新型片式大功率射頻負(fù)載元件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種新型片式大功率射頻負(fù)載元件，其特征是在AlN陶瓷基體上分別成膜側(cè)面、正面導(dǎo)體和反面導(dǎo)體，在正面導(dǎo)體之間成膜電阻層，在電阻層上印刷保護(hù)油漆層，在裸露的導(dǎo)體上電鍍鎳阻擋層，在鎳層上電鍍銀層。本實(shí)用新型不僅滿足4G無(wú)線移動(dòng)通信基站用的射頻負(fù)載元件對(duì)環(huán)保性、小型化和低成本的要求，也滿足了基本性能涉及要求，同時(shí)又可以實(shí)現(xiàn)高效SMT組裝，提高了無(wú)線移動(dòng)通信基站生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】新型片式大功率射頻負(fù)載元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種厚膜片式大功率射頻負(fù)載元件。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著無(wú)線移動(dòng)技術(shù)的發(fā)展，需要4G無(wú)線移動(dòng)通信基站具有小型化、寬容量、多系統(tǒng)等特點(diǎn)，在基站設(shè)計(jì)時(shí)必須大量使用一款環(huán)保的、低成本、小型化、用于吸收功率的大功率射頻負(fù)載元件。傳統(tǒng)的大功率射頻負(fù)載元件，其主要有以下缺點(diǎn):1.基體材料使用具有高導(dǎo)熱率有毒性BeO陶瓷基體，所以不環(huán)保；2.產(chǎn)品結(jié)構(gòu)采用了帶有銅底座的法蘭式結(jié)構(gòu)，難以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化組裝，生產(chǎn)效率低；3.因帶有大尺寸銅底座，產(chǎn)品體積大。因此，傳統(tǒng)的大功率射頻負(fù)載元件越來(lái)越難以滿足新一代無(wú)線移動(dòng)通信基站對(duì)環(huán)保性、小型化、低成本的使用要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是克服【背景技術(shù)】中的缺陷，提供一種新型片式大功率射頻負(fù)載元件，具有環(huán)保、小型化、大功率的特點(diǎn)、能夠適用自動(dòng)化的SMT組裝工藝。
[0004]實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種新型片式大功率射頻負(fù)載元件，其特征是首先在ALN陶瓷基體正面成膜正面導(dǎo)體，在兩側(cè)面分別成膜側(cè)面導(dǎo)體、在背面成膜反面導(dǎo)體，然后在正面導(dǎo)體之間成膜電阻層，在電阻層和正面導(dǎo)體上印刷保護(hù)油漆層，在裸露的導(dǎo)體上電鍍鎳阻擋層，在鍍鎳阻擋層上電鍍銀層。
[0005]本實(shí)用新型具有極高功率密度、阻抗匹配性好、環(huán)保性、小型片式化、低成本等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又可以實(shí)現(xiàn)高效SMT組裝，提高了無(wú)線移動(dòng)通信基站生產(chǎn)效率，不僅能夠在4G無(wú)線移動(dòng)通信基站上應(yīng)用，也可以逐步擴(kuò)大到其他無(wú)線移動(dòng)通信基站上。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0006]圖1是本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖2是圖1的側(cè)視圖。
[0008]圖3是本實(shí)用新型正面去掉其上的保護(hù)層后結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖4是本實(shí)用新型背面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖5是本實(shí)用新型產(chǎn)品爆炸圖。

【具體實(shí)施方式】
[0011]在材料選擇上，摒棄使用具有毒性BeO陶瓷基體，通過(guò)熱分析計(jì)算出符合熱導(dǎo)系數(shù)的陶瓷基體材料，在結(jié)合厚膜制造工藝和成本情況，選擇出符合環(huán)保性所使用的陶瓷基體材料為ALN陶瓷，并根據(jù)ALN陶瓷熱導(dǎo)系數(shù)和膨脹系數(shù)，進(jìn)行吸收功率電阻圖形設(shè)計(jì)和使用漿料選擇。在結(jié)構(gòu)上，摒棄將陶瓷體組裝到大尺寸的銅底座上的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)方式，在ALN陶瓷基體成膜完成后，通過(guò)電鍍方式增加阻焊層和銀層，這樣既可以滿足后期裝配對(duì)耐焊接熱和可焊性的使用要求，又可以實(shí)現(xiàn)SMT組裝技術(shù)和小尺寸的要求。
[0012]如1、圖2、圖3、圖4所示，首先在ALN陶瓷基體I正面成膜正面導(dǎo)體4，在兩側(cè)面分別成膜側(cè)面導(dǎo)體5和6、在背面成膜反面導(dǎo)體7，在正面導(dǎo)體4之間成膜電阻層3，然后在ALN陶瓷基體I正面電阻層3和正面導(dǎo)體4上印刷保護(hù)油漆層2，經(jīng)過(guò)這些工序后，仍然有裸露的導(dǎo)體沒(méi)有被覆蓋(存在于兩側(cè)面導(dǎo)體5和6、反面導(dǎo)體7)，最后在裸露的導(dǎo)體上電鍍鎳阻擋層8，在鍍鎳阻擋層8上電鍍銀層9。
[0013]如圖5所示，印刷各層膜層時(shí)，嚴(yán)格按照設(shè)計(jì)圖層大小印刷，每一層都必須在10倍以上顯微鏡下鏡檢對(duì)位，保證各層對(duì)位的準(zhǔn)確性，并且嚴(yán)格控制印刷力度、流平時(shí)間，確保燒結(jié)后導(dǎo)體和電阻成膜膜厚為15±3μπι，并通過(guò)調(diào)整燒結(jié)溫度參數(shù)和燒結(jié)次數(shù)，保證成膜后的電阻能夠在不激光修調(diào)的情況下，阻值精度達(dá)到5%以內(nèi)。
[0014]在電鍍鎳阻擋層8和銀層9時(shí)，嚴(yán)格按照操作指導(dǎo)書(shū)控制好每次電鍍的數(shù)量、導(dǎo)電體大小、電流大小、溫度、時(shí)間和液體PH值，確保電鍍層的厚度達(dá)到5um，形成最終的成品。
【權(quán)利要求】
1.一種新型片式大功率射頻負(fù)載元件，其特征是首先在ALN陶瓷基體(I)正面成膜正面導(dǎo)體(4)，在兩側(cè)面分別成膜側(cè)面導(dǎo)體(5和6)、在背面成膜反面導(dǎo)體(7)，然后在正面導(dǎo)體(4)之間成膜電阻層(3)，在電阻層(3)和正面導(dǎo)體(4)上印刷保護(hù)油漆層(2)，在裸露的導(dǎo)體上電鍍鎳阻擋層(8)，在鍍鎳阻擋層(8)上電鍍銀層(9)。
【文檔編號(hào)】H01P1/26GK204118227SQ201420610213
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月21日
【發(fā)明者】魚(yú)陽(yáng), 劉利, 陳福祥, 王永生, 薛靜蓉, 殷春民 申請(qǐng)人:陜西華經(jīng)微電子股份有限公司