一種大功率紅外發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開一種大功率紅外發(fā)光二極管，包括外延發(fā)光結(jié)構(gòu)、基板及高熱導(dǎo)介質(zhì)層；外延發(fā)光結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)置高熱導(dǎo)介質(zhì)層，高熱導(dǎo)介質(zhì)層上設(shè)置基板，高熱導(dǎo)介質(zhì)層位于外延發(fā)光結(jié)構(gòu)與基板之間將高熱導(dǎo)介質(zhì)層產(chǎn)生的熱量導(dǎo)向基板。本實用新型使得紅外發(fā)光二極管散熱效果較好，提高發(fā)光效率，且結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定而不容易被剝離。
【專利說明】一種大功率紅外發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及發(fā)光二極管【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是指一種大功率紅外發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002]紅外發(fā)光二極管具有低功耗、尺寸小和可靠性高等特性，被廣泛應(yīng)用于通信、測控及遙感裝置等【技術(shù)領(lǐng)域】?，F(xiàn)有技術(shù)中，紅外發(fā)光二極管主要采用液相外延法生長異質(zhì)結(jié)為活性層，所述方法生長的紅外二極管內(nèi)量子效率較低，使得其難以在功率上突破。
[0003]采用金屬有機化合物氣相外延生長具有多量子阱的外延結(jié)構(gòu)，可以取得較高的內(nèi)量子效率。但由于襯底吸收及界面出光率低，使得近紅外發(fā)光二極管的外量子效率較低。
[0004]采用倒裝制作工藝的反極性芯片能有效地提高紅外發(fā)光二極管的外量子效率。但是隨著紅外發(fā)光二極管功率的不斷增大，解決散熱問題變得日益突出。
[0005]采用反極性芯片結(jié)構(gòu)的條件下，為了防止金屬擴散等因素，通常在金屬反射鏡與外延層之間蒸鍍氧化物充當(dāng)金屬阻擋層，氧化物材料熱導(dǎo)率較差，使得芯片散熱性能較差，隨著芯片功率的提高導(dǎo)致散熱問題越來越突出；而且，由于蒸鍍氧化物工藝，存在氧化物與金屬反射鏡及外延層剝離脫落等缺陷。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型的目的在于提供一種大功率紅外發(fā)光二極管，使得紅外發(fā)光二極管在較大功率下還能獲得較好的散熱效果，提高發(fā)光二極管的熱穩(wěn)定性，且采用此芯片結(jié)構(gòu)粘附性較好而不容易出現(xiàn)外延結(jié)構(gòu)剝離
[0007]為達成上述目的，本實用新型的解決方案為:
[0008]—種大功率紅外發(fā)光二極管，包括外延發(fā)光結(jié)構(gòu)、基板及高熱導(dǎo)介質(zhì)層；外延發(fā)光結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)置高熱導(dǎo)介質(zhì)層，高熱導(dǎo)介質(zhì)層上設(shè)置基板，高熱導(dǎo)介質(zhì)層位于外延發(fā)光結(jié)構(gòu)與基板之間將外延發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的熱量導(dǎo)向基板。
[0009]進一步，高熱導(dǎo)介質(zhì)層為純凈的金剛石薄膜。
[0010]進一步,高熱導(dǎo)介質(zhì)層的厚度為50nm-600nm。
[0011]進一步，高熱導(dǎo)介質(zhì)層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置外延保護層。
[0012]進一步，外延保護層由第一外延保護層及第二外延保護層組成，與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)接觸的為第一外延保護層，與高熱導(dǎo)介質(zhì)層接觸的為第二外延保護層。
