一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池,包括至少兩片相鄰的電池片，所述電池片包括主體硅層，所述主體硅層邊緣設(shè)有延伸層，主體硅層下表面設(shè)置第一濺射層，第一濺射層下表面設(shè)有第二濺射層，延伸層與第一濺射層、第二濺射層適配。采用本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)，能夠使得無(wú)論陽(yáng)光從何種角度射入，都可以發(fā)生至少2次發(fā)射，增強(qiáng)了光能轉(zhuǎn)化效率。
【專利說(shuō)明】一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種異質(zhì)結(jié)電池，特別是一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池。

【背景技術(shù)】
[0002]晶體硅太陽(yáng)能電池在迅速發(fā)展的光伏發(fā)電【技術(shù)領(lǐng)域】中一直占據(jù)著主導(dǎo)地位，單晶硅太陽(yáng)能電池和多晶硅太陽(yáng)能電池更被作為了太陽(yáng)能電池的主流產(chǎn)品，但由于價(jià)格昂貴和材料短缺，已不能滿足經(jīng)濟(jì)社會(huì)快速發(fā)展的需求。目前，第二代薄膜型硅太陽(yáng)能電池逐漸成為硅太陽(yáng)能電池應(yīng)用和發(fā)展的主流，然而非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜等太陽(yáng)能電池均存在不同程度的光致衰退效應(yīng)且轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)不如晶體硅太陽(yáng)能電池，為減少晶體硅太陽(yáng)能電池同時(shí)保持高效率狀態(tài)，今年來(lái)HIT太陽(yáng)能電池得到了迅速的發(fā)展。在太陽(yáng)能電池制備工藝上，HIT太陽(yáng)能電池結(jié)合了薄膜太陽(yáng)能電池低溫制造的優(yōu)點(diǎn)，避免了晶體硅高溫?cái)U(kuò)散工藝獲得p-n結(jié)的方法，從而節(jié)約了制造成本。
[0003]但從目前來(lái)看，傳統(tǒng)的HIT電池當(dāng)光能照射在電池表面后，部分光能發(fā)生了反射產(chǎn)生流失，而部分光能發(fā)生折射產(chǎn)生流失，造成了大量能源不能有效利用的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明目的:本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池光能流失嚴(yán)重、反射次數(shù)少的問(wèn)題。
[0005]技術(shù)方案:本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案:一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，包括至少兩片相鄰的電池片，所述電池片包括主體硅層，所述主體硅層邊緣設(shè)有延伸層，主體娃層下表面設(shè)置第一派射層，第一派射層下表面設(shè)有第二派射層，延伸層與第一派射層、第二濺射層適配。
[0006]作為優(yōu)化，所述第一濺射層為銅層、銀層、或鋁層。
[0007]作為優(yōu)化，所述第二濺射層為銀層或鋅層。
[0008]作為優(yōu)化，所述延伸層的厚度等于第一濺射層和第二濺射層的厚度之和。
[0009]工作原理:太陽(yáng)光垂直自娃層上表面射入,會(huì)在娃層下表面發(fā)生部分反射,并在上表面和下表面之間多次反射增加光電轉(zhuǎn)化效率，太陽(yáng)光傾斜自硅層上表面射入，會(huì)有部分光經(jīng)過(guò)延伸層多次反射，再?gòu)墓鑼觽?cè)面射出，進(jìn)入相鄰的電池片，增強(qiáng)光能使用率。
[0010]有益效果:本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比:采用本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)，能夠使得無(wú)論陽(yáng)光從何種角度射入，都可以發(fā)生至少2次發(fā)射，增強(qiáng)了光能轉(zhuǎn)化效率，并且本實(shí)用新型實(shí)用的材料來(lái)源廣，成本低，富于實(shí)用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]如附圖1所示，一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，包括兩片相鄰的電池片1，所述電池片1包括主體娃層2,所述主體娃層2邊緣設(shè)有延伸層3,主體娃層2下表面設(shè)置第一濺射層4，第一濺射層4下表面設(shè)有第二濺射層5，延伸層3與第一濺射層4、第二濺射層5適配。所述第一濺射層4為銅層、銀層、或鋁層。所述第二濺射層5為銀層或鋅層。所述延伸層3的厚度為llOnm，第一濺射層4厚度為90nm，第二濺射層5的厚度為20nm。所述延伸層3寬度為5mm。相鄰電池片1之間距離為1cm。
[0013]太陽(yáng)光垂直自硅層2上表面射入，會(huì)在硅層2下表面發(fā)生部分反射，并在上表面和下表面之間多次反射增加光電轉(zhuǎn)化效率，太陽(yáng)光傾斜自硅層2上表面射入，會(huì)有部分光經(jīng)過(guò)延伸層3多次反射，再?gòu)墓鑼?側(cè)面射出，進(jìn)入相鄰的電池片1，增強(qiáng)光能使用率。
【權(quán)利要求】
1.一種增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于:包括至少兩片相鄰的電池片，所述電池片包括主體娃層，所述主體娃層邊緣設(shè)有延伸層，主體娃層下表面設(shè)置第一派射層，第一濺射層下表面設(shè)有第二濺射層，延伸層與第一濺射層、第二濺射層適配。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于:所述第一濺射層為銅層、銀層、或鋁層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于:所述第二濺射層為銀層或鋅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)背面反射的異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于:所述延伸層的厚度等于第一濺射層和第二濺射層的厚度之和。
【文檔編號(hào)】H01L31/072GK204118093SQ201420483383
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】李瑋 申請(qǐng)人:國(guó)電光伏有限公司, 國(guó)電新能源技術(shù)研究院