半導(dǎo)體組件的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種半導(dǎo)體組件，包括：第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿上下方向間隔開設(shè)置，第一基板和第二基板上分別設(shè)有第一主電極和第二主電極；半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片設(shè)在第一基板和/或第二基板上且位于第一基板和第二基板之間；金屬塊，金屬塊的一側(cè)與半導(dǎo)體芯片相連，另一側(cè)與第一基板或第二基板相連；多個信號電極，第一主電極和第二主電極與第一基板和第二基板之間、半導(dǎo)體芯片與第一基板或第二基板之間、金屬塊與半導(dǎo)體芯片和第一基板或第二基板之間、信號電極與第一基板和/或第二基板之間分別通過金屬連接層相連。根據(jù)本實用新型的半導(dǎo)體組件，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量可以通過第一基板和第二基板散熱，提高了散熱效率。
【專利說明】半導(dǎo)體組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體器件制造【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體組件。

【背景技術(shù)】
[0002]目前半導(dǎo)體芯片多采用單面焊接直接焊接到陶瓷基板上，另一面多采用引線鍵合引出到電極端子，構(gòu)成單面散熱的功率模塊。單面半導(dǎo)體功率模塊在工作過程中，半導(dǎo)體所產(chǎn)生的熱量通過陶瓷基板、銅基板傳遞至散熱器。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展要求，芯片的功率密度越來越大，功率模塊的封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量若不能及時地散出，將會影響功率模塊的性能，甚至燒毀芯片。單面半導(dǎo)體功率模塊內(nèi)部引線鍵合點與芯片接觸面積較少，只有極少的一部分熱量可以通過鍵合點散出，而且鍵合點、鍵合引線的不規(guī)則性使得模塊的這一面無法連接散熱器進行散熱，而且鍵合點一直是功率模塊可靠性的薄弱部分，長時間的工作后將增加模塊失效的風(fēng)險。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題之一。
[0004]為此，本實用新型提出一種半導(dǎo)體組件，所述半導(dǎo)體組件的散熱效率高。
[0005]根據(jù)本實用新型的半導(dǎo)體組件，包括:第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板沿上下方向間隔開設(shè)置，所述第一基板和所述第二基板上分別設(shè)有第一主電極和第二主電極；半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)在所述第一基板和丨或所述第二基板上且位于所述第一基板和所述第二基板之間；金屬塊，所述金屬塊設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片上，所述金屬塊的一側(cè)與所述半導(dǎo)體芯片相連，另一側(cè)與所述第一基板或所述第二基板相連；多個信號電極，多個所述信號電極分別設(shè)在所述第一基板和/或所述第二基板上，多個所述信號電極中的至少一個與所述半導(dǎo)體芯片電連接，所述第一主電極與所述第一基板之間、所述第二主電極與所述第二基板之間、所述半導(dǎo)體芯片與所述第一基板或所述第二基板之間、所述金屬塊與所述半導(dǎo)體芯片之間、所述金屬塊與所述第一基板或所述第二基板之間、所述信號電極與所述第一基板和/或所述第二基板之間分別通過金屬連接層相連。
[0006]根據(jù)本實用新型的半導(dǎo)體組件，通過在半導(dǎo)體芯片的上下兩側(cè)分別設(shè)置第一基板和第二基板，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量可以通過第一基板和第二基板同時散熱，大大提高了半導(dǎo)體組件的散熱效率，實現(xiàn)了降低半導(dǎo)體組件溫升、半導(dǎo)體芯片結(jié)溫的目的。
[0007]本實用新型的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0009]圖1是根據(jù)本實用新型一個實施例的半導(dǎo)體組件的剖面圖；
[0010]圖2是圖1中的半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖3是圖1中的半導(dǎo)體組件的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖4是圖1中的半導(dǎo)體組件的第二基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖5是圖1中的半導(dǎo)體組件的半導(dǎo)體芯片和熱敏電阻的電路圖；
