本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及處理基板處理系統(tǒng)、基板旋轉(zhuǎn)和其操作方法。具體來說，本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種用于處理基本上豎直地定向的基板的基板處理系統(tǒng)、一種被配置用于基板處理系統(tǒng)的真空旋轉(zhuǎn)模塊以及一種在基板處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法。

背景技術(shù)：

在多種技術(shù)應(yīng)用中，不同材料的層在基板上方沉積在彼此上。通常，這會在涂覆或沉積步驟的序列中完成，其中也可在各種沉積步驟之前、之間或之后提供像蝕刻或結(jié)構(gòu)化(structuring)的其他處理步驟。例如，可以沉積具有“材料一”-“材料二”-“材料一”序列的多層堆疊。由于不同工藝步驟中的不同涂覆速率，并且由于這些層的不同厚度，用于沉積不同層的處理腔室中的處理時間可能發(fā)生顯著變化。

為了沉積多層堆疊，可以提供多種處理腔室配置。例如，可以使用沉積腔室直列(in-line)布置以及沉積腔室的群集(cluster)布置。典型群集布置包括中央搬運(yùn)腔室以及連接至中央搬運(yùn)腔室的多個處理腔室或沉積腔室。涂布腔室可裝配成執(zhí)行相同或不同的工藝。典型直列系統(tǒng)包括多個后續(xù)處理腔室，其中多個處理步驟在一個接另一個腔室中執(zhí)行，使得利用直列系統(tǒng)連續(xù)地或準(zhǔn)連續(xù)地處理多個基板。然而，鑒于在直列系統(tǒng)中的工藝的搬運(yùn)非常容易，工藝時間是由最長處理時間確定。因此，工藝效率受到影響。另一方面，群集工具允許不同循環(huán)時間(cycle times)。然而，搬運(yùn)可能非常復(fù)雜，這就要求設(shè)在中央搬運(yùn)腔室中的精巧傳送系統(tǒng)。

另外，期望提供雙軌或多軌系統(tǒng)(例如，雙軌直列系統(tǒng))，其中可通過分別在第一傳輸軌道和第二傳輸軌道上傳輸例如一個真空腔室中的兩個基板進(jìn)一步減少單件工時(tact time)。例如，處理系統(tǒng)(諸如直列濺射系統(tǒng))經(jīng)受周期性的維護(hù)。這種維護(hù)減少系統(tǒng)正常運(yùn)行時間。在具有多于一個的處理腔室的許多系統(tǒng)(諸如濺射系統(tǒng))中，對這些工藝腔室中的一者的維護(hù)導(dǎo)致整個系統(tǒng)中斷，即，工具操作中斷。

因此，需要另一改進(jìn)基板處理系統(tǒng)，具體來說是在正常運(yùn)行時間、單件工時和/或維護(hù)方面有改進(jìn)的基板處理系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述內(nèi)容，提供根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)、根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空旋轉(zhuǎn)模塊、以及根據(jù)權(quán)利要求13所述的在基板處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法。通過從屬權(quán)利要求、說明書和附圖，另外優(yōu)點(diǎn)、特征、方面和細(xì)節(jié)顯而易見。

根據(jù)一個實(shí)施方式，提供一種用于處理基本上豎直地定向的基板的基板處理系統(tǒng)。所述基板處理系統(tǒng)包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第一雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一傳輸軌道和第二傳輸軌道；至少一個橫向位移機(jī)構(gòu)，所述至少一個橫向位移機(jī)構(gòu)被配置成用于在第一真空腔室內(nèi)將基板從第一傳輸軌道橫向地移位至第二傳輸軌道或反之亦然；以及真空旋轉(zhuǎn)模塊，所述真空旋轉(zhuǎn)模塊具有第二真空腔室，其中真空旋轉(zhuǎn)模塊包括豎直的旋轉(zhuǎn)軸，以使基板在第二真空腔室內(nèi)圍繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，其中真空旋轉(zhuǎn)模塊具有第二雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第二雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道，其中第一旋轉(zhuǎn)軌道可旋轉(zhuǎn)以與第一傳輸軌道形成線性傳輸路徑，并且第二旋轉(zhuǎn)軌道可旋轉(zhuǎn)以與第二傳輸軌道形成線性傳輸路徑，并且其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。

根據(jù)另一實(shí)施方式，提供一種被配置用于具有第一真空腔室和第一雙軌傳輸系統(tǒng)的基板處理系統(tǒng)、具體來說用于根據(jù)本文所述實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的真空旋轉(zhuǎn)模塊。真空旋轉(zhuǎn)模塊包括：第二真空腔室；第二雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第二雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道，其中第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道具有500mm或更小的距離；以及豎直的旋轉(zhuǎn)軸，所述豎直的旋轉(zhuǎn)軸使得基板在第二真空腔室內(nèi)、在第二雙軌傳輸系統(tǒng)上圍繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。

根據(jù)另一實(shí)施方式，提供一種在具有第一沉積腔室、第二沉積腔室和真空旋轉(zhuǎn)模塊的基板處理系統(tǒng)、具體來說在根據(jù)本文所述實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法。所述方法包括：在第一沉積腔室中，將包括第一材料的第一層沉積到基本上豎直地定向的基板上；當(dāng)另一基板從第一沉積腔室傳送到真空旋轉(zhuǎn)模塊中或反之亦然時，將基板從第一沉積腔室傳送到真空旋轉(zhuǎn)模塊中；具體來說當(dāng)另一基板從真空旋轉(zhuǎn)模塊傳送到第二沉積腔室或反之亦然時，將基板從真空旋轉(zhuǎn)模塊傳送到第二沉積腔室中；在第二沉積腔室中，沉積包括第二材料的第二層。

附圖說明

因此，為了能夠詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征所用方式，上文所簡要概述的本發(fā)明的更具體的描述可以參考本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行，一些實(shí)施方式例示在附圖中。

圖1是根據(jù)本文所述實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的示意圖，所述基板處理系統(tǒng)具有三個沉積腔室、與處理腔室一起提供線性傳輸路徑的真空旋轉(zhuǎn)模塊、以及雙傳輸軌系統(tǒng)；