[0013]進一步,夕卜延保護層的材料包括GaAs、AlGaAs、GaInAs、AlGaInAs、Al InP、AlGaInP、GalnP、GaP0
[0014]進一步，第一外延保護層無導(dǎo)電型摻雜；第二外延保護層采用高濃度的硅摻雜。
[0015]進一步，第一外延保護層厚度為100nm-500nm ;第二外延保護層厚度為10nm_50nmo
[0016]進一步，基板與高熱導(dǎo)介質(zhì)層之間設(shè)置金屬反射鏡，金屬反射鏡與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)電通道導(dǎo)通且形成歐姆接觸，高熱導(dǎo)介質(zhì)層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)及金屬反射鏡形成全方位反射器。
[0017]進一步，金屬反射鏡與高熱導(dǎo)介質(zhì)層之間設(shè)置過渡層。
[0018]進一步，過渡層為碳化鈦；過渡層的厚度為小于等于30nm。
[0019]進一步，外延發(fā)光結(jié)構(gòu)包括有源層、第一型導(dǎo)電層及第二型導(dǎo)電層；有源層一側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層，第一型導(dǎo)電層上設(shè)置第一電極，另一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層，第二型導(dǎo)電層上設(shè)置外延保護層。
[0020]進一步，第二型導(dǎo)電層與外延保護層接觸端的外延層材料為砷化物三五族化合物，則外延保護層的材料為磷化物三五族化合物；第二型導(dǎo)電層與外延保護層接觸端的外延層材料為磷化物三五族化合物，則外延保護層的材料為砷化物三五族化合物。
[0021]一種大功率紅外發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
[0022]—,提供外延發(fā)光結(jié)構(gòu),在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上生長外延保護層；
[0023]二，采用微波化學(xué)氣相沉積法，在低溫的條件下，在外延保護層表面沉積金剛石薄膜，形成高熱導(dǎo)介質(zhì)層；
[0024]三，采用化學(xué)氣相沉積法，在低溫的條件下，在金剛石薄膜表面沉積碳化鈦，形成過渡層；
[0025]四，在過渡層表面形成金屬反射鏡，金屬反射鏡通過導(dǎo)電通道與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)連接導(dǎo)通且形成歐姆接觸；
[0026]五，在金屬反射鏡表面鍵合具有導(dǎo)電功能的基板；
[0027]六，在外延發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成第一電極，在基板上形成第二電極。
[0028]進一步，提供外延發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:在襯底上形成外延發(fā)光結(jié)構(gòu)，該外延發(fā)光結(jié)構(gòu)由襯底表面由下向上依次為腐蝕阻擋層、第一型導(dǎo)電層、有源層、第二型導(dǎo)電層。
[0029]進一步，在金屬反射鏡表面鍵合具有導(dǎo)電功能的基板后，剝尚襯底。
[0030]進一步，制作第一電極和第二電極保護膜，采用干法腐蝕或濕法腐蝕的方法粗化第一型導(dǎo)電層的表面；去除保護膜，切割分裂芯片。
[0031]進一步，生長外延保護層包括:在第二型導(dǎo)電層上外延第一外延保護層；在第一外延保護層之上繼續(xù)外延生長第二外延保護層；在第二外延保護層表面沉積金剛石薄膜，形成高熱導(dǎo)介質(zhì)層。
[0032]進一步，制作金屬反射鏡通過導(dǎo)電通道與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)連接導(dǎo)通且形成歐姆接觸，具體包括:在過渡層表面光刻形成若干圓形形狀；采用ICP干法蝕刻技術(shù)，在過渡層上表面的圓形形狀蝕刻出導(dǎo)電通孔，蝕刻的深度至第一外延保護層與第二外延保護層的接觸面；采用濕法腐蝕技術(shù)將導(dǎo)電通孔由第一外延保護層與第二外延保護層的接觸面腐蝕至第二型導(dǎo)電層的上表面；在過渡層表面形成金屬反射鏡及導(dǎo)電通道。