[0014]圖6是根據(jù)本實用新型另一個實施例的半導(dǎo)體組件的剖面圖；
[0015]圖7是圖6中的半導(dǎo)體組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖8是圖6中的半導(dǎo)體組件的第一基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖9是圖6中的半導(dǎo)體組件的第二基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖10是圖6中半導(dǎo)體組件的半導(dǎo)體芯片和熱敏電阻的電路圖。
[0019]附圖標(biāo)記:
[0020]半導(dǎo)體組件100^1(10013)；
[0021]第一基板11 ；第二基板12 ；第一主電極21^1(2113)；第二主電極22^1(22)3)；第三主電極236 ；半導(dǎo)體芯片30 ；金屬塊40 ；避讓槽41 ；信號電極5(^(5(^)；金屬連接層60 ；鍵合引線70；樹脂80 ；熱敏電阻90。

【具體實施方式】
[0022]下面詳細描述本實用新型的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本實用新型，而不能理解為對本實用新型的限制。
[0023]在本實用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實用新型和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本實用新型的限制。
[0024]此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本實用新型的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
[0025]在本實用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實用新型中的具體含義。
[0026]下面結(jié)合附圖1-圖10具體描述根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件1008(100?)。
[0027]根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件1003(10013)包括第一基板11和第二基板12、半導(dǎo)體芯片30、金屬塊40、多個信號電極50^1(5013)。
[0028]具體而言，第一基板11和第二基板12沿上下方向間隔開設(shè)置，第一基板11和第二基板12上分別設(shè)有第一主電極213(2113)和第二主電極223(2213)，半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11和/或第二基板12上且位于第一基板11和第二基板12之間，金屬塊40設(shè)在半導(dǎo)體芯片30上，金屬塊40的一側(cè)與半導(dǎo)體芯片30相連，另一側(cè)與第一基板11或第二基板12相連。
[0029]多個信號電極50^1(5013)分別設(shè)在第一基板11和/或第二基板12上，多個信號電極503(5(?)中的至少一個與半導(dǎo)體芯片30電連接，第一主電極21^1(2113)與第一基板11之間、第二主電極22^1(2213)與第二基板12之間、半導(dǎo)體芯片30與第一基板11或第二基板12之間、金屬塊40與半導(dǎo)體芯片30之間、金屬塊40與第一基板11或第二基板12之間、信號電極503(5(?)與第一基板11和/或第二基板12之間分別通過金屬連接層60相連。
[0030]換言之，半導(dǎo)體組件100^1(10013)主要由第一基板11、第二基板12、第一主電極218(21?)、第二主電極223(226)、半導(dǎo)體芯片30、金屬塊40、多個信號電極5(^(5(^)組成。
[0031]具體地，第一基板11與第二基板12沿上下方向間隔開設(shè)置，半導(dǎo)體芯片30包括多個，多個半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11和/或第二基板12上且半導(dǎo)體芯片30與第一基板11和第二基板12之間設(shè)有金屬連接層60，金屬塊40設(shè)在半導(dǎo)體芯片30上，其中，金屬塊40的一側(cè)通過金屬連接層60與半導(dǎo)體芯片30相連，另一側(cè)也通過金屬連接層60與第一基板11或第二基板12相連，也就是說，金屬塊40與半導(dǎo)體芯片30相連，半導(dǎo)體芯片30和金屬塊40均位于第一基板11與第二基板12之間。
