用于dbc基板的銅片預(yù)氧化裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，包括：支架，在所述支架的兩端設(shè)有焊接架，在所述支架的兩側(cè)設(shè)有第一支點，所述第一支點的位于所述焊接架之間；擋板，所述擋板通過所述焊接架連接在所述支架的兩端外側(cè)，在所述擋板的內(nèi)側(cè)設(shè)有第二支點，所述第二支點與所述第一支點對應(yīng)；散熱排氣孔，所述散熱排氣孔均勻設(shè)置在所述擋板的下部。本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置在銅片架空氧化的基礎(chǔ)上，通過在銅片兩側(cè)添加擋板，可有效阻止?fàn)t膛底部氧氣影響銅片下表面(非燒結(jié)面)邊緣。同時用支架取代氧化鋁瓷條，并與兩側(cè)擋板構(gòu)成一體，極大簡化操作步驟。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及半導(dǎo)體制造、LED、光通訊領(lǐng)域，特別適用于半導(dǎo)體制冷器、LED、功 率半導(dǎo)體等DBC基板制造，具體是涉及一種用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置。 用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置

【背景技術(shù)】
[0002] 直接覆銅陶瓷基板（DBC)在制備過程中，通常會將銅片進(jìn)行預(yù)氧化處理，通過預(yù) 引入氧促進(jìn)Cu-0共晶液生成，從而實現(xiàn)氧化鋁陶瓷基板與銅片的結(jié)合。因此，為保證DBC 基板性能均一性，銅片表面氧化層需均勻且厚度可控。現(xiàn)有銅片預(yù)氧化主要有兩種方法：
[0003] 1.直接將銅片置于傳送帶表面進(jìn)行氧化。氧氣通過爐膛底部的陣列式氣孔排出， 中間經(jīng)過傳送網(wǎng)帶，最后到達(dá)銅片表面。由于銅片與傳送網(wǎng)帶的直接接觸部位無法與氧充 分反應(yīng)，因此會產(chǎn)生銅片表面氧化不均勻的問題。
[0004] 2.將銅片架空進(jìn)行氧化。通過在銅片前后部位橫向搭建兩根具有一定高度的氧化 鋁瓷條，可有效避免銅片與網(wǎng)帶直接接觸，保證銅片表面氧化層均勻。然而，該氧化方法操 作步驟繁瑣，并且由于爐膛下路氧流量大，銅片底部處于一個敞開式的氧化環(huán)境中，雖然銅 片在預(yù)氧化時會前后相連，但爐膛底部的氧氣可通過銅片兩側(cè)排出，導(dǎo)致銅片下表面（非 燒結(jié)面）邊緣存在氧化過深問題，直接影響DBC基板表面狀態(tài)的均一性。 實用新型內(nèi)容
[0005] 本實用新型的目的在于提供一種可實現(xiàn)銅片表面氧化層均勻且厚度可控，并且能 有效解決銅片非燒結(jié)面邊緣氧化過深問題的用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置。
[0006] 為解決上述技術(shù)問題，本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，包括：支架， 在所述支架的兩端設(shè)有焊接架，在所述支架的兩側(cè)設(shè)有第一支點，所述第一支點的位于所 述焊接架之間；擋板，所述擋板通過所述焊接架連接在所述支架的兩端外側(cè)，在所述擋板的 內(nèi)側(cè)設(shè)有第二支點，所述第二支點與所述第一支點對應(yīng)；散熱排氣孔，所述散熱排氣孔均勻 設(shè)置在所述擋板的下部。
[0007] 所述散熱排氣孔的孔徑為1毫米?10毫米。
[0008] 所述第一支點及所述第二支點的厚度為1毫米?5毫米。所述第二支點頂部與所 述支架之間的高度差為5毫米?15毫米。
[0009] 所述擋板的厚度為1毫米?5毫米，所述擋板的長度為2毫米?10毫米。
[0010] 本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置在銅片架空氧化的基礎(chǔ)上，通過在銅 片兩側(cè)添加擋板，可有效阻止?fàn)t膛底部氧氣影響銅片下表面（非燒結(jié)面）邊緣。同時用支 架取代氧化鋁瓷條，并與兩側(cè)擋板構(gòu)成一體，極大簡化操作步驟。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1為本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置擋板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012] 圖2為本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置支架結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013] 圖3為本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0014] 圖4為本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0015] 圖5為圖4局部放大圖。
