Led芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種LED芯片。該LED芯片包括：LED管芯，所述LED管芯包括襯底、緩沖層、形成在所述緩沖層之上的第一半導(dǎo)體層、形成在第一半導(dǎo)體之上的量子阱層和形成在量子阱層之上的第二半導(dǎo)體層，其中，第一半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，量子阱層形成在第一區(qū)域之上；第一電極，第一電極形成在第二區(qū)域之上；第二電極，第二電極形成在第二半導(dǎo)體層之上；以及封裝支架，封裝支架具有導(dǎo)電基板、第一導(dǎo)電端和與導(dǎo)電基板相連的第二導(dǎo)電端，其中，LED管芯設(shè)置在導(dǎo)電基板之上，且第一導(dǎo)電端與第二電極相連，導(dǎo)電基板與第一電極相連。本實(shí)用新型中第一電極環(huán)繞第二電極，能夠有效增強(qiáng)電流擴(kuò)散均勻性，提高LED發(fā)光效率，增加芯片壽命。
【專利說(shuō)明】LED芯片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED (Light Emitting D1de,發(fā)光二極管)制造【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種LED芯片。

【背景技術(shù)】
[0002]LED有長(zhǎng)壽命，無(wú)污染，低功耗等特點(diǎn)，它作為一種綠色環(huán)保燈具已經(jīng)在逐步推廣使用并得到廣泛認(rèn)可。目前使用的LED芯片包括LED管芯和支架。其中，LED管芯通常采用絕緣的藍(lán)寶石為襯底，因而其PN電極結(jié)構(gòu)是水平的。此種結(jié)構(gòu)的LED芯片后期經(jīng)過(guò)封裝形成燈珠，才能應(yīng)用在燈具上。常規(guī)的封裝工藝需要用固晶膠將芯片固定在支架上，并在正負(fù)電極位置焊接金線引出導(dǎo)線至支架電極上，如圖1所示。
[0003]上述技術(shù)中，具有藍(lán)寶石襯底的、雙電極水平結(jié)構(gòu)的LED芯片的電流擴(kuò)散不均勻，易造成電流擁堵效應(yīng)，不僅會(huì)降低發(fā)光效率，而且會(huì)降低芯片的使用壽命。芯片在后期封裝過(guò)程中，固晶膠若采取普通的絕緣白膠，則封裝后成品散熱效果不佳；固晶膠若采用散熱較好的導(dǎo)電銀膠，則易出現(xiàn)固晶時(shí)導(dǎo)電銀膠高度過(guò)高，造成芯片漏電。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本實(shí)用新型的目的在于提出一種具有電流擴(kuò)散均勻性好、發(fā)光效率高、使用壽命長(zhǎng)的LED芯片。
[0005]根據(jù)本實(shí)用新型第一方面實(shí)施例的LED芯片，可以包括:LED管芯，所述LED管芯包括襯底、形成在所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層、形成在所述第一半導(dǎo)體之上的量子阱層和形成在所述量子阱層之上的第二半導(dǎo)體層，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述量子阱層形成在所述第一區(qū)域之上；第一電極，所述第一電極形成在所述第二區(qū)域之上；第二電極，所述第二電極形成在所述第二半導(dǎo)體層之上；以及封裝支架，所述封裝支架具有導(dǎo)電基板、第一導(dǎo)電端和與所述導(dǎo)電基板相連的第二導(dǎo)電端，其中，所述LED管芯設(shè)置在所述導(dǎo)電基板之上，且所述第一導(dǎo)電端與所述第二電極相連，所述導(dǎo)電基板與所述第一電極相連。
[0006]根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片中，第一電極位于芯片表面的邊緣位置，第二電極位于芯片表面的中心位置，第一電極環(huán)繞第二電極，該設(shè)計(jì)有效增強(qiáng)電流擴(kuò)散均勻性，提高LED發(fā)光效率，增加芯片壽命。
[0007]另外，根據(jù)本實(shí)用新型上述實(shí)施例的LED芯片還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0008]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電極和所述導(dǎo)電基板之間通過(guò)導(dǎo)電體相連，所述導(dǎo)電體圍繞所述LED管芯的側(cè)壁設(shè)置。
