斷路器滅弧系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種斷路器滅弧系統(tǒng)，包括滅弧室、引弧件，所述滅弧室包括多個(gè)平行并列設(shè)置的滅弧柵，所述滅弧室一側(cè)的底部和頂部分別設(shè)有連通至該斷路器的基座外部的下排氣口和連通至所述基座外部的上排氣口。應(yīng)用本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)時(shí)，當(dāng)斷路器內(nèi)的電弧能量引起滅弧室內(nèi)的氣體溫度和壓力升高時(shí)，高溫高壓氣體除經(jīng)下排氣口排出外，還可以經(jīng)過(guò)上排氣口排出，從而有效的提高了高溫高壓氣體的流出速率，使得滅弧系統(tǒng)降溫冷卻效果更好，進(jìn)而提高了滅弧效率。且由于高溫高壓氣體能夠快速排出斷路器的殼體外，進(jìn)而有效提高了滅弧柵的滅弧作用，提高了產(chǎn)品的分?jǐn)嗄芰Α?br> 【專利說(shuō)明】斷路器滅弧系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及斷路器【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說(shuō)，涉及一種斷路器滅弧系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]斷路器是在電路中極為常見(jiàn)的一種開關(guān)電器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域、建筑領(lǐng)域、水利水電等領(lǐng)域配電系統(tǒng)的各級(jí)出線和終端系統(tǒng)。斷路器一般由觸頭系統(tǒng)、滅弧系統(tǒng)、操作機(jī)構(gòu)、脫扣器、外殼等構(gòu)成。斷路器的作用是切斷和接通負(fù)荷電路，以及切斷故障電路，防止事故擴(kuò)大，保證安全運(yùn)行。斷路器的動(dòng)靜觸頭在帶負(fù)載或出現(xiàn)故障大電流而分?jǐn)嗟膭?dòng)作過(guò)程中，動(dòng)靜觸頭之間的電壓將引起空氣介質(zhì)放電，形成電弧。為了確保斷路器的可靠運(yùn)行，通常在斷路器中設(shè)置有滅弧系統(tǒng)來(lái)熄滅電弧。
[0003]現(xiàn)有的斷路器滅弧系統(tǒng)主要包括滅弧室、引弧件等部件。通常，滅弧室又包括彼此對(duì)置的滅弧罩，多個(gè)滅弧柵平行并列的設(shè)置于滅弧罩內(nèi)，滅弧室一側(cè)的底部設(shè)有排氣口，且排氣口多連通至斷路器基座底部。滅弧室的另一側(cè)，通常相對(duì)的設(shè)置隔弧壁，引弧件設(shè)置于相對(duì)的隔弧壁之間，用以將靜觸頭處產(chǎn)生的電弧由靜跑弧道引入滅弧室，且靜觸頭通常與靜觸桿相連，靜觸桿另一端延伸至滅弧柵頂部。當(dāng)電弧能量引起滅弧室內(nèi)的氣體溫度和壓力升高，高溫高壓氣體通過(guò)唯一的排氣口流出速率較慢，使得滅弧系統(tǒng)的降溫冷卻效果較差，進(jìn)而影響滅弧效率。
[0004]綜上所述，如何有效地解決高溫高壓氣體排出速率較低引起的斷路器滅弧系統(tǒng)降溫冷卻效果較差等問(wèn)題，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種斷路器滅弧系統(tǒng)，該斷路器滅弧系統(tǒng)可以有效地解決斷路器內(nèi)高溫高壓氣體排出速率較低引起的斷路器滅弧系統(tǒng)降溫冷卻效果較差的問(wèn)題。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種斷路器滅弧系統(tǒng)，包括滅弧室、引弧件，所述滅弧室包括多個(gè)平行并列的設(shè)置的滅弧柵，所述滅弧室一側(cè)的底部和頂部分別設(shè)有連通至該斷路器的基座外部的下排氣口和連通至所述基座外部的上排氣口。
[0008]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，進(jìn)一步包括與所述下排氣口連通的第一緩沖空腔，且所述第一緩沖空腔連通至基座外部。
[0009]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述上排氣口連通的第二緩沖空腔，且所述第二緩沖空腔連通至基座外部。
