、圖6k、圖6n和圖6h、圖6j、圖6m、圖6p分別是附件的實(shí)施實(shí)例的俯視圖和截面圖。
[0033]圖7a和圖7b分別是內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)和外擴(kuò)晶環(huán)的俯視圖和截面圖。
[0034]圖中的數(shù)字符號(hào)代表的含義如下:
[0035]10表示頂膜結(jié)構(gòu)，
[0036]1a和1b分別表示頂膜結(jié)構(gòu)10的第一主體和第二主體，
[0037]11表示頂膜結(jié)構(gòu)10的表面的藍(lán)膜接觸面，
[0038]Ila表示頂膜結(jié)構(gòu)10的表面的內(nèi)藍(lán)膜接觸面，
[0039]Ilb表示頂膜結(jié)構(gòu)10的表面的外藍(lán)膜接觸面，
[0040]12表示頂膜結(jié)構(gòu)上的擴(kuò)晶環(huán)支持面，
[0041]12a和12b分別表示擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度和深度，
[0042]13表示凸臺(tái)，
[0043]14表示擴(kuò)晶環(huán)槽，
[0044]14a和14b分別表示擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度和深度，
[0045]15和15c分別表不頂膜結(jié)構(gòu)10和第一主體的外周，
[0046]15a和15b分別與十字形藍(lán)膜的邊22和邊23平行，
[0047]20a和20b分別表不擴(kuò)張前和擴(kuò)張后的傳統(tǒng)的藍(lán)膜，
[0048]21a和21b分別表示擴(kuò)張前和擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜，
[0049]22表示十字形藍(lán)膜的一個(gè)邊，邊22與芯片切割道102平行，
[0050]23表示十字形藍(lán)膜的與邊22垂直的另一個(gè)邊，邊23與平邊103平行，
[0051]30表示框架結(jié)構(gòu)，
[0052]40表示壓膜結(jié)構(gòu)，
[0053]50表示壓環(huán)結(jié)構(gòu)，
[0054]60表示附件，
[0055]61表示附件的擴(kuò)晶環(huán)槽，
[0056]61a和61b分別表示附件的外擴(kuò)晶環(huán)支持面和附件的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面
[0057]62a和62b分別表示附件的通孔，
[0058]63表示附件的藍(lán)膜接觸面，
[0059]65表不附件的外周，
[0060]100表示晶元，
[0061]101表示X方向的芯片切割道，芯片切割道101與平邊103平行，
[0062]102表示與X方向垂直的Y方向的芯片切割道，
[0063]103表示晶元的平邊(flat)，芯片切割道101與平邊103垂直，
[0064]105、105a、105b、105c、105d、105e分別表示藍(lán)膜擴(kuò)張后的芯片，
[0065]110表示貼片環(huán)，
[0066]120a和120b分別表示外擴(kuò)晶環(huán)和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)，
[0067]121和122分別表示外擴(kuò)晶環(huán)和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度和厚度，
[0068]123表示外擴(kuò)晶環(huán)和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，
[0069]200對(duì)位標(biāo)記。

【具體實(shí)施方式】
[0070]為使本實(shí)用新型的實(shí)施實(shí)例的目的、工作原理、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型的實(shí)施實(shí)例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施實(shí)例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施實(shí)例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施實(shí)例，而不是全部的實(shí)施實(shí)例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施實(shí)例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施實(shí)例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0071]圖la、圖1b和圖1c分別是傳統(tǒng)的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的俯視圖和截面圖。圓柱體的頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端形成凸臺(tái)13和擴(kuò)晶環(huán)支持面12，擴(kuò)晶環(huán)支持面12具有寬度12a，凸臺(tái)13的高度為12b。圓形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b放置在擴(kuò)晶環(huán)支持面12上，內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的內(nèi)側(cè)與凸臺(tái)13的側(cè)面相接近，內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂面與凸臺(tái)13的藍(lán)膜接觸面11基本在同一平面上。藍(lán)膜20a放置在藍(lán)膜接觸面11和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂面上。晶元100黏貼在藍(lán)膜20a的中心位置。晶元100具有平邊103，X方向的芯片切割道101，Y方向的芯片切割道102。當(dāng)頂膜結(jié)構(gòu)10向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，藍(lán)膜20a被圓形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂面外側(cè)邊緣頂起并擴(kuò)張，外擴(kuò)晶環(huán)120a下壓，把擴(kuò)張后的藍(lán)膜20b夾緊在內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a之間。藍(lán)膜20a是沿圓形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的半徑擴(kuò)張，所以，沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向分離的相鄰芯片之間的距離不相同，增加了后續(xù)的測量和分選工藝的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，不能做晶元級(jí)封裝。
