一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的oled器件及其蒸鍍裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，包括金屬陰極層、電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、半透明陽(yáng)極層、基板、抗反射層、氧化鋅鋁薄膜層一、氧化鋅鋁薄膜層二和阻擋涂層，基板上為阻擋涂層，阻擋涂層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層二，氧化鋅鋁薄膜層二上為半透明陽(yáng)極層，半透明陽(yáng)極層上為空穴注入層，空穴注入層上為有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層上為電子傳輸層，電子傳輸層上為金屬陰極層，金屬陰極層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層一，氧化鋅鋁薄膜層一上為抗反射層；本實(shí)用新型還涉及一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的蒸鍍裝置；本產(chǎn)品可制成超薄、質(zhì)輕、抗震的可彎曲顯示器。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件及其蒸鍍裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于電子制造領(lǐng)域，涉及一種二極管顯示技術(shù)，特別是一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件及其蒸鍍裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]OLED是以有機(jī)電至發(fā)光材料技術(shù)為基礎(chǔ)的新一代平面顯示技術(shù)，該技術(shù)起源于歐美，但實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家或地區(qū)主要集中在東亞，如日本、韓國(guó)、中國(guó)大陸和臺(tái)灣地區(qū)等。
[0003]全球OLED產(chǎn)業(yè)還處于產(chǎn)業(yè)化初期，涉足OLED產(chǎn)業(yè)的企業(yè)產(chǎn)品主要是小尺寸無(wú)源OLED器件，真正對(duì)LCD (液晶)構(gòu)成威脅的有源OLED器件，實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的只有少數(shù)幾家公司，中國(guó)雖具有一定的OLED產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，但產(chǎn)業(yè)鏈尚不完善，尤其是上游產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力不強(qiáng)。
[0004]目前國(guó)內(nèi)的OLED產(chǎn)業(yè)，因?yàn)榧夹g(shù)不成熟，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率低，成本較高，因此在價(jià)格方面，暫無(wú)法與日本、韓國(guó)和歐洲企業(yè)形成有效競(jìng)爭(zhēng)，而且市面上的OLED產(chǎn)品，由于生產(chǎn)制造過(guò)程中運(yùn)用了稀有金屬，且在在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程及OLED技術(shù)開(kāi)發(fā)方面與世界上先進(jìn)國(guó)家和地區(qū)相比差距甚遠(yuǎn)，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)的OLED產(chǎn)品價(jià)格偏高，且制成的顯示屏在分辨率，抗震性能、耐低溫、發(fā)光效率等方面也不如日本、韓國(guó)和歐洲的產(chǎn)品。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件及其蒸鍍裝置，本實(shí)用新型制成的顯示器具有超薄、質(zhì)輕、抗震的特點(diǎn)，且運(yùn)動(dòng)畫(huà)面不拖影，低溫特性好，工藝簡(jiǎn)單、成本低廉，同時(shí)發(fā)光效率更高，而且能夠在不同材質(zhì)的基板上制造，做成能彎曲的柔軟顯示器。