[0032]第一基板11與第二基板12上分別設(shè)有第一主電極213(21^和第二主電極22^(22)3)，第一主電極21^1(2113)通過金屬連接層60與第一基板11相連，第二主電極22^(22?)通過金屬連接層60與第二基板12相連，多個信號電極503 (506)分別設(shè)在第一基板11和/或第二基板12上，其中，至少一個信號電極503 (50?)與半導(dǎo)體芯片30電連接，多個信號電極50^1(5013)與第一基板11和/或第二基板12之間設(shè)有金屬連接層60。樹脂80填充于第一基板11與第二基板12之間除了第一主電極21^1(21)3)、第二主電極22^1(22)3)、半導(dǎo)體芯片30、金屬塊40、多個信號電極50^1(5013)、金屬連接層60之外的部分以及第一基板11與第二基板12的四周并固化，使半導(dǎo)體組件1003(10013)形成一體。
[0033]需要說明的是，多個信號電極503(5(?)分別設(shè)在第一基板11和/或第二基板12上，多個信號電極50^1(5013)中的至少一個與半導(dǎo)體芯片30電連接，第一主電極21^1(2113)和第二主電極22^1(2213)與第一基板11和第二基板12之間、半導(dǎo)體芯片30與第一基板11或第二基板12之間、金屬塊40與半導(dǎo)體芯片30和第一基板11或第二基板12之間、信號電極50^1(5013)與第一基板11和/或第二基板12的金屬連接層60可以實現(xiàn)各部分模塊的電氣連接，金屬連接層60的形成可以是焊接工藝、燒結(jié)工藝、壓接工藝、超聲焊接工藝。
[0034]由此，根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件100^1(10013)，在半導(dǎo)體組件100^(100?)的上下兩側(cè)分別設(shè)有兩個基板，半導(dǎo)體芯片30產(chǎn)生的熱量可以通過第一基板11和第二基板12同時散熱，大大提高了半導(dǎo)體組件1003 (1006)的散熱效率，實現(xiàn)了降低半導(dǎo)體組件1003(10013)溫升、半導(dǎo)體芯片30結(jié)溫的目的。
[0035]在本實用新型的一些【具體實施方式】中，第一基板11設(shè)在第二基板12下方，半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11的上表面上，金屬塊40設(shè)在半導(dǎo)體芯片30和第二基板12之間，第一基板11和第二基板12上分別設(shè)有信號電極503。
[0036]具體地，如圖1所示，半導(dǎo)體組件1003的第一基板11設(shè)在第二基板12的下方，第一主電極2匕設(shè)在第一基板11上，第二主電極223設(shè)在第二基板12上，多個信號電極503分別設(shè)在第一基板11和第二基板12上。半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11的上表面上，金屬塊40通過金屬連接層60連接在半導(dǎo)體芯片30的上表面上，金屬塊40與半導(dǎo)體芯片30位于第一基板11和第二基板12之間。
[0037]由此，半導(dǎo)體芯片30產(chǎn)生的熱量可以通過半導(dǎo)體組件1003上下表面的基板同時散熱，大大提高了半導(dǎo)體組件1003的散熱效率。
[0038]在本實用新型的另一些【具體實施方式】中，第一基板11設(shè)在第二基板12下方，第一基板11上還設(shè)有第三主電極231第一基板11的上表面和第二基板12的下表面上分別設(shè)有半導(dǎo)體芯片30，第一基板11和第二基板12上的半導(dǎo)體芯片30在上下方向上錯開布置，第一基板11上的半導(dǎo)體芯片30與第二基板12之間以及第二基板12上的半導(dǎo)體芯片30與第一基板11之間分別設(shè)有金屬塊40。
[0039]具體地，如圖6所示，半導(dǎo)體組件1006的第一基板11設(shè)在第二基板12的下方，第一基板11上設(shè)有第一主電極216和第三主電極236，第二基板12上設(shè)有第二主電極226，多個信號電極50)3分別設(shè)在第一基板11和第二基板12上。半導(dǎo)體芯片30包括兩組，其中一組半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11的上表面上，另一組半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第二基板12的下表面上，金屬塊40通過金屬連接層60連接在半導(dǎo)體芯片30上，第一基板11和第二基板12上的半導(dǎo)體芯片30在上下方向上錯開布置，連接在第一基板11上的金屬塊40與第二基板12通過金屬連接層60連接在第二基板12的下表面上，連接在第二基板12上的金屬塊40也通過金屬連接層60連接在第一基板11的上表面上，第一基板11和第二基板12上的金屬塊40在上下方向上錯開布置。也就是說，根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件100?的半導(dǎo)體芯片30可以設(shè)在第一基板11上，也可以設(shè)在第二基板12上，還可以多個半導(dǎo)體芯片30中的一部分設(shè)在第一基板11上，另一部分設(shè)在第二基板12上，只要滿足半導(dǎo)體芯片30的一側(cè)設(shè)在第一基板11或者第二基板12上，半導(dǎo)體芯片30上的金屬塊40與相對一側(cè)的第二基板12或者第一基板11相連的要求即可。