[0033]進一步,高熱導(dǎo)介質(zhì)層的厚度為50nm_600nm。
[0034]進一步，第一外延保護層厚度為100nm-500nm ;第二外延保護層厚度為10nm_50nmo
[0035]進一步，過渡層的厚度為小于等于30nm。
[0036]進一步，第二型導(dǎo)電層與外延保護層接觸端的外延層材料為砷化物三五族化合物，則外延保護層的材料為磷化物三五族化合物；第二型導(dǎo)電層與外延保護層接觸端的外延層材料為磷化物三五族化合物，則外延保護層的材料為砷化物三五族化合物。采用不同材料體系的外延層，對于后期發(fā)光二極管制作采用濕法腐蝕能有效降低制作成本。
[0037]進一步，第一外延保護層無導(dǎo)電型摻雜；第二外延保護層采用高濃度的硅摻雜。
[0038]采用上述方案后，本實用新型于外延發(fā)光結(jié)構(gòu)與基板之間設(shè)置高熱導(dǎo)介質(zhì)層，將高熱導(dǎo)介質(zhì)層產(chǎn)生的熱量導(dǎo)向基板，解決現(xiàn)有技術(shù)大功率紅外發(fā)光二極管采用氧化物當(dāng)介質(zhì)層，由于氧化物熱導(dǎo)率低而帶來的散熱瓶頸問題。
[0039]采用金剛石薄膜充當(dāng)高熱導(dǎo)介質(zhì)層，金剛石薄膜的熱導(dǎo)率在自然界中最高，較好地把外延發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)出來的熱量傳導(dǎo)到基板。金剛石薄膜采用無任何導(dǎo)電型摻雜，可較好地防止金屬向外延層擴散。
[0040]采用金剛石薄膜充當(dāng)高熱導(dǎo)介質(zhì)層，由于金剛石薄膜與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率差較大，能有效地與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)、金屬反射鏡組成全方位反射器(0DR)，提高了發(fā)光二極管的外量子發(fā)光效率，獲得高可靠性的大功率發(fā)光二極管器件。
[0041]高熱導(dǎo)介質(zhì)層的厚度為50nm-600nm，該厚度范圍可有效地與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)、金屬反射鏡形成全方位反射器(ODR)。
[0042]同時，金屬反射鏡與高熱導(dǎo)介質(zhì)層之間設(shè)置過渡層，過渡層使得高熱導(dǎo)介質(zhì)層與金屬反射鏡、外延層之間形成較好連接，解決了發(fā)光二極管制作過程容易出現(xiàn)外延層脫落的問題。
[0043]第一外延保護層厚度為100nm-500nm;該厚度范圍能起到在沉積金剛石膜時，有效地阻止碳元素向外延層的有源區(qū)擴散。第二外延保護層采用高濃度的硅摻雜，采用表層摻雜高濃度的硅雜質(zhì)薄層，有利于在外延層表面的金剛石成核及沉積金剛石薄膜。
[0044]過渡層采用碳化鈦，利用鈦元素特殊的物理、化學(xué)性質(zhì)，相比其它金屬元素更容易與碳元素形成化學(xué)鍵，形成較好的金屬與非金屬連接。過渡層的厚度為小于等于30nm，該厚度范圍作為金屬非金屬材料的過渡層較合適。且由于碳化鈦是由鈦元素擴散至金剛石表面，與金剛石中的碳元素形成一層很薄的碳化鈦過渡層，所以過渡層未影響金屬反射層與金剛石形成全方位反射器(0DR)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1為本實用新型第一實施例的二極管結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2為本實用新型第一實施例的外延結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖3為本實用新型第二實施例的外延結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]標號說明
[0049]硅基板I金屬反射鏡2
