晶圓級芯片用噴涂裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開一種晶圓級芯片用噴涂裝置，所述晶圓級芯片表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個盲孔；所述晶圓級靜電噴涂裝置包括腔體、金屬托盤、噴嘴和靜電發(fā)生器，所述噴嘴上端安裝有高壓氣體輸入管，噴嘴側壁安裝有用于傳輸保護光阻液的液體傳輸管，所述金屬托盤設置于腔體底部的中央區(qū)域，所述靜電發(fā)生器的第一電極輸出端通過導線連接到金屬托盤，所述靜電發(fā)生器的第二電極輸出端通過導線連接到噴嘴，所述晶圓級芯片放置于所述金屬托盤上表面上。本實用新型有利于在高深寬比的盲孔內，將保護光阻液均勻覆蓋于盲孔四壁、底部，提升產品性能，也提局了后續(xù)顯影的精度，進一步提升電性能、產品可靠性和良率。
【專利說明】晶圓級芯片用噴涂裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種晶圓級芯片用噴涂裝置，屬于半導體封裝【技術領域】。
【背景技術】
[0002]目前，半導體芯片的TSV封裝一般采用先開槽狀開口，再開圓孔硅開口，使圓孔硅底部露出芯片的引腳焊盤，然后激光打孔打穿芯片引腳焊盤，完成電路的導出。這種方式，比較適合芯片引腳焊盤較大的結構，而對于芯片的引腳焊盤偏小的產品，在芯片的引腳焊盤上開圓孔的開口大小相對具有局限性，這就導致激光打孔的偏移量允許范圍較小，激光打孔容易打到圓孔邊緣的硅造成短路，從而使產品的不良率較高；其次，由于底部盲孔的焊盤厚度僅為Ium左右，且此種方式封裝線路和晶圓觸點連接是環(huán)形的線接觸，接觸面積很有限，同時受熱沖擊或者機械沖擊的情況下，容易造成觸點處斷裂等不良，可靠性較差。
【發(fā)明內容】
[0003]本實用新型目的是提供一種晶圓級芯片用噴涂裝置，該噴涂裝置有利于在高深寬比的盲孔內，將保護光阻液均勻覆蓋于盲孔四壁、底部，提升產品性能，也提高了后續(xù)顯影的精度，進一步提升電性能、廣品可罪性和良率。
[0004]為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種晶圓級芯片用噴涂裝置，所述晶圓級芯片表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個盲孔，所述晶圓級芯片表面和盲孔側表面、底部具有鈍化層，位于此盲孔底部鈍化層下方具有氧化硅層，一引腳焊盤位于氧化硅層與盲孔相背的一側且位于盲孔正下方；所述晶圓級靜電噴涂裝置包括腔體、金屬托盤、噴嘴和靜電發(fā)生器，所述噴嘴上端安裝有高壓氣體輸入管，噴嘴側壁安裝有用于傳輸保護光阻液的液體傳輸管，所述金屬托盤設置于腔體底部的中央區(qū)域，所述靜電發(fā)生器的第一電極輸出端通過導線連接到金屬托盤，所述靜電發(fā)生器的第二電極輸出端通過導線連接到噴嘴，所述晶圓級芯片放置于所述金屬托盤上表面上，至少2個固定于金屬托盤邊緣區(qū)域的壓爪夾持所述晶圓級芯片邊緣區(qū)。
[0005]上述技術方案中進一步改進的方案如下:
[0006]上述方案中，所述壓爪的數量為4個，相鄰壓爪之間沿周向的夾角為90°。
[0007]由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優(yōu)點和效果:
[0008]本實用新型晶圓級芯片用噴涂裝置，其有利于在高深寬比的盲孔內，將保護光阻液均勻覆蓋于盲孔四壁、底部，提升產品性能，也提高了后續(xù)顯影的精度，進一步提升電性能、產品可靠性和良率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]附圖1為本實用新型重布線后晶圓級芯片的結構示意圖；
[0010]附圖2為本實用新型晶圓級靜電噴涂裝置結構示意圖。
