電子裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電子裝置用于電性連接一芯片模塊及一電路板，包括：一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有多數(shù)通孔貫穿所述絕緣本體，所述芯片模塊位于所述絕緣本體上，所述電路板位于所述絕緣本體下；一金屬層設(shè)于所述通孔的孔壁上且延伸至所述通孔的上端及下端；一錫膏位于所述通孔內(nèi)且所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層，所述錫膏向上接觸所述芯片模塊，所述錫膏向下焊接所述電路板。所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層以防止所述金屬層龜裂。
【專利說(shuō)明】電子裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種電子裝置，尤指一種用于電性連接一芯片模塊與一電路板的 電子裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 如中國(guó)專利CN201320460624所述公開(kāi)的一種電連接器，包括一塑膠本體2,所述 塑膠本體2設(shè)有多個(gè)收容槽21貫穿所述塑膠本體2上下表面，在所述收容槽2內(nèi)壁設(shè)有一 導(dǎo)電層211，所述收容槽21底部與一錫球4夾持接觸，組裝時(shí)，所述錫球4焊接于一電路板 3上，再將一芯片模塊4位于所述塑膠本體2上表面使所述芯片模塊1針腳通過(guò)所述導(dǎo)電 層211及所述錫球4與所述電路板3導(dǎo)通。因?yàn)樗鰧?dǎo)電層211表面沒(méi)有保護(hù)層來(lái)保護(hù)， 容易發(fā)生龜裂。
[0003] 因此，有必要設(shè)計(jì)一種新的電子裝置，W解決上述問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)【背景技術(shù)】所面臨的問(wèn)題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種可W防止金屬層龜 裂的電子裝置。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用W下技術(shù)手段：
[0006] 一種電子裝置，用于電性連接一芯片模塊與一電路板，包括；一絕緣本體，所述絕 緣本體設(shè)有多個(gè)通孔貫穿所述絕緣本體，所述芯片模塊位于所述絕緣本體上，所述電路板 位于所述絕緣本體下；一金屬層設(shè)于所述通孔的孔壁上且延伸至所述通孔的上端及下端； 一錫膏位于所述通孔內(nèi)且所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層，所述錫膏向上接觸所述芯片模 塊，所述錫膏向下焊接所述電路板。
[0007] 進(jìn)一步，所述錫膏焊接所述芯片模塊。
[0008] 進(jìn)一步，所述通孔包括一第一部，所述第一部是自所述絕緣本體上表面凹設(shè)形成， 自所述第一部進(jìn)一步凹陷形成一第二部，所述第二部的外徑小于所述第一部的外徑。
[0009] 進(jìn)一步，所述第二孔的上端外徑大于所述第二孔的下端外徑。
[0010] 進(jìn)一步，所述通孔進(jìn)一步包括一第H部，所述第H部是自所述絕緣本體下表面凹 設(shè)形成，所述第H部連通所述第二部，所述第H部外徑大于所述第二部外徑。
[0011] 進(jìn)一步，所述絕緣本體為激光直接成型（LD巧本體。
[0012] 一種電子元件，用于電性連接一芯片模塊與一電路板，包括；一絕緣本體，所述絕 緣本體設(shè)有多個(gè)通孔貫穿所述絕緣本體；一金屬層設(shè)于所述通孔的孔壁上；一錫膏位于所 述通孔內(nèi)且所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層。
[0013] 進(jìn)一步，所述芯片模塊位于所述絕緣本體上，所述電路板位于所述絕緣本體下，所 述芯片模塊底面設(shè)有墊片與所述錫膏焊接。
[0014] 進(jìn)一步，所述通孔包括一第一孔，所述第一孔是自所述絕緣本體上表面凹設(shè)形成， 自所述第一孔進(jìn)一步凹陷形成一第二孔，所述第二孔的外徑小于所述第一孔的外徑。
[0015] 進(jìn)一步，所述第二孔的外徑由上至下逐漸縮小。
[0016] 進(jìn)一步，所述通孔進(jìn)一步包括一第H孔，所述第H孔是自所述絕緣本體下表面凹 設(shè)形成，所述第H孔連通所述第二孔，所述第H孔外徑大于所述第二孔外徑。
[0017] 進(jìn)一步，所述絕緣本體為激光直接成型（LD巧本體。
[0018] 進(jìn)一步，所述絕緣本體的厚度不大于0. 3毫米。
