一體式熔斷器的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一體式熔斷器，包括絕緣殼體和熔體，所述絕緣殼體的一側向內凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導電端和第二導電端，所述熔斷部設置于所述容置腔內，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導電端和所述第二導電端，所述第一導電端和所述第二導電端伸出所述容置腔；所述容置腔內設置有屏蔽所述熔斷部的屏蔽層。根據(jù)本實用新型提供的一體式熔斷器，其結構簡單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
【專利說明】一體式熔斷器

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電器安全保護裝置，尤其涉及一種實現(xiàn)短路和過載保護的熔斷器。

【背景技術】
[0002]熔斷器通常包括熔體、包覆熔體的絕緣管和固定連接于絕緣管兩端并與熔體電連接的端帽。外部電路電兩端帽以使電流流過熔體，當流過熔體的電流超過規(guī)定值時，熔體本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷，斷開電路，從而起到短路和過電流的保護的作用，是應用最普遍的電路保護器件之一。
[0003]目前的熔斷器，熔體和端帽呈分體結構，其一方面使得熔斷器的結構比較復雜，生產(chǎn)成本較高，另一方面，呈分體結構的熔體和端帽生產(chǎn)組裝不當容易出現(xiàn)接觸不良的情況，影響電路的正常運行。
[0004]因此，需要提供一種結構簡單、性能穩(wěn)定的熔斷器，以降低熔斷器的生產(chǎn)和使用成本。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的是提供一種結構簡單、性能穩(wěn)定的熔斷器，以降低熔斷器的生產(chǎn)和使用成本。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型公開了一體式熔斷器，包括絕緣殼體和熔體，所述絕緣殼體的一側向內凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導電端和第二導電端，所述熔斷部設置于所述容置腔內，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導電端和所述第二導電端，所述第一導電端和所述第二導電端伸出所述容置腔；所述容置腔內設置有屏蔽所述熔斷部的屏蔽層。
[0007]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型提供的一體式熔斷器，于絕緣殼體的一側向內凹陷形成容置腔，使得容置腔僅于絕緣殼體的一側開口，其一方面方便將熔體裝入容置腔內并進行定位，另一方面方便對位于容置腔內的熔體進行屏蔽；熔斷部、第一導電端和第二導電端相連接，且第一導電端和第二導電端伸出容置腔以便連接外部的電源，其一方面簡化一體式熔斷器的結構和生產(chǎn)工藝，另一方面降低一體式熔斷器接觸不良的可能性。根據(jù)本實用新型提供的一體式熔斷器，其結構簡單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
[0008]較佳的，所述第一導電端和所述第二導電端沿所述容置腔的內壁伸出所述容置腔并向所述絕緣殼體的兩側外壁彎折；其一方面可以定位熔體和絕緣殼體的相對位置，另一方面，將一體式熔斷器卡接于電路中時，伸出至絕緣殼體兩側外壁的第一導電端和第二導電端可方便地與外部電路電連接。
[0009]在一實施例中，所述熔體還包括彈力部，兩所述彈力部的一端分別連接于所述熔斷部，兩所述彈力部的另一端分別連接于所述第一導電端和所述第二導電端；所述絕緣殼體具有容置所述彈力部并供所述彈力部發(fā)生彈性變形的避讓腔；當一體式熔斷器通電時，熔體發(fā)熱膨脹，驅動彈力部于避讓腔內發(fā)生彈性變形，從而使得熔體在一定范圍內發(fā)生變形而不會導致熔體斷開，避免一體式熔斷器在正常工況下斷開而影響電器件的正常使用。
[0010]具體的，所述熔體的兩側設置有定位凸塊，所述定位凸塊的上方設置有蓋板；所述蓋板和所述絕緣殼體的底部圍成所述避讓腔。
[0011]具體的，所述容置腔的內壁向所述容置腔內凸伸形成所述定位凸塊。
[0012]具體的，所述蓋板連接于所述容置腔，所述蓋板構成所述屏蔽層。
[0013]在一優(yōu)選實施例中，所述蓋板上側和/或周側設有粘結所述容置腔和所述蓋板的粘結劑。
[0014]在另一優(yōu)選實施例中，所述蓋板上側設置有所述屏蔽層。
