一種聚焦圓環(huán)及刻蝕反應(yīng)腔的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種結(jié)構(gòu)簡單的聚焦圓環(huán)及刻蝕反應(yīng)腔，在圓環(huán)下表面設(shè)置有至少一個凹槽，用以放置導(dǎo)熱膠。有益效果是，由于聚焦圓環(huán)本身設(shè)置有凹槽，導(dǎo)熱膠可直接放置在凹槽中，從而省去了專門的導(dǎo)熱膠治具，節(jié)約了成本，而且，安裝也變得非常簡單快捷。
【專利說明】一種聚焦圓環(huán)及刻蝕反應(yīng)腔

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及半導(dǎo)體中干法刻蝕反應(yīng)腔中的聚焦圓環(huán)及刻蝕反應(yīng)腔。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體行業(yè)，干法刻蝕是一種普遍運用的制造工藝。在干法刻蝕反應(yīng)腔中有一部件為聚焦圓環(huán)，材質(zhì)和晶圓一樣，為單晶硅，安裝在晶圓背面的下電極基座邊緣，如圖1所示，起到增大晶圓面積，提高晶圓刻蝕均勻度的作用。如圖1，反應(yīng)腔100的基本構(gòu)造為，晶圓110位于上電極120和下電極130之間，電極之間為離子轟擊140，晶圓110放在下電極130上被刻蝕，而聚焦圓環(huán)150設(shè)置在下電極130的背面。在刻蝕過程中晶圓110和聚焦圓環(huán)150的溫度會升高，從而破環(huán)溫度穩(wěn)定性，不利于刻蝕過程，因此下電極中可設(shè)置有循環(huán)冷卻液體用于降溫，而導(dǎo)熱膠的設(shè)置就是為了快速地使得聚焦圓環(huán)和下電極進行熱交換，控制溫度的穩(wěn)定。然而現(xiàn)有技術(shù)中，導(dǎo)熱膠的安裝需要使用導(dǎo)熱膠治具，而治具需要定期更換，因此不僅結(jié)構(gòu)復(fù)雜麻煩而且效率低下。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的技術(shù)目的之一在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單的聚焦圓環(huán)，其特征在于，在圓環(huán)下表面設(shè)置有至少一個凹槽，用以放置導(dǎo)熱膠。
[0004]作為本實用新型的可選實施例，凹槽形狀可根據(jù)相應(yīng)導(dǎo)熱膠的形狀而定。
[0005]作為本實用新型的可選實施例，凹槽深度為0.2mm-0.5mm，寬度為16.4mm_16.8mm。
[0006]本實用新型的另一技術(shù)目的在于提供一種刻蝕反應(yīng)腔，包括腔體，上下電極和聚焦圓環(huán)，所述聚焦圓環(huán)設(shè)置在所述下電極邊緣，其特征在于:在所述聚焦圓環(huán)下表面設(shè)置有至少一個凹槽，用以放置導(dǎo)熱膠。
[0007]本實用新型的有益效果是，由于聚焦圓環(huán)本身設(shè)置有凹槽，導(dǎo)熱膠可直接放置在凹槽中，從而省去了專門的導(dǎo)熱膠治具，節(jié)約了成本，而且，安裝也變得非常簡單快捷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為現(xiàn)有技術(shù)干法刻蝕反應(yīng)腔示意圖；
[0009]圖2為本實用新型的聚焦圓環(huán)示意圖；
[0010]圖3為本實用新型帶有導(dǎo)熱膠后的聚焦圓環(huán)示意圖。

【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作詳細(xì)描述。但需要指出的是，以下實施例僅是作為對本實用新型的說明性而非限制性描述，因此任何基于這些具體實施例的其他變異，變型，改進，替換，延伸均應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。
[0012]如圖2所示，本實用新型所述的聚焦圓環(huán)150的下表面1510上設(shè)置有6個凹槽1520，每個凹槽寬度為16.4mm-16.8mm，深度為0.2mm-0.5mm。當(dāng)然，凹槽的個數(shù)，寬度和深度可根據(jù)具體情況而定。圖3是當(dāng)導(dǎo)熱膠已經(jīng)安裝進相應(yīng)凹槽后的示意圖，導(dǎo)熱膠為1530。
[0013]在現(xiàn)有技術(shù)中，導(dǎo)熱膠的安裝需要有一個安裝治具(治具上設(shè)置有導(dǎo)熱膠凹槽)，即需要將導(dǎo)熱膠安放在治具上，然后再把聚焦圓環(huán)放置在治具上，按壓10分鐘左右，去掉導(dǎo)熱膠覆蓋膜，使其可以充分地交換聚焦圓環(huán)和下電極之間的熱量。而本實用新型由于圓環(huán)本身設(shè)置有導(dǎo)熱膠凹槽，從而無需借助任何治具，也省去了上述繁瑣的過程，整個安裝過程只需要幾分鐘，大大節(jié)省了時間和人力。
【權(quán)利要求】
1.一種聚焦圓環(huán)，其特征在于:在其下表面設(shè)置有至少一個凹槽，用以放置導(dǎo)熱膠。
2.如權(quán)利要求1所述的聚焦圓環(huán)，其特征在于:所述凹槽的深度為0.2mm-0.5mm,寬度為 16.4mm~16.8mm。
3.如權(quán)利要求1所述的聚焦圓環(huán)，其特征在于:所述至少一個凹槽的形狀與所述導(dǎo)熱膠一致。
4.一種刻蝕反應(yīng)腔，包括腔體，上下電極和聚焦圓環(huán)，所述聚焦圓環(huán)設(shè)置在所述下電極邊緣，其特征在于:在所述聚焦圓環(huán)下表面設(shè)置有至少一個凹槽，用以放置導(dǎo)熱膠。
5.如權(quán)利要求4所述的刻蝕反應(yīng)腔，其特征在于:所述凹槽的深度為0.2mm-0.5mm,寬度為 16.4mm~ 16.8mmο
6.如權(quán)利要求4所述的刻蝕反應(yīng)腔，其特征在于:所述至少一個凹槽的形狀與所述導(dǎo)熱膠一致。
【文檔編號】H01L21/67GK204243008SQ201420503058
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】鄧必文, 呂煜坤, 朱駿, 張旭升 申請人:上海華力微電子有限公司