[0016] 本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置附圖中附圖標(biāo)記說明：
[0017] 1-支架 2-焊接架 3-第一支點
[0018] 4-擋板 5-第二支點 6-散熱排氣孔

【具體實施方式】
[0019] 下面結(jié)合附圖對本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0020] 如圖1?圖5所示，本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，包括支架1及兩 側(cè)擋板4,其中支架1與擋板4采用焊接方式連接，形成直角連接，保證兩側(cè)擋板4相對平 行，并組成半封閉結(jié)構(gòu)。在支架1及擋板4中心位置存在第一支點3和第二支點5,用于支 撐銅片；兩側(cè)擋板4上分布散熱排氣孔6。
[0021] 兩側(cè)的擋板4是通過焊接架2與支架1焊接，擋板4采取薄片設(shè)計，厚度控制在1 毫米?5毫米，主要是為加快氧化裝置整體散熱速度，避免銅片表面產(chǎn)生二次氧化；擋板4 長度比銅片長度略短，控制在2毫米?10毫米；每側(cè)擋板4中間部位有一個第二支點5,第 二支點5的厚度為1毫米?5毫米，用于支撐銅片兩側(cè)；每側(cè)擋板4上都分布一組散熱排氣 孔6,孔徑為1毫米?10毫米，該散熱排氣孔6的設(shè)計一方面利于氧化裝置更快實現(xiàn)快速散 熱效果，另一方面可保證爐膛底部氧氣通過散熱排氣孔6排出。
[0022] 支架1結(jié)構(gòu)同樣采用薄片設(shè)計，用于連接兩側(cè)擋板4,使氧化裝置構(gòu)成一體。支架 1中間部位有一個第一支點3,第一支點3高度與兩側(cè)擋板4的第二支點5的高度相同，保 證銅片在氧化裝置中與爐膛底部平行；同時支架1與第一支點3頂部之間存在5毫米?15 毫米的間隙，使氧氣在支點附近均勻流通。
[0023] 本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置可實現(xiàn)銅片表面氧化層均勻且厚度 可控，并且能有效解決銅片非燒結(jié)面邊緣氧化過深問題，氧化操作簡便，適用于批量生產(chǎn)。
[0024] 本實用新型用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置在銅片架空氧化的基礎(chǔ)上，通過在銅 片兩側(cè)添加擋板，可有效阻止?fàn)t膛底部氧氣影響銅片下表面（非燒結(jié)面）邊緣。同時用支 架取代氧化鋁瓷條，并與兩側(cè)擋板構(gòu)成一體，極大簡化操作步驟。
[0025] 以上已對本實用新型創(chuàng)造的較佳實施例進(jìn)行了具體說明，但本實用新型創(chuàng)造并不 限于所述實施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實用新型創(chuàng)造精神的前提下還可作出 種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權(quán)利要求所限定的范圍 內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，其特征在于，包括： 支架，在所述支架的兩端設(shè)有焊接架，在所述支架的兩側(cè)設(shè)有第一支點，所述第一支點 的位于所述焊接架之間； 擋板，所述擋板通過所述焊接架連接在所述支架的兩端外側(cè)，在所述擋板的內(nèi)側(cè)設(shè)有 第二支點，所述第二支點與所述第一支點對應(yīng)； 散熱排氣孔，所述散熱排氣孔均勻設(shè)置在所述擋板的下部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，其特征在于，所述散熱排氣 孔的孔徑為1毫米?10毫米。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，其特征在于，所述第一支點 及所述第二支點的厚度為1毫米?5毫米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，其特征在于，所述第二支點 頂部與所述支架之間的高度差為5毫米?15毫米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于DBC基板的銅片預(yù)氧化裝置，其特征在于，所述擋板的厚 度為1毫米?5毫米，所述擋板的長度為2毫米?10毫米。
【文檔編號】H01L21/02GK203882955SQ201420282160
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】李德善, 賀賢漢, 祝林, 魯瑞平, 戴洪興 申請人:上海申和熱磁電子有限公司