[0006]為了解決以上技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，包括金屬陰極層、電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、半透明陽(yáng)極層和基板，還包括抗反射層、氧化鋅鋁薄膜層一、氧化鋅鋁薄膜層二和阻擋涂層，基板上為阻擋涂層，阻擋涂層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層二，氧化鋅鋁薄膜層二上為半透明陽(yáng)極層，半透明陽(yáng)極層上為空穴注入層，空穴注入層上為有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層上為電子傳輸層，電子傳輸層上為金屬陰極層，金屬陰極層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層一，氧化鋅鋁薄膜層一上為抗反射層。
[0007]本實(shí)用新型還提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，包括抗反射層、氧化鋅鋁薄膜層一、金屬陰極層、電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、氧化鋅鋁薄膜層二、阻擋涂層和基板，基板上為阻擋涂層，阻擋涂層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層二，氧化鋅鋁薄膜層二上為空穴注入層，空穴注入層上為有機(jī)發(fā)光層，有機(jī)發(fā)光層上為電子傳輸層，電子傳輸層上為金屬陰極層，金屬陰極層上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層一，氧化鋅鋁薄膜層一上為抗反射層。
[0008]本實(shí)用新型選用氧化鋅鋁薄膜，可設(shè)于半透明陽(yáng)極層與阻擋涂層之間，亦可代替氧化銦錫，作為陽(yáng)極層設(shè)于空穴注入層與阻擋涂層之間，氧化鋅鋁不僅具有不輸于氧化銦錫的光電性能，而且鋅和鋁的儲(chǔ)量豐富、價(jià)格便宜，且氧化鋅鋁制作成本低，綠色環(huán)保，同時(shí)氧化鋅鋁化學(xué)性能穩(wěn)定，在化學(xué)或潮濕環(huán)境下不易腐蝕。
[0009]本實(shí)用新型進(jìn)一步限定的技術(shù)方案是:
[0010]本實(shí)用新型還提供了一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的蒸鍍裝置，包括襯底、真空室、蒸鍍物質(zhì)和真空泵，還包括加熱電阻和蒸發(fā)池，蒸發(fā)池為一面開(kāi)口的立方體或圓柱體結(jié)構(gòu)，加熱電阻均勻分布在蒸發(fā)池的其他非開(kāi)口面的側(cè)壁中，襯底設(shè)置于真空室上部，且位于真空室上部中間位置的襯底平行于真空室上壁朝下設(shè)置，位于真空室上部邊緣位置的襯底傾斜向下設(shè)置，蒸鍍物質(zhì)盛放于蒸發(fā)池中，真空室底部至少設(shè)置一個(gè)真空泵。
[0011]真空室上部邊緣位置的襯底與水平方向的傾斜角度A為5-45度。
[0012]本實(shí)用新型涉及的蒸鍍裝置，在真空室上部中間位置設(shè)置的襯底平行于真空室上壁朝下，邊緣位置設(shè)置的襯底傾斜向下，使得蒸鍍氣體除了射向豎直方向，周?chē)詡銧顢U(kuò)散開(kāi)的蒸鍍氣體亦能夠充分利用，在一定程度上減少了浪費(fèi)；且在設(shè)計(jì)蒸發(fā)池時(shí)，在蒸發(fā)池的底部和四壁都安裝加熱電阻，提高了蒸鍍物質(zhì)的加熱效率，且受熱均勻。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0014]本實(shí)用新型的器件制成的顯示器，厚度可小至1_，且重量也更輕；整個(gè)器件為全固態(tài)機(jī)構(gòu)，沒(méi)有液體物質(zhì)，抗震性能更好，不怕摔；不存在可視角度問(wèn)題，即使在很大的視角下觀看，畫(huà)面仍然不失真；響應(yīng)時(shí)間短，運(yùn)動(dòng)畫(huà)面不拖影；低溫特性好，可在零下40度正常顯示；制造工藝簡(jiǎn)單，成本更低；發(fā)光效率更高，能耗低；能夠在不同材質(zhì)的基板上制造，可以做成能彎曲的柔軟顯示器。