[0009]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電體為導(dǎo)電銀膠。
[0010]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電端和所述第二電極之間通過(guò)金線焊接相連。
[0011]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:形成在所述第二電極和所述第二半導(dǎo)體層之間的透明導(dǎo)電層，其中，所述透明導(dǎo)電層的尺寸小于或等于所述第二半導(dǎo)體層的尺寸。
[0012]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述透明導(dǎo)電層為ITO層。
[0013]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，還包括:鈍化層，所述鈍化層覆蓋在LED管芯表面非電極區(qū)域。
[0014]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，所述鈍化層為二氧化硅層。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是本實(shí)用新型另一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖4是本實(shí)用新型又一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的形成方法的流程示意圖。
[0020]圖6a- 6h是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的形成方法的具體過(guò)程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0022]下面參考附圖2-圖4描述本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片。
[0023]本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片如圖2所示，可以包括:LED管芯、第一電極105、第二電極106和封裝支架。LED管芯包括襯底101、緩沖層(未示出)、形成在緩沖層之上的第一半導(dǎo)體層102、形成在第一半導(dǎo)體層102之上的量子阱層103和形成在量子阱層103之上的第二半導(dǎo)體層104。其中，第一半導(dǎo)體層102包括第一區(qū)域和環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域。量子阱層103形成在第一區(qū)域之上。第一電極105形成在第二區(qū)域之上。第二電極106形成在第二半導(dǎo)體層104之上。封裝支架具有導(dǎo)電基板201、第一導(dǎo)電端202和與導(dǎo)電基板201相連的第二導(dǎo)電端203。第一導(dǎo)電端202和第二導(dǎo)電端203是指封裝支架中與外圍電路正負(fù)導(dǎo)線分別相連的兩個(gè)金屬接觸部分。其中，LED管芯設(shè)置在導(dǎo)電基板201之上，且第一導(dǎo)電端202與第二電極106相連,導(dǎo)電基板201與第一電極105相連。該實(shí)施例的LED芯片中，第一電極105位于芯片表面的邊緣位置,第二電極106位于芯片表面的中心位置，第一電極105環(huán)繞第二電極106，該設(shè)計(jì)有效增強(qiáng)電流擴(kuò)散均勻性，提高LED發(fā)光效率，增加芯片壽命。
[0024]需要說(shuō)明的是，盡管圖中采用導(dǎo)線方式實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，但此處僅是為了示例的方便，而非本實(shí)用新型的限制。以及，LED管芯中還可以根據(jù)需要增設(shè)鈍化保護(hù)層等常見(jiàn)結(jié)構(gòu)。這些均為本領(lǐng)域技術(shù)人員的已知知識(shí),本文不贅述。
[0025]在本實(shí)用新型的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，第一電極105和導(dǎo)電基板201之間可以通過(guò)導(dǎo)電體204相連，該導(dǎo)電體204圍繞LED管芯的側(cè)壁設(shè)置，具體地，導(dǎo)電體204圍繞LED管芯的襯底101的側(cè)壁、第一半導(dǎo)體層102的側(cè)壁以及第一電極105的側(cè)壁設(shè)置。導(dǎo)電體204可以是塊狀金屬、導(dǎo)電橡膠等任意導(dǎo)電材料制成。由于導(dǎo)電體204僅能與芯片表面的邊緣位置的第一電極105接觸，從而避免了“第一電極-導(dǎo)電體-第二電極”之間的漏電風(fēng)險(xiǎn)。