[0011]以上附圖中:1、晶圓級芯片；2、盲孔；3、鈍化層；4、氧化硅層；5、引腳焊盤；6、晶圓級靜電噴涂裝置；7、腔體；8、金屬托盤；9、噴嘴；10、靜電發(fā)生器；11、高壓氣體輸入管；12、液體傳輸管；13、壓爪。
【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本實用新型作進一步描述:
[0013]實施例:一種晶圓級芯片用噴涂裝置，所述晶圓級芯片I表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個盲孔2,所述晶圓級芯片I表面和盲孔2側表面、底部具有鈍化層3,位于此盲孔
2底部鈍化層3下方具有氧化硅層4，一引腳焊盤5位于氧化硅層4與盲孔2相背的一側且位于盲孔2正下方；所述晶圓級靜電噴涂裝置6包括腔體7、金屬托盤8、噴嘴9和靜電發(fā)生器10，所述噴嘴9上端安裝有高壓氣體輸入管11，噴嘴9側壁安裝有用于傳輸保護光阻液的液體傳輸管12，所述金屬托盤8設置于腔體7底部的中央區(qū)域，所述靜電發(fā)生器10的第一電極輸出端通過導線連接到金屬托盤8，所述靜電發(fā)生器10的第二電極輸出端通過導線連接到噴嘴9，所述晶圓級芯片I放置于所述金屬托盤8上表面上，至少2個固定于金屬托盤8邊緣區(qū)域的壓爪13夾持所述晶圓級芯片I邊緣區(qū)。
[0014]上述壓爪13的數量為4個，相鄰壓爪13之間沿周向的夾角為90°
[0015]工作過程如下:開啟所述靜電發(fā)生器10從而使得金屬托盤8帶上正電荷或負電荷，噴嘴9帶上正電荷或負電荷，金屬托盤8和噴嘴9帶電荷相反，保護光阻液從液體傳輸管12進入噴嘴9并在來自高壓氣體輸入管11的高壓氮氣驅動下，噴射至晶圓級芯片I表面、盲孔2側表面和底部從而在晶圓級芯片I表面、盲孔2側表面和底部形成一層均勻的保護光阻層14，所述保護光阻液帶上正電荷或負電荷。
[0016]采用上述晶圓級芯片用噴涂裝置時，其有利于在高深寬比的盲孔內，將保護光阻液均勻覆蓋于盲孔四壁、底部，提升產品性能，也提高了后續(xù)顯影的精度，進一步提升電性能、產品可靠性和良率。
[0017]上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容并據以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種晶圓級芯片用噴涂裝置，其特征在于:所述晶圓級芯片(I)表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個盲孔(2)，所述晶圓級芯片(I)表面和盲孔(2)側表面、底部具有鈍化層(3)，位于此盲孔(2)底部鈍化層(3)下方具有氧化硅層(4)，一引腳焊盤(5)位于氧化硅層(4)與盲孔(2)相背的一側且位于盲孔(2)正下方；所述晶圓級靜電噴涂裝置(6)包括腔體(7)、金屬托盤(8)、噴嘴(9)和靜電發(fā)生器(10)，所述噴嘴(9)上端安裝有高壓氣體輸入管(11)，噴嘴(9)側壁安裝有用于傳輸保護光阻液的液體傳輸管(12)，所述金屬托盤(8)設置于腔體(7)底部的中央區(qū)域，所述靜電發(fā)生器(10)的第一電極輸出端通過導線連接到金屬托盤(8)，所述靜電發(fā)生器(10)的第二電極輸出端通過導線連接到噴嘴(9)，所述晶圓級芯片(I)放置于所述金屬托盤(8)上表面上，至少2個固定于金屬托盤(8)邊緣區(qū)域的壓爪(13)夾持所述晶圓級芯片(I)邊緣區(qū)。
2.根據權利要求1所述的晶圓級芯片用噴涂裝置，其特征在于:所述壓爪(13)的數量為4個，相鄰壓爪(13)之間沿周向的夾角為90°。
【文檔編號】H01L21/56GK204029766SQ201420434285
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月4日 優(yōu)先權日:2014年8月4日
【發(fā)明者】賴芳奇, 張志良, 呂軍, 陳 勝 申請人:蘇州科陽光電科技有限公司