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本實(shí)用新型具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的方案一結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實(shí)用新型具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的方案二結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3為本實(shí)用新型具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的蒸鍍裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]其中，1-抗反射層、2-氧化鋅招薄膜層一、3-金屬陰極層、4-電子傳輸層、5-有機(jī)發(fā)光層、6-空穴注入層、7-半透明陽(yáng)極層、8-氧化鋅鋁薄膜層二、9-阻擋涂層、10-基板、11-襯底、12-真空室、13-蒸鍍氣體、14-加熱電阻、15-蒸發(fā)池、16-蒸鍍物質(zhì)、17-真空泵。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0020]實(shí)施例1
[0021]本實(shí)施例提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括金屬陰極層3、電子傳輸層4、有機(jī)發(fā)光層5、空穴注入層6、半透明陽(yáng)極層7和基板10，還包括抗反射層1、氧化鋅鋁薄膜層一 2、氧化鋅鋁薄膜層二 8和阻擋涂層9，其中，抗反射層I為非晶碳化娃合金；陰極層2為鎂銀合金；電子傳輸層4為螢光染料化合物Znq ;有機(jī)發(fā)光層5為DPVB ;空穴注入層6為芳香胺螢光化合物TPD ;陽(yáng)極層7為銦錫氧化物；阻擋涂層8為非晶碳化硅；襯底9為石英基板。
[0022]基板10上為阻擋涂層9，阻擋涂層9上設(shè)置一層氧化鋅鋁薄膜層二 8，氧化鋅鋁薄膜層二 8上為半透明陽(yáng)極層7，半透明陽(yáng)極層7上為空穴注入層6，空穴注入層6上為有機(jī)發(fā)光層5,有機(jī)發(fā)光層5上為電子傳輸層4,電子傳輸層4上為金屬陰極層3,金屬陰極層3上設(shè)置一層氧化鋅鋁薄膜層一 2，氧化鋅鋁薄膜層一 2上為抗反射層I。
[0023]當(dāng)器件工作時(shí)，半透明陽(yáng)極層7和金屬陰極層3分別作為器件的陽(yáng)極和陰極，在一定直流電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入到電子傳輸層4和空穴注入層6，然后，電子和空穴分別經(jīng)過(guò)電子傳輸層4和空穴注入層6遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過(guò)輻射弛豫而發(fā)出可見(jiàn)光。
[0024]實(shí)施例2
[0025]本實(shí)施例提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括抗反射層1、氧化鋅招薄膜層一 2、金屬陰極層3、電子傳輸層4、有機(jī)發(fā)光層5、空穴注入層6、氧化鋅鋁薄膜層二 8、阻擋涂層9和基板10，其中，抗反射層I為非晶碳化硅合金；陰極層2為鎂銀合金；電子傳輸層4為螢光染料化合物BBOT ;有機(jī)發(fā)光層5為DPVB ;空穴注入層6為芳香胺螢光化合物Alq ;陽(yáng)極層7為銦錫氧化物；阻擋涂層8為二氧化硅；襯底9為玻璃基板。
[0026]基板10上為阻擋涂層9，阻擋涂層9上設(shè)置一層氧化鋅鋁薄膜層二 8，氧化鋅鋁薄膜層二 8上為空穴注入層6,空穴注入層6上為有機(jī)發(fā)光層5,有機(jī)發(fā)光層5上為電子傳輸層4，電子傳輸層4上為金屬陰極層3，金屬陰極層3上設(shè)置一層氧化鋅鋁薄膜層一 2，氧化鋅鋁薄膜層一 2上為抗反射層I。
[0027]當(dāng)器件工作時(shí)，氧化鋅鋁薄膜層二 8和金屬陰極層3分別作為器件的陽(yáng)極和陰極，在一定直流電壓驅(qū)動(dòng)下，電子和空穴分別從陰極和陽(yáng)極注入到電子傳輸層4和空穴注入層6，然后，電子和空穴分別經(jīng)過(guò)電子傳輸層4和空穴注入層6遷移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇，形成激子并使發(fā)光分子激發(fā)，后者經(jīng)過(guò)輻射弛豫而發(fā)出可見(jiàn)光。
[0028]實(shí)施例3
[0029]本實(shí)施例提供一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的的蒸鍍裝置，結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括襯底11、真空室12、蒸鍍氣體13、加熱電阻14、蒸發(fā)池15、蒸鍍物質(zhì)16和真空泵17，蒸發(fā)池15為一面開(kāi)口的立方體或圓柱體結(jié)構(gòu)，加熱電阻14均勻分布在蒸發(fā)池15的其他非開(kāi)口面的側(cè)壁中，襯底11設(shè)置于真空室12上部，且位于真空室12上部中間位置的襯底11平行于真空室12上壁朝下設(shè)置，位于真空室12上部邊緣位置的襯底11傾斜向下設(shè)置，蒸鍍物質(zhì)16盛放于蒸發(fā)池15中，真空室12底部設(shè)置一個(gè)真空泵17。