[0026]可選地，導(dǎo)電體204為導(dǎo)電銀膠。導(dǎo)電銀膠在本實(shí)用新型中起到固晶和導(dǎo)電雙重作用，省略了第一電極與導(dǎo)電基板之間的焊線，達(dá)到了將水平結(jié)構(gòu)的芯片按照垂直結(jié)構(gòu)芯片的形式進(jìn)行封裝的效果。導(dǎo)電銀膠還具有導(dǎo)熱性良好的優(yōu)點(diǎn)，可以增強(qiáng)LED器件散熱效果，減少局部過(guò)熱出現(xiàn)的光衰等問(wèn)題，提高產(chǎn)品可靠性。
[0027]可選地，第一導(dǎo)電端202和第二電極106之間通過(guò)金線焊接相連。本實(shí)用新型中，芯片電極雖然是水平結(jié)構(gòu)，但只需要用金線引出第二電極106即可。
[0028]在本實(shí)用新型的又一個(gè)實(shí)施例中，如圖4所示，還可以包括:形成在第二電極106和第二半導(dǎo)體層104之間的透明導(dǎo)電層107。透明導(dǎo)電層107的材料可以為摻錫氧化銦(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻鎵氧化鋅、摻氟氧化錫(FTO)或者其它透明導(dǎo)電材料。需要說(shuō)明的是，透明導(dǎo)電層107的尺寸小于或等于第二半導(dǎo)體層104的尺寸，這樣可以避免透明導(dǎo)電層107突出來(lái)一部分，進(jìn)而與第一電極105接觸而導(dǎo)致短路。
[0029]下面參考附圖5描述本實(shí)用新型實(shí)施例的LED芯片的形成方法。
[0030]本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的LED芯片的形成方法如圖5所示，可以包括以下步驟:
[0031]A.提供LED管芯。
[0032]LED管芯可以包括襯底、形成在襯底之上的緩沖層、形成在緩沖層之上的第一半導(dǎo)體層、形成在第一半導(dǎo)體之上的量子阱層和形成在量子阱層之上的第二半導(dǎo)體層，其中，第一半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域，量子阱層形成在第一區(qū)域之上。需要說(shuō)明的是，LED管芯中還可以根據(jù)需要增設(shè)鈍化保護(hù)層等常見(jiàn)結(jié)構(gòu)。這些均為本領(lǐng)域技術(shù)人員的已知知識(shí)，本文不贅述。
[0033]B.在第二區(qū)域之上形成第一電極。
[0034]C.在第二半導(dǎo)體層之上形成第二電極。
[0035]D.將LED管芯設(shè)置在封裝支架的導(dǎo)電基板之上，其中，封裝支架具有第一導(dǎo)電端和與導(dǎo)電基板相連的第二導(dǎo)電端，其中，第一導(dǎo)電端與第二電極相連，導(dǎo)電基板與第一電極相連。
[0036]該實(shí)施例的LED芯片的形成方法中，形成的LED芯片中第一電極位于芯片表面的邊緣位置，第二電極位于芯片表面的中心位置，第一電極環(huán)繞第二電極，該設(shè)計(jì)有效增強(qiáng)電流擴(kuò)散均勻性，提高LED發(fā)光效率，增加芯片壽命。
[0037]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)導(dǎo)電體連接第一電極和導(dǎo)電基板，導(dǎo)電體圍繞LED管芯的側(cè)壁設(shè)置，具體地，導(dǎo)電體圍繞LED管芯的襯底的側(cè)壁、第一半導(dǎo)體層的側(cè)壁以及第一電極的側(cè)壁設(shè)置。導(dǎo)電體可以是塊狀金屬、導(dǎo)電橡膠等任意導(dǎo)電材料制成。由于導(dǎo)電體僅能與芯片表面的邊緣位置的第一電極接觸，從而避免了 “第一電極-導(dǎo)電體-第二電極”之間的漏電風(fēng)險(xiǎn)。
[0038]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電體為導(dǎo)電銀膠。導(dǎo)電銀膠在本實(shí)用新型中起到固晶和導(dǎo)電雙重作用，省略了第一電極與導(dǎo)電基板之間的焊線，達(dá)到了將水平結(jié)構(gòu)的芯片按照垂直結(jié)構(gòu)芯片的形式進(jìn)行封裝的效果。導(dǎo)電銀膠還具有導(dǎo)熱性良好的優(yōu)點(diǎn)，可以增強(qiáng)LED器件散熱效果，減少局部過(guò)熱出現(xiàn)的光衰等問(wèn)題，提高產(chǎn)品可靠性。