[0015]較佳的，所述彈力部的彈性變形方向與所述一體式熔斷器的通電方向一致；熔體通常于通電方向上設置一強度較弱、受熱過度會融化的熔斷部，當熔體受熱發(fā)生形變時，熔斷部即使熔體容易斷開的薄弱位置，將彈力部的彈性變形方向與一體式熔斷器的通電方向一致，以減少薄弱的熔斷部受到的形變應力，從而減少熔體斷開的可能性。
[0016]在另一實施例中，所述容置腔內填充有屏蔽介質形成所述屏蔽層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實用新型一體式熔斷器的立體結構示意圖。
[0018]圖2為本實用新型一體式熔斷器第一實施例的剖面圖。
[0019]圖3為本實用新型一體式熔斷器第一實施例的分解示意圖。
[0020]圖4為本實用新型一體式熔斷器第一實施例的俯視圖。
[0021]圖5為本實用新型一體式熔斷器第二實施例的剖面圖。

【具體實施方式】
[0022]為詳細說明本實用新型的技術內容、構造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0023]圖1-圖4所示為本實用新型一體式熔斷器第一實施例的示意圖。
[0024]如圖1和圖2所示的一體式熔斷器，包括絕緣殼體100、熔體200和屏蔽層300。絕緣殼體100的一側向內凹陷形成容置腔110，使得容置腔110的周側封閉、僅上部開口 ；熔體200包括熔斷部210、第一導電端220和第二導電端230，熔斷部210設置于容置腔110內，熔斷部210的兩端分別連接于第一導電端220和第二導電端230，第一導電端220和第二導電端230伸出容置腔110 ;屏蔽層300設置于容置腔110內以屏蔽熔斷部210。結合圖3和圖4所示，更具體的:
[0025]如圖3所示，容置腔110的底部和側壁封閉、僅頂部開口。熔體200包括熔斷部210、第一導電端220、第二導電端230和兩彈力部240。兩彈力部240的一端分別連接于熔斷部210 ;兩彈力部240的另一端分別連接于第一導電端220和第二導電端230。其中，熔斷部210和兩彈力部240設置于容置腔110內，第一導電端220和第二導電端230沿容置腔110的內壁伸出容置腔110并向絕緣殼體100的兩側外壁彎折；第一導電端220和第二導電端230向絕緣殼體100的兩側外壁彎折的設置，一方面可以定位熔體200和絕緣殼體100的相對位置，使得熔斷部210和兩彈力部240懸設于容置腔110內，另一方面，將一體式熔斷器卡接于電路中時，伸出至絕緣殼體100兩側外壁的第一導電端220和第二導電端230可方便地與外部電路電連接。
[0026]熔體200通常于通電方向上設置一強度較弱、受熱過度會融斷的熔斷部位(在本實施例中，即為熔斷部210)，當熔體200受熱發(fā)生形變時，熔斷部210構成使熔體200斷開的薄弱位置；本實用新型提供的一體式熔斷器，彈力部240的彈性變形方向與一體式熔斷器的通電方向一致，以減少薄弱的熔斷部210受到的形變應力，從而減少熔體200斷開的可能性。在本實施例中，將熔斷部210設置于兩彈力部240之間，通過兩側的彈力部240吸收形變應力，減少熔斷部210的受力，從而減少熔斷部210在形變應力作用下發(fā)生斷裂的可能性。較佳的，彈力部240呈波浪狀或S狀，當然彈力部240亦可以為其他彈性結構。
[0027]進一步的，絕緣殼體100還具有容置彈力部210并供彈力部210發(fā)生彈性變形的避讓腔112。具體的，請參閱圖3所示，容置腔110的底部向上凸伸形成定位凸塊120。定位凸塊120的位置請結合圖4所示:定位凸塊120共有四個，四個定位凸塊120對稱的設置于容置腔110的兩側；定位凸塊120從容置腔110的底部和側壁的連接處向外凸伸形成。進一步的，定位凸塊120亦可以由容置腔110的側壁向容置腔110內凸伸形成。在本實施例中，定位凸塊120為立方體結構，但不以此為限，在不同于本實施例的其他實施例中，定位凸塊120亦可以為圓柱體、圓臺狀或其他結構。熔體200與絕緣殼體100的結構如圖2所示:第一導電端220和第二導電端230分別卡抵于容置腔110的兩側壁，使得熔斷部210和彈力部240懸設于容置腔110內，熔斷部210和彈力部240位于四個定位凸塊120之間，且熔斷部210和彈力部240的位置低于定位凸塊120的上端。定位凸塊120上方設置有蓋板310 ;定位凸塊120和蓋板310的設置，將容置腔110分隔為蓋板310上側的填料腔111和蓋板310下側的避讓腔112，其中，填料腔111為由蓋板310和容置腔110側壁圍成的上部開口的腔體，避讓腔112為由蓋板310和容置腔110的底部及側壁圍成的大致呈封閉的腔體。
[0028]在一實施例中，于蓋板310的上側和/或周側填充粘結蓋板310和容置腔110的粘結劑，使得蓋板310連接于絕緣殼體100。在該實施例中，蓋板310為絕緣材質，蓋板310構成本實用新型一體式熔斷器的屏蔽層。在另一實施例中，如圖2所示，于填料腔111內填充屏蔽介質構成本實用新型一體式熔斷器的屏蔽層300。