[0030]位于真空室12上部邊緣位置的襯底11與水平方向的傾斜角度A為25度。
[0031]當(dāng)蒸鍍裝置工作時(shí)，首先真空泵17先將真空室12中的空氣抽出，然后接通加熱電阻14的電源，加熱電阻14發(fā)熱，蒸發(fā)池15內(nèi)的蒸鍍物質(zhì)16被加熱至高溫，蒸鍍物質(zhì)16變?yōu)檎翦儦怏w13射向真空室12的腔室中，并附著在襯底11上。
[0032]以上實(shí)施例僅為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)思想，不能以此限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡是按照本實(shí)用新型提出的技術(shù)思想，在技術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何改動(dòng)，均落入本實(shí)用新型保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，包括金屬陰極層(3)、電子傳輸層(4)、有機(jī)發(fā)光層(5)、空穴注入層(6)、半透明陽(yáng)極層(7)和基板(10)，其特征在于，還包括抗反射層(I)、氧化鋅鋁薄膜層一(2)、氧化鋅鋁薄膜層二(8)和阻擋涂層(9)，所述基板(10)上為阻擋涂層(9)，阻擋涂層(9)上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層二(8)，氧化鋅鋁薄膜層二(8)上為半透明陽(yáng)極層(7)，半透明陽(yáng)極層(7)上為空穴注入層￠)，空穴注入層(6)上為有機(jī)發(fā)光層(5),有機(jī)發(fā)光層(5)上為電子傳輸層(4),電子傳輸層(4)上為金屬陰極層(3),金屬陰極層(3)上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層一(2)，氧化鋅鋁薄膜層一(2)上為抗反射層⑴。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件，其特征在于，包括抗反射層(I)、氧化鋅招薄膜層一(2)、金屬陰極層(3)、電子傳輸層(4)、有機(jī)發(fā)光層(5)、空穴注入層出)、氧化鋅鋁薄膜層二(8)、阻擋涂層(9)和基板(10)，所述基板(10)上為阻擋涂層(9)，阻擋涂層(9)上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層二(8)，氧化鋅鋁薄膜層二(8)上為空穴注入層(6),空穴注入層(6)上為有機(jī)發(fā)光層(5),有機(jī)發(fā)光層(5)上為電子傳輸層(4),電子傳輸層(4)上為金屬陰極層(3)，金屬陰極層(3)上設(shè)置至少一層氧化鋅鋁薄膜層一(2)，氧化鋅鋁薄膜層一(2)上為抗反射層(I)。
3.基于權(quán)利要求1或2所述的具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的蒸鍍裝置，包括襯底(11)、真空室(12)、蒸鍍物質(zhì)(16)和真空泵(17)，其特征在于，還包括加熱電阻(14)和蒸發(fā)池(15)，所述蒸發(fā)池(15)為一面開(kāi)口的立方體或圓柱體結(jié)構(gòu)，所述加熱電阻(14)均勻分布在所述蒸發(fā)池(15)的其他非開(kāi)口面的側(cè)壁中，所述襯底(11)設(shè)置于真空室(12)上部，且位于真空室(12)上部中間位置的襯底(11)平行于真空室(12)上壁朝下設(shè)置，位于真空室(12)上部邊緣位置的襯底(11)傾斜向下設(shè)置，蒸鍍物質(zhì)(16)盛放于蒸發(fā)池(15)中，所述真空室(12)底部至少設(shè)置一個(gè)真空泵(17)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有導(dǎo)電氧化鋅鋁薄膜的OLED器件的蒸鍍裝置，其特征在于，所述位于真空室(12)上部邊緣位置的襯底(11)與水平方向的傾斜角度A為5-45度。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK203932120SQ201420319754
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月16日
【發(fā)明者】任茂勝, 劉騰蛟, 范江峰 申請(qǐng)人:江蘇生美工業(yè)技術(shù)集團(tuán)有限公司