圖2是根據(jù)本文所述實(shí)施方式的另一基板處理系統(tǒng)的示意圖，所述另一基板處理系統(tǒng)具有若干沉積腔室、與處理腔室一起提供線性傳輸路徑的真空旋轉(zhuǎn)模塊、以及雙傳輸軌系統(tǒng)；

圖3-5是根據(jù)本文所述實(shí)施方式的另一基板處理系統(tǒng)的示意圖，所述另一基板處理系統(tǒng)具有若干沉積腔室、與處理腔室一起提供線性傳輸路徑的真空旋轉(zhuǎn)模塊、以及雙傳輸軌系統(tǒng)；

圖6是根據(jù)本文所述實(shí)施方式的包括雙軌傳輸系統(tǒng)的腔室的示意圖；

圖7是示出根據(jù)本文所述實(shí)施方式的在包括直列基板處理系統(tǒng)部分的處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法的流程圖；以及

圖8是根據(jù)本文所述實(shí)施方式的另一基板處理系統(tǒng)的示意圖，所述另一基板處理系統(tǒng)具有若干沉積腔室、與處理腔室一起提供線性傳輸路徑的真空旋轉(zhuǎn)模塊、以及雙軌傳輸系統(tǒng)。

為了促進(jìn)理解，在可能的情況下，已盡可能使用相同元件符號指定各圖所共有的相同元件。應(yīng)預(yù)見到，一個實(shí)施方式的元件或特征可有利地并入其他實(shí)現(xiàn)方式，而不需要進(jìn)一步地陳述。

然而，值得注意的是，附圖僅示出了本發(fā)明的示例性的實(shí)施方式，并且因此不應(yīng)視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他等效實(shí)施方式。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施方式，它們一或多個實(shí)例在附圖中示出。每個實(shí)例以解釋的方式提供，而不旨在作為本發(fā)明的限制。例如，作為一個實(shí)施方式的部分而示出或描述的特征可用于其他實(shí)施方式或可與其他實(shí)施方式結(jié)合，以便產(chǎn)生另一實(shí)施方式。本發(fā)明是旨在包括此類修改和變型。

如本文中所使用的術(shù)語“基板”應(yīng)當(dāng)包含多個基板，即，例如用于制造顯示器的基板，諸如，玻璃基板或由塑料材料制成的基板。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，本文所述實(shí)施方式可以用于顯示器制造，例如，PVD，即，在顯示器市場的大面積基板上濺射沉積。

根據(jù)一些實(shí)施方式，大面積基板或相應(yīng)載體(其中所述載體具有多個基板)可具有至少0.67m²的尺寸。通常，尺寸可以是約0.67m²(0.73×0.92m–第4.5代)或更高代，更通常為約2m²至約9m²或甚至高達(dá)12m²。通常，根據(jù)本文所述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)、設(shè)備(諸如陰極組件)和方法所用于的基板或載體是本文所述的大面積基板。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代或甚至第10代，其中，第4.5代對應(yīng)于約0.67m²的基板(0.73×0.92m)、第5代對應(yīng)于約1.4m²的基板(1.1m×1.3m)、第7.5代對應(yīng)于約4.29m²的基板(1.95m×2.2m)、第8.5代對應(yīng)于約5.7m²的基板(2.2m×2.5m)、第10代對應(yīng)于約8.7m²的基板(2.85m×3.05m)?？深愃频貙?shí)現(xiàn)甚至更高的世代(諸如，第11代和第12代)以及對應(yīng)基板面積。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，系統(tǒng)可配置成用于以例如靜態(tài)沉積來進(jìn)行TFT制造。

通常，基板在處理系統(tǒng)中是基本上豎直地定向的。由此，應(yīng)當(dāng)理解，豎直地定向的基板可在處理系統(tǒng)中具有從豎直定向(即，90°)的某個偏移以允許以幾度的傾斜進(jìn)行穩(wěn)定傳輸，即，基板可具有從豎直取向±20°或更少的偏移，例如，±10°或更少的偏移。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，可提供尤其是在維護(hù)期間具有改進(jìn)單件工時和/或改進(jìn)正常運(yùn)行時間的基板處理系統(tǒng)。此外，不一定增加處理系統(tǒng)占用面積以例如用于提供冗余腔室。根據(jù)本文所述實(shí)施方式，提供將基板分配至不同工藝腔室中的模塊(諸如，真空旋轉(zhuǎn)模塊)。這些工藝腔室中的一個可關(guān)閉以進(jìn)行維護(hù)，而不需要停止整個處理系統(tǒng)。在對一個工藝腔室進(jìn)行維護(hù)期間，系統(tǒng)可至少以減少單件工時進(jìn)行操作。

先前已描述了真空旋轉(zhuǎn)模塊，其中設(shè)有一或多個旋轉(zhuǎn)軌道，并且可使基板在真空旋轉(zhuǎn)模塊中繞旋轉(zhuǎn)軸(例如，豎直的旋轉(zhuǎn)軸)旋轉(zhuǎn)。這些模塊通常包括單軌傳輸系統(tǒng)，即，其中可在某一時刻在真空旋轉(zhuǎn)模塊與相鄰真空腔室之間傳輸一個基板的傳輸系統(tǒng)。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，提供具有第一雙軌傳輸系統(tǒng)的第一真空腔室。例如，雙軌傳輸系統(tǒng)可以包括橫向位移機(jī)構(gòu)，所述橫向位移機(jī)構(gòu)用于改變基板的在第一真空腔室內(nèi)的軌道位置?？稍跈M向方向(即，基本上垂直于傳輸系統(tǒng)的傳輸方向的方向)上將基板從雙軌傳輸系統(tǒng)的一個軌道移動到雙軌傳輸系統(tǒng)的另一軌道。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的實(shí)施方式，也可將傳輸方向描述為用于將基板從處理系統(tǒng)的真空腔室傳輸至處理系統(tǒng)的另一腔室的方向。提供具有第二真空腔室的真空旋轉(zhuǎn)模塊。真空旋轉(zhuǎn)模塊包括豎直的旋轉(zhuǎn)軸，以使基本上豎直地定向的基板在該真空旋轉(zhuǎn)模塊的真空腔室(即，第二真空腔室)中旋轉(zhuǎn)。真空旋轉(zhuǎn)模塊包括第二雙軌傳輸系統(tǒng)，其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)在第二傳輸系統(tǒng)的第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的本文所述實(shí)施方式，第二雙軌傳輸系統(tǒng)具有與第一真空腔室(例如，處理腔室的真空腔室)中的雙軌傳輸系統(tǒng)基本相同的軌距。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，提供雙軌(dual track，DT-)真空旋轉(zhuǎn)模塊。DT真空旋轉(zhuǎn)模塊用于可能需要工藝套件(process kit)的頻繁維護(hù)的、具有厚層和高產(chǎn)量的工藝。例如，具有DT真空旋轉(zhuǎn)模塊允許布置一或多個厚層沉積工藝站，例如，當(dāng)一或多個厚層沉積工藝站被耦接至真空旋轉(zhuǎn)模塊時，所述一或多個厚層沉積工藝站移置(displaced)90°。雙軌真空旋轉(zhuǎn)模塊使系統(tǒng)能夠同時替換處理模塊(例如，所述處理模塊具有處理腔室)與真空旋轉(zhuǎn)模塊之間的多于一個載體，當(dāng)雙軌載體傳輸也用于處理模塊處理腔室時尤其如此。在替換后，該真空旋轉(zhuǎn)模塊的轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)到位，以便將載體傳送至下一模塊或從下一模塊接收載體。因此，多個處理模塊可連接至真空旋轉(zhuǎn)模塊，其中處理系統(tǒng)占用面積可減小或可保持為有限面積，例如，不必將用于各種工藝的處理模塊背靠背地布置。

