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一種自動快速甩干晶片的裝置制造方法

文檔序號:7092071閱讀:319來源:國知局
一種自動快速甩干晶片的裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種自動快速甩干晶片的裝置,包括桶體、陶瓷盤支架、托架旋轉軸、支撐柱、導流平面、集水槽、排水口、桶蓋和噴水-抽氣系統(tǒng)。設計的導流平面利于清洗廢水的收集。桶蓋頂部設有噴水系統(tǒng),利于水流全面覆蓋晶片,桶蓋頂部設有抽風系統(tǒng),利于晶片表面迅速干燥。采用噴水-抽氣系統(tǒng)為同一裝置,設計和操作簡單,節(jié)約空間,簡化裝置。側壁設有集水槽,根據(jù)動力力學原理,便于離心水分的收集。集水槽下設有排水口,利于污水收集排出,保護晶片和環(huán)境。
【專利說明】一種自動快速甩干晶片的裝置

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體晶片清洗、干燥【技術領域】,具體地是涉及一種自動快速甩干晶片的裝置。

【背景技術】
[0002]隨著半導體行業(yè)在中國的發(fā)展以及對半導體晶片的要求,晶片向著尺寸大、厚度薄的方向發(fā)展,為使晶片表面平整、無損傷,多采用有蠟拋光的技術進行拋光。拋光過程中會投加大量藥劑,拋光完成之后晶片表面附著的大量具有較強的腐蝕性的藥水,因此需將晶體表面的藥水快速沖洗干凈,而且從拋光藥液中揮發(fā)出來的少量氧化性氣體逸到空氣中,使晶片在表面附著的純水的界面上與空氣中氧化性氣體發(fā)生反應,使晶片表面被腐蝕,嚴重影響晶片質量。因此需將拋光后的晶片快速沖洗干凈,且快速脫水。但是現(xiàn)有技術并未對此問題有足夠的重視,因而也沒有采取有效的措施來實現(xiàn)對半導體晶片的快速沖洗和脫水。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型旨在提供一種可以實現(xiàn)對半導體晶片的快速沖洗和脫水的自動快速甩干晶片的裝置。
[0004]為解決上述技術問題,本實用新型的技術方案是:
[0005]一種自動快速甩干晶片的裝置,包括桶體,所述桶體內(nèi)設有陶瓷盤支架,所述陶瓷盤支架上設有陶瓷盤固定機構,所述陶瓷盤支架通過托架旋轉軸固定并在所述托架旋轉軸的帶動下旋轉,所述托架旋轉軸通過支撐柱固定在所述桶體上,所述桶體的下表面設有一導流平面,所述桶體側面設有一集水槽,所述集水槽下方設有排水口,所述桶體上方設有一桶蓋,所述桶蓋頂部中心位置設有噴水-抽氣系統(tǒng),所述噴水-抽氣系統(tǒng)包括多個導向管道和設置于每一所述導向管道上的閥門。
[0006]進一步地所述導流平面為中心向上突起,邊緣向下凹陷的結構,且所述導流平面沿著遠離所述集水槽的方向其平面高度逐漸增高。
[0007]進一步地所述桶蓋四周設有密封圈。
[0008]進一步地所述集水槽為一帶弧形凹槽結構,且所述凹槽結構向所述桶體外側凸出,所述弧形由所述凹槽結構一側向桶內(nèi)延伸。
[0009]進一步地所述導向管道傾斜設置在所述桶蓋頂部的中心位置。
[0010]進一步地還包括供電動力系統(tǒng),所述供電動力系統(tǒng)驅動所述托架旋轉軸轉動。
[0011]進一步地所述導向管道的數(shù)量為四個。
[0012]采用上述技術方案,本實用新型至少包括如下有益效果:
[0013]本實用新型所述的自動快速甩干晶片的裝置,設計的導流平面利于清洗廢水的收集。桶蓋頂部設有噴水系統(tǒng),利于水流全面覆蓋晶片,桶蓋頂部設有抽風系統(tǒng),利于晶片表面迅速干燥。采用噴水-抽氣系統(tǒng)為同一裝置,設計和操作簡單,節(jié)約空間,簡化裝置。側壁設有集水槽,根據(jù)動力力學原理,便于離心水分的收集。集水槽下設有排水口,利于污水收集排出,保護晶片和環(huán)境。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型所述的自動快速甩干晶片的裝置的結構示意圖;
[0015]圖2為本實用新型所述的桶蓋仰視圖;
[0016]圖3為本實用新型所述的噴水-抽氣系統(tǒng)的安裝示意圖;
[0017]圖4為本實用新型所述的集水槽的正視圖。
[0018]其中:1.桶體2.陶瓷盤支架,3.托架旋轉軸,4.支撐柱,5.導流平面,6.集水槽,7.排水口,8.桶蓋,9.噴水-抽氣系統(tǒng)。