[0072]圖2a和圖2b展示本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的目的:相鄰芯片之間分離的距離基本相同。工作原理:只沿芯片切割道101與芯片切割道102兩個(gè)方向擴(kuò)張十字形藍(lán)膜21a。技術(shù)方案:(I)采用十字形藍(lán)膜21a ； (2)放置晶元100在十字形藍(lán)膜21a的中心位置處，晶元100的平邊103與十字形藍(lán)膜21a的邊23平行，十字形藍(lán)膜21a放置在頂膜結(jié)構(gòu)上，使得晶元100的平邊103與對(duì)位標(biāo)記200對(duì)準(zhǔn)；(3)決定十字形藍(lán)膜的擴(kuò)張方向的頂膜結(jié)構(gòu)10的藍(lán)膜接觸面11 (圖3a)和Ilb (圖5a)或內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b (圖4b)的頂端的外周或附件60 (圖6a、圖6b、圖6d、圖6e和圖6f)的頂端的外周65或放在附件的外擴(kuò)晶環(huán)支持面上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂面的外周(圖6c)的俯視形狀是正方形或矩形；因此，(4)當(dāng)頂膜結(jié)構(gòu)10上升時(shí)，十字形藍(lán)膜21a只沿芯片切割道方向擴(kuò)張，擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜21b上X方向的相鄰芯片(例如，芯片105a和芯片105b之間以及芯片105b和芯片105c之間)分離的距離基本相同，Y方向相鄰芯片(例如，芯片105a和芯片105d之間以及芯片105a和芯片105e之間)分離的距離基本相同，降低了后續(xù)的測量和分選工藝的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，可以直接進(jìn)行晶元級(jí)封裝。
[0073]圖3a和圖3b展示本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理。擴(kuò)晶機(jī)包括，框架結(jié)構(gòu)30、頂膜結(jié)構(gòu)10、壓膜結(jié)構(gòu)40、壓環(huán)結(jié)構(gòu)50。頂膜結(jié)構(gòu)10設(shè)置在框架結(jié)構(gòu)30的內(nèi)部。壓膜結(jié)構(gòu)40設(shè)置在框架結(jié)構(gòu)30的上方，壓緊和放松十字形藍(lán)膜。壓環(huán)結(jié)構(gòu)50設(shè)置在頂膜結(jié)構(gòu)10和框架結(jié)構(gòu)30的上方，藍(lán)膜被擴(kuò)張后，壓環(huán)結(jié)構(gòu)50下降，把貼片環(huán)110壓在擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜21b上，十字形藍(lán)膜21b粘結(jié)在貼片環(huán)110上并保持?jǐn)U張狀態(tài)。頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面11。藍(lán)膜接觸面11的外周15的俯視形狀決定十字形藍(lán)膜擴(kuò)張的方向，外周15的俯視形狀為正方形(圖3e)或矩形(圖3f)，使得十字形藍(lán)膜只沿互相垂直的兩個(gè)方向擴(kuò)張。
[0074]圖3c展示的頂膜結(jié)構(gòu)10包括，第一主體1a和第二主體10b。第一主體1a的頂端是藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200 ;藍(lán)膜接觸面11的外周15c是正方形或矩形。第二主體1b具有圓柱體結(jié)構(gòu)。第一主體1a設(shè)置在第二主體1b的上方。圖3d展示的頂膜結(jié)構(gòu)10只有一個(gè)六面體主體，其頂端是正方形或矩形藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。
[0075]藍(lán)膜接觸面11 (圖3e)的外周15的俯視形狀是正方形，使得十字形藍(lán)膜沿互相垂直的X和Y方向有相同程度的擴(kuò)張，因此，相鄰芯片之間的距離相同，這種頂膜結(jié)構(gòu)10適用于正方形芯片。例如，圖2b中，芯片105a與105b之間的距離、芯片105b與105c之間的距離、芯片105a與105d之間的距離和芯片105a與105e之間的距離基本相同。藍(lán)膜接觸面11(圖3f)的外周15的俯視形狀是矩形，使得十字形藍(lán)膜沿矩形的短邊方向的擴(kuò)張小于沿長邊方向的擴(kuò)張，因此，相鄰芯片之間的在同一方向的距離相同，但是，與另一方向的芯片之間的距離不同，這種頂膜結(jié)構(gòu)10適用于矩形芯片。例如，圖2b中，沿X方向:芯片105a與105b之間的距離和芯片105b與105c之間的距離相同。沿Y方向:芯片105a與105d之間的距離和芯片105a與105e之間的距離相同。但是，芯片105a與105b之間的距離和芯片105a與105d之間的距離不相同。
[0076]圖4a和圖4b展示本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理。圖4a展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖3a展示的擴(kuò)晶機(jī)相似，不同之處在于:圖4a的頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端形成凸臺(tái)13和擴(kuò)晶環(huán)支持面12，擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15 (也是頂膜結(jié)構(gòu)10的外周)的俯視形狀是正方形(圖4e)或矩形(圖4f)。注:擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15的俯視形狀也可以是圓形(未在圖中展示)，只要內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂部外周的俯視形狀是正方形或矩形，并且擴(kuò)晶環(huán)支持面12可以支持內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b即可。內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂部外周形狀使得十字形藍(lán)膜沿X和Y方向擴(kuò)張。
[0077]圖4c展示的頂膜結(jié)構(gòu)10只有一個(gè)主體，其頂端具有凸臺(tái)13和擴(kuò)晶環(huán)支持面12，凸臺(tái)13頂部是藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。凸臺(tái)13的高度是12b，擴(kuò)晶環(huán)支持面12的寬度是12a (圖4e)。圖4d展示的頂膜結(jié)構(gòu)具有第一主體1a和第二主體10b。第一主體1a的頂端具有正方形或矩形凸臺(tái)13和擴(kuò)晶環(huán)支持面12，凸臺(tái)13頂部是藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。第一主體1a設(shè)置在圓柱體形狀的第二主體1b的上方。第一主體1a和第二主體1b既可以分別制造后組裝也可以一次成型。圖4c的擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15和圖4d的擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15c分別是正方形或者矩形。注:擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15 (圖4c)和外周15c (圖4d)的俯視形狀也可以是圓形(未在圖中展示)。擴(kuò)晶環(huán)支持面12的寬度12a等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和123，凸臺(tái)13的高度12b等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