[0010]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，所述滅弧室內(nèi)靠近該斷路器的靜觸桿的至少一個(gè)滅弧柵的長(zhǎng)度小于其他滅弧柵。
[0011]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，該斷路器的靜觸桿的背面設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片，且所述引弧件背離滅弧室方向的一端設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片。
[0012]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，進(jìn)一步包括彼此對(duì)置的設(shè)置于滅弧室一側(cè)的隔弧壁，所述隔弧壁上開設(shè)有凹槽。
[0013]優(yōu)選地，上述斷路器滅弧系統(tǒng)中，所述凹槽的個(gè)數(shù)為兩個(gè)。
[0014]本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)包括滅弧室、引弧件，所述滅弧室包括多個(gè)平行并列的設(shè)置的滅弧柵，所述滅弧室分別設(shè)置有連通至該斷路器的基座外的下排氣口和上排氣口。
[0015]應(yīng)用本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)時(shí)，當(dāng)斷路器內(nèi)的電弧能量引起滅弧室內(nèi)的氣體溫度和壓力升高時(shí)，高溫高壓氣體除經(jīng)下排氣口排出外，還可以經(jīng)過(guò)上排氣口排出，同時(shí)，上下排氣口的設(shè)置更有利于氣體的流動(dòng)，從而有效的提高了高溫高壓氣體的流出速率，使得滅弧系統(tǒng)降溫冷卻效果更好，進(jìn)而提高了滅弧效率。且由于高溫高壓氣體能夠快速排出斷路器的殼體外，并充分利用了滅弧柵的效用，提高了電弧電壓。
[0016]在一種優(yōu)選的【具體實(shí)施方式】中，本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)在下排氣口和上排氣口處分別設(shè)置了第一緩沖空腔和第二緩沖空腔，高溫高壓氣體經(jīng)過(guò)上述緩沖空腔再排出至斷路器的基座外部。高溫高壓氣體受熱膨脹，緩沖空腔由于其容積較大，為膨脹氣體提供了充足的流動(dòng)空間，避免了氣體膨脹造成對(duì)斷路器基座或滅弧系統(tǒng)等的壓迫甚至損壞，提高了斷路器及其斷路器滅弧系統(tǒng)的安全可靠性。
[0017]在另一種優(yōu)選的【具體實(shí)施方式】中，本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)的滅弧室內(nèi)靠近該斷路器的靜觸桿的至少一個(gè)滅弧柵的長(zhǎng)度小于其他滅弧柵。因而可以保證滅弧柵與靜引弧角間的距離，從而避免了電弧在此處停留較長(zhǎng)時(shí)間引起的灼燒等問(wèn)題。
[0018]在另一種【具體實(shí)施方式】中，本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)進(jìn)一步包括彼此對(duì)置的設(shè)置于滅弧室一側(cè)的隔弧壁，所述隔弧壁上開設(shè)有凹槽。凹槽的設(shè)置增加了靜跑弧道與引弧件間的爬電距離，因而在開關(guān)試驗(yàn)后驗(yàn)證時(shí)不容易被擊穿。
[0019]在另一種【具體實(shí)施方式】中，本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)在引弧件背離滅弧室方向的一端設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片，且該斷路器的靜觸桿的背面也設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片。導(dǎo)磁鐵片的設(shè)置增加了磁場(chǎng)，加大了對(duì)電弧的磁吹效果，加快了滅弧速度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為圖1所示斷路器滅弧系統(tǒng)的總裝配示意圖。
[0023]附圖中標(biāo)記如下:
[0024]滅弧室1，引弧件2，下排氣口 3，上排氣口 4，第一緩沖空腔5，第二緩沖空腔6，滅弧柵7，靜觸頭8，導(dǎo)磁鐵片9，基座10，隔弧壁11，凹槽12，靜觸桿13，滅弧罩14，第一滅弧柵71，第二滅弧柵72，第三滅弧柵73。