【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0020]如圖1至圖4所示,為符合本實用新型的一種自動快速甩干晶片的裝置,包括桶體1,所述桶體1內(nèi)設有陶瓷盤支架2,所述陶瓷盤支架2上設有陶瓷盤固定機構,所述陶瓷盤支架2通過托架旋轉軸3固定并在所述托架旋轉軸3的帶動下旋轉,所述托架旋轉軸3通過支撐柱4固定在所述桶體1上,所述桶體1的下表面設有一導流平面5,所述桶體1側面設有一集水槽6,所述集水槽6下方設有排水口 7,所述桶體1上方設有一桶蓋8,所述桶蓋8頂部中心位置設有噴水-抽氣系統(tǒng)9,所述噴水-抽氣系統(tǒng)9包括多個導向管道和設置于每一所述導向管道上的閥門。采用噴水系統(tǒng)和抽氣系統(tǒng)為同一結構,通過閥門控制其開合,通過注入液體或者抽出氣體來實現(xiàn)噴水和抽氣的功能。由于所述導向管道和所述閥門的設置為本領域技術人員的公知常識,故此處不再贅述。
[0021]優(yōu)選地所述導流平面5為中心向上突起,邊緣向下凹陷的結構,且所述導流平面5沿著遠離所述集水槽6的方向其平面高度逐漸增高。如此設置有利于污水沿著所述導流平面5流向所述排水口 7。
[0022]優(yōu)選地所述桶蓋8四周設有密封圈,通過所述密封圈的設置可以保證整個裝置在工作時處于密封狀態(tài)。
[0023]優(yōu)選地所述集水槽6為一帶弧形凹槽結構,且所述凹槽結構向所述桶體1外側凸出,所述弧形由所述凹槽結構一側向桶內(nèi)延伸。
[0024]優(yōu)選地所述導向管道傾斜設置在所述桶蓋8頂部的中心位置。如此設置可以保證噴出的水流正好覆蓋陶瓷盤上的晶片。
[0025]本實施例還包括供電動力系統(tǒng),所述供電動力系統(tǒng)驅動所述托架旋轉軸3轉動。由于其為本領域技術人員的公知常識,故此處不再贅述。附圖中略去了所述供電動力系統(tǒng)的結構,本領域技術人員應當知曉其如何設置。
[0026]所述導向管道的數(shù)量優(yōu)選為四個,并可根據(jù)實際的使用需求進行適當增加或者減少,本實施例對此不作限定。
[0027]本實施例的具體操作步驟如下:
[0028]1、將多個晶片和陶瓷盤一起放在所述陶瓷盤支架2上,在所述供電動力系統(tǒng)的作用下使所述托架旋轉軸3帶動陶瓷盤和晶片高速旋轉。
[0029]2、打開桶蓋8頂部的噴水系統(tǒng),噴出的水流正好覆蓋陶瓷盤上的晶片,同時,根據(jù)動力力學的特性,高速旋轉的托架旋轉軸3會將晶片上的大部分水甩入桶壁一側的帶弧形集水槽6,所述集水槽6下方即是排水口 7,晶片上剩余的小部分水分在離心力的作用下甩到導流平面5或桶壁上,最終匯集到排水口 7排出。此目的是清洗干凈晶片表面附著的藥液,避免藥力腐蝕晶片。
[0030]3、清洗完成后,關閉噴水系統(tǒng),打開抽風系統(tǒng),同時在高速旋轉的離心力的作用下,使晶片迅速被甩干;此目的是迅速甩干晶片表面的水分,避免晶片被氧化。
[0031]本實用新型所述的自動快速甩干晶片的裝置,設計的導流平面5利于清洗廢水的收集。桶蓋8頂部設有噴水系統(tǒng),利于水流全面覆蓋晶片,桶蓋8頂部設有抽風系統(tǒng),利于晶片表面迅速干燥。采用噴水-抽氣系統(tǒng)為同一裝置,設計和操作簡單,節(jié)約空間,簡化裝置。側壁設有集水槽6,根據(jù)動力力學原理,便于離心水分的收集。集水槽6下設有排水口7,利于污水收集排出,保護晶片和環(huán)境。
[0032]以上對本實用新型的一個實施例進行了詳細說明,但所述內(nèi)容僅為本實用新型創(chuàng)造的較佳實施例,不能被認為用于限定本實用新型的實施范圍。凡依本實用新型申請范圍所作的任何等同變化,均應仍處于本實用新型的專利涵蓋范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于,包括桶體,所述桶體內(nèi)設有陶瓷盤支架,所述陶瓷盤支架上設有陶瓷盤固定機構,所述陶瓷盤支架通過托架旋轉軸固定并在所述托架旋轉軸的帶動下旋轉,所述托架旋轉軸通過支撐柱固定在所述桶體上,所述桶體的下表面設有一導流平面,所述桶體側面設有一集水槽,所述集水槽下方設有排水口,所述桶體上方設有一桶蓋,所述桶蓋頂部中心位置設有噴水-抽氣系統(tǒng),所述噴水-抽氣系統(tǒng)包括多個導向管道和設置于每一所述導向管道上的閥門。
2.如權利要求1所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:所述導流平面為中心向上突起,邊緣向下凹陷的結構,且所述導流平面沿著遠離所述集水槽的方向其平面高度逐漸增高。
3.如權利要求2所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:所述桶蓋四周設有密封圈。
4.如權利要求1-3任一所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:所述集水槽為一帶弧形凹槽結構,且所述凹槽結構向所述桶體外側凸出,所述弧形由所述凹槽結構一側向桶內(nèi)延伸。
5.如權利要求4所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:所述導向管道傾斜設置在所述桶蓋頂部的中心位置。
6.如權利要求5所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:還包括供電動力系統(tǒng),所述供電動力系統(tǒng)驅動所述托架旋轉軸轉動。
7.如權利要求6所述的自動快速甩干晶片的裝置,其特征在于:所述導向管道的數(shù)量為四個。
【文檔編號】H01L21/67GK204167275SQ201420596523
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權日:2014年10月15日
【發(fā)明者】易德福, 吳城 申請人:易德福
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