[0029]在如圖5所示的本實用新型一體式熔斷器第二實施例，與本實用新型一體式熔斷器第一實施例相同的:包括絕緣殼體100’和熔體200’，絕緣殼體100的一側向內凹陷形成容置腔110’，使得容置腔110’的周側封閉、僅上部開口 ；熔體200’包括熔斷部210’、第一導電端220’和第二導電端230’，熔斷部210’設置于容置腔110’內，熔斷部210’的兩端分別連接于第一導電端220’和第二導電端230’，第一導電端220’和第二導電端230’伸出容置腔110’。與本實用新型一體式熔斷器第一實施例不同的:熔體200’不包括彈力部，使得本實用新型一體式熔斷器第二實施例的熔體200 ’不具有彈性，相應的，容置腔110 ’內部亦無需設置避讓腔，即，容置腔110’不具有定位凸塊和蓋板；直接于容置腔110’內填充屏蔽介質構成屏蔽層300’。
[0030]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型提供的一體式熔斷器，于絕緣殼體100的一側向內凹陷形成容置腔110，使得容置腔110僅于絕緣殼體100的一側開口，其一方面方便將熔體200裝入容置腔110內并進行定位，另一方面方便對位于容置腔110內的熔體200進行屏蔽；熔斷部210、第一導電端220和第二導電端230相連接，且第一導電端210和第二導電端220伸出容置腔110以便連接外部的電源，其一方面簡化一體式熔斷器的結構和生產(chǎn)工藝，另一方面降低一體式熔斷器接觸不良的可能性。根據(jù)本實用新型提供的一體式熔斷器，其結構簡單、性能穩(wěn)定，生產(chǎn)成本和使用成本較低。
[0031]以上所揭露的僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，當然不能以此來限定本實用新型之權利范圍，因此依本實用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。
【權利要求】
1.一種一體式熔斷器,包括絕緣殼體和熔體,其特征在于:所述絕緣殼體的一側向內凹陷形成容置腔；所述熔體包括熔斷部、第一導電端和第二導電端，所述熔斷部設置于所述容置腔內，所述熔斷部的兩端分別連接于所述第一導電端和所述第二導電端，所述第一導電端和所述第二導電端伸出所述容置腔；所述容置腔內設置有屏蔽所述熔斷部的屏蔽層。
2.如權利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述第一導電端和所述第二導電端沿分別所述容置腔的內壁伸出所述容置腔并向所述絕緣殼體的兩側外壁彎折。
3.如權利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述熔體還包括彈力部，兩所述彈力部的一端分別連接于所述熔斷部，兩所述彈力部的另一端分別連接于所述第一導電端和所述第二導電端；所述絕緣殼體具有容置所述彈力部并供所述彈力部發(fā)生彈性變形的避讓腔。
4.如權利要求3所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述熔體的兩側設置有定位凸塊，所述定位凸塊的上方設置有蓋板；所述蓋板和所述絕緣殼體的底部圍成所述避讓腔。
5.如權利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述容置腔的內壁向所述容置腔內凸伸形成所述定位凸塊。
6.如權利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述蓋板連接于所述容置腔，所述蓋板構成所述屏蔽層。
7.如權利要求6所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述蓋板上側和/或周側設有粘結所述容置腔和所述蓋板的粘結劑。
8.如權利要求4所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述蓋板上側設置有所述屏蔽層。
9.如權利要求3所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述彈力部的彈性變形方向與所述一體式熔斷器的通電方向一致。
10.如權利要求1所述的一體式熔斷器，其特征在于:所述容置腔內設有屏蔽介質形成所述屏蔽層。
【文檔編號】H01H85/36GK204011336SQ201420393946
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月16日 優(yōu)先權日:2014年7月16日
【發(fā)明者】何旭斌, 趙志成, 郭曉冬 申請人:東莞市博鉞電子有限公司