[0019] 進(jìn)一步，所述錫膏通過(guò)回流焊后覆蓋所述金屬層。
[0020] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過(guò)利用所述錫膏覆蓋于整個(gè)所述金屬層，防止所 述金屬層龜裂。 【【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】】
[0021] 圖1為本實(shí)用新型電子裝置的立體剖視圖；
[0022] 圖2為本實(shí)用新型電子裝置的平面剖視圖；
[0023] 圖3為本實(shí)用新型電子裝置組裝芯片模塊與電路板后的平面剖視圖；
[0024] 圖4為本實(shí)用新型圖3的局部放大圖。
[00巧]【具體實(shí)施方式】的附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

【權(quán)利要求】
1. 一種電子裝置，用于電性連接一芯片模塊與一電路板，其特征在于，包括： 一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有多個(gè)通孔貫穿所述絕緣本體，所述芯片模塊位于所述 絕緣本體上，所述電路板位于所述絕緣本體下； 一金屬層設(shè)于所述通孔的孔壁上且延伸至所述通孔的上端及下端； 一錫膏位于所述通孔內(nèi)且所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層，所述錫膏向上接觸所述芯 片模塊，所述錫膏向下焊接所述電路板。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：所述錫膏焊接所述芯片模塊。
3. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：所述通孔包括一第一孔，所述第一孔是 自所述絕緣本體上表面凹設(shè)形成，自所述第一孔進(jìn)一步凹陷形成一第二孔，所述第二孔的 外徑小于所述第一孔的外徑。
4. 如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于：所述第二孔的上端外徑大于所述第二 孔的下端外徑。
5. 如權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于：所述通孔進(jìn)一步包括一第三孔，所述第 三孔是自所述絕緣本體下表面凹設(shè)形成，所述第三孔連通所述第二孔，所述第三孔外徑大 于所述第二孔外徑。
6. 如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于：所述絕緣本體為激光直接成型（LDS)本 體。
7. -種電子元件，用于電性連接一芯片模塊與一電路板，其特征在于，包括： 一絕緣本體，所述絕緣本體設(shè)有多個(gè)通孔貫穿所述絕緣本體； 一金屬層設(shè)于所述通孔的孔壁上； 一錫膏位于所述通孔內(nèi)且所述錫膏覆蓋整個(gè)所述金屬層。
8. 如權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于：所述芯片模塊位于所述絕緣本體上，所 述電路板位于所述絕緣本體下，所述芯片模塊底面設(shè)有墊片與所述錫膏焊接。
9. 如權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于：所述通孔包括一第一孔，所述第一孔是 自所述絕緣本體上表面凹設(shè)形成，自所述第一孔進(jìn)一步凹陷形成一第二孔，所述第二孔的 外徑小于所述第一孔的外徑。
10. 如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于：所述第二孔的外徑由上至下逐漸縮 小。
11. 如權(quán)利要求9所述的電子元件，其特征在于：所述通孔進(jìn)一步包括一第三孔，所述 第三孔是自所述絕緣本體下表面凹設(shè)形成，所述第三孔連通所述第二孔，所述第三孔外徑 大于所述第二孔外徑。
12. 如權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于：所述絕緣本體為激光直接成型（LDS) 本體。
13. 如權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于：所述絕緣本體的厚度不大于0. 3毫 米。
14. 如權(quán)利要求7所述的電子元件，其特征在于：所述錫膏通過(guò)回流焊后覆蓋所述金屬 層。
【文檔編號(hào)】H01R12/51GK204243243SQ201420647511
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】吳永權(quán), 馬睿伯 申請(qǐng)人:番禺得意精密電子工業(yè)有限公司