[0040]由此，根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件1006與將半導(dǎo)體芯片30設(shè)在第一基板11上的實施例相比，在采用相同的半導(dǎo)體芯片30的情況下，本實施例的半導(dǎo)體組件1006增加了半導(dǎo)體芯片30，其功率密度增加了一倍，體積卻只增加不到50%，而半導(dǎo)體芯片30產(chǎn)生的熱量可以通過半導(dǎo)體組件1006上下表面的基板同時散熱，大大提高半導(dǎo)體模塊的散熱效率。
[0041]信號電極503 (506)通過鍵合引線70與半導(dǎo)體芯片30相連，鍵合引線70所采用的引線可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員常用的引線，優(yōu)選地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，鍵合引線70為鋁線、銅線或者金線中的一種。
[0042]可以理解的是，鍵合弓丨線70用于連接半導(dǎo)體芯片30和信號電極503 (50?)，鍵合弓丨線70可以用金屬端子采用焊接、燒結(jié)、壓接、超聲焊接等工藝代替，而金屬端子的材料可以為招、銅、金。
[0043]進一步地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，半導(dǎo)體芯片30為選自絕緣柵雙極型晶體管、金屬-氧化層半導(dǎo)體場效晶體管、晶體二極管(￠110(16)中的至少一種。
[0044]如圖3和圖8所示，半導(dǎo)體組件100^1(10013)還包括熱敏電阻90，圖5和圖10為根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件1003(10013)的半導(dǎo)體芯片30以及熱敏電阻90的電路圖，其中，半導(dǎo)體芯片30為選自絕緣柵雙極型晶體管、金屬-氧化層半導(dǎo)體場效晶體管、晶體二極管(￠110(16)中的至少一種。
[0045]優(yōu)選地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，金屬塊40為選自銅塊、鋁塊和鑰塊中的至少一種，金屬塊40在第一基板11和第二基板12之間的厚度為1-3111111。
[0046]換言之，金屬塊40可以用于調(diào)整第一基板11和第二基板12的高度，同時也實現(xiàn)了半導(dǎo)體芯片30的電連接，半導(dǎo)體組件1003(10013)的金屬塊40的材料可以為銅、鋁、鑰。
[0047]由此，在半導(dǎo)體的第一基板11與第二基板12之間設(shè)置金屬塊40，既可以調(diào)節(jié)兩者的高度，有效增加半導(dǎo)體組件1003(10013)的電器安全間隙，又實現(xiàn)了半導(dǎo)體芯片30的電連接。
[0048]進一步地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，金屬塊40在半導(dǎo)體芯片30上的正投影的面積小于半導(dǎo)體芯片30的面積。也就是說，金屬塊40設(shè)在半導(dǎo)體芯片30的一個表面上，其中金屬塊40與半導(dǎo)體芯片30的連接面積小于半導(dǎo)體芯片30的該表面的有效面積。
[0049]更進一步地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，金屬塊40的與半導(dǎo)體芯片30相連的側(cè)壁面上設(shè)有用于避讓半導(dǎo)體芯片30的絕緣部分的避讓槽41，避讓槽41為矩形槽、梯形槽、錐形槽或者異形槽。具體地，如圖3所示，半導(dǎo)體組件1003的金屬塊40的下表面與半導(dǎo)體芯片30的上表面相連，金屬塊40的下表面設(shè)有多個避讓槽41以避開半導(dǎo)體芯片30的絕緣部分，如圖8所示，半導(dǎo)體組件1006的第一基板11上的金屬塊40設(shè)有避讓槽41，如圖9所示，第二基板12上的金屬塊40也設(shè)有避讓槽41。
[0050]根據(jù)本實用新型的一個實施例，第一基板11和第二基板12分別為覆金屬陶瓷基板，覆金屬陶瓷基板的陶瓷層(未示出)為氧化鋁、氮化鋁和氮化硅中的至少一種，覆金屬陶瓷基板的金屬層(未示出)為銅或鋁。
[0051]也就是說，半導(dǎo)體組件100^1(10013)的第一基板11和第二基板12可以為覆金屬陶瓷基板，其中，第一基板11和第二基板12的陶瓷層的材料可以為氧化鋁、氮化鋁、氮化硅中的至少一種，金屬層的材料可以為銅、鋁，覆金屬陶瓷基板中的陶瓷層可以用于半導(dǎo)體組件100^(100?)的絕緣，而覆金屬陶瓷基板中的金屬層可以用于半導(dǎo)體組件100^1(10013)的散熱以及電路蝕刻。
[0052]進一步地，根據(jù)本實用新型的一個實施例，覆金屬陶瓷基板的金屬層和金屬塊40的表面上分別設(shè)有鍍鎳層或者鍍金層。換言之，覆金屬陶瓷基板的金屬層和第一基板11與第二基板12之間的金屬塊40的表面可以增加鍍層，鍍層的材料可以為鎳、金。
[0053]由此，在第一基板11和第二基板12的金屬層的表面以及金屬塊40的表面增加鍍鎳層或者鍍金層，既可以防止金屬層與金屬塊40的氧化，又可以增加焊接浸潤度，便于與其它模塊的連接。