[0050]過渡層3高熱導(dǎo)介質(zhì)層4[0051 ]外延保護層5 第一外延保護層5a
[0052]第二外延保護層5b第二型導(dǎo)電層6
[0053]有源層7第一型導(dǎo)電層8
[0054]第一電極9第二電極10
[0055]導(dǎo)電通道11腐蝕阻擋層12
[0056]襯底13。

【具體實施方式】
[0057]以下結(jié)合附圖及具體實施例對本實用新型做詳細描述。
[0058]實施例一
[0059]如圖1所示，本實用新型揭示的一種大功率紅外發(fā)光二極管，包括硅基板1、金屬反射鏡2、過渡層3、高熱導(dǎo)介質(zhì)層4、外延保護層5及外延發(fā)光結(jié)構(gòu)；外延發(fā)光結(jié)構(gòu)包括有源層7、第一型導(dǎo)電層8及第二型導(dǎo)電層6。
[0060]有源層7 —側(cè)設(shè)置第一型導(dǎo)電層8，第一型導(dǎo)電層8上設(shè)置第一電極9，另一側(cè)設(shè)置第二型導(dǎo)電層6，第二型導(dǎo)電層6上設(shè)置外延保護層5。
[0061]如圖2所示，外延保護層5由第一外延保護層5a及第二外延保護層5b組成，第一外延保護層5a與第二型導(dǎo)電層6接觸，第一外延保護層5a的材料為AlGalnP，而第二型導(dǎo)電層6的材料為AlGaAs ;第二外延保護層5b與與高熱導(dǎo)介質(zhì)層接觸，第二外延保護層5b的材料為AlGalnP。第一外延保護層5a無導(dǎo)電型摻雜；第二外延保護層5b采用高濃度的硅摻雜。第一外延保護層5a厚度為100nm-500nm ;第二外延保護層5b厚度為10nm-50nm。
[0062]外延保護層5上設(shè)置高熱導(dǎo)介質(zhì)層4，高熱導(dǎo)介質(zhì)層4為金剛石薄膜，高熱導(dǎo)介質(zhì)層4的厚度為50nm-600nm。
[0063]高熱導(dǎo)介質(zhì)層4上設(shè)置過渡層3，過渡層3為碳化鈦，厚度為小于等于30nm。
[0064]過渡層3上設(shè)置金屬反射鏡2，金屬反射鏡2通過導(dǎo)電通道與第二型導(dǎo)電層6連接導(dǎo)通，高熱導(dǎo)介質(zhì)層4與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)及金屬反射鏡9形成全方位反射器(0DR)。金屬反射鏡2上設(shè)置硅基板1，硅基板I上設(shè)置第二電極10。
[0065]所述一種大功率紅外發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
[0066]一，如圖2所示外延結(jié)構(gòu)，在襯底13的表面自下而上依次為腐蝕阻擋層12、第一型導(dǎo)電層8、有源層7、第二型導(dǎo)電層6、外延保護層5。外延保護層5由兩部分組成，第一外延保護層5a和第二外延保護層5b。
[0067]襯底13采用GaAs襯底。腐蝕阻擋層12由(A10.3Ga0.7) 0.5In0.5P三五族化合物材料組成，且厚度為800nm。第一型導(dǎo)電層8由AlGaAs三五族化合物材料組成，且厚度為11 μ m。有源層7采用GalnAs、AlGaAs兩種材料交替組成的量子阱結(jié)構(gòu)，交替組成的對數(shù)為7對，且發(fā)光波長為870nm。第二型導(dǎo)電層6由AlGaAs三五族化合物材料組成，且厚度為4 μ m。外延保護層5由Ga0.5In0.5P三五族化合物材料組成，且厚度為300nm。
[0068]二，在第二型導(dǎo)電層6上外延生長第一外延保護層5a，第一外延保護層5a厚度為280nm，無任何導(dǎo)電型摻雜。
[0069]三，在第一外延保護層5a上通過δ摻雜的生長方式外延生長厚度為20nm的第二外延保護層5b，以便在第二外延保護層5b形成高濃度的Si摻雜。
[0070]四，利用微波化學(xué)氣相沉積法，真空反應(yīng)室里充氫氣保護，在490°C的反應(yīng)室溫度條件下，使用甲烷分解成碳離子和氫離子，在第二外延保護層5b表層高濃度硅摻雜氛圍下形核且沉積厚度為450nm的金剛石薄膜,形成高熱導(dǎo)介質(zhì)層4。
[0071]五，采用PECVD且反應(yīng)室里充氫氣保護，反應(yīng)室溫度在450°C的條件下，在金剛石薄膜表面形成厚度為20nm碳化鈦過渡層3。