[0078]圖4e展示的凸臺(tái)13的外周的俯視形狀與頂膜結(jié)構(gòu)的外周的俯視形狀相同，是正方形。圖4f展示的凸臺(tái)13的外周的俯視形狀與頂膜結(jié)構(gòu)的外周的俯視形狀相同，都是矩形。凸臺(tái)13具有藍(lán)膜接觸面11。擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15的俯視形狀是正方形(圖4e)或矩形(圖4f)。
[0079]圖4g展示的頂膜結(jié)構(gòu)10只有一個(gè)主體，主體的外周15的俯視形狀為正方形或矩形。頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端形成外周的俯視形狀為圓形的凸臺(tái)13,凸臺(tái)13的頂端具有藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。圖4h展示的頂膜結(jié)構(gòu)具有第一主體1a和第二主體10b。第一主體1a的外周15c的俯視形狀為正方形或矩形。第一主體1a的頂部具有圓形凸臺(tái)13,凸臺(tái)13具有藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。第一主體1a設(shè)置在圓柱體形狀的第二主體1b的上方。圖4g和圖4h展示的擴(kuò)晶環(huán)支持面12的內(nèi)邊是圓形、外周15或者外周15c的俯視形狀分別是正方形或矩形。
[0080]圖4i展示的凸臺(tái)13的外周的俯視形狀為圓形。頂膜結(jié)構(gòu)的外周15的俯視形狀是正方形。圖4j展示的凸臺(tái)13的外周的俯視形狀為圓形，頂膜結(jié)構(gòu)的外周15的俯視形狀是矩形。圖4i和圖4j展示的凸臺(tái)13分別具有藍(lán)膜接觸面11及對(duì)位標(biāo)記200。擴(kuò)晶環(huán)支持面12具有內(nèi)邊是圓形、外邊是正方形或矩形的環(huán)形形狀。
[0081]注:(I)圖4c和圖4g的主體10可以分別是圓柱體，只要主體10可以分別支持外周的俯視形狀為正方形或矩形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)。(2)圖4d和圖4h的第一主體1a可以分別是圓柱體，只要第一主體1a可以分別支持外周的俯視形狀為正方形或矩形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)。
[0082]圖5a和圖5b展示本實(shí)用新型的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例的工作原理。圖5a展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖3a展示的相似。不同之處在于:圖5a的頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端形成寬度14a和深度14b的擴(kuò)晶環(huán)槽14。擴(kuò)晶環(huán)槽14把頂膜結(jié)構(gòu)10頂端的藍(lán)膜接觸面分成兩部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila和外藍(lán)膜接觸面lib。外藍(lán)膜接觸面Ilb的外周15 (圖5c)或者15c (圖5d)的俯視形狀分別為正方形(圖5e)或矩形(圖5f)。內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila的外周的俯視形狀為圓形(圖5e)或正方形或矩形(圖5f)。內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila的外周的最小尺寸【直徑(圖5e)或?qū)挾?圖5f))或一邊的邊長(正方形，未在圖中展示)】大于晶元的直徑。擴(kuò)晶環(huán)槽14的寬度14a大于等于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a的厚度之和123 (圖7b)，擴(kuò)晶環(huán)槽14的深度14b大于等于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的寬度121 (圖7b)，使得內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a可以放入擴(kuò)晶環(huán)槽14中。當(dāng)十字形藍(lán)膜21a擴(kuò)張后，壓環(huán)結(jié)構(gòu)50下降，把外擴(kuò)晶環(huán)120a壓在十字形藍(lán)膜21b上，繼續(xù)向下壓，直至把外擴(kuò)晶環(huán)120a壓在擴(kuò)晶環(huán)槽14的底面，將擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜21b夾在外擴(kuò)晶環(huán)120a和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b之間，以便進(jìn)行后續(xù)工藝。其優(yōu)勢在于，對(duì)于內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila的外周的俯視形狀為圓形(圖5e)的實(shí)施實(shí)例，可以繼續(xù)使用現(xiàn)有的圓形擴(kuò)晶環(huán)。擴(kuò)晶環(huán)槽14的寬度14a等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和123，擴(kuò)晶環(huán)槽14的深度14b等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度
[0083]圖5c展示的頂膜結(jié)構(gòu)10只有一個(gè)主體，主體的外周15的俯視形狀為正方形或矩形。頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽14，擴(kuò)晶環(huán)槽14把頂膜結(jié)構(gòu)10頂端的藍(lán)膜接觸面分成兩部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila和外藍(lán)膜接觸面lib。圖5d展示的頂膜結(jié)構(gòu)具有第一主體1a和第二主體10b。第一主體1a的外周15c的俯視形狀為正方形或矩形。第一主體1a的頂端形成圓形擴(kuò)晶環(huán)槽14，擴(kuò)晶環(huán)槽14把頂膜結(jié)構(gòu)10頂端的藍(lán)膜接觸面分成兩部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila和外藍(lán)膜接觸面lib。第二主體1b具有圓柱體結(jié)構(gòu)。第一主體1a設(shè)置在第二主體1b的上方。注:(I)圖5c和圖5d展示的擴(kuò)晶環(huán)槽14也可以具有正方形或矩形的環(huán)形形狀，如圖5f的擴(kuò)晶環(huán)槽14。(2)內(nèi)藍(lán)膜接觸面Ila上形成對(duì)位標(biāo)記200。