[0039]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)將LED管芯設(shè)置導(dǎo)電基板之上，并且實(shí)現(xiàn)第一電極和導(dǎo)電基板的連接:將LED管芯的底部與導(dǎo)電基板頂部相對(duì)設(shè)置；向LED管芯與導(dǎo)電基板之間注入導(dǎo)電銀膠前體，并且沿著LED芯管的側(cè)壁附著導(dǎo)電銀膠前體；將導(dǎo)電銀膠前體固化為導(dǎo)電銀膠。需要注意的是，沿著LED芯管的側(cè)壁附著導(dǎo)電銀膠前體時(shí)，至少要涂刷到與第一電極的高度，以確保導(dǎo)電銀膠和第一電極連接。
[0040]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)以下步驟實(shí)現(xiàn)將LED管芯設(shè)置導(dǎo)電基板之上，并且實(shí)現(xiàn)第一電極和導(dǎo)電基板的連接:在導(dǎo)電基板頂部設(shè)置導(dǎo)電銀膠前體；向?qū)щ娿y膠前體中壓入LED管芯，以使導(dǎo)電銀膠前體的一部分存留于LED管芯與導(dǎo)電基板之間，另一部分從側(cè)面溢出后圍繞LED管芯的側(cè)壁；將導(dǎo)電銀膠前體固化為導(dǎo)電銀膠。需要說(shuō)明的是，如果選用的導(dǎo)電銀膠前體材料的表面張力不夠時(shí)，導(dǎo)電銀膠前體從側(cè)面溢出后易于平淌成一灘，不易在側(cè)壁堆出一定高度來(lái)，此時(shí)可以借助模具在LED管型的側(cè)壁的外圍進(jìn)行塑形。
[0041]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)金線焊接第一導(dǎo)電端和第二電極。本實(shí)用新型中，芯片電極雖然是水平結(jié)構(gòu)，但只需要用金線引出第二電極即可。
[0042]在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，還可以包括步驟:在第二電極和第二半導(dǎo)體層之間形成透明導(dǎo)電層。透明導(dǎo)電層的材料可以為摻錫氧化銦(ΙΤ0)、摻鋁氧化鋅(ΑΖ0)、摻鎵氧化鋅、摻氟氧化錫(FTO)或者其它透明導(dǎo)電材料。其中，透明導(dǎo)電層的尺寸小于或等于第二半導(dǎo)體層的尺寸，這樣可以避免透明導(dǎo)電層突出來(lái)一部分，進(jìn)而與第一電極接觸而導(dǎo)致短路。
[0043]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的LED芯片及其形成方法， 申請(qǐng)人:結(jié)合圖6a至圖6f介紹一個(gè)詳細(xì)實(shí)施例。
[0044](一)制作LED管芯
[0045]如圖6a所示，采用藍(lán)寶石的襯底101，在上方依次外延Hh緩沖層11 UN-GaN層(第一半導(dǎo)體層)102、量子肼層103、P-GaN層(第二半導(dǎo)體層)104。
[0046]如圖6b所示，進(jìn)行干法刻蝕以暴露出N-GaN層102的第二區(qū)域，從俯視角度看該第二區(qū)域呈邊緣環(huán)狀。
[0047]如圖6c所示，在P-GaN層104之上形成ITO層(透明導(dǎo)電層)107。ITO層邊界略小于P-GaN層邊界寬度為5-7 um,以避免芯片出現(xiàn)漏電。
[0048]如圖6d所示，制作出N電極(第一電極)105和P電極(第二電極)106。P電極106位于芯片表面中心位置，N電極105位于芯片側(cè)表面邊緣且呈環(huán)型狀。電極材料一般為金及其合金。此時(shí)器件的俯視圖如圖6e所示。
[0049]如圖6f所示，在器件表面的非電極位置沉積一層二氧化硅(Si02)材料的鈍化層108。該鈍化層108是絕緣的，起到保護(hù)芯片防止漏電的作用，同時(shí)還有增加出光率的作用。
[0050](二)固晶及封裝