[0072]六，通過光刻等工藝在過渡層3表面形成均勻分布的380個直徑為3微米的圓形形狀。
[0073]七，采用ICP干法蝕刻技術(shù)，在碳化鈦過渡層3上表面的圓形形狀蝕刻出導(dǎo)電通道11，蝕刻深度為750nm，蝕刻通過的區(qū)域為過渡層3、高熱導(dǎo)介質(zhì)膜4、外延保護層5，蝕刻至第一外延保護層5a與第二外延保護層5b的接觸面。
[0074]八、采用濕法腐蝕技術(shù)將第二外延保護層5b的導(dǎo)電通道11區(qū)域腐蝕去除，在導(dǎo)電通道11露出第二型導(dǎo)電層6的上表面。
[0075]九、在過渡層3表面蒸鍍金屬形成金屬反射鏡2 ;且蒸鍍金屬填充滿導(dǎo)電通道11，在第二型導(dǎo)電層6與金屬導(dǎo)電通道11之間形成歐姆接觸。
[0076]十、在金屬反射鏡2表面鍵合具有導(dǎo)電功能的硅基板1，采用濕法腐蝕去除襯底13，再腐蝕去除腐蝕阻擋層12。
[0077]i^一、在硅基板I的另一面蒸鍍金屬形成第二電極10，在第一型導(dǎo)電層8上經(jīng)過光亥IJ、蝕刻、蒸鍍等電極工藝后形成第一電極9。
[0078]十二、制作第一電極9和第二電極10保護膜，采用干法腐蝕或濕法腐蝕的方法粗化第一型導(dǎo)電層8的表面。
[0079]十三、去除第一電極9和第二電極10保護膜，切割分裂芯片，形成圖1所示的大功率近紅外發(fā)光二極管芯片。
[0080]實施例二
[0081]與實施例一不同在于:一種大功率紅外發(fā)光二極管制作方法，包括以下步驟:
[0082]—,如圖3所不外延結(jié)構(gòu),在襯底13的表面自下而上依次為第一型導(dǎo)電層8、有源層7、第二型導(dǎo)電層6、外延保護層5。外延保護層5由兩部分組成，第一外延保護層5a和第二外延保護層5b。與實施例一相比，外延結(jié)構(gòu)沒有設(shè)置腐蝕阻擋層12。
[0083]襯底13米用GaAs襯底。第一型導(dǎo)電層8由AlGaInP三五族化合物材料構(gòu)成,且厚度為9 μ m。有源層7采用AlGaInAs、AlGaAs兩種材料交替組成的量子阱結(jié)構(gòu)，交替組成的對數(shù)為10對，并且發(fā)光波長為840nm。第二型導(dǎo)電層6由AlGaInP三五族化合物材料組成，且厚度為3.5 μ m。外延保護層5由AlGaAs三五族化合物材料組成，且厚度為450nm。
[0084]二，在第二型導(dǎo)電層6上外延生長第一外延保護層5a。第一外延保護層5a厚度為400nm,無任何導(dǎo)電型摻雜。
[0085]三,在第一外延保護層5a上通過δ摻雜的生長方式外延生長厚度為50nm的第二外延保護層5b，以便在第二外延保護層5b形成高濃度的Si摻雜。
[0086]四，利用微波化學(xué)氣相沉積法，真空反應(yīng)室里充氫氣保護，在480°C的反應(yīng)室溫度條件下，使用甲烷分解成碳離子和氫離子，在第二外延保護層5b表層高濃度硅摻雜氛圍下形核且沉積厚度為400nm的金剛石薄膜,形成高熱導(dǎo)介質(zhì)層4。
[0087]五，采用PECVD且反應(yīng)室里充氫氣保護，反應(yīng)室溫度在430°C的條件下，在高熱導(dǎo)介質(zhì)層4金剛石薄膜的表面形成厚度為15nm碳化鈦過渡層3。
[0088]六，通過光刻等工藝在過渡層3表面形成均勻分布的280個直徑為4微米的圓形形狀。
[0089]七，采用ICP干法蝕刻技術(shù)，在碳化鈦過渡層3上表面的圓形形狀蝕刻出導(dǎo)電通道11，蝕刻深度為750nm，蝕刻通過的區(qū)域為過渡層3、高熱導(dǎo)介質(zhì)膜4、外延保護層5，蝕刻至第一外延保護層5a與第二外延保護層5b的接觸面。
[0090]八、采用濕法腐蝕技術(shù)將第二外延保護層5b的導(dǎo)電通道11區(qū)域腐蝕去除，在導(dǎo)電通道11露出第二型導(dǎo)電層6的上表面。
[0091]九、在過渡層3表面蒸鍍金屬形成金屬反射鏡2 ;且蒸鍍金屬填充滿導(dǎo)電通道11，在第二導(dǎo)電層6與金屬導(dǎo)電通道11之間形成歐姆接觸。
[0092]十、在金屬反射鏡2表面鍵合具有導(dǎo)電功能的硅基板1，采用濕法腐蝕去除襯底13。