[0084]圖6a至圖6e展示本實(shí)用新型的帶有附件的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例。圖6a至圖6e中的附件60設(shè)置在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周，頂膜結(jié)構(gòu)10帶動(dòng)附件60共同運(yùn)動(dòng)。附件60的外周65的俯視形狀是正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿互相垂直的兩條芯片切割道方向擴(kuò)張。晶元100黏貼在十字形藍(lán)膜上。附件60向上運(yùn)動(dòng)，十字形藍(lán)膜被附件60的正方形或矩形的外周65的邊緣頂起，十字形藍(lán)膜沿晶元的2條芯片切割道101和102擴(kuò)張。
[0085]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6a展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖1a展示的傳統(tǒng)的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:圖6a的擴(kuò)晶機(jī)包括固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周的附件60 (圖6k和圖6n)。附件60的頂端的藍(lán)膜接觸面63與頂膜結(jié)構(gòu)10的藍(lán)膜接觸面11在同一平面。附件60的中心形成通孔62a，通孔62a的直徑與頂膜結(jié)構(gòu)10的直徑相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端。
[0086]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6a展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖4a展示的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:(I)圖6a的擴(kuò)晶環(huán)支持面12的外周15也可以是圓形；⑵圖6a的擴(kuò)晶機(jī)包括附件60(如圖6k、圖6m和圖6n、圖6p所示)。附件60的中心形成通孔62b，通孔62b的形狀和尺寸與頂膜結(jié)構(gòu)10的外周15的形狀和尺寸相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端。
[0087]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6b展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖5a展示的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:(I)圖6b的頂膜結(jié)構(gòu)的外周15的俯視形狀也可以是圓形；⑵圖6b的擴(kuò)晶機(jī)包括附件60(如圖6k、圖6m和圖6n、圖6p所示)。形成在附件60的中心的通孔62a (圖6k)或通孔62b (圖6n)的形狀和尺寸與頂膜結(jié)構(gòu)10的外周15的形狀和尺寸相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端。
[0088]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6c展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖3a展示擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:⑴圖6c的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的外周的俯視形狀可以是圓形或正方形或矩形；(2)包括附件60,固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周。附件60的中心具有通孔62a (圖6g)或正方形或矩形通孔62b，通孔62a的直徑與頂膜結(jié)構(gòu)10的直徑相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端。附件60的外側(cè)形成一個(gè)附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面61a，正方形或矩形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b放置在附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面61a中。通孔62b的形狀與尺寸與頂膜結(jié)構(gòu)10的形狀與尺寸相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周。附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面61a的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和123 (圖7b)。
[0089]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6d展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖3a展示的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:(I)圖6d的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的外周的俯視形狀可以是圓形；(2)包括附件60。附件60固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周。附件60的中心形成通孔62a或通孔62b,通孔62a或通孔62b的形狀和尺寸與頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的形狀和尺寸相配合，使得附件60可以固定在頂膜結(jié)構(gòu)10的頂端的外周。在靠近附件的通孔62a或通孔62b的位置處形成附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面61b。附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面61b的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和。正方形或矩形的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b放置在附件上的擴(kuò)晶環(huán)支持面61b上。十字形藍(lán)膜放置在頂膜結(jié)構(gòu)10的藍(lán)膜接觸面11、內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的頂面(未展示)和附件60的藍(lán)膜接觸面63上。