直列處理系統(tǒng)通常提供用于沉積一系列的層的腔室序列。由此，在一個腔室接著另一腔室中沉積一個接著另一個層。例如，可在基板上方沉積鉬層，接著，在此鉬層上方沉積較厚鋁層，并且在此鋁層上方沉積另一較薄鉬層。由此，可提供包括鉬沉積源的第一腔室。之后，可以提供用于沉積鋁的兩個沉積腔室。之后，提供用于沉積鉬的另一腔室。由此，可以交替方式將直列處理系統(tǒng)中的基板傳送到第一鋁室和第二鋁室中，使得沉積較厚鋁層對于直列沉積系統(tǒng)中的總體產(chǎn)量限制較小。然而，用于沉積鉬的沉積源(例如，鉬濺射靶材)可能非常昂貴，對于大面積基板的處理尤其如此。因此，在上述處理系統(tǒng)中利用四個腔室，并且需要提供兩個具有非常昂貴的沉積源(例如，濺射靶材)的腔室。此外，在進(jìn)行維護(hù)情況下，需要在此類處理系統(tǒng)中停止整個生產(chǎn)。

圖1示出基板處理系統(tǒng)100的實(shí)施方式。系統(tǒng)包括第一真空腔室101、第二真空腔室102和第三真空腔室103。這些真空腔室可為真空在其中生成的沉積腔室或其他處理腔室。根據(jù)對處理步驟的需求(例如，對于在基板上或基板上方沉積材料)提供真空，即，10mbar或更低的壓力。此外，系統(tǒng)包括具有真空腔室的真空旋轉(zhuǎn)模塊150，所述真空旋轉(zhuǎn)模塊被配置成用于將基板從第一真空腔室101傳送至第二真空腔室102和第三真空腔室103中的一者。此外，真空旋轉(zhuǎn)模塊150被配置成用于將基板從第二真空腔室102和第三真空腔室103中的一者傳送至第二真空腔室和第三真空腔室中的另一者或第一真空腔室101。

如圖1所示，第一真空腔室具有第一沉積源141，并且第二真空腔室和第三真空腔室各自都有另一沉積源142。通常，在第二真空腔室與第三真空腔室中的沉積源142可為類似的沉積源，使得能以交替方式使用第二真空腔室102與第三真空腔室103。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式，沉積源提供為濺射靶材(諸如，旋轉(zhuǎn)濺射靶材)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式，沉積源提供為濺射靶材(諸如，旋轉(zhuǎn)濺射靶材)。根據(jù)本發(fā)明的典型實(shí)現(xiàn)方式，可以提供DC(直流)濺射、脈沖濺射、RF(射頻)濺射、或MF(中頻)濺射。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的另外實(shí)施方式，可提供利用在5kHz至100kHz的范圍中的頻率(例如，30kHz至50kHz)的中頻濺射。

在以沉積源142進(jìn)行沉積是基板處理系統(tǒng)100的產(chǎn)量的限制因素的情況下，可以提高總體產(chǎn)量，因?yàn)樵谔幚硐到y(tǒng)中連續(xù)地或準(zhǔn)連續(xù)地處理的基板能以交替方式在第二真空腔室102和第三真空腔室103中處理。例如，如果將利用沉積源142沉積的層是厚層，或者如果沉積源142的沉積速率為低，那么情況如此。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊150經(jīng)由線性傳輸路徑而與第一真空腔室101、第二真空腔室102和第三真空腔室103連接。根據(jù)本文所述實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊包括雙軌傳輸系統(tǒng)，這個雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道151和第二旋轉(zhuǎn)軌道154。第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道可繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸155旋轉(zhuǎn)。例如，可將第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道旋轉(zhuǎn)至元件符號151’和154’所示出的位置，從而與第二真空腔室102的傳輸軌道一起產(chǎn)生線性傳輸路徑。例如，可在基板處理系統(tǒng)100中、沿線性傳輸路徑來傳輸通常用于顯示器制造的大面積基板。通常，由傳輸軌道161和163(諸如，具有例如沿一線布置的多個滾軸的線性傳輸軌道)提供線性傳輸路徑。此外，第一旋轉(zhuǎn)軌道156和第二旋轉(zhuǎn)軌道154可提供為具有例如沿線布置的多個滾軸的線性傳輸軌道。此外，可沿設(shè)在第一旋轉(zhuǎn)軌道156與第二旋轉(zhuǎn)軌道154之間的豎直的旋轉(zhuǎn)軸155旋轉(zhuǎn)第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道。根據(jù)典型實(shí)施方式，可由在大面積基板的底部的傳輸系統(tǒng)以及在基本上豎直地定向的大面積基板的頂部的引導(dǎo)系統(tǒng)提供傳輸軌道和/或旋轉(zhuǎn)軌道。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的不同實(shí)施方式，可由固定雙軌系統(tǒng)、移動單軌系統(tǒng)或移動雙軌系統(tǒng)提供真空腔室(例如，在圖1中示出的真空腔室122、121、101、102和103)中的雙軌傳輸系統(tǒng)(即，具有第一傳輸路徑和第二傳輸路徑的傳輸系統(tǒng))。固定雙軌系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中第一傳輸軌道和第二傳輸軌道不能橫向移位，即，不能在垂直于傳輸方向的方向上移動基板。移動單軌系統(tǒng)通過以下方式來提供雙軌傳輸系統(tǒng)：具有可橫向地(即，垂直于傳輸方向)移位的線性傳輸軌道，使得可在第一傳輸路徑或第二傳輸路徑上提供基板，其中第一傳輸路徑與第二傳輸路徑彼此遠(yuǎn)離。移動雙軌系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中這兩傳輸軌道可橫向地移位，即，它們可將它們各自位置從第一傳輸路徑切換至第二傳輸路徑，并且反之亦然。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊包括固定雙軌系統(tǒng)，這個固定雙軌系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道(也可稱為可旋轉(zhuǎn)的第一傳輸軌道和可旋轉(zhuǎn)的第二傳輸軌道)，其中第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間的距離是固定的。由此，第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間的距離和間距(pitch)是固定的，并且豎直的旋轉(zhuǎn)軸155設(shè)在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間的距離或間距為500mm或更小，例如，200mm或更小，例如，約100mm、約90mm或約80mm。旋轉(zhuǎn)軸在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間，并且例如如圖1中所示，基本上垂直于旋轉(zhuǎn)軌道。

