一種平面型二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種平面型二極管，包括陰極引線，所述陰極引線與金屬片連接，所述金屬片上方設置有N型區(qū)，所述N型區(qū)中設置有P型區(qū)，所述N型區(qū)與P型區(qū)之間設置有PN結，所述P型區(qū)上方設置有二氧化硅襯底，所述二氧化硅襯底中設置有金屬連接結構，所述金屬連接結構下端與P型區(qū)上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構上端設置有陽極引線。本實用新型結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿。
【專利說明】一種平面型二極管

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，尤其涉及一種平面型二極管。

【背景技術】
[0002]二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導體器件之一，其應用也非常廣泛。
[0003]目前，二極管制造技術已經相當成熟，但仍然存在結構復雜、成本高、封裝難、容易被擊穿等問題。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿的平面型二極管。
[0005]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種平面型二極管，包括陰極引線，所述陰極引線與金屬片連接，所述金屬片上方設置有N型區(qū)，所述N型區(qū)中設置有P型區(qū)，所述N型區(qū)與P型區(qū)之間設置有PN結，所述P型區(qū)上方設置有二氧化硅襯底，所述二氧化硅襯底中設置有金屬連接結構，所述金屬連接結構下端與P型區(qū)上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構上端設置有陽極引線。
[0006]所述N型區(qū)，擴散P型雜質，構成P型區(qū)，并利用二氧化硅表面氧化膜的屏蔽作用，在N型區(qū)上選擇性地擴散一部分而形成的PN結，由于PN結的表面被二氧化硅氧化膜覆蓋，有利于~■極管穩(wěn)定性和使用壽命長的提聞。
[0007]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述金屬片為銅金屬片，所述銅金屬片電阻率低、導電性強，用于PN結整流電流的收集與傳輸。
[0009]進一步，所述陽極引線、陰極引線為鍍銅金屬，所述鍍銅金屬硬度大，有利于引線的的支撐，同時鍍銅引線電阻率低，有助于降低對整流電流的干擾。
[0010]進一步，所述金屬連接結構為鋁金屬，所述鋁金屬可塑性較好，易于二極管的封裝與封閉，所述鋁金屬導電性好，有利于各結構之間的導通。
[0011]本實用新型的有益效果是:結構簡單、易封裝、制造成本低廉，所承載的整流電流、反響電壓較大，不易被擊穿。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實用新型一種平面型二極管結構示意圖；
[0013]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、陰極引線，2、金屬片，3、N型區(qū)，4、PN結，5、P型區(qū)，6、二氧化硅襯底，7、金屬連接結構，8、陽極引線。

【具體實施方式】
[0014]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0015]如圖1所示，一種平面型二極管，包括陰極引線1，所述陰極引線I與金屬片2連接，所述金屬片2上方設置有N型區(qū)3，所述N型區(qū)3中設置有P型區(qū)5，所述N型區(qū)3與P型區(qū)5之間設置有PN結4，所述P型區(qū)5上方設置有二氧化硅襯底6，所述二氧化硅襯底6中設置有金屬連接結構7，所述金屬連接結構7下端與P型區(qū)5上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構7上端設置有陽極引線8。
[0016]所述N型區(qū)3，擴散P型雜質，構成P型區(qū)5，并利用二氧化硅6表面氧化膜的屏蔽作用，在N型區(qū)3上選擇性地擴散一部分而形成的PN結4，由于PN結4的表面被二氧化硅6氧化膜覆蓋，有利于二極管穩(wěn)定性和使用壽命長的提高。
[0017]所述金屬片2為銅金屬片，所述銅金屬片電阻率低、導電性強，用于PN結整流電流的收集與傳輸；所述陽極引線8、陰極引線I為鍍銅金屬，所述鍍銅金屬硬度大，有利于引線的的支撐，同時鍍銅引線電阻率低，有助于降低對整流電流的干擾；所述金屬連接結構7為鋁金屬，所述鋁金屬可塑性較好，易于二極管的封裝與封閉，所述鋁金屬導電性好，有利于各結構之間的導通。
[0018]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種平面型二極管，其特征在于，包括陰極引線，所述陰極引線與金屬片連接，所述金屬片上方設置有N型區(qū)，所述N型區(qū)中設置有P型區(qū)，所述N型區(qū)與P型區(qū)之間設置有PN結，所述P型區(qū)上方設置有二氧化硅襯底，所述二氧化硅襯底中設置有金屬連接結構，所述金屬連接結構下端與P型區(qū)上表面歐姆接觸，所述金屬連接結構上端設置有陽極引線。
2.根據(jù)權利要求1所述一種平面型二極管，其特征在于，所述金屬片為銅金屬片。
3.根據(jù)權利要求1所述一種平面型二極管，其特征在于，所述陽極引線、陰極引線為鍍銅金屬。
4.根據(jù)權利要求1所述一種平面型二極管，其特征在于，所述金屬連接結構為鋁金屬。
【文檔編號】H01L29/861GK204130541SQ201420582185
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權日:2014年9月30日
【發(fā)明者】夏洪貴 申請人:夏洪貴