一種中小功率led散導(dǎo)熱封裝基板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,包括LED芯片,絕緣層,散導(dǎo)熱圓柱體,導(dǎo)通孔,其中LED芯片直接焊接在散導(dǎo)熱圓柱體的上面,散導(dǎo)熱圓柱體與絕緣層通過(guò)層壓工藝組合在一起,導(dǎo)通孔設(shè)于絕緣層的內(nèi)部;本實(shí)用新型改良后的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板具有亮度高、散熱快、光衰小、成本低、厚度要求可以任意調(diào)配、穩(wěn)定可靠的特點(diǎn),是目前中小功率LED中應(yīng)用照明光源的發(fā)展趨勢(shì)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種LED封裝基板,尤其涉及一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]LED作為一種新型光源,由于具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、啟動(dòng)速度快、能控制發(fā)光光譜和禁止帶幅的大小使彩度更高等傳統(tǒng)光源無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)而得到了空前發(fā)展。然而目前現(xiàn)有的LED元件卻普遍具有散熱不佳的問(wèn)題。
[0003]申請(qǐng)?zhí)枮?00820093780,名稱(chēng)為一種片式LED封裝用陶瓷散熱基板的專(zhuān)利,該基本的上側(cè)設(shè)有用于安裝芯片的貼片區(qū)和通過(guò)焊接導(dǎo)線連接芯片電極的打線區(qū),基板的下側(cè)設(shè)有通過(guò)基座金屬化布線圖形實(shí)現(xiàn)與芯片兩個(gè)電極連接的底部焊盤(pán),基板還設(shè)有用于連接上下兩層金屬化布線圖形以實(shí)現(xiàn)上下電導(dǎo)通孔,以及基板上設(shè)有用于將芯片熱量導(dǎo)出的高導(dǎo)熱柱和用于將高導(dǎo)熱柱導(dǎo)出熱量散逸出來(lái)的散熱焊盤(pán)。該技術(shù)方案芯片的散熱路徑是必須透過(guò)陶瓷基板后才能經(jīng)由高導(dǎo)熱柱將熱量導(dǎo)出,仍然具有散熱不良的缺陷,若LED熱量傳導(dǎo)不出或者不能及時(shí)的散傳導(dǎo)熱,將會(huì)導(dǎo)致LED發(fā)光失效,影響LED的使用壽命。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供了一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,改良后的LED散導(dǎo)熱封裝基板具有亮度高、散熱快、光衰小、成本低、厚度要求可以任意調(diào)配、穩(wěn)定可靠的特點(diǎn),是目前中小功率LED中應(yīng)用照明光源的發(fā)展趨勢(shì)。
[0005]一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,包括LED芯片2,絕緣層4,導(dǎo)通孔8,其特征在于:還包括散導(dǎo)熱圓柱體5,所述LED芯片2直接焊接在散導(dǎo)熱圓柱體5的上面,所述散導(dǎo)熱圓柱體5與絕緣層4通過(guò)層壓工藝組合在一起,所述導(dǎo)通孔8設(shè)于絕緣層4的內(nèi)部。
[0006]作為優(yōu)選,所述散導(dǎo)熱圓柱體5尺寸的大小與LED芯片2尺寸大小相匹配。
[0007]作為優(yōu)選,所述絕緣層4為BT樹(shù)脂材料和PP材料層壓而成。
[0008]作為優(yōu)選,所述LED散導(dǎo)熱封裝基板還包括線路焊點(diǎn)3和上錫焊盤(pán)6,所述線路焊點(diǎn)3和上錫焊盤(pán)6分別與導(dǎo)通孔8連接以實(shí)現(xiàn)上下電導(dǎo)通。
[0009]作為優(yōu)選,所述LED散導(dǎo)熱封裝基板還包括焊點(diǎn)金線7,所述LED芯片2的正、負(fù)極分別通過(guò)焊點(diǎn)金線7與LED芯片2右、左兩側(cè)的線路焊點(diǎn)3連接,實(shí)現(xiàn)一個(gè)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。
[0010]作為優(yōu)選,所述導(dǎo)通孔8是2個(gè)或者4個(gè)。