根據(jù)一個實(shí)例，在基板精確豎直定向情況下，用于大面積基板或載體的底部的傳輸系統(tǒng)以及用于大面積基板或載體的頂部的引導(dǎo)系統(tǒng)在平面內(nèi)，使得第一旋轉(zhuǎn)軌道的第一平面、第二旋轉(zhuǎn)軌道的第二平面和豎直的旋轉(zhuǎn)軸是平行的，其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸155設(shè)在第一平面與第二平面之間。應(yīng)當(dāng)理解，對于具有±20°或更小的豎直基板定向的變化的基板處理系統(tǒng)，第一平面和第二平面可能并不平行。在此類情況下，豎直的旋轉(zhuǎn)軸155在真空旋轉(zhuǎn)模塊150的真空腔室內(nèi)、在兩個非平行的平面之間延伸，并且可例如布置以形成第一平面和第二平面的對稱軸。

如本文中所述，具有帶有匹配單個相鄰真空腔室的軌道的間距或距離的雙軌傳輸系統(tǒng)的真空旋轉(zhuǎn)模塊對于具有連接在真空旋轉(zhuǎn)模塊的一側(cè)處的單個腔室的處理系統(tǒng)允許改進(jìn)載體傳送。因此，可同時將兩個載體傳送進(jìn)和/或出真空旋轉(zhuǎn)模塊。由此，允許同時傳送的第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道經(jīng)定位以具有第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間的豎直的旋轉(zhuǎn)軸。因此，可以提供改進(jìn)傳送而不需要具有較大數(shù)目，其可例如背靠背地位于真空旋轉(zhuǎn)模塊的一側(cè)處。鑒于這種情況，本文所述實(shí)施方式尤其在處理系統(tǒng)的一個腔室處于維護(hù)下的情況下提供改進(jìn)單件工時，同時可減少占用面積。具有減少的占用面積的選項通常減少處理系統(tǒng)的持有成本(cost of ownership)和/或允許在其中設(shè)有有限地板空間的區(qū)域中安裝系統(tǒng)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施方式結(jié)合的另外實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊被配置成用于相對于豎直的旋轉(zhuǎn)軸155來旋轉(zhuǎn)基板。由此，可在無需在真空旋轉(zhuǎn)模塊150中旋轉(zhuǎn)的情況下、經(jīng)由線性傳輸路徑152、進(jìn)一步將經(jīng)由線性傳輸路徑151而進(jìn)入真空旋轉(zhuǎn)模塊150的基板傳送至腔室103?？稍谡婵招D(zhuǎn)模塊150內(nèi)旋轉(zhuǎn)經(jīng)由傳輸路徑151而進(jìn)入真空旋轉(zhuǎn)模塊150的基板，以便經(jīng)由線性傳輸路徑152而進(jìn)入第二真空腔室102。可分別通過或不通過對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)來執(zhí)行傳送出腔室102、103而至真空旋轉(zhuǎn)模塊150。

如上所述，可使用與真空旋轉(zhuǎn)模塊150結(jié)合的第一真空腔室101、第二真空腔室102和第三真空腔室103的布置以改進(jìn)對多個真空腔室的利用，具體來說改進(jìn)對第一真空腔室101的利用，并且更具體地通過具有減小的處理系統(tǒng)的占用面積改進(jìn)利用。因此，如果真空腔室101被配置成用于沉積昂貴材料(諸如，含鉬材料、含鉑材料、含金材料或含銀材料)，那么基板處理系統(tǒng)100的操作者僅需購買一組昂貴種類的沉積源。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，直列基板處理系統(tǒng)100包括對處理腔室的改進(jìn)利用，并且允許以連續(xù)或準(zhǔn)連續(xù)的方式將基板饋送到處理系統(tǒng)中。由此，分別將第一傳輸軌道163和第二傳輸軌道164提供給另外腔室121以及另外腔室122。

一組傳輸軌道可配置成用于基板在腔室121、101、102和103中的一或多者中橫向移動。由此，基板可基本上水平地移動以使得提供沿垂直于傳輸路徑的方向的位移。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式，腔室122可為負(fù)載鎖定腔室，用于將基板插入到處理系統(tǒng)100中并且用于將基板裝卸出處理系統(tǒng)。此外，腔室121可為選自由以下各腔室組成的組：緩沖腔室、加熱腔室、傳送腔室、循環(huán)時間調(diào)整腔室等等。