【具體實(shí)施方式】
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種斷路器滅弧系統(tǒng)，以提高高溫高壓氣體排出速率、提升斷路器滅弧系統(tǒng)的降溫冷卻效果。
[0026]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0027]請(qǐng)參閱圖1-圖2，圖1為本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)的一種【具體實(shí)施方式】的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示斷路器滅弧系統(tǒng)的總裝配示意圖。
[0028]在一種【具體實(shí)施方式】中，本實(shí)用新型提供的斷路器滅弧系統(tǒng)包括由滅弧罩14、滅弧柵7等組成的滅弧室1，滅弧罩14相對(duì)的設(shè)置于上下兩個(gè)端面，滅弧柵7通常設(shè)置有多個(gè)，且平行并列的設(shè)置于相對(duì)的滅弧罩14內(nèi)。滅弧室I 一側(cè)的底部設(shè)有連通至該斷路器的基座10外的下排氣口 3，電弧能量引起滅弧室I內(nèi)的氣體溫度和壓力升高時(shí)，高溫高壓氣體可經(jīng)下排氣口 3排出。滅弧室I進(jìn)一步設(shè)置有上排氣口 4，且上排氣口 4連通斷路器基座10的外部。上排氣口 4與下排氣口 3的作用相同，均用于排出高溫高壓氣體。高溫高壓氣體除經(jīng)下排氣口 3排出外，還可經(jīng)上排氣口 4排出，從而加快了高溫高壓氣體的排出速度，斷路器降溫效果更好。具體的，下排氣口 3和上排氣口 4可以分別設(shè)置于滅弧室I的頂部與底部。需要指出的是，這里的頂部與底部?jī)H指下排氣口 3與上排氣口 4的相對(duì)位置。
[0029]可以對(duì)上述一種【具體實(shí)施方式】中的斷路器滅弧系統(tǒng)進(jìn)行若干進(jìn)一步的改進(jìn)。
[0030]電弧能量引起滅弧室I內(nèi)的氣體溫度和壓力升高時(shí)，氣體受熱膨脹及壓力升高會(huì)對(duì)滅弧室1、以及對(duì)斷路器基座10等部件造成壓迫甚至損壞。因此，在下排氣口 3處可進(jìn)一步設(shè)置第一緩沖空腔5，第一緩沖空腔5連通至基座外部。滅弧室I內(nèi)的高溫高壓氣體由下排氣口 3流出，經(jīng)第一緩沖空腔5排出至基座10外部。第一緩沖空腔5的容積較大，具體的可以為其寬度較寬，進(jìn)而為膨脹氣體提供了充足的流動(dòng)空間，避免了氣體膨脹造成對(duì)斷路器基座10或滅弧系統(tǒng)等的壓迫甚至損壞。第一緩沖空腔5的具體形狀及大小這里不做限定，可根據(jù)高溫高壓氣體的流量及基座10的結(jié)構(gòu)等因素進(jìn)行設(shè)置。
[0031]類似的，上排氣口 4處也可以進(jìn)一步設(shè)置具有較大容積的第二緩沖空腔6，第二緩沖空腔6連通至基座10外部。滅弧室I內(nèi)的高溫高壓氣體由上排氣口 4流出，經(jīng)第二緩沖空腔6排出至基座10外部。第二緩沖空腔6的作用與第一緩沖空腔5的作用相同，其具體形狀及大小也可根據(jù)高溫高壓氣體的流量及基座結(jié)構(gòu)等因素進(jìn)行設(shè)置，這里不做具體限定。需要指出的是，根據(jù)具體氣流情況，可選擇單獨(dú)設(shè)置第一緩沖空腔5或第二緩沖空腔6，為進(jìn)一步提高斷路器及其斷路器滅弧系統(tǒng)的安全可靠性，也可同時(shí)設(shè)置第一緩沖空腔5和第二緩沖空腔6。
[0032]下排氣口 3、上排氣口 4，以及第一緩沖空腔5和第二緩沖空腔6的設(shè)置，可以使高溫高壓氣體快速排出斷路器的殼體外，并充分利用了滅弧柵的效用，提高了電弧電壓。
[0033]斷路器使用過(guò)程中，動(dòng)觸頭與靜觸頭8分離瞬間產(chǎn)生電弧，該電弧可沿與靜觸頭8相連且延伸至滅弧室I 一端的靜觸桿13進(jìn)入滅弧室。通常，在靜觸頭8與滅弧室I上端之間的部分設(shè)有靜引弧角，且滅弧柵7與靜引弧角需保持一定距離。因此，上述滅弧室I內(nèi)靠近該斷路器的靜觸桿13至少一個(gè)滅弧柵的長(zhǎng)度設(shè)置為小于其他滅弧柵的長(zhǎng)度。具體的，可以為靠近該斷路器的靜觸桿13的第一滅弧柵71、第二滅弧柵72和第三滅弧柵73的長(zhǎng)度設(shè)置為小于其他滅弧柵的長(zhǎng)度，上述第一滅弧柵71、第二滅弧柵72和第三滅弧柵73也即在正常長(zhǎng)度情況下與靜引弧角的距離最小的三片滅弧柵。具體的，其長(zhǎng)度減小程度可根據(jù)靜引弧角的位置及電弧情況等進(jìn)行設(shè)置。當(dāng)然，也可以設(shè)置為僅第一滅弧柵71的長(zhǎng)度小于其他滅弧柵，或僅第一滅弧柵71、第二滅弧柵72的長(zhǎng)度小于其他滅弧柵等。