[0090]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6e展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖6d展示的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:圖6e的擴(kuò)晶機(jī)的附件60上沒有形成如圖6d中的附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面61b，而是附件60上形成擴(kuò)晶環(huán)槽61。擴(kuò)晶環(huán)槽61可以容納內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)和外擴(kuò)晶環(huán)。
[0091]一個(gè)實(shí)施實(shí)例:圖6f展示的擴(kuò)晶機(jī)與圖6e展示的擴(kuò)晶機(jī)相似:區(qū)別在于:圖6f的擴(kuò)晶機(jī)的附件60 (如圖6k、圖6m、圖6n、圖p)上沒有擴(kuò)晶環(huán)槽。圖6f展示的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)可以是圓柱體。
[0092]圖6g和圖6h分別展示附件的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的俯視圖和截面圖。附件60的外周65的俯視形狀具有正方形(圖6g)或矩形(未展示)，附件60具有與藍(lán)膜接觸的頂面63，中間具有通孔62a，外擴(kuò)晶環(huán)支持面61a。
[0093]圖6i和圖6j分別展示附件的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的俯視圖和截面圖。附件60的外周65具有正方形(圖6i)或矩形(未展示)形狀，與藍(lán)膜接觸的頂面63，中間具有通孔62a，具有圓環(huán)形的附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面61b。
[0094]注:(1)圖6g、圖6h、圖6i和圖6j中的附件60的中間部位也可以具有正方形或矩形通孔以代替通孔62a; (2)附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面61a和內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面61b也可以是正方形環(huán)形或矩形環(huán)形以代替圓環(huán)形。
[0095]圖6k和圖6m分別展示附件的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的俯視圖和截面圖。附件60的外周65具有正方形(未展示)或矩形(圖6k)形狀，與藍(lán)膜接觸的頂面63，中間形成通孔62a。
[0096]圖6n和圖6p分別展示附件的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的俯視圖和截面圖。附件60的外周65具有正方形(未展示)或矩形(圖6n)形狀，與藍(lán)膜接觸的頂面63，中間形成通孔62b。
[0097]圖7a和圖7b分別展示內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)和外擴(kuò)晶環(huán)的俯視圖和截面圖。內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a具有基本相同的寬度121和基本相同的厚度122。內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b的外周半徑與外擴(kuò)晶環(huán)120a的內(nèi)徑基本相同，使得內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a可以套在一起，內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)120b和外擴(kuò)晶環(huán)120a的厚度的和123。
[0098]最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施實(shí)例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述實(shí)施實(shí)例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或?qū)ζ渲胁糠旨夹g(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施實(shí)例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種擴(kuò)晶機(jī)，包括:框架結(jié)構(gòu)、頂膜結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)、壓環(huán)結(jié)構(gòu)；所述頂膜結(jié)構(gòu)沿豎直方向往返運(yùn)動(dòng)，擴(kuò)張放置在其上的十字形藍(lán)膜；所述壓膜結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述框架結(jié)構(gòu)上方，壓緊和放松十字形藍(lán)膜；所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述頂膜結(jié)構(gòu)的上方，所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)下降，使得擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)；其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面，十字形藍(lán)膜放置在所述藍(lán)膜接觸面上，所述藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體；所述第一主體設(shè)置在所述第二主體上方；所述第一主體的頂端是藍(lán)膜接觸面，所述藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面，放在所述擴(kuò)晶環(huán)支持面上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂端的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體；所述第一主體設(shè)置在所述第二主體上方；所述第一主體的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面；所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽；所述擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)或外擴(kuò)晶環(huán)的寬度；所述擴(kuò)晶環(huán)槽把所述藍(lán)膜接觸面分成2部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面；所述外藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)包括第一主體和第二主體；所述第一主體設(shè)置在所述第二主體上方；所述第一主體的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽；所述擴(kuò)晶環(huán)槽把所述藍(lán)膜接觸面分成2部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面；所述外藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形。