[0093]i^一、在硅基板I的另一面蒸鍍金屬形成第二電極10，在第一型導(dǎo)電層8上經(jīng)過光亥IJ、蝕刻、蒸鍍等電極工藝后形成第一電極9。
[0094]十二、制作第一電極9和第二電極10保護膜，采用干法腐蝕或濕法腐蝕的方法粗化第一型導(dǎo)電層8的表面。
[0095]十三、除去第一電極9和第二電極10保護膜，切割分裂芯片，形成圖1所示的大功率近紅外發(fā)光二極管芯片。
[0096]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并非對本案設(shè)計的限制，凡依本案的設(shè)計關(guān)鍵所做的等同變化，均落入本案的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:包括外延發(fā)光結(jié)構(gòu)、基板及高熱導(dǎo)介質(zhì)層；外延發(fā)光結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)置高熱導(dǎo)介質(zhì)層，高熱導(dǎo)介質(zhì)層上設(shè)置基板，高熱導(dǎo)介質(zhì)層位于外延發(fā)光結(jié)構(gòu)與基板之間將外延發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的熱量導(dǎo)向基板。
2.如權(quán)利要求1所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:高熱導(dǎo)介質(zhì)層為純凈的金剛石薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:高熱導(dǎo)介質(zhì)層的厚度為 50nm-600nm。
4.如權(quán)利要求1所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:高熱導(dǎo)介質(zhì)層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置外延保護層。
5.如權(quán)利要求1所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:外延保護層由第一外延保護層及第二外延保護層組成，與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)接觸的為第一外延保護層，與高熱導(dǎo)介質(zhì)層接觸的為第二外延保護層。
6.如權(quán)利要求5所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:第一外延保護層無導(dǎo)電型摻雜；第二外延保護層采用高濃度的硅摻雜。
7.如權(quán)利要求5所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管,其特征在于:第一外延保護層厚度為100nm-500nm ;第二外延保護層厚度為10nm-50nm。
8.如權(quán)利要求1所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:基板與高熱導(dǎo)介質(zhì)層之間設(shè)置金屬反射鏡，金屬反射鏡與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)電通道形成歐姆接觸，高熱導(dǎo)介質(zhì)層與外延發(fā)光結(jié)構(gòu)及金屬反射鏡形成全方位反射器。
9.如權(quán)利要求8所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管,其特征在于:金屬反射鏡與高熱導(dǎo)介質(zhì)層之間設(shè)置過渡層。
10.如權(quán)利要求9所述的一種大功率紅外發(fā)光二極管，其特征在于:過渡層為碳化鈦；過渡層的厚度為小于等于30nm。
【文檔編號】H01L33/00GK204189827SQ201420516772
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】林志偉, 陳凱軒, 張永, 楊凱, 蔡建九, 白繼鋒, 卓祥景, 姜偉, 劉碧霞 申請人:廈門乾照光電股份有限公司