[0034]進(jìn)一步地，為了加大對(duì)電弧的磁吹效果，在上述靜觸桿13的背面可以設(shè)置導(dǎo)磁鐵片9，此處的背面指靜觸桿13背離滅弧室I的一端面。常見(jiàn)的，靜觸桿13上設(shè)置有彎曲的U形段，且該U形段向滅弧室I的方向凸出，該種情況下導(dǎo)磁鐵片9設(shè)置于U形段的內(nèi)側(cè)。
[0035]基于同樣的目的，引弧件2背離滅弧室I方向的一端也可進(jìn)一步設(shè)置導(dǎo)磁鐵片9。當(dāng)然，可選擇單獨(dú)在靜觸桿13的背面或引弧件2的背面設(shè)置導(dǎo)磁鐵片9，也可以在靜觸桿13的背面和引弧件2的背面均設(shè)置導(dǎo)磁鐵片，具體的可根據(jù)斷路器的實(shí)際使用情況選擇設(shè)置。通過(guò)導(dǎo)磁鐵片9的設(shè)置，進(jìn)一步增加了磁場(chǎng)，從而提高了對(duì)電弧的磁吹效果，加快了滅弧速度。
[0036]進(jìn)一步地，對(duì)于相對(duì)的設(shè)置于滅弧室I 一側(cè)的隔弧壁11，上述滅弧室I 一側(cè)指電弧產(chǎn)生的一側(cè)，也就是靜觸頭8方向的一側(cè)，可以在該隔弧壁11上進(jìn)一步開設(shè)凹槽12，凹槽12的設(shè)置可以增加位于靜觸頭8與引弧件2之間的靜跑弧道與引弧件2間的爬電距離，進(jìn)而使其在開關(guān)試驗(yàn)時(shí)不容易被擊穿。具體的，上述凹槽12可以設(shè)置兩個(gè)。當(dāng)然，也可根據(jù)斷路器的使用情況僅設(shè)置一個(gè)或設(shè)置多個(gè)。
[0037]本說(shuō)明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見(jiàn)即可。
[0038]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種斷路器滅弧系統(tǒng)，包括滅弧室(I)、引弧件(2)，所述滅弧室(I)包括多個(gè)平行并列設(shè)置的滅弧柵(7)，其特征在于，所述滅弧室(I) 一側(cè)的底部和頂部分別設(shè)有連通至該斷路器的基座(10)外部的下排氣口(3)和連通至所述基座(10)外部的上排氣口(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述下排氣口(3)連通的第一緩沖空腔(5)，且所述第一緩沖空腔(5)連通至所述基座(10)外部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述上排氣口(4)連通的第二緩沖空腔(6)，且所述第二緩沖空腔(6)連通至所述基座(10)外部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，所述滅弧室(I)內(nèi)靠近該斷路器的靜觸桿(13)的至少一個(gè)滅弧柵的長(zhǎng)度小于其他滅弧柵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，該斷路器的靜靜觸桿(13)的背面設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片(9)，且所述引弧件(2)背離所述滅弧室(I)方向的一端設(shè)置有導(dǎo)磁鐵片(9)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，進(jìn)一步包括彼此對(duì)置的設(shè)置于所述滅弧室(I) 一側(cè)的隔弧壁(11)，所述隔弧壁(11)上開設(shè)有凹槽(12)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的斷路器滅弧系統(tǒng)，其特征在于，所述凹槽(12)的個(gè)數(shù)為兩個(gè)。
【文檔編號(hào)】H01H9/30GK204257458SQ201420677025
【公開日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】黃燮云 申請(qǐng)人:杭州泰姆電氣有限公司