微帶天線及陣列天線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種微帶天線，包括介質(zhì)基片和位于介質(zhì)基片上的輻射片，上述天線還包括一設(shè)置在上述輻射片周圍，寬度為1-2毫米的環(huán)形結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種陣列天線；本實(shí)用新型減小了陣列天線的體積；節(jié)省了天線的加工成本。
【專利說(shuō)明】微帶天線及陣列天線

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及天線領(lǐng)域，特別地涉及一種微帶天線及陣列天線。

【背景技術(shù)】
[0002]微帶天線是一種在薄介質(zhì)基片上，一面附上金屬薄層作為接地板，另一面用光刻腐蝕方法制成一定形狀的金屬貼片，利用微帶線或同軸探針對(duì)貼片饋電構(gòu)成的天線。微帶天線是近30年來(lái)逐漸發(fā)展起來(lái)的一類新型天線。微帶天線一般應(yīng)用在1?50GHz頻率范圍，特殊的天線也可用于幾十兆赫。微帶天線體積小，制造簡(jiǎn)單且不太昂貴。
[0003]陣列天線是一類由不少于兩個(gè)天線單元規(guī)則或隨機(jī)排列并通過(guò)適當(dāng)激勵(lì)獲得預(yù)定輻射特性的天線。現(xiàn)有技術(shù)為了保證天線之間的隔離度，天線單元之間的距離需要保證在0.7-1個(gè)波長(zhǎng)，故為了保證陣列天線的低仰角增益，通常天線體積都比較大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的是，提供一種微帶天線及陣列天線，以改善現(xiàn)有陣列天線體積大的問(wèn)題。
[0005]本實(shí)用新型公開(kāi)了一種微帶天線，包括介質(zhì)基片和位于介質(zhì)基片上的輻射片，上述天線還包括一設(shè)置在上述輻射片周圍，寬度為1-2毫米的環(huán)形結(jié)構(gòu)。
[0006]優(yōu)選地，上述環(huán)形結(jié)構(gòu)為涂覆在上述介質(zhì)基片上的鍍層。
[0007]優(yōu)選地，上述環(huán)形結(jié)構(gòu)為波浪形，其中，波峰與輻射片距離為1-3毫米；波谷與輻射片的距離為3-5毫米。
[0008]優(yōu)選地，上述環(huán)形結(jié)構(gòu)的寬度為1.5毫米，上述波峰與輻射片距離為2毫米；波谷與輻射片的距離為4毫米。
[0009]本實(shí)用新型進(jìn)一步公開(kāi)了一種陣列天線，包括反射板及位于反射板上的天線單元，天線單元為上述微帶天線。
[0010]本實(shí)用新型在保證天線低仰角增益的基礎(chǔ)上，減小了陣列天線的體積；進(jìn)而節(jié)省了天線的加工成本，且實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0012]圖1是本實(shí)用新型所述微帶天線的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2是本實(shí)用新型所述陣列天線的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0015]如圖1所示，是本實(shí)用新型所述微帶天線的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1為介質(zhì)基片，2為輻射片，3為環(huán)形結(jié)構(gòu)；環(huán)形結(jié)構(gòu)3的寬度范圍為1_2_，優(yōu)選1.5_，環(huán)形結(jié)構(gòu)3與輻射片2位于同一水平面；本實(shí)施例中，環(huán)形結(jié)構(gòu)3為涂覆在介質(zhì)基片1上的波浪形鍍層，其中，波浪形鍍層的波峰與輻射片2的距離為l_3mm，優(yōu)選為2mm ;波谷與輻射片2的距離為3_5mm,優(yōu)選為4mm。
[0016]如圖2所示，是本實(shí)用新型所述陣列天線的優(yōu)選實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖，圖中，10為反射板，20為位于反射板上的天線單元；本實(shí)施例具有5個(gè)天線單元20，天線單元20的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)對(duì)圖1的描述，這里不再?gòu)?fù)述。
[0017]本實(shí)用新型通過(guò)在天線表面增加環(huán)形結(jié)構(gòu)1，減小陣列天線的表面波，從而提高了陣列天線的天線單元之間的隔離度，保證了陣列天線的低仰角增益。
[0018]本實(shí)用新型使得天線單元之間的距離在0.5-0.6個(gè)波長(zhǎng)即可滿足隔離度要求，而天線性能可達(dá)到現(xiàn)有的陣列天線的天線單元之間的距離在0.75-0.9個(gè)波長(zhǎng)時(shí)的效果，從而使陣列天線更加小形化，減小天線的加工成本，使用更加方便。
[0019]上述說(shuō)明示出并描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述實(shí)用新型構(gòu)想范圍內(nèi)，通過(guò)上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍，則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種微帶天線，包括介質(zhì)基片和位于介質(zhì)基片上的輻射片，其特征在于，所述天線還包括一設(shè)置在所述輻射片周圍，寬度為1-2毫米的環(huán)形結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的微帶天線，其特征在于，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)為涂覆在所述介質(zhì)基片上的鍍層。
3.如權(quán)利要求1或2所述的微帶天線，其特征在于，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)為波浪形，其中，波峰與輻射片距離為1-3毫米；波谷與輻射片的距離為3-5毫米。
4.如權(quán)利要求3所述的微帶天線，其特征在于，所述環(huán)形結(jié)構(gòu)的寬度為1.5毫米，所述波峰與輻射片距離為2毫米；波谷與輻射片的距離為4毫米。
5.一種陣列天線，包括反射板及位于反射板上的天線單元，其特征在于，所述天線單元為權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的微帶天線。
【文檔編號(hào)】H01Q1/38GK204243183SQ201420617072
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月23日
【發(fā)明者】王春華, 郭奇松 申請(qǐng)人:深圳市華信天線技術(shù)有限公司