根據(jù)典型實(shí)施方式，在圖1中示例性地示出的腔室是真空腔室，即，這些腔室配置成用于在10mbar或更低的壓力下傳送或處理基板。由此，基板被鎖定到腔室122中或從腔室122解除鎖定，所述腔室122被配置成在腔室122與121之間的真空閥打開以進(jìn)一步將基板傳輸至處理系統(tǒng)100中的腔室121中前排空。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式，對沉積腔室的改進(jìn)利用可用于層堆疊，其中當(dāng)與中間層比較時，第一層和另一層(例如，最終層)是薄的。舉例來說，層堆疊可包括至少含鉬層、含銅層和含鉬層，其中所包括的這三個層以此順序提供。層堆疊也可包括含鉬層、含鋁層和含鉬層，其中所包括的這三個層以此順序來提供。但是，根據(jù)另外實(shí)施方式，含鉬層可也為包括昂貴材料的上述層的另一層。

圖1示出搖擺模塊622，其中基板可從水平位置搬運(yùn)至豎直位置，以便以豎直處理來處理。根據(jù)另外實(shí)施方式，也可提供其他加載模塊(像豎直或水平的機(jī)器人(robot)和/或緩沖器)以將載體裝載至負(fù)載鎖定腔室122中，所述載體具有支撐在其中的一或多個基板。通常，搖擺模塊也可包括雙軌系統(tǒng)。由此，可以省略大氣旋轉(zhuǎn)模塊和/或附加出口腔室，因?yàn)榇讼到y(tǒng)包括進(jìn)出負(fù)載鎖定裝置122的雙重出口/入口。如由元件符號181所指示，該搖擺模塊的雙軌系統(tǒng)可為如本文所述的移動單軌模塊。載體可裝載至負(fù)載鎖定腔室122中的雙軌傳輸系統(tǒng)的軌道164或164的任一者上，所述雙軌傳輸系統(tǒng)可為例如固定雙軌傳輸系統(tǒng)。

一或多個腔室可在負(fù)載鎖定腔室122與腔室121之間傳送。載體可從腔室121傳送至第一真空腔室101中。第一真空腔室101的雙軌傳輸系統(tǒng)可例如為其中兩個軌道可切換它們相應(yīng)位置的移動雙軌系統(tǒng)。這由元件符號182指示。當(dāng)在第一真空腔室101中處理基板后，可將此基板從第一真空腔室101傳送至真空旋轉(zhuǎn)模塊150，并且進(jìn)一步傳送至第二真空腔室102，以進(jìn)一步處理基板。例如，當(dāng)?shù)谝换迦栽诘诙婵涨皇?02中處理時，將移出第一真空腔室101而移入另一真空腔室的另一載體中的另一(例如，后續(xù))基板可移動至第三真空腔室103。因此，真空旋轉(zhuǎn)模塊允許通過第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道圍繞豎直軸155的旋轉(zhuǎn)來對兩個或更多個腔室尋址。

由此，若干基板可同時地處理。例如，在圖1中，僅提供了三個沉積腔室，其中兩個腔室可用于例如以交替方式進(jìn)行沉積，而一個腔室可用于在基板處理系統(tǒng)100中沉積基板的第一層和基板的最終層。

根據(jù)本文所述一些實(shí)施方式，第一真空腔室101可為第一沉積腔室，所述第一沉積腔室具有設(shè)在第一沉積腔室中的第一沉積源141，并且其中第一真空腔室被耦接至真空旋轉(zhuǎn)模塊150，第一真空腔室和真空旋轉(zhuǎn)模塊由第一真空可密封閥分開。附加地或替代地，可提供作為第二沉積腔室和/或第三沉積腔室并具有第二沉積源和/或第三沉積源的第二真空腔室102和/或第三真空腔室103，其中第二真空腔室和/或第三真空腔室被耦接至由第二真空可密封閥分開的真空旋轉(zhuǎn)模塊。

因此，具體來說，可關(guān)閉真空旋轉(zhuǎn)模塊與第二真空腔室和第三真空腔室中的一或多個之間的真空可密封閥，以便維護(hù)這些腔室中的相應(yīng)一個。鑒于單個其他真空腔室中的雙傳輸軌以及隨之而產(chǎn)生的雙重傳輸路徑，可使載體傳送進(jìn)出這個單個其他真空腔室得以改進(jìn)。例如，當(dāng)腔室處于維護(hù)時，這又可改進(jìn)處理系統(tǒng)的單件工時。

圖1示出具有裝配雙軌傳輸系統(tǒng)的若干腔室的一個實(shí)施方式。如上所述，可由固定雙軌系統(tǒng)、移動單軌系統(tǒng)或移動雙軌系統(tǒng)提供具有第一傳輸路徑和第二傳輸路徑的雙軌傳輸系統(tǒng)。固定雙軌系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中第一傳輸軌道和第二傳輸軌道不能橫向移位，即，基板不能在垂直于傳輸方向的方向上移動。在附圖中以元件符號181指示的移動單軌系統(tǒng)通過以下方式提供雙軌傳輸系統(tǒng)：具有可橫向地(即，垂直于傳輸方向)移位的線性傳輸軌道，使得基板可以設(shè)在第一傳輸路徑或第二傳輸路徑上，其中第一傳輸路徑和第二傳輸路徑彼此遠(yuǎn)離。在附圖中以元件符號182指示的移動雙軌系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中這兩個傳輸軌道可橫向地移位，即，它們可將它們各自位置從第一傳輸路徑切換至第二傳輸路徑，并且反之亦然。

如參考圖2所示，根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的另外實(shí)施方式，可以提供另外沉積腔室，諸如，例如具有沉積源142的真空腔室104。真空腔室101、102、103和104可例如通過真空可密封閥連接至真空旋轉(zhuǎn)模塊。提供線性傳輸路徑，所述線性傳輸路徑可例如具有相對于彼此成90°的角度。能以交替方式在真空腔室102-104中的一者中提供基板，使得利用沉積源142中的一者來沉積層，所述沉積源142可以包括另外材料的源。

根據(jù)一些實(shí)現(xiàn)方式，沉積源142可為類似種類，使得基本上相同的層可在真空腔室102、103和104中沉積，并且能以交替方式使用這些沉積腔室和/或在維護(hù)一個腔室的情況下(其中，隨后仍可操作此系統(tǒng))這些真空腔室可提供冗余性。根據(jù)本文所述實(shí)施方式，相較完整操作系統(tǒng)，需要減少一個腔室的維護(hù)期間的單件工時；然而，由于根據(jù)本文所述實(shí)施方式的雙軌傳輸系統(tǒng)的布置，相較其他系統(tǒng)可改進(jìn)維護(hù)期間的單件工時。