[0011]作為優(yōu)選,所述導(dǎo)通孔8的孔壁上下兩端設(shè)有導(dǎo)電層9,所述導(dǎo)電層9延伸至線路焊點(diǎn)3和上錫焊盤(pán)6。
[0012]作為優(yōu)選,所述導(dǎo)通孔8為空心導(dǎo)通孔或者實(shí)心導(dǎo)通孔。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0014]1.LED芯片是直接焊接在散熱圓柱體的上面,屬于垂直散導(dǎo)熱,陶瓷基板是LED芯片在銅面上再經(jīng)過(guò)陶瓷絕緣層而導(dǎo)熱,屬于整體絕緣分散性水平導(dǎo)熱;
[0015]2.散導(dǎo)熱圓柱體與絕緣層是用特殊的層壓工藝進(jìn)行組合在一起的,在高溫測(cè)試條件下不會(huì)有分層的問(wèn)題;
[0016]3.散導(dǎo)熱圓柱體材料與絕緣層材料組合后,材料的色澤在高溫烘烤測(cè)試150度5小時(shí)不會(huì)有黃變;
[0017]4.本實(shí)用新型可以制作最精細(xì)的線路制作且線路尺寸要求可以控制在0.025MM的標(biāo)準(zhǔn)要求范圍;
[0018]5.本實(shí)用新型改良后的LED散導(dǎo)熱封裝基板具有亮度高、散熱快、光衰小、成本低、厚度要求可以任意調(diào)配、穩(wěn)定可靠的特點(diǎn),是目前中小功率LED中應(yīng)用照明光源的發(fā)展趨勢(shì)。
【專(zhuān)利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1所示為中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖2所示為中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板中的散導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖3所示為中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板中實(shí)心導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]如圖1、圖2、圖3所示,一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,包括球形封裝體1,LED芯片2,線路焊點(diǎn)3,絕緣層4,散導(dǎo)熱圓柱體5,上錫焊盤(pán)6,焊點(diǎn)金線7,導(dǎo)通孔8,導(dǎo)電層9 ;圖中所示箭頭方向?yàn)長(zhǎng)ED芯片經(jīng)過(guò)散導(dǎo)熱圓柱體垂直散導(dǎo)熱的方向。
[0023]一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,該基板的LED芯片2直接焊接在散導(dǎo)熱圓柱體5的上面,LED芯片2的正、負(fù)極分別通過(guò)焊點(diǎn)金線7與LED芯片2右、左兩側(cè)的線路焊點(diǎn)3連接,實(shí)現(xiàn)一個(gè)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),LED芯片2在發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量可以直接經(jīng)過(guò)散導(dǎo)熱圓柱體5垂直散導(dǎo)熱;散導(dǎo)熱圓柱體5與絕緣層4通過(guò)層壓工藝組合在一起,散導(dǎo)熱圓柱體5為純銅材料,散導(dǎo)熱圓柱體5是經(jīng)過(guò)特殊工藝制作而成的,散導(dǎo)熱圓柱體5尺寸的大小有嚴(yán)格要求,需要與LED芯片2尺寸的大小相匹配,且要根據(jù)使用時(shí)產(chǎn)生的熱能而設(shè)定;絕緣層4為BT樹(shù)脂材料和PP材料層壓而成。
[0024]如圖2、圖3所示,導(dǎo)通孔8設(shè)置在絕緣層4的內(nèi)部,用于連接線路焊點(diǎn)3和上錫焊盤(pán)6以實(shí)現(xiàn)上下電導(dǎo)通;導(dǎo)通孔8的數(shù)量是根據(jù)導(dǎo)通孔的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的正負(fù)極考慮實(shí)際產(chǎn)品在通電后的電網(wǎng)絡(luò)平穩(wěn)等要求而定,可以是2個(gè)或者4個(gè),通過(guò)導(dǎo)通孔8的數(shù)量來(lái)增加電路的良好導(dǎo)通性,并且保證正背面的線路導(dǎo)電性能;導(dǎo)通孔8可以是空心導(dǎo)通孔,可以是實(shí)心導(dǎo)通孔,實(shí)心導(dǎo)通孔的填充材料為高分子的無(wú)機(jī)材料及環(huán)氧型的樹(shù)脂組成,經(jīng)過(guò)高溫后能夠堅(jiān)固結(jié)合一起,和BT材料的材料要求性耐能力相當(dāng)。每一個(gè)導(dǎo)通孔8的孔壁上下兩端都設(shè)有導(dǎo)電層9,導(dǎo)電層9延伸至線路焊點(diǎn)3和上錫焊盤(pán)6 ;導(dǎo)電層9為銅泊材料。