[0054]根據(jù)本實用新型實施例的半導(dǎo)體組件1003(10013)的其他構(gòu)成以及操作對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言都是已知的，這里不再詳細描述。
[0055]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本實用新型的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0056]盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實用新型的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本實用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本實用新型的原理和宗旨的情況下在本實用新型的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體組件，其特征在于，包括: 第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板沿上下方向間隔開設(shè)置，所述第一基板和所述第二基板上分別設(shè)有第一主電極和第二主電極； 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)在所述第一基板和/或所述第二基板上且位于所述第一基板和所述第二基板之間； 金屬塊，所述金屬塊設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片上，所述金屬塊的一側(cè)與所述半導(dǎo)體芯片相連，另一側(cè)與所述第一基板或所述第二基板相連； 多個信號電極，多個所述信號電極分別設(shè)在所述第一基板和/或所述第二基板上，多個所述信號電極中的至少一個與所述半導(dǎo)體芯片電連接， 所述第一主電極與所述第一基板之間、所述第二主電極與所述第二基板之間、所述半導(dǎo)體芯片與所述第一基板或所述第二基板之間、所述金屬塊與所述半導(dǎo)體芯片之間、所述金屬塊與所述第一基板或所述第二基板之間、所述信號電極與所述第一基板和/或所述第二基板之間分別通過金屬連接層相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述第一基板設(shè)在所述第二基板下方，所述半導(dǎo)體芯片設(shè)在所述第一基板的上表面上，所述金屬塊設(shè)在所述半導(dǎo)體芯片和所述第二基板之間，所述第一基板和所述第二基板上分別設(shè)有所述信號電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述第一基板設(shè)在所述第二基板下方，所述第一基板上還設(shè)有第三主電極，所述第一基板的上表面和所述第二基板的下表面上分別設(shè)有所述半導(dǎo)體芯片，所述第一基板和所述第二基板上的所述半導(dǎo)體芯片在上下方向上錯開布置，所述第一基板上的所述半導(dǎo)體芯片與所述第二基板之間以及所述第二基板上的所述半導(dǎo)體芯片與所述第一基板之間分別設(shè)有所述金屬塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述信號電極通過鍵合引線與所述半導(dǎo)體芯片相連，所述鍵合引線為鋁線、銅線或者金線中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片為選自絕緣柵雙極型晶體管、金屬-氧化層半導(dǎo)體場效晶體管、晶體二極管中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述金屬塊為選自銅塊、鋁塊和鑰塊中的至少一種，所述金屬塊在所述第一基板和所述第二基板之間的厚度為1_3_。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述金屬塊在所述半導(dǎo)體芯片上的正投影的面積小于所述半導(dǎo)體芯片的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述金屬塊的與所述半導(dǎo)體芯片相連的側(cè)壁面上設(shè)有用于避讓所述半導(dǎo)體芯片的絕緣部分的避讓槽，所述避讓槽為矩形槽、梯形槽、錐形槽或者異形槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板分別為覆金屬陶瓷基板，所述覆金屬陶瓷基板的陶瓷層為氧化鋁、氮化鋁和氮化硅中的至少一種，所述覆金屬陶瓷基板的金屬層為銅或鋁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體組件，其特征在于，所述覆金屬陶瓷基板的金屬層和所述金屬塊的表面上分別設(shè)有鍍鎳層或者鍍金層。
【文檔編號】H01L23/498GK204230222SQ201420645843
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】藍誠宇, 王亮, 徐文輝 申請人:比亞迪股份有限公司