例如，圖2中所示的待在處理系統(tǒng)100中沉積的層堆疊可包括薄含鉬層、包括第一材料的厚層、包括第二材料的厚層以及薄含鉬層。然而，根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施方式，含鉬層也可以是包括昂貴材料的上述層的另一層。

根據(jù)另一實(shí)現(xiàn)方式，沉積源142可以是相同的種類，使得可處理中間層達(dá)相比圖1中的實(shí)施方式的甚至更長的時間。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的典型實(shí)施方式，沉積源提供為濺射靶材(諸如旋轉(zhuǎn)濺射靶材)。根據(jù)另外替代實(shí)現(xiàn)方式，沉積源244可以沉積不同材料，使得可在系統(tǒng)中制造具有多于四個待沉積層的層堆疊。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的另外實(shí)施方式，處理系統(tǒng)(諸如，圖2中所示的處理系統(tǒng)100)也可具有多軌道傳輸系統(tǒng)，所述多軌道傳輸系統(tǒng)具有第一傳輸軌道、第二傳輸軌道以及一或多個另外傳輸軌道(諸如，第三傳輸軌道(未示出))。

由此，可將基板可從負(fù)載鎖定腔室122傳送至另一真空腔室121中，或者當(dāng)將另一基板從負(fù)載鎖定腔室122傳送至另一真空腔室121中時，可將一個基板從所述另一真空腔室121傳送至負(fù)載鎖定腔室122中。因此，能以更靈活的方式執(zhí)行基板傳送，使得基板傳送是循環(huán)時間的限制因素的應(yīng)用可以提高產(chǎn)量。

圖3示出本文所述另外實(shí)施方式。類似于圖1，示出真空腔室101、真空腔室102和真空腔室103。這些真空腔室的一或多個可利用真空可密封閥332連接至真空旋轉(zhuǎn)模塊。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的不同實(shí)施方式，可從由閘閥、狹縫閥(slit valve)和孔隙閥(slot valve)組成的組提供真空可密封閥。即使在本文中的一些附圖中沒有示出真空可密封閥，真空可密封閥也可在耦接至彼此的(即，彼此鄰近)腔室中的任何腔室之間使用。

與圖1相比，圖3中的實(shí)施方式在真空腔室102與103之間具有直傳輸路徑。這對于某些層堆疊可改進(jìn)單件工時和/或可以是對于特定空間要求(例如，當(dāng)處理系統(tǒng)的最大長度可能受限于可用的地板空間時)的改進(jìn)。

如圖1-4中所示，真空旋轉(zhuǎn)模塊可以是八邊形或另一多邊形。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施方式結(jié)合的一些實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊具有至少四個側(cè)壁，其中每一個側(cè)壁都配置成耦接至真空腔室。圖5示出側(cè)壁452a至452d，其中真空旋轉(zhuǎn)模塊為矩形。另外，真空旋轉(zhuǎn)模塊可具有至少八個側(cè)壁，其中每一個側(cè)壁配置成耦接至真空腔室。圖4示出側(cè)壁452a至452h。真空腔室(可以例如是處理腔室)連接至側(cè)壁452c、452e、452g和452h。因此，一或多個真空腔室可具有旋轉(zhuǎn)90°和/或45°的多個線性傳輸路徑。這對于某些層堆疊可改進(jìn)單件工時和/或可以是對于特定的空間要求(例如，當(dāng)處理系統(tǒng)的最大長度可能受限于可用的地板空間時)的改進(jìn)。

在圖6中示出具有第一傳輸軌道163與第二傳輸軌道164的腔室121的實(shí)例。腔室121具有腔室壁302，腔室壁302具有開口306。開口306配置成用于傳送基本上豎直地定向的基板。因此，開口306可具有狹縫的形狀。通常，可利用真空可密封閥來開啟和關(guān)閉開口。

此外，腔室121可具有凸緣(flange)304，用于真空系統(tǒng)(諸如，真空泵等)的連接。由此，當(dāng)用于關(guān)閉開口306的真空閥中的至少一者，優(yōu)選地兩個真空閥關(guān)閉時和/或當(dāng)相鄰真空腔室排空為閥時，可對腔室121排氣。

分別具有第一傳輸軌道163和第二傳輸軌道164的基板傳輸系統(tǒng)或載體傳輸系統(tǒng)包括兩組傳輸元件。第一組傳輸元件中的傳輸元件310包括傳輸滾軸312。第二組傳輸元件中的傳輸元件320包括傳輸滾軸322。傳輸元件310繞旋轉(zhuǎn)軸311是可旋轉(zhuǎn)的。傳輸元件320繞旋轉(zhuǎn)軸321是可旋轉(zhuǎn)的。

在圖6中，傳輸元件310和320中的每個示為位于兩個位置。由此，以虛線來示出一個位置。傳輸元件中的每個都有軸承元件314或324。軸承元件配置成用于提供旋轉(zhuǎn)以及用于提供分別沿旋轉(zhuǎn)軸311或321的線性移動?？赏ㄟ^軸承元件的線性移動將旋轉(zhuǎn)元件從第一位置移動至第二位置(虛線)。

如圖6中所示，傳輸滾軸312相對于傳輸滾軸322偏移。通過傳輸元件的線性移動，傳輸元件310的傳輸滾軸312可從第一傳輸軌道163移動至第二傳輸軌道164。因此，通過傳輸元件310和320的移動，定位在第一傳輸軌道中(即，在用于驅(qū)動載體的傳輸滾軸上)的基板可移動至第二傳輸軌道?；蛘?，定位在第二傳輸軌道164中的基板可移動至第一傳輸軌道。

圖6中所示出的傳輸元件310和320提供用于基本上豎直地定向的基板的基板支撐件，所述基板支撐件適用于在基板的底端支撐基板。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的另外實(shí)施方式，基板傳輸系統(tǒng)或載體傳輸系統(tǒng)也分別包括用于沿傳輸路徑(即，在傳輸方向上)引導(dǎo)載體的上傳輸裝置或引導(dǎo)元件(例如，磁性引導(dǎo)元件)。