[0025]本實(shí)用新型中,LED芯片2直接焊接在散導(dǎo)熱圓柱體5的上面,LED芯片2的正、負(fù)極分別通過(guò)焊點(diǎn)金線7與LED芯片2右、左兩側(cè)的線路焊點(diǎn)3連接,實(shí)現(xiàn)一個(gè)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),再經(jīng)過(guò)球形封裝體I封裝后,將上錫焊盤(pán)6焊接在PCB載板上通電,一顆LED光源就實(shí)現(xiàn)發(fā)光原理,LED芯片2在發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量可以直接經(jīng)過(guò)散導(dǎo)熱圓柱體5垂直散導(dǎo)熱。
[0026]這里公開(kāi)的實(shí)施例是示例性的,其僅是為了對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行解釋說(shuō)明,而并不是對(duì)本實(shí)用新型的限制,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以預(yù)見(jiàn)的改良和擴(kuò)展都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,包括LED芯片(2),絕緣層(4),導(dǎo)通孔(8),其特征在于:還包括散導(dǎo)熱圓柱體(5),所述LED芯片(2)直接焊接在散導(dǎo)熱圓柱體(5)的上面,所述散導(dǎo)熱圓柱體(5)與絕緣層(4)通過(guò)層壓工藝組合在一起,所述導(dǎo)通孔(8)設(shè)于絕緣層⑷的內(nèi)部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述散導(dǎo)熱圓柱體(5)尺寸的大小與LED芯片(2)尺寸大小相匹配。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述絕緣層(4)為BT樹(shù)脂材料和PP材料層壓而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述LED散導(dǎo)熱封裝基板還包括線路焊點(diǎn)(3)和上錫焊盤(pán)¢),所述線路焊點(diǎn)(3)和上錫焊盤(pán)(6)分別與導(dǎo)通孔(8)連接以實(shí)現(xiàn)上下電導(dǎo)通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述LED散導(dǎo)熱封裝基板還包括焊點(diǎn)金線(7),所述LED芯片(2)的正、負(fù)極分別通過(guò)焊點(diǎn)金線(7)與LED芯片⑵右、左兩側(cè)的線路焊點(diǎn)(3)連接,實(shí)現(xiàn)一個(gè)導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述導(dǎo)通孔(8)是2個(gè)或者4個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或者4所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述導(dǎo)通孔(8)的孔壁上下兩端設(shè)有導(dǎo)電層(9),所述導(dǎo)電層(9)延伸至線路焊點(diǎn)(3)和上錫焊盤(pán)(6)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中小功率LED散導(dǎo)熱封裝基板,其特征在于:所述導(dǎo)通孔(8)為空心導(dǎo)通孔或者實(shí)心導(dǎo)通孔。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK204029869SQ201420361147
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月1日
【發(fā)明者】陳勇華, 王新軍, 雷亮 申請(qǐng)人:深圳捷騰微電子科技有限公司