8.一種擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述擴(kuò)晶機(jī)包括:框架結(jié)構(gòu)、頂膜結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)、壓環(huán)結(jié)構(gòu)、附件；所述附件設(shè)置在所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的外周，所述附件的頂端的表面與所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面在同一平面，所述頂膜結(jié)構(gòu)及附件沿豎直方向往返運(yùn)動(dòng)；所述壓膜結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述框架結(jié)構(gòu)上方，壓緊和放松十字形藍(lán)膜；所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述頂膜結(jié)構(gòu)的上方，擴(kuò)張后，所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)下降，使得擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)；所述附件的頂端的表面是藍(lán)膜接觸面，使得十字形藍(lán)膜沿晶元的芯片切割道方向擴(kuò)張。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述附件的頂端的表面的藍(lán)膜接觸面的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元的芯片切割道方向擴(kuò)張。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成凸臺(tái)和擴(kuò)晶環(huán)支持面；所述擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述凸臺(tái)的高度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)或外擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端形成擴(kuò)晶環(huán)槽；所述擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度；所述擴(kuò)晶環(huán)槽把所述藍(lán)膜接觸面分成2部分:內(nèi)藍(lán)膜接觸面和外藍(lán)膜接觸面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，在所述附件的靠近所述附件的通孔的位置處形成附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面；所述附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述附件上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)支持面的深度等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述附件的頂端形成附件上的擴(kuò)晶環(huán)槽，所述附件上的擴(kuò)晶環(huán)槽的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述附件上的擴(kuò)晶環(huán)槽的深度等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度。
14.一種擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述擴(kuò)晶機(jī)包括:框架結(jié)構(gòu)、頂膜結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)、壓環(huán)結(jié)構(gòu)、附件；所述附件設(shè)置在所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的外周，所述附件的頂端的表面與所述頂膜結(jié)構(gòu)的頂端的表面在同一平面，所述頂膜結(jié)構(gòu)及附件沿豎直方向往返運(yùn)動(dòng)；所述壓膜結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述框架結(jié)構(gòu)上方，壓緊和放松十字形藍(lán)膜；所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述頂膜結(jié)構(gòu)的上方，擴(kuò)張后，所述壓環(huán)結(jié)構(gòu)下降，使得擴(kuò)張后的十字形藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)；所述附件的頂端的外側(cè)形成附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面，所述附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面的寬度等于或大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的厚度和外擴(kuò)晶環(huán)的厚度之和，所述附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面的深度等于或者大于內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的寬度；放在所述附件上的外擴(kuò)晶環(huán)支持面上的內(nèi)擴(kuò)晶環(huán)的頂端的外周的俯視形狀為正方形或矩形，使得十字形藍(lán)膜沿晶元上的芯片切割道方向擴(kuò)張。
15.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求14的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述附件具有加熱結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK204204809SQ201420252689
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】彭暉 申請(qǐng)人:佛山市南海區(qū)聯(lián)合廣東新光源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心, 彭暉