通常，傳輸裝置是用于在第一傳輸路徑或第二傳輸路徑中的一個傳輸路徑上引導(dǎo)基板的一組或多組引導(dǎo)元件。例如，引導(dǎo)元件可以是具有凹槽(例如，兩個狹縫)的磁性引導(dǎo)元件，可將基板傳送通過所述凹槽。根據(jù)另外實(shí)施方式，這些引導(dǎo)元件可也包括用于線性移動的軸承，使得可執(zhí)行從第一傳輸軌道至第二傳輸軌道的轉(zhuǎn)移。

根據(jù)典型實(shí)施方式，同步移動傳輸元件310和傳輸元件320，以便在腔室121內(nèi)橫向傳送基本上豎直地定向的基板。通常，也可同時移動上元件(諸如，引導(dǎo)元件)。

傳輸元件310和320可進(jìn)一步包括皮帶驅(qū)動裝置316和326，用于驅(qū)動傳輸元件的旋轉(zhuǎn)，以便沿傳輸路徑來傳輸設(shè)在傳輸滾軸上的基板或載體。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，可由電機(jī)驅(qū)動皮帶驅(qū)動裝置中的一或多個。

圖7示出如本文所述的在處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法，根據(jù)一些實(shí)施方式，處理系統(tǒng)可為在直列處理系統(tǒng)與群集處理系統(tǒng)之間的混合系統(tǒng)，具有對沉積腔室的改進(jìn)利用。如圖7中所示，在步驟402中，在第一腔室中沉積第一層。第一層通?？砂◤挠摄f、鉑和金組成的組中選出的至少一種材料。

此外，第一層通常是薄層或可在相較第二層的沉積時間短的時間內(nèi)沉積的層。隨后，可將基板傳送至第二或第三腔室中，使得在步驟404中在第二腔室中沉積第二層，或者可在步驟405中在第三腔室中沉積第二層。

由此，能以交替方式執(zhí)行步驟404和405。鑒于在第二腔室或第三腔室中的沉積時間較長，沉積系統(tǒng)不會不必要地在產(chǎn)量上受到較長沉積步驟限制。在步驟406中，沉積包括與第一層(見步驟402)相同的材料的另一層。步驟406在與步驟402相同的腔室中執(zhí)行。由此，提供對沉積腔室的改進(jìn)利用。

根據(jù)本文所述另外實(shí)施方式，可通過第二腔室或第三腔室的維護(hù)來臨時地關(guān)閉步驟404或405的路線。如果在真空旋轉(zhuǎn)模塊腔室之間的真空可密封閥在維護(hù)中被關(guān)閉，那么仍可操作這個系統(tǒng)。此外，可利用真空旋轉(zhuǎn)模塊與第二腔室和第三腔室中的另一者之間的雙軌傳輸系統(tǒng)來在維護(hù)期間具有更佳單件工時。鑒于豎直的旋轉(zhuǎn)軸在真空旋轉(zhuǎn)模塊的雙軌傳輸系統(tǒng)的第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間這一事實(shí)，相較在真空旋轉(zhuǎn)模塊中有多軌傳輸系統(tǒng)的處理系統(tǒng)，可以使占用面積或所需地板空間減少，其中相鄰于豎直的旋轉(zhuǎn)軸的兩個軌道具有例如1000mm或更大的大距離。

圖8示例性地示出另一實(shí)施方式。搖擺模塊以及其他腔室設(shè)有第一傳輸軌道163和第二傳輸軌道164。另外，作為對另外軌道的附加或替代，提供第三沉積腔室204和第四沉積腔室205。即使沉積源244相較沉積源142以不同元件符號來標(biāo)示，這些源也可以是類似的。因此，用于沉積第二靶材的多于兩個腔室可附接至真空旋轉(zhuǎn)模塊?？梢越惶娣绞讲僮饔糜诔练e第二層的腔室中的一或多個，并且所述腔室中的一或多個可裝配有單載軌道和/或如圖8所示的雙載軌道。這允許以增加產(chǎn)量沉積甚至更厚的第二層，具體來說無需在若干步驟中(例如，在若干腔室中)沉積第二層。

根據(jù)本文所述實(shí)施方式，真空旋轉(zhuǎn)模塊的至少一個腔室壁僅耦接至單個腔室(例如，圖8中的腔室101)。真空旋轉(zhuǎn)模塊150中的雙軌或多軌傳輸系統(tǒng)具有相鄰于豎直的旋轉(zhuǎn)軸的兩個旋轉(zhuǎn)軌道的間距寬度或距離，所述兩個旋轉(zhuǎn)軌道的間距寬度或距離對應(yīng)第一傳輸軌道與第二傳輸軌道的間距寬度或距離，所述第二傳輸軌道例如直接地相鄰于所述第一傳輸軌道。如從圖8可見，圖8中示出的真空旋轉(zhuǎn)模塊允許一或兩個腔室耦接在真空旋轉(zhuǎn)模塊的對應(yīng)側(cè)上。因此，該真空旋轉(zhuǎn)模塊的一或多側(cè)可僅僅耦接至一個真空腔室。

本文所述實(shí)施方式提高硬件使用效率、在給定數(shù)量真空腔室情況下增加系統(tǒng)產(chǎn)量、和/或通過使用用于沉積第二層的增強(qiáng)交替操作來增加系統(tǒng)產(chǎn)量。此外，可以改進(jìn)尤其在維護(hù)期間的單件工時，同時處理系統(tǒng)占用面積不擴(kuò)大得過多，即，并非通過僅增加另外硬件來提供單件工時，增加另外硬件將會增加持有成本。這由混合系統(tǒng)提供，并且可通過使用真空旋轉(zhuǎn)模塊中的多載軌道進(jìn)一步改進(jìn)，其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸設(shè)在具有間距或距離的兩個相鄰旋轉(zhuǎn)軌道之間，所述間距或距離對應(yīng)在單個其他腔室中的雙軌傳輸系統(tǒng)的間距或距離和/或以下間距或距離：例如，500mm或更小，例如，200mm或更小，例如，約100mm、約90mm或約80mm。