[0051]采用導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能良好的導(dǎo)電銀膠將上述步驟制得的LED管芯粘接在封裝支架中的導(dǎo)電基板201上。注意控制固晶機(jī)的參數(shù)條件，特別是控制膠量大小，使得在固晶過(guò)程中導(dǎo)電銀膠前體恰好能夠沿著LED管芯側(cè)面溢出到整個(gè)環(huán)形的N電極105位置側(cè)方或上方。導(dǎo)電銀膠前體的用量要合理設(shè)置。若導(dǎo)電銀膠前體用量過(guò)少，則導(dǎo)電銀膠前體沿著LED管芯側(cè)面溢出后達(dá)不到N電極105下沿的高度，從而造成斷路。若導(dǎo)電銀膠前體用量過(guò)多，則導(dǎo)電銀膠前體沿著LED管芯側(cè)面溢后漫過(guò)鈍化層108表面，從而影響芯片出光率。然后將器件放入烤箱烘烤，使導(dǎo)電銀膠前體固化為固態(tài)的導(dǎo)電銀膠，如圖6g所示。
[0052]由于該LED芯片僅在中心位置暴露出一個(gè)圓形P電極105，因此只需要用焊線機(jī)對(duì)P電極105進(jìn)行焊線并引出導(dǎo)線至封裝支架的第一導(dǎo)電端(即支架的導(dǎo)電正極)。焊線采用純度99.99%的金線。如圖6h所示。
[0053]最后，再根據(jù)需要進(jìn)行點(diǎn)膠，切割，測(cè)試包裝等工藝，完成LED芯片的封裝。
[0054]在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“ 一個(gè)實(shí)施例”、“ 一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。
[0055]此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。
[0056]流程圖中或在此以其他方式描述的任何過(guò)程或方法描述可以被理解為，可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時(shí)的方式或按相反的順序，來(lái)執(zhí)行功能，這應(yīng)被本實(shí)用新型的實(shí)施例所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所理解。
[0057]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種LED芯片，其特征在于，包括: LED管芯，所述LED管芯包括襯底、緩沖層、形成在所述緩沖層之上的第一半導(dǎo)體層、形成在所述第一半導(dǎo)體之上的量子阱層和形成在所述量子阱層之上的第二半導(dǎo)體層，其中，所述第一半導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和環(huán)繞所述第一區(qū)域的第二區(qū)域，所述量子阱層形成在所述第一區(qū)域之上； 第一電極，所述第一電極形成在所述第二區(qū)域之上； 第二電極，所述第二電極形成在所述第二半導(dǎo)體層之上； 以及 封裝支架，所述封裝支架具有導(dǎo)電基板、第一導(dǎo)電端和與所述導(dǎo)電基板相連的第二導(dǎo)電端，其中，所述LED管芯設(shè)置在所述導(dǎo)電基板之上，且所述第一導(dǎo)電端與所述第二電極相連，所述導(dǎo)電基板與所述第一電極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極和所述導(dǎo)電基板之間通過(guò)導(dǎo)電體相連，所述導(dǎo)電體圍繞所述LED管芯的側(cè)壁設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電體為導(dǎo)電銀膠。
4.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一導(dǎo)電端和所述第二電極之間通過(guò)金線焊接相連。
5.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括: 形成在所述第二電極和所述第二半導(dǎo)體層之間的透明導(dǎo)電層，其中，所述透明導(dǎo)電層的尺寸小于或等于所述第二半導(dǎo)體層的尺寸。
6.如權(quán)利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層為ITO層。
7.如權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括: 鈍化層，所述鈍化層覆蓋在LED管芯表面非電極區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述鈍化層為二氧化硅層。
【文檔編號(hào)】H01L33/62GK204144306SQ201420533210
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月16日
【發(fā)明者】張 杰, 彭遙 申請(qǐng)人:惠州比亞迪實(shí)業(yè)有限公司