本文所述實(shí)施方式可以用于多層沉積工具，例如，多層PVD沉積工具，尤其對于靜態(tài)沉積工藝來說。

鑒于上述內(nèi)容，描述多個實(shí)施方式。例如，根據(jù)一個實(shí)施方式，提供一種用于處理基本上豎直地定向的基板的基板處理系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括：第一真空腔室，所述第一真空腔室具有第一雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第一雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一傳輸軌道和第二傳輸軌道；至少一個橫向位移機(jī)構(gòu)，所述至少一個橫向位移機(jī)構(gòu)被配置成用于在第一真空腔室內(nèi)將基板從第一傳輸軌道橫向地移位至第二傳輸軌道或反之亦然；以及真空旋轉(zhuǎn)模塊，所述真空旋轉(zhuǎn)模塊具有第二真空腔室，其中真空旋轉(zhuǎn)模塊包括豎直的旋轉(zhuǎn)軸，以使基板在第二真空腔室內(nèi)圍繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，其中真空旋轉(zhuǎn)模塊具有第二雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第二雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道，其中第一旋轉(zhuǎn)軌道可旋轉(zhuǎn)以與第一傳輸軌道形成線性傳輸路徑，并且第二旋轉(zhuǎn)軌道可旋轉(zhuǎn)以與第二傳輸軌道形成線性傳輸路徑，并且其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的一些實(shí)施方式，第一真空腔室可為第一沉積腔室，所述第一沉積腔室具有設(shè)在所述第一沉積腔室中的第一沉積源，其中第一真空腔室被耦接至真空旋轉(zhuǎn)模塊，第一真空腔室與真空旋轉(zhuǎn)模塊由第一真空可密封閥分開，并且例如，包括第三真空腔室作為第二沉積腔室，并且所述第三真空腔室具有設(shè)在第二沉積腔室中的第二沉積源，其中第三真空腔室被耦接至真空旋轉(zhuǎn)模塊，其中第二真空腔室與真空旋轉(zhuǎn)模塊是由第二真空可密封閥分開。

根據(jù)另一實(shí)施方式，提供一種被配置用于具有第一真空腔室和第一雙軌傳輸系統(tǒng)的基板處理系統(tǒng)、具體來說用于根據(jù)本文所述實(shí)施方式的基板處理系統(tǒng)的真空旋轉(zhuǎn)模塊。真空旋轉(zhuǎn)模塊包括：第二真空腔室；第二雙軌傳輸系統(tǒng)，所述第二雙軌傳輸系統(tǒng)具有第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道，其中第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道具有500mm或更小的距離；以及豎直的旋轉(zhuǎn)軸，所述豎直的旋轉(zhuǎn)軸使得基板在第二真空腔室內(nèi)、在第二雙軌傳輸系統(tǒng)上圍繞豎直的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，其中豎直的旋轉(zhuǎn)軸在第一旋轉(zhuǎn)軌道與第二旋轉(zhuǎn)軌道之間。根據(jù)一些實(shí)施方式，可包括下述特征、方面或細(xì)節(jié)中的一或多個。例如，真空旋轉(zhuǎn)模塊可以具有至少四個側(cè)壁，其中每個側(cè)壁被配置成將耦接至真空腔室，具體來說其中真空旋轉(zhuǎn)模塊具有至少八個側(cè)壁，其中每個側(cè)壁被配置成將耦接至真空腔室。真空旋轉(zhuǎn)模塊可配置成用于同時將兩個基板裝載到一個相鄰真空腔室中和/或同時從一個相鄰真空腔室卸載兩個基板。第一旋轉(zhuǎn)軌道和第二旋轉(zhuǎn)軌道可具有200mm或更小的距離。

根據(jù)另一實(shí)施方式，提供一種在具有第一沉積腔室、第二沉積腔室和真空旋轉(zhuǎn)模塊的基板處理系統(tǒng)中沉積層堆疊的方法。所述方法包括：在第一沉積腔室中，將包括第一材料的第一層沉積到基本上豎直地定向的基板上；當(dāng)另一基板從第一沉積腔室傳送到真空旋轉(zhuǎn)模塊中或反之亦然時，將基板從第一沉積腔室傳送到真空旋轉(zhuǎn)模塊中；具體來說當(dāng)另一基板從真空旋轉(zhuǎn)模塊傳送到第二沉積腔室中或反之亦然時，將基板從真空旋轉(zhuǎn)模塊傳送到第二沉積腔室中；在第二沉積腔室中，沉積包括第二材料的第二層。所述方法可進(jìn)一步包括：閉合真空旋轉(zhuǎn)模塊與第二沉積腔室之間的真空可密封閥；以及當(dāng)系統(tǒng)其余部分在操作中時，對第二沉積腔室提供維護(hù)，和/或所述方法可進(jìn)一步包括：在第一沉積腔室內(nèi)，將基板從第一傳輸軌道橫向地移位至第二傳輸軌道，或反之亦然。

根據(jù)可與本文所述其他實(shí)施方式相結(jié)合的處理系統(tǒng)或操作處理系統(tǒng)的一些實(shí)施方式，待沉積的第一材料可選自由以下各項組成的組：鉬、鉬合金、鉑、鉑合金、金、金合金、鈦、鈦合金、銀和銀合金，具體來說其中第一材料是鉬、鉬合金、鈦或鈦合金。此外，作為對本文所述一或多個實(shí)施方式的另一任選修改，第一傳輸軌道可以包括用于在傳輸方向上進(jìn)行引導(dǎo)的多個引導(dǎo)元件，其中第二傳輸軌道包括用于在這個傳輸方向上進(jìn)行引導(dǎo)的多個引導(dǎo)元件，并且其中第一傳輸軌道和第二傳輸軌道的引導(dǎo)元件分別適于第一引導(dǎo)位置與第二引導(dǎo)位置，使得引導(dǎo)位置在垂直于傳輸方向的方向上移位。例如，可沿傳輸方向交替提供第一傳輸軌道的引導(dǎo)元件和第二傳輸軌道的引導(dǎo)元件。

雖然上述內(nèi)容針對的是本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在不背離本發(fā)明的基本范圍的情況下，可設(shè)計出本發(fā)明的其他和另外實(shí)施方式＝，并且本發(fā)明的范圍是由所附權(quán)利要求書來確定。